專利名稱：金屬互連線的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及集成電路制造領(lǐng)域，尤其涉及一種金屬互連線的制造方法。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體器件的集成度越來越高，半導(dǎo)體器件工作需要的電壓和電流不斷降低，晶體管開關(guān)的速度也隨之加快，隨之對半導(dǎo)體工藝各方面要求大幅提高?，F(xiàn)有技術(shù)工藝已經(jīng)將晶體管以及其他種類的半導(dǎo)體器件組成部分做到了幾個(gè)分子和原子的厚度，組成半導(dǎo)體的材料已經(jīng)達(dá)到了物理電氣特性的極限。隨著柵極工藝進(jìn)入了一個(gè)新的階段，最早達(dá)到極限的部分就是組成半導(dǎo)體器件的柵極氧化層，又稱柵介質(zhì)層，現(xiàn)有的工藝通常采用二氧化硅(SiO2)作為柵極介質(zhì)層的材料。同1995年晶體管中二氧化硅層相比，65納米工藝的晶體管中的二氧化硅層已經(jīng)縮小到只有前者的十分之一，達(dá)到僅有5個(gè)氧原子的厚度。作為阻隔柵極導(dǎo)電層和其下層(例如半導(dǎo)體襯底)之間的絕緣層，二氧化硅層已經(jīng)不能再縮小了，否則產(chǎn)生的漏電流會(huì)讓晶體管無法正常工作，如果提高有效工作的電壓和電流，更會(huì)使芯片功耗增大到驚人的地步。因此，業(yè)界找到了比二氧化硅具有更高的介電常數(shù)和更好的場效應(yīng)特性的材料-高介電常數(shù)材料(High-K Material)，用以更好的分隔柵極和晶體管其他部分，大幅減少漏電量。同時(shí)，為了與高介電常數(shù)材料兼容，采用金屬材料代替原有多晶硅作為柵導(dǎo)電層材料，從而形成了新的柵極結(jié)構(gòu)-金屬柵極。一般的，在形成具有金屬柵極的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)后，繼而在半導(dǎo)體器件上制造金屬互連線，將需要電性引出的半導(dǎo)體器件的有源區(qū)及柵極電性引出。如圖I所示，其為現(xiàn)有技術(shù)中金屬互連線19的結(jié)構(gòu)示意圖，圖I表示了幾種金屬互連線19的形成方式，例如，金屬互連線19單獨(dú)將有源區(qū)10中金屬硅化物區(qū)13引出、金屬互連線19單獨(dú)將金屬柵極12引出、以及金屬互連線19并連引出有源區(qū)10中金屬硅化物區(qū)13和金屬柵極12，其他引出方式亦根據(jù)實(shí)際工藝確定。如圖2所示，其為現(xiàn)有技術(shù)中金屬互連線制造過程中的結(jié)構(gòu)示意圖，形成金屬互連線的步驟如下首先在半導(dǎo)體襯底10上形成金屬柵極12，并在金屬柵極12兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底10中形成有金屬娃化物區(qū)13 ;接著,在半導(dǎo)體襯底10和金屬柵極12上形成層間介質(zhì)層17，并利用光刻和刻蝕工藝，刻蝕層間介質(zhì)層17，以形成開口(via) 20，暴露出半導(dǎo)體襯底10和金屬柵極12 ;然后，沉積金屬層填充所述開口 20，以形成金屬互連線，從而將需要引出的金屬柵極12及半導(dǎo)體襯底10中的金屬硅化物區(qū)13電性引出。然而，在實(shí)際制造工藝過程中，金屬柵極12表面暴露于空氣的部分易于被氧化，在金屬柵極12上形成一層金屬氧化層14。金屬氧化層14阻擋后續(xù)沉積金屬互連線層與金屬柵極12的電性連接，導(dǎo)致半導(dǎo)體器件的異常斷開的情況發(fā)生。因此，在形成金屬互連線之前需要去除金屬氧化層14。一般的，可以在沉積金屬層之前，利用氬等離子束濺射，以去除金屬柵極12上的金屬氧化層14暴露出金屬柵極12。然而，氬等離子束濺射同樣會(huì)去除位于有源區(qū)11中的金屬硅化物區(qū)13，減薄金屬硅化物區(qū)13的厚度，同樣影響金屬互連線對有源區(qū)11的電性引出，同樣導(dǎo)致半導(dǎo)體器件的異常斷開的情況發(fā)生。