技術編號：7156434
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本案涉及一種封裝結構及方法，尤指一種發(fā)光二極管的封裝結構及封裝方法。背景技術將半導體制程應用于硅片(Si wafer)，不但可以大量地制作發(fā)光二極管基材(LEDsubmount),也能讓封裝廠商降低成本、提高產(chǎn)量，同時達到更佳的散熱效果。第1331415號中國臺灣專利案所揭露的技術，即為現(xiàn)有應用半導體制程的發(fā)光二極管封裝技術。參照此專利案的說明書及圖式內(nèi)容可知，其是在覆蓋有絕緣層的硅基材的上、下表面，先分別形成在硅基材的電極介層孔中連接的導電層和電極，接著...
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該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。