專利名稱：發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本案涉及一種封裝結(jié)構(gòu)及方法，尤指一種發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法。
背景技術(shù)：
將半導(dǎo)體制程應(yīng)用于硅片(Si wafer)，不但可以大量地制作發(fā)光二極管基材(LEDsubmount),也能讓封裝廠商降低成本、提高產(chǎn)量，同時(shí)達(dá)到更佳的散熱效果。第1331415號中國臺灣專利案所揭露的技術(shù)，即為現(xiàn)有應(yīng)用半導(dǎo)體制程的發(fā)光二極管封裝技術(shù)。參照此專利案的說明書及圖式內(nèi)容可知，其是在覆蓋有絕緣層的硅基材的上、下表面，先分別形成在硅基材的電極介層孔中連接的導(dǎo)電層和電極，接著，再將芯片設(shè)置于硅基材上表面的導(dǎo)電層，以進(jìn)行后續(xù)關(guān)于打線及封膠的步驟。 然而，前揭專利的技術(shù)必須分別在硅基材的上、下表面分別形成導(dǎo)電層和電極，并令導(dǎo)電層和電極于電極介層孔中接合方能完成，所以必須使用制程較為繁瑣的濺鍍(sputter)技術(shù)來形成導(dǎo)電層，間接地增加了廠商的時(shí)間與成本。另外，實(shí)際實(shí)施前揭專利案的技術(shù)后也發(fā)現(xiàn)到，導(dǎo)電層和電極在硅基材的電極介層孔中的電性連接情形并不理想，也就是說，導(dǎo)電層和電極并不易在硅基材的電極介層孔中完整地進(jìn)行接合，這也直接導(dǎo)致芯片的發(fā)光效果不佳，影響到廠商的產(chǎn)品良率。另外，在后續(xù)利用膠帶封住電極介層孔然后形成封裝膠體(molding compound)的制程中，也容易發(fā)生溢膠的問題。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于現(xiàn)有技術(shù)的種種缺失，本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法，可避免導(dǎo)電層于電極介層孔中接合不良的問題，簡化制程步驟，節(jié)省時(shí)間，更提升產(chǎn)品整體良率。本發(fā)明所提供的發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)包括娃基材，具有相對的第一及第二表面、形成于該硅基材內(nèi)部并連通至該第一表面的反射腔、及多個(gè)貫穿該反射腔底面及第二表面的電極介層孔；形成于該第二表面上的第一導(dǎo)電層；形成于該第一表面、反射腔及電極介層孔表面的第一絕緣層；形成于該反射腔壁面的第一絕緣層上的反射層；形成于該電極介層孔的表面并連接該第一導(dǎo)電層的第二導(dǎo)電層；形成于該第二導(dǎo)電層表面上的金屬層；設(shè)置在該反射腔中并電性連接該金屬層的芯片；以及形成于該反射腔及電極介層孔中，并覆蓋該第一絕緣層、反射層、金屬層及芯片的封裝膠體。為得到該發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)，本發(fā)明還提供一種發(fā)光二極管的封裝方法，包括以下步驟提供具有相對的第一及第二表面的硅基材，且該第二表面上形成有第一導(dǎo)電層；自該第一表面向該硅基材內(nèi)部形成反射腔，并形成多個(gè)貫穿該反射腔底面及第二表面的電極介層孔；于該第一表面、反射腔及電極介層孔表面形成第一絕緣層；于該反射腔壁面的第一絕緣層上形成反射層；于該電極介層孔的表面形成連接該第一導(dǎo)電層的第二導(dǎo)電層；于該第二導(dǎo)電層表面上形成金屬層；于該反射腔中設(shè)置芯片，并電性連接該芯片及金屬層；以及于該反射腔及電極介層孔中形成封裝膠體，以覆蓋該第一絕緣層、反射層、金屬層及芯片。相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明無須實(shí)施至少兩次鍍覆處理以于電極介層孔中連接硅基材上下表面的導(dǎo)電層，且可避免導(dǎo)電層于電極介層孔中接合不良的問題，不但簡化制程步驟，節(jié)省時(shí)間，更提升產(chǎn)品整體良率。而由于本案的技術(shù)能借由第一導(dǎo)電層先行封住電極介層孔，所以在后續(xù)形成封裝膠體(molding compound)的制程中也不易發(fā)生溢膠的缺失。