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種金屬互連線的制造方法，以保護(hù)有源區(qū)上的金屬硅化物區(qū)，以在去除金屬氧化層的同時(shí)保護(hù)金屬硅化物區(qū)，提高金屬柵極與金屬互連線以及有源區(qū)與金屬互連線的電連特性。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種用于金屬柵極工藝的金屬互連線的制造方法，包括提供半導(dǎo)體襯底，其上形成有虛設(shè)柵極；在所述半導(dǎo)體襯底上依次覆蓋阻擋層、應(yīng)力層和第一層間介質(zhì)層；進(jìn)行第一次化學(xué)機(jī)械研磨，直至暴露所述虛設(shè)柵極；·去除所述虛設(shè)柵極，形成金屬柵極，所述金屬柵極上形成有金屬氧化層；在所述第一層間介質(zhì)層和所述金屬氧化層上覆蓋第二層間介質(zhì)層；刻蝕所述第二層間介質(zhì)層、第一層間介質(zhì)層和應(yīng)力層，以形成開口，所述開口中暴露所述金屬氧化層和阻擋層；利用離子轟擊的方法去除所述開口中暴露的金屬氧化層和阻擋層；在所述開口中形成金屬互連線。進(jìn)一步的，所述阻擋層的材質(zhì)為氧化硅或氮氧化硅，所述阻擋層的材質(zhì)的厚度為30 100埃。進(jìn)一步的，在形成所述開口的步驟中，包括在所述第二層間介質(zhì)層表面形成圖案化的抗刻蝕層；以所述抗刻蝕層為掩膜，刻蝕所述第二層間介質(zhì)層和第一層間介質(zhì)層，以形成開口 ；去除所述抗刻蝕層和應(yīng)力層。進(jìn)一步的，所述抗刻蝕層包括底部抗反射涂層和位于所述底部抗反射層上的光刻月父層O進(jìn)一步的，在所述開口中形成金屬互連線的步驟，包括利用離子轟擊的方法同時(shí)打開剩余的金屬氧化物及阻擋層；在所述開口中覆蓋金屬粘著層；在所述金屬粘著層上覆蓋金屬互連線層，所述金屬互連線層完全填充所述開口 ；進(jìn)行第二次化學(xué)機(jī)械研磨，直至暴露所述第二層間介質(zhì)層。進(jìn)一步的，所述第二層間介質(zhì)層由底面向上依次包括第一氧化層、氮化層和第二
氧化層。進(jìn)一步的，所述第二氧化層的厚度為30埃 100埃。進(jìn)一步的，所述氮化層的厚度為50埃 500埃。進(jìn)一步的，利用氬等離子體濺射去除所述開口中暴露的金屬氧化層和阻擋層。進(jìn)一步的，所述虛設(shè)柵極的材質(zhì)為多晶硅。進(jìn)一步的，所述金屬柵極兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底中形成有金屬硅化物區(qū)。進(jìn)一步的，所述金屬硅化物區(qū)的材質(zhì)為鎳硅化物、鈷硅化物、鎢硅化物、鈦硅化物以及鉭硅化物中的一種或其組合。進(jìn)一步的，所述金屬柵極的材質(zhì)為鋁或鋁鈦化合物。相比于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的金屬互連線的制造方法，通過在半導(dǎo)體襯底表面形成阻擋層，該阻擋層在去除金屬柵極上的金屬氧化層過程中，阻止有源區(qū)中的金屬硅化物區(qū)的損傷，從而在去除金屬氧化層的同時(shí)保護(hù)金屬硅化物區(qū)，提高金屬柵極與金屬互連線以及有源區(qū)與金屬互連線的電連特性。


圖I為現(xiàn)有技術(shù)中金屬互連線的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為現(xiàn)有技術(shù)中金屬互連線制造過程中的一結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為本發(fā)明一實(shí)施例中金屬互連線制造方法的流程示意圖。圖4 圖13為本發(fā)明一實(shí)施例中金屬互連線制造過程中的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚易懂，以下結(jié)合說明書附圖，對本發(fā)明的內(nèi)容作進(jìn)一步說明。