專利名稱：芯片埋入方法和芯片埋入式電路板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體芯片封裝的技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說(shuō)，是涉及一種芯片埋入方法和芯片埋入式電路板。
背景技術(shù)：
隨著信息社會(huì)的發(fā)展，各種電子設(shè)備的信息處理量與日俱增，對(duì)于高頻、高速信號(hào)傳輸?shù)男枨笕找嬖鲩L(zhǎng)。將半導(dǎo)體埋入封裝基板，可以有效地縮短半導(dǎo)體與封裝基板的連接距離，為高頻、高速信號(hào)傳輸提供有力的保證。裸芯片埋入基板同時(shí)可以滿足封裝體高集成度(Integration)以及電子產(chǎn)品微型化的發(fā)展需求。在實(shí)際生產(chǎn)中，印刷電路板(PCB，Printed Circuit Board)基板是以銅箔基板 (CCL,Copper-clad Laminate)作為原料而制造的電器或電子的重要機(jī)構(gòu)原件。而芯片的焊盤一般為鋁Al材料，當(dāng)Al材料直接進(jìn)行埋入式工藝制作時(shí)，如果長(zhǎng)期與基板上的銅Cu焊盤直接接觸，會(huì)發(fā)生離子遷移，導(dǎo)致焊盤老化，影響產(chǎn)品可靠性和壽命。目前國(guó)外的研究所通過(guò)濺射鈦/銅(Ti/Cu)的工藝實(shí)現(xiàn)Al焊盤向Cu焊盤的過(guò)渡，濺射主要是指在很高的溫度和電壓作用下，使Ti/Cu等金屬成離子狀發(fā)射，覆蓋到需要的表面上，該工藝避免了由于 Cu與Al焊盤的接觸而導(dǎo)致的離子遷移，防止了焊盤的老化。但是濺射設(shè)備價(jià)格昂貴，工藝參數(shù)復(fù)雜，給埋入式基板制作提出了一些新的課題，較難在近期實(shí)現(xiàn)工業(yè)會(huì)生產(chǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例提供了一種芯片埋入方法和芯片埋入式電路板，采用在芯片焊盤上植入金屬球的工藝，解決埋入式基板制作中，Al焊盤與銅Cu的直接接觸而發(fā)生的離子遷移問(wèn)題。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供以下方案一種芯片埋入方法，包括在基板上開(kāi)設(shè)至少一個(gè)凹槽；將芯片固定于所述凹槽內(nèi)；使用填充材料填充凹槽與芯片之間的空隙，使得所述凹槽填滿；在所述芯片焊盤上植入金屬球；在所述基板上對(duì)應(yīng)芯片植入金屬球的一面設(shè)置一層絕緣保護(hù)層，并暴露出芯片焊盤上植入的金屬球?！N芯片埋入式電路板，包括基板，其至少設(shè)置有一個(gè)凹槽；固定于所述凹槽內(nèi)的芯片，且凹槽與芯片之間的空隙填充有填充材料；設(shè)置在所述芯片焊盤上的金屬球狀體； 所述基板上對(duì)應(yīng)芯片植入金屬球的一面上還覆蓋有絕緣保護(hù)層，但暴露出所述芯片焊盤上植入的金屬球。從以上技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明實(shí)施例提供的一種芯片埋入方法和芯片埋入式電路板，在芯片的Al焊盤上植入球狀體，將這些熔融形成的球狀體作為焊盤，以實(shí)現(xiàn)芯片與基板或引線框架電性連接，避免了由于鋁Al焊盤與銅Cu的直接接觸而發(fā)生的離子遷移， 從而導(dǎo)致焊盤老化，影響產(chǎn)品可靠性和壽命的問(wèn)題，可以較好的滿足埋入式工藝的需要。