圖IA至圖IT為本發(fā)明發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)及其制法示意圖，其中，圖1K’圖IK的上視圖；圖1T’用于顯示芯片覆晶于反射腔中的示意圖。主要組件符號說明
10,10a, 10b, IOc 娃基材100 第一表面101 第二表面11a, lib, Ilc 第一導(dǎo)電層12反射腔13a, 13b電極介層孔14a, 14b, 14c 第一絕緣層15a, 15b, 15c 金屬膜16a, 16b, 16c 第二絕緣層17a, 17b, 17c, 17d, He, 17f, 17g 第二導(dǎo)電層18a, 18b, 18c, 18d, 18e, 18f, 18g 金屬層19 芯片30封裝膠體20a, 20b, 21a, 21b 介電層22 干膜22’圖案化干膜23a，23b圖案化光阻24 開口25, 25a, 25b, 25c 第一阻層26a, 26b, 26c, 26d 第二阻層250第一阻層開口。
具體實(shí)施例方式以下借由特定的具體實(shí)施例說明本發(fā)明的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其它優(yōu)點(diǎn)及功效。須知，本說明書所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示的內(nèi)容，以供熟悉此技藝的人士的了解與閱讀，并非用以限定本發(fā)明可實(shí)施的限定條件，故不具技術(shù)上的實(shí)質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整，在不影響本發(fā)明所能產(chǎn)生的功效及所能達(dá)成的目的下，均應(yīng)仍落在本發(fā)明所揭示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的范圍內(nèi)。同時(shí)，本說明書中所引用的如“第一”、“第二”及“底面”等用語，也僅為便于敘述的明了，而非用以限定本發(fā)明可實(shí)施的范圍，其相對關(guān)的改變或調(diào)整，在無實(shí)質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下，當(dāng)也視為本發(fā)明可實(shí)施的范疇。請依序參閱圖IA至圖1T，以充分了解本案提供的發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)及發(fā)光二極管的方法。參照圖IA至圖IE可知，其先提供具有相對的第一表面100及第二表面101的硅基材10,并于娃基材10的第二表面101形成第一導(dǎo)電層11a, lib。如圖IA所不,娃基材10的第一表面100可依序形成有例如為SiO2的介電層20a及例如為SiNx的介電層21a，同時(shí)，第二表面101也可依序形成有例如為SiO2的介電層20b及例如為SiNx的介電層21b。當(dāng)然，也可僅形成一層介電層，端視不同的需求而定。又如圖IB及圖IC所示，通過涂覆干膜22及如微影的圖案化手段，于該第二表面101上的介電層20b，21b上形成圖案化干膜22’。接著，移除未為該圖案化干膜22’覆蓋的 介電層20b,21b,以外露出第二表面101。再如圖ID所不，于外露出的第二表面101沉積(deposite)形成第一導(dǎo)電層Ila及第一導(dǎo)電層11b，同時(shí)，于中央的圖案化干膜22’上也可沉積有第一導(dǎo)電層11c。而如圖IE所示，移除該圖案化干膜22’及其覆蓋的介電層20b，21b，也就是說，剝除(strip)第二表面101中央?yún)^(qū)域上殘留的第一導(dǎo)電層11c、圖案化干膜22’、介電層20b，21b,以令第二表面101能從第一導(dǎo)電層Ila及第一導(dǎo)電層Ilb間外露。