當(dāng)然本發(fā)明并不局限于該具體實(shí)施例，本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員所熟知的一般替換也涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。其次，本發(fā)明利用示意圖進(jìn)行了詳細(xì)的表述，在詳述本發(fā)明實(shí)例時(shí)，為了便于說明，示意圖不依照一般比例局部放大，不應(yīng)以此作為對本發(fā)明的限定。本發(fā)明的核心思想在于，提供一種互連線的制造方法，通過在形成金屬柵極的半導(dǎo)體襯底表面阻擋層，該阻擋層在去除金屬柵極上的金屬氧化層時(shí)，阻止有源區(qū)上的金屬硅化物區(qū)的損傷。請參考圖3，其為本發(fā)明一實(shí)施例中金屬互連線的制造方法的流程示意圖，該金屬互連線的制造方法，包括以下步驟步驟SOl :如圖4所示，提供半導(dǎo)體襯底100，其上形成有虛設(shè)柵極102a。所述半導(dǎo)體襯底100可以為單晶硅、多晶硅或者鍺硅化合物等半導(dǎo)體材質(zhì)；在所述半導(dǎo)體襯底100上形成有有源區(qū)101 ;所述半導(dǎo)體襯底100中還形成有各種摻雜區(qū)，例如N阱、P阱、以及輕摻雜源漏區(qū)(LDD);此外，所述半導(dǎo)體襯底100中還形成有其他各種元件隔離，例如淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)(STI)等用以形成半導(dǎo)體器件的必要結(jié)構(gòu)；上述結(jié)構(gòu)根據(jù)實(shí)際半導(dǎo)體器件制造工藝過程確定，為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知技術(shù)內(nèi)容，故在此不一一贅述。所述虛設(shè)柵極102a的材質(zhì)為多晶硅，所述虛設(shè)柵極102a的形成步驟為在所述半導(dǎo)體襯底100上沉積一層多晶硅薄膜，可以采用化學(xué)氣相沉積法形成，接著，在多晶硅薄膜上涂抹光刻膠，對光刻膠進(jìn)行曝光和顯影，圖形化光刻膠，接下來以圖形化的光刻膠為掩?？涛g去除部分的多晶硅薄膜，最終形成如圖4所示形成虛設(shè)柵極102a。所述虛設(shè)柵極102a作為金屬柵極的前期替代結(jié)構(gòu)，在后續(xù)步驟中經(jīng)歷高溫退火工藝，避免因先形成金屬柵極在高溫退火工藝中受熱而改變金屬柵極的功函數(shù)，進(jìn)而保持金屬柵極的電學(xué)特性，從而保持后續(xù)形成的金屬柵極的功函數(shù)不發(fā)生改變，提高金屬柵極的整體性能。此外，所述虛設(shè)柵極102a兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底100有源區(qū)101中形成有金屬硅化物區(qū)103。所述金屬硅化物區(qū)103是利用化學(xué)氣相沉積(CVD)或物理氣相沉積(PVD)的方式將金屬沉積于半導(dǎo)體襯底100表面，金屬在高溫退火過程中與硅反應(yīng)形成金屬硅化物。所述金屬硅化物區(qū)103的材質(zhì)為鎳硅化物、鈷硅化物、鎢硅化物、鈦硅化物以及鉭硅化物中的一種或其組合。在本實(shí)施例中，所述金屬硅化物區(qū)103的材質(zhì)為鎳硅化合物，利用鎳等離子束濺射至所述半導(dǎo)體襯底100中，在高溫退火過程中與所述半導(dǎo)體襯底100中的硅發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而形成鎳硅化合物。所述金屬硅化物區(qū)103用于改善半導(dǎo)體襯底100中有源區(qū)101與后續(xù)形成的金屬互連線之間界面的電阻特性，有助于有源區(qū)101的電性引出。步驟S02 :如圖5所示，在所述半導(dǎo)體襯底100上依次覆蓋阻擋層105、應(yīng)力層106和第一層間介質(zhì)層107。