專利名稱：一種薄膜晶體管陣列的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及薄膜晶體管(Thin Film Transistor, TFT)陣列的制造方法，尤其是涉及用于液晶面板TFT陣列的制造方法。
背景技術(shù)：
一個TFT陣列通常包括縱橫交叉的行(柵極)掃描線和列(數(shù)據(jù))掃描線、行掃描線引腳和列掃描線引腳，以及與行掃描線和列掃描線連接的TFT。目前液晶面板TFT陣列制造方法是首先制作出一套TFT陣列所需的掩模板，所述的TFT陣列從陣列互相垂直的二邊引出掃描線引腳；然后，通過多次沉積、掩模板套準(zhǔn)后曝光和光刻步驟制造出所需的TFT陣列。雖然，一套掩模板有多個曝光區(qū)，可以同時制造多個TFT陣列，但所制造的TFT陣列的規(guī)格和面積相同。此方法的不足之處就是一套掩模板只能制造一種規(guī)格、面積的TFT陣列。 如需制造數(shù)量較少，面積較大的TFT陣列則成本非常高。并且由于一些不可預(yù)知因素，如灰塵未清洗干凈等，可以導(dǎo)致TFT陣列出現(xiàn)不可修復(fù)的壞點，而一個壞點的存在可能導(dǎo)致整個TFT陣列報廢。由于TFT陣列越大，出現(xiàn)壞點的機會越高，因此，目前TFT面板面積越大， 良率越低，成本就越高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種TFT陣列的制造方法，采用一套掩模板就能方便地制造出多種規(guī)格和尺寸的TFT陣列。本發(fā)明所述的一種薄膜晶體管陣列的制造方法，所述的薄膜晶體管陣列包括縱橫交叉的行掃描線和列掃描線、行掃描線引腳、列掃描線引腳，以及與行掃描線和列掃描線連接的薄膜晶體管，所述制造方法包括以下步驟:A.在一套掩模板繪制能在平板玻璃表面制造陣列四邊都有掃描線引腳的薄膜晶體管陣列圖案；B.根據(jù)步驟A所繪制圖案在平板玻璃表面制造陣列四邊都有掃描線引腳的薄膜晶體管陣列；C.根據(jù)需要將步驟B所制造的薄膜晶體管陣列切割成一個面積較大的薄膜晶體管陣列或者分割為若干個面積較小的薄膜晶體管陣列。本發(fā)明所述的一種薄膜晶體管陣列的制造方法，所述的薄膜晶體管陣列包括縱橫交叉的行掃描線和列掃描線、行掃描線引腳、列掃描線引腳，以及與行掃描線和列掃描線連接的薄膜晶體管，所述制造方法包括以下步驟A.在一套掩模板繪制能在平板玻璃表面制造陣列四邊都有掃描線引腳的薄膜晶體管陣列圖案；B.根據(jù)步驟A所繪制圖案在平板玻璃表面制造陣列四邊都有掃描線引腳的薄膜晶體管陣列；C.根據(jù)陣列中是否有壞點的檢測結(jié)果，將步驟B所制造的薄膜晶體管陣列切割成一個面積較大的薄膜晶體管陣列或者分割為若干個面積較小的薄膜晶體管陣列。根據(jù)本發(fā)明所述的薄膜晶體管陣列的制造方法的進(jìn)一步特征，所述掃描線引腳具有多層排列方式，以致選擇不同引腳組合與驅(qū)動電路配合。根據(jù)本發(fā)明所述的薄膜晶體管陣列的制造方法的進(jìn)一步特征，步驟A所采用的掩模板是具有灰度的掩模板，步驟B中用一種曝光強度制造一種規(guī)格和面積的薄膜晶體管陣列，用另一種曝光強度制造另一種規(guī)格和面積的薄膜晶體管陣列。根據(jù)本發(fā)明所述的薄膜晶體管陣列的制造方法的進(jìn)一步特征，在步驟B中，對一個薄膜晶體管陣列掩模板作條形遮光，遮光后制造出規(guī)格和面積不同于遮光前的薄膜晶體管陣列。根據(jù)本發(fā)明所述的薄膜晶體管陣列的制造方法的進(jìn)一步特征，薄膜晶體管陣列四邊掃描線引腳都接有驅(qū)動電路。本發(fā)明還提供了一種液晶面板的制造方法，包括了如本發(fā)明所述的薄膜晶體管陣列的制造方法。與現(xiàn)行TFT陣列制造方法相比，本發(fā)明所述TFT陣列的制造方法有以下優(yōu)點 (1)較大面積而生產(chǎn)數(shù)量較少的TFT陣列可以與較小面積而生產(chǎn)數(shù)量大的TFT陣列共