圖1為本發(fā)明提供的一種芯片埋入方法中 實(shí)施例一的方法流程圖；圖2a 2f為本發(fā)明提供的一種芯片埋入方法中實(shí)施例二的制作過(guò)程示意圖；圖3為本發(fā)明提供的一種芯片埋入方法中實(shí)施例三的方法流程圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明實(shí)施例提供了一種芯片埋入方法，包括步驟在基板上開(kāi)設(shè)至少一個(gè)凹槽； 將芯片固定于該凹槽內(nèi)；使用填充材料填充凹槽與芯片之間的空隙，使得該凹槽填滿；使用打線機(jī)，在該芯片焊盤上植入金屬球；在基板上對(duì)應(yīng)芯片植入金屬球的一面設(shè)置一層絕緣保護(hù)層，并暴露出芯片焊盤上植入的金屬球。以下結(jié)合附圖分別進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。實(shí)施例一請(qǐng)參考圖1，為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種芯片埋入方法的流程圖。101、在基板上開(kāi)設(shè)至少一個(gè)凹槽；具體地，在基板上開(kāi)設(shè)至少一個(gè)凹槽，可以通過(guò)控深銑，或通過(guò)蝕刻和激光燒蝕的方式在基板上開(kāi)設(shè)凹槽，此處不作限定。在基板上開(kāi)設(shè)凹槽，以便后續(xù)芯片的埋入。凹槽要具備一定的深度，本實(shí)施例中， 凹槽的尺寸根據(jù)需要嵌入的芯片的尺寸確定。需要說(shuō)明的是，電路板的制造從對(duì)基板的加工開(kāi)始，基板為制造電路板的基本材料。本實(shí)施例中，該基板包括本體和基體層，本體具有第一表面和與該第一表面相對(duì)的第二表面；其基體層設(shè)置于本體的第二表面。該本體包括絕緣體和設(shè)置于絕緣體的第一導(dǎo)電線路層，且該第一導(dǎo)電線路層遠(yuǎn)離絕緣體的表面為本體的第一表面，該絕緣體可以是環(huán)氧樹(shù)月旨、玻璃布等；當(dāng)然，本實(shí)施例中，本體也可以為多層板，此處不作限定；其基體層可以為金屬層或陶瓷基或多層導(dǎo)電板。其中，基體層為陶瓷基是為了解決芯片散熱的問(wèn)題，通常會(huì)在電路板上設(shè)置帶散熱基體層?？梢岳斫獾氖牵鄬影蹇梢圆捎瞄g隙法、增層法、鍍通法等方法制作而成。多層板顧名思議就是兩層以上的板，比如說(shuō)四層，六層，八層等等，也就是說(shuō)，大于二層板的多層板建筑模板，層與層之間有絕緣材料隔開(kāi)，且層與層之間必須按要求相連經(jīng)過(guò)鉆壓、黏臺(tái)而成的印制板叫做多層板，多層板的優(yōu)點(diǎn)有因?yàn)槭嵌鄬鱼@壓的密度高，不用展開(kāi)，體積就會(huì)比較小，重量也相對(duì)來(lái)說(shuō)輕一點(diǎn)，因?yàn)槊芏雀?，減少了空間距離因此不是那么容易壞也就是說(shuō)穩(wěn)定性比較可靠，層數(shù)較多從而加大了設(shè)計(jì)的靈活性，從而得到廣泛應(yīng)用，正因?yàn)橛羞@些優(yōu)點(diǎn)，相對(duì)也有一些不足比如說(shuō)造價(jià)高，生產(chǎn)時(shí)間長(zhǎng)，檢測(cè)難等等，不過(guò)這些不足對(duì)多層板的用途一點(diǎn)也不影響，多層板是建筑模板向高效率、多功能、大面積、小體積方向發(fā)展的必然產(chǎn)物。隨著多層板技術(shù)的不斷發(fā)展，尤其是大模板和超大模板的廣泛深入應(yīng)用，多層板正迅速向高密度、高精度、高層數(shù)化方向發(fā)展，提出了微細(xì)線條、小孔徑貫穿、盲孔埋孔、高板厚孔徑比等技術(shù)以滿足市場(chǎng)的需要。102、將芯片固定于該凹槽內(nèi)；使用膠劑，在凹槽內(nèi)嵌入芯片，該膠劑可以為貼(die)裸芯片樹(shù)脂或銀基樹(shù)脂或其它能夠?qū)⑿酒潭ㄓ诎疾蹆?nèi)的非導(dǎo)電膠劑，使得芯片固定于凹槽內(nèi)。103、使用填充材料填充凹槽與芯片之間的空隙，使得凹槽填滿；