本發(fā)明的關(guān)鍵點(diǎn)是，在所述半導(dǎo)體襯底上覆蓋阻擋層105，該阻擋層105在去除金屬柵極102上的金屬氧化層104過程中，阻止有源區(qū)101中的金屬硅化物區(qū)103受到損傷，從而在去除金屬氧化層102的同時(shí)保護(hù)金屬硅化物區(qū)103，從而提高金屬柵極102與金屬互連線以及有源區(qū)101與金屬互連線的電連特性。所述阻擋層105的材質(zhì)包括氧化硅或氮氧化硅，可以采用化學(xué)氣相沉積法，例如等離子體化學(xué)氣相沉積(PECVD)、低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)、快速熱化化學(xué)氣相沉積(RTCVD)或高密度等離子體沉積(HDP)等方法形成，所述·氧化硅或氮氧化硅的厚度為30 100埃，在后續(xù)蝕刻去除應(yīng)力層時(shí)，氧化硅或者氮氧化硅相比于應(yīng)力層的氮化硅有很好的蝕刻選擇比，因此選擇氧化硅或氮氧化硅作為阻擋層105的材料。所述應(yīng)力層106的材質(zhì)為氮化硅(SiN)，其厚度范圍為30 100埃，氮化硅形成的應(yīng)力層106應(yīng)力記憶性好，且氮化硅為半導(dǎo)體工藝中常見材質(zhì)，制造成本相對較低。應(yīng)力層106的可以采用等離子體化學(xué)氣相沉積(PECVD)、低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)、快速熱化化學(xué)氣相沉積(RTCVD)或高密度等離子體沉積(HDP)等方法形成，采用的反應(yīng)氣體可以包括SiH4^SiH2Cl2,SiH2F2和NH3,所述應(yīng)力層106較佳的厚度為200 1000埃，在高溫退火工藝中能夠達(dá)到較佳的應(yīng)力記憶效果。同時(shí)所述應(yīng)力層106還可以起到刻蝕停止的，并作用其與后續(xù)形成的第一層間介質(zhì)層具有較好的粘附性。所述第一層間介質(zhì)層107的材質(zhì)為氧化硅，可以采用化學(xué)氣相沉積法，例如等離子體化學(xué)氣相沉積(PECVD)、低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)、快速熱化化學(xué)氣相沉積(RTCVD)或高密度等離子體沉積(HDP)等方法形成。步驟S03 :如圖6所示，進(jìn)行第一次化學(xué)機(jī)械研磨，直至暴露所述虛設(shè)柵極102a ；具體地，在第一次化學(xué)機(jī)械研磨過程中，研磨去除部分第一層間介質(zhì)層107和位于金屬氧化層104上的應(yīng)力層106和阻擋層105，停止于虛設(shè)柵極102a。步驟S04 :去除所述虛設(shè)柵極102a，形成金屬柵極102，所述金屬柵極102上形成有金屬氧化層104，形成如圖7所示結(jié)構(gòu)；在所述半導(dǎo)體襯底100上沉積有金屬柵極薄膜，所述金屬柵極薄膜填充去除虛設(shè)柵極102a后的溝槽，接著，進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨直至暴露第一層間介質(zhì)層107，從而形成金屬柵極102，其中，所述金屬柵極102的材質(zhì)為鋁或鋁鈦化合物，金屬柵極102形成后會(huì)暴露于空氣中被氧化，會(huì)在金屬柵極102表面上形成金屬氧化層104，例如氧化鋁層等，金屬氧化層104會(huì)隔絕金屬柵極102與后續(xù)形成的金屬互連線之間的電性連接。步驟S05 :如圖8所示，在所述第一層間介質(zhì)層107和所述金屬氧化層104上覆蓋弟~■層間介質(zhì)層108 ；所述第二層間介質(zhì)層108由底面向上依次包括第一氧化層108c、氮化層108b和第二氧化層108a。其中，所述第一氧化層108c的材質(zhì)和第二氧化層108a的材質(zhì)相同，均為氧化硅，并采用化學(xué)氣相沉積法形成；所述氮化層108b可以采用離子體化學(xué)氣相沉積、低壓化學(xué)氣相沉積、快速熱化化學(xué)氣相沉積或高密度等離子體沉積等方法形成。