用生產(chǎn)線進(jìn)行不間斷生產(chǎn)，提高了較大面積而生產(chǎn)數(shù)量較少的TFT陣列的生產(chǎn)效率。(2)當(dāng)一個較大面積TFT陣列中有不可修復(fù)的壞點時，可以將較大面積TFT陣列切割成小面積TFT陣列，從而降低了較大面積TFT陣列面板的不良率。(3)從TFT陣列的四邊引出行、列掃描線的引腳線，可以通過雙側(cè)接入驅(qū)動電路的方法使掃描線電阻下降一半。因此，可使用較小面積TFT陣列面板工藝、材料制造較大面積 TFT陣列面板，由此減低大面積面板成本。(4)行、列掃描線的引腳可具有多層排列方式，通過切割或蝕刻方法選擇引腳排列方式，方便面板使用。


圖1是本發(fā)明制造原理說明的TFT陣列結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是本發(fā)明制造原理所述8 X 8 X 4 TFT陣列制造示意圖。圖3是本發(fā)明所述有灰度掩模板TFT陣列示意圖。其中1為外層列掃描線引腳；2為內(nèi)層列掃描線引腳；3為行掃描線引腳；4為 TFT ；5為切割線；6掩模板灰度/遮光區(qū)。
具體實施例方式
圖1用于本發(fā)明制造原理說明的TFT陣列結(jié)構(gòu)示意圖，陣列中共有18 X 18個薄膜晶體管，陣列的4邊有行和列掃描線引腳。該TFT陣列的制造方法包括以下步驟:A.在一套掩模板繪制能在平板玻璃表面制造陣列四邊都有掃描線引腳的薄膜晶體管陣列圖案；B. 根據(jù)步驟A所繪制圖案在平板玻璃表面制造陣列四邊都有掃描線引腳的薄膜晶體管陣列； C.根據(jù)需要將步驟B所制造的薄膜晶體管陣列切割為不同規(guī)格和面積的產(chǎn)品，例如，如果使用內(nèi)側(cè)引腳，可得到一個18 X 18 TFT陣列；如果使用外側(cè)引腳，可得到一個16 X 16 TFT陣列；又例如，沿圖2所示切割線切開18 X 18 TFT陣列，可得到4片8 X 8 TFT陣列。在此基礎(chǔ)上，可采用一套有灰度的掩模板，套準(zhǔn)后在玻璃表面的曝光圖案如圖3 所示，因此，用強光曝光可制造一個較大面積的TFT陣列；用弱光曝光制造四個較小面積的 TFT陣列?？商娲?，對一套掩模板做條形遮光，套準(zhǔn)后在玻璃表面的曝光圖案也如圖3所示，因此，遮光前可制造一個較大面積的TFT陣列；遮光后可制造四個較小面積的TFT陣列。實施例一制造32吋和65吋液晶電視面板
4目前，第6代液晶面板生產(chǎn)線可在一片玻璃基板上制造8片32吋面板，每一片面板包括一個3 X 1366 X 768個TFT的陣列。采用本發(fā)明所述的TFT陣列制造方法，在一套掩模板繪制兩個3 X 2772 X 1560個TFT的陣列且四邊都有掃描線引腳的薄膜晶體管陣列圖案。按常規(guī)工序完成面板制造過程后，如面板無壞點，即可得到兩片65吋面板。如面板有壞點，可將面板按圖2樣式封裝，此時，一片65吋面板被封裝成4個32吋面板。如果一個32吋面板區(qū)域出現(xiàn)壞點，切割后還可得到3個32吋面板。一片65吋面板按圖2樣式封裝成4個32吋面板后，如果無壞點，切割后還可得到4個32吋面板，因此，本發(fā)明所述的制造方法可以顯著提高65吋面板的良率。市面上32吋液晶面板每條生產(chǎn)線年產(chǎn)量超過數(shù)百萬片，單價不高于1，000元人民幣，65吋液晶面板年需求量<10萬片，單價不低于10，000元人民幣。采用本發(fā)明制造65吋面板，由于65吋面板不必單獨開機生產(chǎn)，且良率不低于32吋面板良率，故所得到的65吋面板的單價接近4片32吋液晶面板價格之和，遠(yuǎn)低于目前市面價格。實施例二 制造55吋和111吋液晶電視面板
目前，第8. 5代液晶面板生產(chǎn)線可在一片玻璃基板上制造8片55吋面板，每一片面板包括一個3 X 1920 X 1080個TFT的陣列。采用本發(fā)明所述的TFT陣列制造方法，在一套掩模板繪制2個3 X 3880 X 2184個TFT的陣列，四邊都有掃描線引腳的薄膜晶體管陣列圖案，按常規(guī)工序完成面板制造過程后，如面板無壞點，即可得到兩片111吋面板。如面板有壞點，可將面板按圖2樣式封裝，此時，一片111吋面板被封裝成4個55吋面板，如果一個55吋面板區(qū)域出現(xiàn)壞點，切割后還可得到3個55吋面板。一片111吋面板按圖2 樣式封裝成4個55吋面板，如果無壞點，切割后還可得到4個55吋面板，因此，本發(fā)明可以大為提高111吋面板的良率。由于111吋面板中行列掃描線過長，用陽吋面板工藝、材料制造，單側(cè)輸入掃描信號將出現(xiàn)信號延遲。