參照圖IF至圖IL可知,其說明在完成第一導(dǎo)電層11a, Ilb后,于第一表面100形成反射腔12,并形成貫穿第一表面100及第二表面101的電極介層孔13a, 13b。如圖IF所示，于該第一表面100上的介電層21a形成圖案化光阻(photoresist) 23a，23b，而圖案化光阻23a，23b間形成有開口(opening) 24，開口 24外露出部份該介電層21a,且外露出的部份介電層21a的投影面積涵蓋第一導(dǎo)電層11a, Ilb間外露出的第二表面101的面積。接著，將開口 24中未被圖案化光阻23a，23b覆蓋的介電層20a及介電層21a利用如蝕刻(etch)的方式予以去除,如圖IG所不，以露出部份的第一表面100。又如圖IH所示，又以圖案化光阻23a，23b為屏蔽，利用蝕刻的方式向該硅基材10內(nèi)部形成例如為梯形的反射腔12，而反射腔12連通至第一表面100。再如圖II所示，在形成反射腔12后，移除圖案化光阻23a，23b，并移除被圖案化光阻23a, 23b覆蓋住的介電層20a, 21a。而在移除完成后，即可于第一表面100上及反射腔12的表面形成例如為聚對二甲苯基(parylene)的第一阻層25，并通過雷射進(jìn)行圖案化，以形成如圖IJ所示的第一阻層開口 250，以外露出部份的反射腔12的底面。于形成第一阻層25后，就可利用反應(yīng)式離子蝕刻法(RIE etch)自該外露的反射腔12底面形成多個(gè)貫穿該反射腔12底面及第二表面101的電極介層孔(via hole) 13a，13b,以外露出第一導(dǎo)電層11a, Ilb,如圖IK所不。此時(shí)，以如圖1K’所不的上視圖而言，電極介層孔13a，13b可為橢圓形，或如矩形等其它形狀，而延著圖1K’的剖面線1K-1K所視，娃基材10被區(qū)隔成10a, 10b, 10c。而形成電極介層孔13a, 13b后,遂可將第一阻層25a, 25b, 25c予以移除,如圖IL所示。再參照圖1M,在將第一阻層25a, 25b, 25c移除后，于第一表面100上，反射腔12中，及電極介層孔13a, 13b的壁面,形成第一絕緣層14a, 14b, 14c,其中，該第一絕緣層14a,14b, 14c下緣可與第一導(dǎo)電層11a, Ilb連接。如圖IM所示，硅基材10a，10b，IOc上可分別鋪設(shè)有第一絕緣層14a，14b，14c，其中，第一絕緣層14a經(jīng)由電極介層孔13a的壁面連接至第一導(dǎo)電層11a，第一絕緣層14b經(jīng)由電極介層孔13a，13b的壁面連接至第一導(dǎo)電層11a，11b，第一絕緣層14c經(jīng)由電極介層孔13b的壁面連接至第一導(dǎo)電層Ilb,而第一絕緣層14a, 14b, 14c,則可以SiO2予以制成。接著參照圖IN至圖10可知，在鋪設(shè)第一絕緣層14a，14b，14c后，在第一絕緣層14a，14b，14c上，形成位于反射腔12壁面上的反射層，該反射層可包括金屬膜及第二絕緣層。如圖IN所示，在第一絕緣層14a，14b，14c上以涂布(coating)的方式形成鋁質(zhì)的金屬膜15a, 15b, 15c,具體來說,金屬膜15a, 15c位于反射腔12的壁面,而金屬膜15b則位于反射腔12底面的中央?yún)^(qū)域?！び秩鐖D10所示，在金屬膜15a，15b, 15c上形成例如為SiO2的第二絕緣層16a，16b,16c,而第二絕緣層16a, 16b, 16c分別連接至第一絕緣層14a, 14b, 14c,以完整地包覆住金屬膜15a，15b，15c。當(dāng)然，因應(yīng)不同的實(shí)際需求，也可省略反射腔12底面上的金屬膜15b及第二絕緣層16b。再參照圖IP至圖IQ可知，在形成第二絕緣層16a，16b，16c后，于第一絕緣層14a，14b, 14c或第二絕緣層16a, 16b, 16c上形成第二導(dǎo)電層，并令第二導(dǎo)電層借由電極介層孔