其中，所述第二氧化層108a的厚度范圍為30 100埃。所述氮化層108b的厚度范圍為50 500埃。第一氧化層108c與氮化硅應(yīng)力層106之間的刻蝕選擇比較大，從而在后續(xù)刻蝕去除應(yīng)力層106時(shí),第一氧化層108c能夠保護(hù)氮化層108b不被去除,從而保護(hù)氮化層108b。步驟S06 :如圖9和圖10所示，刻蝕所述第二層間介質(zhì)層108、第一層間介質(zhì)層107和應(yīng)力層106，以形成開口 200，所述開口 200中暴露所述金屬氧化層104和阻擋層105 ；詳細(xì)的，在刻蝕所述第二層間介質(zhì)層108、第一層間介質(zhì)層107和應(yīng)力層106，以形成開口 200的步驟中，包括首先，在所述第二層間介質(zhì)層108表面形成圖案化的抗刻蝕層110 ;隨后，以抗刻蝕層110為掩膜，刻蝕所述第二層間介質(zhì)層108和第一層間介質(zhì)層107 ；接著去除所述抗刻蝕層110和應(yīng)力層106。其中，所述抗刻蝕層110包括光刻膠層和抗反射涂層，光刻膠層位于所述底部抗反射層之上，所述底部抗反射涂層可防止后續(xù)進(jìn)行的曝光過程中，所述開口 200底部的反射作用和平整度對開口 200中側(cè)面輪廓的影響，防止出現(xiàn)開 口 200側(cè)壁的第二層間介質(zhì)層108出現(xiàn)頂角圓化的現(xiàn)象。在本實(shí)施例中，采用等離子體灰化法(Plasma Ashing)去除抗刻蝕層110,采用濕法刻蝕去除應(yīng)力層106。步驟S07 :如圖11所示，利用離子轟擊的方法去除所述開口 200中暴露的金屬氧化層104和阻擋層106 ；其中較佳的方法是利用氬(Ar)等離子體濺射去除所述開口 200中暴露的金屬氧化層104時(shí)，開口 200中的阻擋層105阻擋氬等離子體損傷其下方的金屬硅化物區(qū)103，從而保護(hù)金屬硅化物區(qū)103不受損傷。步驟S08 :如圖12和圖13所示，在所述開口 200中形成金屬互連線109。在本實(shí)施例中，形成金屬互連線109包括以下步驟首先，在所述開口 200中覆蓋金屬粘著層(Glue layer);然后,在所述金屬粘著層111上覆蓋金屬互連線層109a,所述金屬互連線層109a完全填充所述開口 200 ;最后，進(jìn)行第二次化學(xué)機(jī)械研磨，直至暴露所述第二層間介質(zhì)層108,從而形成金屬互連線109。在此過程中，所述第二介質(zhì)層108的氮化層108b在刻蝕過程中保護(hù)第一氧化層108c不受損傷，使第一氧化層保持良好的界面平整度，進(jìn)而易于形成均勻良好的金屬粘著層111，進(jìn)而有助于形成電連特性良好的金屬互連線109。相比于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明所述金屬互連線的制造方法，通過在半導(dǎo)體襯底100上形成阻擋層105，該阻擋層105在去除金屬柵極102上的金屬氧化層104過程中，阻止有源區(qū)101中的金屬硅化物區(qū)103受到損傷，從而在去除金屬氧化層102的同時(shí)保護(hù)金屬硅化物區(qū)103，從而提高金屬柵極102與金屬互連線，以及有源區(qū)101與金屬互連線的電連特性。雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求書所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種金屬互連線的制造方法，包括 提供半導(dǎo)體襯底，其上形成有虛設(shè)柵極； 在所述半導(dǎo)體襯底上依次覆蓋阻擋層、應(yīng)力層和第一層間介質(zhì)層； 進(jìn)行第一次化學(xué)機(jī)械研磨，直至暴露所述虛設(shè)柵極； 去除所述虛設(shè)柵極，形成金屬柵極，所述金屬柵極上形成有金屬氧化層； 在所述第一層間介質(zhì)層和所述金屬氧化層上覆蓋第二層間介質(zhì)層； 刻蝕所述第二層間介質(zhì)層、第一層間介質(zhì)層和應(yīng)力層，以形成開口，所述開口中暴露所述金屬氧化層和阻擋層； 利用離子轟擊的方法去除所述開口中暴露的金屬氧化層和阻擋層； 在所述開口中形成金屬互連線。