二雙側(cè)輸入掃描信號可使掃描線電阻下降一半， 正好滿足用陽吋工藝、材料制造111吋面板要求。市面上55吋液晶面板市場年需求量近百萬片，面板單價不高于5，000元人民幣。 111吋液晶面市場年需求量不到一萬片，單價不低于100，000元人民幣。采用本發(fā)明制造 111吋面板，由于111吋面板面板不必單獨開機生產(chǎn)，生產(chǎn)效率提高且良率不低于55吋面板的良率，又可以采用55吋面板的工藝、材料制造，故所得到的111吋面板的單價接近4片 55吋液晶面板價格之和，遠(yuǎn)低于目前市面價格。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管陣列的制造方法，所述的薄膜晶體管陣列包括縱橫交叉的行掃描線和列掃描線、行掃描線引腳、列掃描線引腳，以及與行掃描線和列掃描線連接的薄膜晶體管，其特征在于所述制造方法包括以下步驟A.在一套掩模板繪制能在平板玻璃表面制造陣列四邊都有掃描線引腳的薄膜晶體管陣列圖案；B.根據(jù)步驟A所繪制圖案在平板玻璃表面制造陣列四邊都有掃描線引腳的薄膜晶體管陣列；C.根據(jù)需要將步驟B所制造的薄膜晶體管陣列切割成一個面積較大的薄膜晶體管陣列或者分割為若干個面積較小的薄膜晶體管陣列。
2.一種薄膜晶體管陣列的制造方法，所述的薄膜晶體管陣列包括縱橫交叉的行掃描線和列掃描線、行掃描線引腳、列掃描線引腳，以及與行掃描線和列掃描線連接的薄膜晶體管，其特征在于所述制造方法包括以下步驟A.在一套掩模板繪制能在平板玻璃表面制造陣列四邊都有掃描線引腳的薄膜晶體管陣列圖案；B.根據(jù)步驟A所繪制圖案在平板玻璃表面制造陣列四邊都有掃描線引腳的薄膜晶體管陣列；C.根據(jù)陣列中是否有壞點的檢測結(jié)果，將步驟B所制造的薄膜晶體管陣列切割成一個面積較大的薄膜晶體管陣列或者分割為若干個面積較小的薄膜晶體管陣列。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的薄膜晶體管陣列的制造方法，其特征在于所述掃描線引腳具有多層排列方式，以致選擇不同引腳組合與驅(qū)動電路配合。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的薄膜晶體管陣列的制造方法，其特征在于所述步驟A所采用的掩模板是具有灰度的掩模板，所述步驟B中用一種曝光強度制造一種規(guī)格和面積的薄膜晶體管陣列，用另一種曝光強度制造另一種規(guī)格和面積的薄膜晶體管陣列。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的薄膜晶體管陣列的制造方法，其特征在于在步驟B中， 對一個薄膜晶體管陣列掩模板作條形遮光，遮光后制造出規(guī)格和面積不同于遮光前的薄膜晶體管陣列。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的薄膜晶體管陣列的制造方法，其特征在于薄膜晶體管陣列四邊掃描線引腳都接有驅(qū)動電路。
7.一種液晶面板的制造方法，其特征是包括了如權(quán)利要求1或2所述的薄膜晶體管陣列的制造方法。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管陣列的制造方法。本發(fā)明所述制造方法包括以下步驟在一套掩模板繪制能在平板玻璃表面制造陣列四邊都有掃描線引腳的薄膜晶體管陣列圖案；根據(jù)所繪制圖案在平板玻璃表面制造陣列四邊都有掃描線引腳的薄膜晶體管陣列；根據(jù)需要將所制造的薄膜晶體管陣列切割成一個面積較大的薄膜晶體管陣列或者分割為若干個面積較小的薄膜晶體管陣列。本發(fā)明提高了較大面積而生產(chǎn)數(shù)量較少的薄膜晶體管陣列的生產(chǎn)效率，降低了較大面積薄膜晶體管陣列面板的不良率，并可使用較小面積薄膜晶體管陣列面板工藝、材料制造較大面積薄膜晶體管陣列面板，由此減低大面積面板成本。
文檔編號H01L21/77GK102420182SQ20111020336
公開日2012年4月18日 申請日期2011年7月20日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月20日
發(fā)明者張亞美, 王亞平 申請人:張亞美, 王亞平