連接至第一導(dǎo)電層。如圖IP所示，可先在第一或第二絕緣層上鋪設(shè)例如為聚對二甲苯基(parylene)的第二阻層26a，26b, 26c, 26d，其中，第二阻層26a覆蓋著第一絕緣層14a及第二絕緣層16a，第二阻層26d覆蓋著第一絕緣層14c及第二絕緣層16c，而第二阻層26b，26c則形成于第二絕緣層16b的周緣，以外露出第二絕緣層16b的中央?yún)^(qū)域。如圖IQ所示，在完成第二阻層26a，26b，26c，26d的設(shè)置后，先形成第二導(dǎo)電材料，以覆蓋第二阻層26a，26b，26c，26d，電極介層孔13a，13b的孔壁。接著，再利用雷射鉆孔，以移除電極介層孔13a，13b周緣上部份的第二阻層26a，26d，及該第二阻層26a，26d上的第二導(dǎo)電材料，借此形成第二導(dǎo)電層17a，17b，17c，17d，17e，17f，17g。由于借由雷射鉆孔以形成第二導(dǎo)電層17a，17b，部份的第二阻層26a，26d也被移除，故第二導(dǎo)電層17a，17b的間隙會(huì)露出部份的第一絕緣層14a。另外，部份的第二阻層26b會(huì)由第二導(dǎo)電層17c，17d的間隙露出，部份的第二阻層26c會(huì)由第二導(dǎo)電層17d，17e的間隙露出，而部份的第一絕緣層14c會(huì)由第二導(dǎo)電層17f，17g的間隙露出。當(dāng)然，第二導(dǎo)電層17b, 17c及第二導(dǎo)電層17e, 17f,可分別通過電極介層孔13a及電極介層孔13b，向下連接至第一導(dǎo)電層Ila及第一導(dǎo)電層lib。當(dāng)然，第二導(dǎo)電層17b，17c及第二導(dǎo)電層17e, 17f,也可分別自第一導(dǎo)電層11a, Ilb向上突出反射腔12底面。參照圖IR至圖1S，在形成完第二導(dǎo)電層17a，17b，17c，17d，17e，17f，17g后，借由電極介層孔13a, 13b連接至第一導(dǎo)電層11a, Ilb的第二導(dǎo)電層17b, 17c, 17e, 17f上,進(jìn)一步形成金屬層。如圖IR所示，利用電鍍技術(shù)于第二導(dǎo)電層17a，17b，17c，17d，17e，17f，17g上分別形成金屬層 18a, 18b，18c，18d，18e，18f，18g。
接著，如圖IS所示，移除第二阻層26a，26b，26c，26d及其上的第二導(dǎo)電層17a，17g和金屬層18a，18g，換言之，留下自第一導(dǎo)電層Ila沿著電極介層孔13a向上突出反射腔12底面的第二導(dǎo)電層17b, 17c及金屬層18b, 18c,以及自第一導(dǎo)電層Ilb沿著電極介層孔13b向上突出反射腔12底面的第二導(dǎo)電層17e，17f及金屬層18e，18f。接著，參照圖1T，于反射腔12中設(shè)置芯片19，并電性連接芯片19及金屬層18b，18f，例如，可在形成于第二絕緣層16b上的第二導(dǎo)電層17d及金屬層18d上設(shè)置芯片19，并以例如為打線的方式電性連接芯片19及金屬層18b，18f，以完成芯片19的設(shè)置與電性連接。其次，芯片19及金屬層18b，18f也能用覆晶封裝(flip chip)的方式電性連接，如圖1T’所示，此時(shí)，去除第二導(dǎo)電層17d及金屬層18d。最后，于反射腔12及電極介層孔13a，13b中形成封裝膠體30，以覆蓋第一絕緣層、反射層、金屬層、及芯片。如圖1T、圖1T’所示，利用封裝膠體30覆蓋住外露的第一絕緣層14a，14c，外露 的第二絕緣層16a，16b，16c，外露的第二導(dǎo)電層17b，17c，17d，17e，17f，外露的金屬層18b，18c，18d，18e，18f，及芯片19，同時(shí)，也將封裝膠體30充填于電極介層孔13a，13b中。