2.如權(quán)利要求I所述的金屬互連線的制造方法，其特征在于，所述阻擋層的材質(zhì)為氧化硅或氮氧化硅。
3.如權(quán)利要求I所述的金屬互連線的制造方法，其特征在于，所述阻擋層的厚度為30 100埃。
4.如權(quán)利要求I所述的金屬互連線的制造方法，其特征在于，在形成所述開口的步驟中，包括 在所述第二層間介質(zhì)層表面形成圖案化的抗刻蝕層； 以所述抗刻蝕層為掩膜，刻蝕所述第二層間介質(zhì)層和第一層間介質(zhì)層，以形成開口 ； 去除所述抗刻蝕層和應(yīng)力層。
5.如權(quán)利要求4所述的金屬互連線的制造方法，其特征在于，所述抗刻蝕層包括底部抗反射涂層和位于所述底部抗反射層上的光刻膠層。
6.如權(quán)利要求I所述的金屬互連線的制造方法，其特征在于，在所述開口中形成金屬互連線的步驟，包括 利用離子轟擊的方法去除所述開口中暴露的金屬氧化層和阻擋層； 在所述開口中覆蓋金屬粘著層； 在所述金屬粘著層上覆蓋金屬互連線層，所述金屬互連線層填充所述開口 ； 進(jìn)行第二次化學(xué)機(jī)械研磨，直至暴露所述第二層間介質(zhì)層。
7.如權(quán)利要求I或6所述的金屬互連線的制造方法，其特征在于，利用氬等離子體濺射去除所述開口中暴露的金屬氧化層和阻擋層。
8.如權(quán)利要求I所述的金屬互連線的制造方法，其特征在于，所述第二層間介質(zhì)層由底面向上依次包括第一氧化層、氮化層和第二氧化層。
9.如權(quán)利要求8所述的金屬互連線的制造方法，其特征在于，所述第二氧化層的厚度為30埃 100埃。
10.如權(quán)利要求8所述的金屬互連線的制造方法，其特征在于，所述氮化層的厚度為50埃 500埃。
11.如權(quán)利要求I 10中任意一項(xiàng)所述的金屬互連線的制造方法，其特征在于，所述虛設(shè)柵極的材質(zhì)為多晶硅。
12.如權(quán)利要求I 10中任意一項(xiàng)所述的金屬互連線的制造方法，其特征在于，所述金屬柵極兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底中形成有金屬硅化物區(qū)。
13.如權(quán)利要求12所述的金屬互連線的制造方法，其特征在于，所述金屬硅化物區(qū)的材質(zhì)為鎳硅化物、鈷硅化物、鎢硅化物、鈦硅化物以及鉭硅化物中的一種或其組合。
14.如權(quán)利要求I 10中任意一項(xiàng)所述的金屬互連線的制造方法，其特征在于，所述金屬柵極的材質(zhì)為鋁或鋁鈦化合物。
全文摘要
本發(fā)明揭示一種金屬互連線的制造方法，用于金屬柵極工藝，包括提供半導(dǎo)體襯底，其上形成有虛設(shè)柵極；在所述半導(dǎo)體襯底上依次覆蓋阻擋層、應(yīng)力層和第一層間介質(zhì)層；進(jìn)行第一次化學(xué)機(jī)械研磨；去除所述虛設(shè)柵極，形成金屬柵極，所述金屬柵極上形成有金屬氧化層；覆蓋第二層間介質(zhì)層；刻蝕所述第二層間介質(zhì)層、第一層間介質(zhì)層和應(yīng)力層，以形成開口；去除所述開口中暴露的金屬氧化層和阻擋層；在所述開口中形成金屬互連線。本發(fā)明用于提高金屬互連線的電連特性。本發(fā)明所述金屬互連線的制造方法能夠保護(hù)有源區(qū)上的金屬硅化物區(qū)在去除金屬氧化層的同時(shí)保護(hù)金屬硅化物區(qū)，提高金屬柵極與金屬互連線以及有源區(qū)與金屬互連線的電連特性。
文檔編號H01L21/768GK102956545SQ201110247539
公開日2013年3月6日 申請日期2011年8月25日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月25日
發(fā)明者王新鵬, 黃曉輝 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司