選用一填充材料將凹槽與芯片之間的空隙填滿，該填充材料是一種用于半導(dǎo)體封裝的材料，通常情況下為液體，其具有散熱、絕緣作用，并在120°C 300°C變成固體。需要說(shuō)明的是，填充材料也可以是通常情況下為液體，具有散熱、導(dǎo)電作用，并在 120°C 300°C變成固體的材料，如若在芯片底部具有焊盤，可采用這種材料，使其與凹槽底部形成電性連接，此處不作限定。104、在該芯片焊盤上植入金屬球；使用打線機(jī)，或稱引線鍵合機(jī)，在芯片的焊盤上，用金線熔融形成球狀體?？梢岳斫獾氖牵部梢圆捎闷渌饘倬€熔融形成球狀體，此處不作限定。105、在基板上對(duì)應(yīng)芯片植入金屬球的一面設(shè)置一層絕緣保護(hù)層，并暴露出芯片焊盤上植入的金屬球；在芯片焊盤上植入金屬球后，進(jìn)行絕緣隔層工序，即在基板上對(duì)應(yīng)芯片植入金屬球的一面涂布一層絕緣材料以形成絕緣保護(hù)層，并暴露出芯片焊盤上植入的金屬球。需要說(shuō)明的是，該絕緣保護(hù)層上有多個(gè)開(kāi)口，用來(lái)實(shí)現(xiàn)該層線路與上層線路導(dǎo)通用的導(dǎo)通孔，如果該絕緣保護(hù)層采用感光性的材料，就可以將這些孔通過(guò)曝光、顯影的形式露出來(lái)；如果是普通絕緣材料也可以通過(guò)激光打孔的形式獲得這些導(dǎo)通孔。本實(shí)例中，采用了在芯片的Al焊盤上植入金屬球狀體，將這些熔融形成的球狀體作為焊盤，以實(shí)現(xiàn)芯片與基板或引線框架電性連接，避免了由于鋁Al焊盤與銅Cu的直接接觸而發(fā)生的離子遷移。實(shí)施例二 本實(shí)施例中主要以基板為覆銅板的加工場(chǎng)景為例來(lái)介紹。如圖2a所示，覆銅板包括本體和基體層，其本體具有第一表面210和與第一表面210相對(duì)的第二表面211，本體包括絕緣體22、以及置于絕緣體22的銅箔層21，該銅箔層21遠(yuǎn)離絕緣體22的表面，也就為本體的第一表面210 ；其基體層為銅箔層23，設(shè)置于本體的第二表面211?？梢岳斫獾氖?，該絕緣體22的材質(zhì)包括環(huán)氧樹(shù)脂、BT樹(shù)脂、或半固化片等具有絕緣作用的材料，其中BT樹(shù)脂是以雙馬來(lái)酰亞胺和三嗪為主樹(shù)脂成分，加入環(huán)氧樹(shù)脂、聚苯醚樹(shù)脂或烯丙基化合物作為改性組分，所形成的熱固性樹(shù)脂。進(jìn)一步地，本實(shí)施例通過(guò)在覆銅板的銅箔層21上進(jìn)行貼膜、曝光、顯影、蝕刻、去膜等步驟制作出電路圖形，已制成電路的金屬導(dǎo)電層，即銅箔層21可以稱為電路層。同樣地，基體層即銅箔層23，也可進(jìn)行曝光顯影和蝕刻制作電路層，此處不作限定。201、在覆銅板上開(kāi)設(shè)至少一個(gè)凹槽24 ；具體地，可通過(guò)控深銑，或通過(guò)蝕刻和激光燒蝕的方式，在覆銅板上開(kāi)設(shè)至少一個(gè)凹槽24，使得該絕緣體22及其銅箔層21形成有至少一個(gè)開(kāi)口，如圖2b。需要說(shuō)明的是，凹槽24的尺寸根據(jù)需要嵌入的芯片26的尺寸確定。202、將芯片26固定于該凹槽24內(nèi)；使用膠劑25，在凹槽24內(nèi)嵌入芯片26，該膠劑25可以為貼(die)裸芯片樹(shù)脂或銀基樹(shù)脂，或其它能夠?qū)⑿酒潭ㄓ诎疾蹆?nèi)的非導(dǎo)電或?qū)щ娔z劑，使得芯片26固定于凹槽 24內(nèi)，如圖2c ；203、使用填充材料27填充凹槽24與芯片26之間的空隙，使得凹槽24填滿；同實(shí)施例一，選用一填充材料27將凹槽24與芯片26之間的空隙填滿，如圖2d所示，該填充材料27是一種用于半導(dǎo)體封裝的材料，通常情況下為液體，其具有散熱、絕緣作用，并在120°C 300°C變成固體。 需要說(shuō)明的是，根據(jù)電氣需要，該材料或具有散熱、導(dǎo)電作用，并在120°C 300°C 變成固體。如若在芯片底部具有焊盤，可采用這種具有散熱、導(dǎo)電作用的材料，使其與凹槽底部形成電性連接，此處不作限定。