而本案提供的發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)，如圖1S、圖IT或圖1T’所示者，包括具有第一表面100、第二表面101，且形成有反射腔12和貫穿反射腔12底面及第二表面101的電極介層孔13a, 13b的娃基材10a, 10b, IOc ;形成于第二表面101并視需要地覆蓋住電極介層孔13a, 13b,且外露出部份的第二表面101的第一導(dǎo)電層11a, Ilb ;形成于第一表面100、反射腔12及電極介層孔13a，13b表面并連接至第一導(dǎo)電層11a，Ilb的第一絕緣層14a，14b，14c ;形成于第一絕緣層14a，14b，14c上并位于反射腔12的中央?yún)^(qū)域與兩端的金屬膜15a, 15b, 15c ;形成于金屬膜15a, 15b, 15c并連接至第一絕緣層14a, 14b, 14c的第二絕緣層16a,16b,16c。其次，還包括形成于第一絕緣層14a上并借由電極介層孔13a連接至第一導(dǎo)電層Ila的第二導(dǎo)電層17b，形成于電極介層孔13a的第一絕緣層14b上并借由電極介層孔13a連接至第一導(dǎo)電層I Ia的第二導(dǎo)電層17c，形成于電極介層孔13b的第一絕緣層14b上并借由電極介層孔13b連接至第一導(dǎo)電層I Ib的第二導(dǎo)電層17e，形成于第一絕緣層14c上并借由電極介層孔13b連接至第一導(dǎo)電層Ilb的第二導(dǎo)電層17f，以及僅形成于第二絕緣層16b上的第二導(dǎo)電層17d。此外，還包括形成于借由電極介層孔13a連接至第一導(dǎo)電層Ila的第二導(dǎo)電層17b, 17c上的金屬層18b, 18c,以及形成于借由電極介層孔13b連接至第一導(dǎo)電層Ilb的第二導(dǎo)電層17e，17f上的金屬層18e，18f。當(dāng)然，更包括設(shè)置在形成于第二絕緣層16b上的金屬層18d并電性連接金屬層18b，18e的芯片19 ;以及覆蓋住外露的第一絕緣層14a，14c，外露的第二絕緣層16a，16b，16c,外露的第二導(dǎo)電層17b，17c，17d，17e，17f，外露的金屬層18b，18c，18e，18f，及芯片19，同時(shí)充填于電極介層孔13a，13b中的封裝膠體30。相較于現(xiàn)有技術(shù)，由于本案可選擇利用沉積技術(shù)來形成導(dǎo)電層，且無須在電極介層孔中讓上、下兩層的導(dǎo)電層進(jìn)行接合，故，不但不會(huì)發(fā)生接合不良以致發(fā)光效率不佳的問題，也可簡化廠商的制程與成本，進(jìn)而大幅提升產(chǎn)品的整體良率。其次，由于本案的技術(shù)借由第一導(dǎo)電層先行封住電極介層孔，所以在后續(xù)形成封裝膠體的制程時(shí)，也不易發(fā)生溢膠的缺失。 上述實(shí)施例僅用以例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員均可在不違背本發(fā)明的精神及范疇 下，對上述實(shí)施例進(jìn)行修改。因此本發(fā)明的權(quán)利保護(hù)范圍，應(yīng)如權(quán)利要求書所列。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)，其包括 娃基材，其具有相對的第一及第二表面、形成于該娃基材內(nèi)部并連通至該第一表面的反射腔及多個(gè)貫穿該反射腔底面及第二表面的電極介層孔； 第一導(dǎo)電層，其形成于該第二表面上； 第一絕緣層，其形成于該第一表面、反射腔及電極介層孔表面； 反射層，其形成于該反射腔壁面的第一絕緣層上； 第二導(dǎo)電層，其形成于該電極介層孔的表面并連接該第一導(dǎo)電層； 金屬層，其形成于該第二導(dǎo)電層表面上； 芯片，其設(shè)置在該反射腔中，并電性連接該金屬層；以及 封裝膠體，其形成于該反射腔及電極介層孔中，并覆蓋該第一絕緣層、反射層、金屬層及芯片。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一導(dǎo)電層外露出部份該第二表面，且該第二表面對應(yīng)位于該芯片下方。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該反射層包括形成于該第一絕緣層上的金屬膜及包覆該金屬膜的第二絕緣層。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該反射層還形成于該反射腔底面的第一絕緣層上。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二導(dǎo)電層及金屬層突出該反射腔底面。