204、在該芯片焊盤上植入金屬球28 ；使用打線機(jī)，或稱引線鍵合機(jī)，在芯片26的焊盤上，用金線熔融形成球狀體，如圖 2e。需要說(shuō)明的是，在芯片的Al焊盤上采用金線熔融球狀體，以形成焊接點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)芯片與基板或引線框架電性連接，同時(shí)，球狀體的大小設(shè)計(jì)跟金線的粗細(xì)有關(guān)，在本發(fā)明實(shí)施例中，金線直徑為18um或20um，而球狀體的直徑是金線直徑的2 3倍，即為40um 50um ； 其高度大于金球半徑，即為IOum 15um ；可以理解的是，此處也可以采用其他金屬線材料的細(xì)線，并使用其熔融形成球狀體，則球狀體的直徑就也就有所不同，此處不作限定。205、在覆銅板上對(duì)應(yīng)芯片26植入金屬球的一面設(shè)置一層絕緣保護(hù)層29，并暴露出芯片26焊盤上植入的金屬球28 ；在芯片26焊盤上植入的金屬球28后，進(jìn)行絕緣隔層工序，即在覆銅板上對(duì)應(yīng)芯片植入金屬球的一面涂布一層絕緣材料，從而形成絕緣保護(hù)層29，使得焊盤之間的空隙填滿， 該絕緣保護(hù)層設(shè)置于本體的第一表面上，并暴露出芯片26焊盤上植入的金屬球28，如圖 2f。需要說(shuō)明的是，該絕緣保護(hù)層29上有多個(gè)開(kāi)口，用來(lái)實(shí)現(xiàn)該層線路與上層線路導(dǎo)通用的導(dǎo)通孔，如果該絕緣保護(hù)層29采用感光性的材料，就可以將這些孔通過(guò)曝光、顯影的形式露出來(lái)；如果是普通絕緣材料也可以通過(guò)激光打孔的形式獲得這些導(dǎo)通孔；本實(shí)施例中，該絕緣保護(hù)層29的材質(zhì)為感光樹(shù)脂。可以理解的是，所使用的感光樹(shù)脂為聚酰亞胺樹(shù)脂PI或苯并環(huán)丁烯BCB或其他能感光的絕緣材料，聚酰亞胺是指主鏈上含有酰亞胺環(huán)的一類聚合物，其中以含有酞酰亞胺結(jié)構(gòu)的聚合物最為重要。聚酰亞胺作為一種特種工程材料，已廣泛應(yīng)用在航空、航天、微電子、納米、液晶、分離膜、激光等領(lǐng)域。聚酰亞胺，因其在性能和合成方面的突出特點(diǎn)，不論是作為結(jié)構(gòu)材料或是作為功能性材料，其應(yīng)用前景已經(jīng)得到充分的認(rèn)識(shí)。本實(shí)施例中主要以基板為覆銅板的加工場(chǎng)景為例來(lái)介紹，采用了在芯片的Al焊盤上植入球狀體，將這些熔融形成的球狀體作為焊盤，并在覆銅板上對(duì)應(yīng)芯片植入金屬球的一面涂布一層感光樹(shù)脂，從而形成絕緣保護(hù)層，可通過(guò)曝光、顯影的方式，暴露出芯片焊盤上植入的金屬球，以實(shí)現(xiàn)芯片與基板或引線框架電性連接，避免了由于鋁Al焊盤與銅Cu 的直接接觸而發(fā)生的離子遷移。實(shí)施例三本發(fā)明實(shí)施例中，一種芯片埋入方法，其應(yīng)用在多層線路板的制作上，請(qǐng)參考圖3， 其步驟包括301、在覆銅板上開(kāi)設(shè)至少一個(gè)凹槽；302、將芯片固定于該凹槽內(nèi)；
303、使用填充材料填充凹槽與芯片之間的空隙，使得凹槽填滿；304、在該芯片焊盤上植入金屬球；

305、在覆銅板上對(duì)應(yīng)芯片植入金屬球的一面設(shè)置一層絕緣保護(hù)層，并暴露出芯片焊盤上植入的金屬球；可以理解的是，由于步驟301至步驟305，與實(shí)施例二中的步驟201至步驟206操作一樣，此處不再具體闡述。306、在絕緣保護(hù)層上形成電路圖形；具體地說(shuō)，在暴露出芯片焊盤上植入的金屬球之后，即在305步驟中所形成的絕緣保護(hù)層上形成電路圖形，使得該電路圖形電性連接至芯片焊盤上植入的金屬球?？梢岳斫獾氖牵ㄟ^(guò)多層PCB制作中的層壓技術(shù)，可將該基板壓入多層PCB中，形成線路增層，即該基板可以為多層板中的一層；同時(shí)，可以通過(guò)激光鉆孔一沉銅一電鍍等工藝流程，實(shí)現(xiàn)與外部電子裝置的電氣連接；在多于一層，即多層電路板之間，是通過(guò)盲孔、通孔或者導(dǎo)電凸塊進(jìn)行電性連接的，在印刷電路板行業(yè)中也是很成熟的工藝。另外，還可以利用感光絕緣樹(shù)脂通過(guò)曝光一顯影一固化的工藝，在球狀體對(duì)應(yīng)的位置做出孔，再沉銅、電鍍，從而實(shí)現(xiàn)電性連接。所提到的鉆孔一沉銅一電鍍?yōu)橛∷㈦娐钒逍袠I(yè)中很成熟的工藝，而感光樹(shù)脂通過(guò)曝光一顯影一固化則起到了鉆孔的目的。在實(shí)施例三中，該基板采用覆銅板材料，可以理解的是，該基板也可以為涂樹(shù)脂銅箔RCC，在選用了基板材料后，其后續(xù)步驟工藝的具體操作跟實(shí)施例二的操作一樣，這里不再具體闡述。本發(fā)明實(shí)施例的制作方法應(yīng)用在增層線路板的制作上，在絕緣保護(hù)層上形成電路圖形，使得該電路圖形電性連接至芯片焊盤上植入的金屬球，同樣可以避免了由于鋁Al焊盤與銅Cu的直接接觸而發(fā)生的離子遷移，從而導(dǎo)致焊盤老化，影響產(chǎn)品可靠性和壽命的問(wèn)題。本發(fā)明實(shí)施例中還提供一種芯片埋入式電路板，如圖2f所示，包括基板，其至少設(shè)置有一個(gè)凹槽；固定于該凹槽內(nèi)的芯片，且凹槽與芯片之間的空隙填充有填充材料；設(shè)置在芯片焊盤上的金屬球狀體；基板上對(duì)應(yīng)芯片植入金屬球的一面上還覆蓋有絕緣保護(hù)層，但暴露出芯片焊盤上植入的金屬球。進(jìn)一步地，該芯片埋入式電路板還包括形成在絕緣保護(hù)層表面的電路圖形，該電路圖形與芯片焊盤上植入的金屬球電連接。本發(fā)明實(shí)施例中的一種芯片埋入式電路板，在芯片的Al焊盤上植入有球狀體，將這些熔融形成的球狀體作為焊盤，以實(shí)現(xiàn)芯片與基板或引線框架電性連接，避免了由于鋁 Al焊盤與銅Cu的直接接觸而發(fā)生的離子遷移的問(wèn)題。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施例方法中的全部或部分步驟是可以通過(guò)程序來(lái)指令相關(guān)的硬件完成，所述的程序可以存儲(chǔ)于一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)中，上述提到的存儲(chǔ)介質(zhì)可以是只讀存儲(chǔ)器，磁盤或光盤等。以上對(duì)本發(fā)明所提供的一種芯片埋入方法和芯片埋入式電路板進(jìn)行了詳細(xì)介紹， 對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的思想，在具體實(shí)施方式
及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說(shuō)明書(shū)內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制。
權(quán)利要求
1.一種芯片埋入方法，其特征在于，包括 在基板上開(kāi)設(shè)至少一個(gè)凹槽；將芯片固定于所述凹槽內(nèi)；使用填充材料填充凹槽與芯片之間的空隙，使得所述凹槽填滿； 在所述芯片焊盤上植入金屬球；在所述基板上對(duì)應(yīng)芯片植入金屬球的一面設(shè)置一層絕緣保護(hù)層，并暴露出芯片焊盤上植入的金屬球。