6.一種發(fā)光二極管的封裝方法，其包括以下步驟 提供具有相對的第一及第二表面的娃基材，且該第二表面上形成有第一導(dǎo)電層；自該第一表面向該硅基材內(nèi)部形成反射腔，并形成多個(gè)貫穿該反射腔底面及第二表面的電極介層孔； 于該第一表面、反射腔及電極介層孔表面形成第一絕緣層； 于該反射腔壁面的第一絕緣層上形成反射層； 于該電極介層孔的表面形成連接該第一導(dǎo)電層的第二導(dǎo)電層； 于該第二導(dǎo)電層表面上形成金屬層； 于該反射腔中設(shè)置芯片，并電性連接該芯片及金屬層；以及 于該反射腔及電極介層孔中形成封裝膠體，以覆蓋該第一絕緣層、反射層、金屬層及芯片。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管的封裝方法,其特征在于，該第一導(dǎo)電層的形成包括以下步驟 于該娃基材的第二表面上形成至少一層介電層； 于該第二表面上的介電層上形成圖案化干膜； 移除未為該圖案化干膜覆蓋的介電層，以外露出第二表面； 形成第一導(dǎo)電層于該外露的第二表面上；以及 移除該圖案化干膜及其覆蓋的介電層。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管的封裝方法，其特征在于，該反射腔及電極介層孔的形成包括以下步驟于該娃基材的第一表面上形成至少一介電層； 于該第一表面上的介電層上形成圖案化光阻，以外露出部份該介電層，其中，該外露的該介電層的投影面積涵蓋該第一導(dǎo)電層外露的第二表面面積； 移除外露的該介電層； 向該硅基材內(nèi)部形成反射腔； 移除該圖案化光阻及第一表面上剩余的介電層； 于該第一表面及反射腔表面形成第一阻層，且該第一阻層具有第一阻層開口，以外露出部分該反射腔底面； 自該外露的反射腔底面形成多個(gè)貫穿該反射腔底面及第二表面的電極介層孔，以外露出第一導(dǎo)電層；以及移除該第一阻層。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管的封裝方法，其特征在于，該反射層包括形成于該第一絕緣層上的金屬膜及包覆該金屬膜的第二絕緣層。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管的封裝方法，其特征在于，該反射層還形成于該反射腔底面的第一絕緣層上。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管的封裝方法，其特征在于，該第二導(dǎo)電層及金屬層的制法包括 于該第一表面及反射腔表面上的第一絕緣層上形成第二阻層； 于該第二阻層上及該電極介層孔的孔壁上形成第二導(dǎo)電層； 移除該電極介層孔周緣上的第二阻層及該第二阻層上的第二導(dǎo)電層； 于該第二導(dǎo)電層上形成金屬層；以及 移除該第二阻層及其上的第二導(dǎo)電層及金屬層。
全文摘要
一種發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法，該制法通過于硅基材底面形成第一導(dǎo)電層，接著自該硅基材頂面形成反射腔及電極介層孔；再于該反射腔壁面形成反射層以及于該電極介層孔表面形成第二導(dǎo)電層及金屬層，最后設(shè)置芯片及填充封裝膠體，即可得到本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明無須實(shí)施至少兩次鍍覆處理以于電極介層孔中連接硅基材上下表面的導(dǎo)電層，且可避免導(dǎo)電層于電極介層孔中接合不良的問題，不但簡化制程步驟，節(jié)省時(shí)間，更提升產(chǎn)品整體良率。
文檔編號H01L33/00GK102903835SQ20111022954
公開日2013年1月30日 申請日期2011年8月9日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月29日
發(fā)明者王日富, 黃建屏, 李文豪, 陳賢文, 李明修 申請人:矽品精密工業(yè)股份有限公司