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述基板包括本體和基體層，所述本體具有第一表面和與所述第一表面相對(duì)的第二表所述基體層設(shè)置于所述本體的第二表面，所述絕緣保護(hù)層設(shè)置于本體的第一表面上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于所述本體包括絕緣體和設(shè)置于絕緣體的第一導(dǎo)電線路層，且所述第一導(dǎo)電線路層遠(yuǎn)離絕緣體的表面為所述本體的第一表面；或，所述本體為多層板；所述基體層為第二導(dǎo)電線路層或金屬層或陶瓷基或多層導(dǎo)電板。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述將基板開(kāi)設(shè)至少一個(gè)凹槽，包括 通過(guò)控深銑，或通過(guò)蝕刻和激光燒蝕的方式，在基板上開(kāi)設(shè)至少一個(gè)凹槽，所述凹槽的尺寸根據(jù)需要嵌入的芯片的尺寸確定。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述芯片焊盤上植入金屬球具體包括使用打線機(jī)，在所述芯片焊盤上，用金線熔融形成球狀體。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括在所述絕緣保護(hù)層上形成電路圖形，該電路圖形與所述芯片焊盤上植入的金屬球電性導(dǎo)通。
7.—種芯片埋入式電路板，其特征在于，包括 基板，其至少設(shè)置有一個(gè)凹槽；固定于所述凹槽內(nèi)的芯片，且凹槽與芯片之間的空隙填充有填充材料； 設(shè)置在所述芯片焊盤上的金屬球狀體；所述基板上對(duì)應(yīng)芯片植入金屬球的一面上還覆蓋有絕緣保護(hù)層，但暴露出所述芯片焊盤上植入的金屬球。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電路板，其特征在于，所述芯片埋入式電路板還包括形成在絕緣保護(hù)層表面的電路圖形，所述電路圖形與所述芯片焊盤上植入的金屬球電性導(dǎo)通。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的電路板，其特征在于所述基板包括本體和基體層，所述本體具有第一表面和與所述第一表面相對(duì)的第二表所述基體層設(shè)置于所述本體的第二表面，所述絕緣保護(hù)層設(shè)置于本體的第一表面上。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電路板，其特征在于所述本體包括絕緣體和設(shè)置于絕緣體的第一導(dǎo)電線路層，且所述第一導(dǎo)電線路層遠(yuǎn)離絕緣體的表面為所述本體的第一表面 ；或，所述本體為多層板；所述基體層為第二導(dǎo)電線路層或金屬層或陶瓷基或多層導(dǎo)電板。
全文摘要
本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種芯片埋入方法，其步驟包括在基板上開(kāi)設(shè)至少一個(gè)凹槽；將芯片固定于所述凹槽內(nèi)；使用填充材料填充凹槽與芯片之間的空隙，使得所述凹槽填滿；在所述芯片焊盤上植入金屬球；在基板上對(duì)應(yīng)芯片植入金屬球的一面設(shè)置一層絕緣保護(hù)層，并暴露出芯片焊盤上植入的金屬球；本發(fā)明還提供了一種芯片埋入式電路板，包括基板，其至少設(shè)置有一個(gè)凹槽；固定于所述凹槽內(nèi)的芯片，且凹槽與芯片之間的空隙填充有填充材料；設(shè)置在所述芯片焊盤上的金屬球狀體；所述基板上對(duì)應(yīng)芯片植入金屬球的一面上還覆蓋有絕緣保護(hù)層，但暴露出所述芯片上焊盤上植入的金屬球。
文檔編號(hào)H01L21/60GK102348328SQ20111027368
公開(kāi)日2012年2月8日 申請(qǐng)日期2011年9月15日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月15日
發(fā)明者李冠華, 谷新, 霍如肖 申請(qǐng)人:深南電路有限公司