專利名稱：Mos晶體管的形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及ー種MOS晶體管的形成方法。
背景技術(shù)：
金屬-氧化物-半導(dǎo)體(metal oxide semiconductor, M0S)場(chǎng)效應(yīng)晶體管作為半導(dǎo)體制造中最基本的器件，廣泛應(yīng)用于各種集成電路中，MOS晶體管分為P溝道型MOS晶體管和N溝道型MOS晶體管。隨著半導(dǎo)體器件尺寸的不斷減小，在32nm以下制造エ藝中，已經(jīng)很難通過(guò)進(jìn)ー步減小特征尺寸來(lái)提升半導(dǎo)體器件的性能。而對(duì)于MOS晶體管而言，通常是采用應(yīng)變硅技木，在不縮小器件特征尺寸的情況下，提高M(jìn)OS晶體管的器件性能。目前，應(yīng)變硅技術(shù)主要分為 全局應(yīng)變和局部應(yīng)變。其中，全局應(yīng)變技術(shù)是指應(yīng)カ由襯底產(chǎn)生，且可以覆蓋所有制作在襯底上的晶體管區(qū)域。例如，可產(chǎn)生全局應(yīng)變的材料包括絕緣層上鍺娃(SiGe On Insulator,SG0I)、鍺硅虛擬襯底等。局部應(yīng)變技術(shù)通常是只在半導(dǎo)體器件的局部向半導(dǎo)體溝道區(qū)域施加應(yīng)力。例如，在源漏區(qū)注入鍺硅(SiGe)或碳化硅(SiC)、雙應(yīng)カ層技術(shù)等。但是，現(xiàn)有的局部應(yīng)變技術(shù)還存在不足，以在源漏區(qū)注入鍺硅(SiGe)為例。參考圖I至圖4所示的現(xiàn)有技術(shù)中在柵極間形成源漏區(qū)的剖面示意圖。如圖I所示，提供半導(dǎo)體襯底10 ;如圖2所示，在所述半導(dǎo)體襯底10上形成柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)包括形成于半導(dǎo)體襯底10上的柵介質(zhì)層11、形成于柵介質(zhì)層11上的柵極12以及形成于柵極12周圍的側(cè)墻13 ;如圖3所示，采用干法刻蝕對(duì)半導(dǎo)體襯底10進(jìn)行刻蝕，在所述柵極結(jié)構(gòu)之間形成溝槽14 ;如圖4所示，采用濕法刻蝕對(duì)溝槽14繼續(xù)刻蝕，形成溝槽14'。在后續(xù)エ藝中，將在所述溝槽14'內(nèi)沉積鍺硅，形成源區(qū)、漏區(qū)(圖4中未示出)。但是，隨著半導(dǎo)體器件尺寸的減小，當(dāng)所述柵極結(jié)構(gòu)之間的距離較小時(shí)，利用上述方法形成的溝槽14'不利于后續(xù)沉積鍺硅形成源區(qū)、漏區(qū)，從而導(dǎo)致最終形成MOS晶體管的器件性能較差。更多關(guān)于MOS晶體管及其形成方法的技術(shù)方案可以參考中國(guó)專利申請(qǐng)?zhí)枮?00810202960. O的專利申請(qǐng)文件。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問(wèn)題是提供ー種MOS晶體管的形成方法，避免在形成源區(qū)或漏區(qū)的溝槽底部出現(xiàn)尖角現(xiàn)象。為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明技術(shù)方案提供了ー種MOS晶體管的形成方法，包括如下步驟提供半導(dǎo)體襯底；在所述半導(dǎo)體襯底上形成柵極結(jié)構(gòu)；刻蝕所述半導(dǎo)體襯底，在所述柵極結(jié)構(gòu)之間形成第一溝槽；刻蝕所述第一溝槽形成第二溝槽；在所述第二溝槽內(nèi)形成源區(qū)、漏區(qū)。可選地，所述刻蝕所述半導(dǎo)體襯底，在所述柵極結(jié)構(gòu)之間形成第一溝槽的方法是干法刻蝕。
可選地，所述干法刻蝕的參數(shù)如下反應(yīng)氣體包括CF4、Cl2, O2以及Ar，其中所述CF4的氣體流量為10-200sCCm、所述Cl2的氣體流量為10-200sCCm、所述O2的氣體流量為10-50sccm、所述Ar的氣體流量為50-200sccm ;反應(yīng)時(shí)間為10s_60s ;反應(yīng)壓カ為
IO-IOOmTorr ;偏壓為10-200W ;變壓器耦合等離子體功率為100-1000W?？蛇x地，刻蝕所述第一溝槽形成第二溝槽的方法為濕法刻蝕?？蛇x地，所述濕法刻蝕的反應(yīng)溶液包括四甲基氫氧化銨(TMAH)，其濃度為10% -40% ;反應(yīng)溫度為60-90攝氏度?？蛇x地，所述柵極結(jié)構(gòu)包括形成于所述半導(dǎo)體襯底上的柵介質(zhì)層、形成于所述柵介質(zhì)層上的柵極以及形成于所述柵極周圍的側(cè)墻。 可選地，所述源區(qū)、漏區(qū)通過(guò)沉積鍺硅形成。可選地，在刻蝕所述第一溝槽形成第ニ溝槽之后，在所述第ニ溝槽內(nèi)形成源區(qū)、漏區(qū)之前，還包括步驟通過(guò)回流エ藝對(duì)所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行處理?？蛇x地，所述回流エ藝的反應(yīng)室為回流爐，所述回流爐內(nèi)的溫度范圍在800-850攝氏度。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)在形成MOS晶體管的過(guò)程中，首先，在半導(dǎo)體襯底上形成柵極結(jié)構(gòu)；然后，在柵極結(jié)構(gòu)之間的半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成溝槽，所述形成溝槽的エ藝分為兩個(gè)過(guò)程先通過(guò)干法刻蝕在半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成第一溝槽，所述第一溝槽底部的寬度大于所述柵極結(jié)構(gòu)之間的間距，之后再通過(guò)濕法刻蝕對(duì)所述第一溝槽繼續(xù)刻蝕，形成第二溝槽。最后，在所述第二溝槽內(nèi)形成源區(qū)、漏區(qū)。由于在半導(dǎo)體襯底內(nèi)可以形成底部寬度大于柵極結(jié)構(gòu)間距的第一溝槽，從而避免了后續(xù)對(duì)第一溝槽進(jìn)行濕法刻蝕形成第二溝槽時(shí)，在所述第二溝槽底部出現(xiàn)尖角現(xiàn)象。在本發(fā)明具體實(shí)施例中，提供了一組用于上述干法刻蝕的エ藝參數(shù)，如下所示反應(yīng)氣體包括CF4、C12、02以及Ar，其中所述CF4的氣體流量為10-200sccm、所述Cl2的氣體流量為10-200sccm、所述O2的氣體流量為10_50sccm、所述Ar的氣體流量為50-200sccm ;反應(yīng)時(shí)間為10s-60s ;反應(yīng)壓カ為IO-IOOmTorr ;偏壓為10-200W ;變壓器耦合等離子體功率為 100-1000W。通過(guò)上述エ藝參數(shù)的干法刻蝕，在半導(dǎo)體襯底內(nèi)可以形成底部寬度大于柵極結(jié)構(gòu)間距的第一溝槽，從而避免了后續(xù)對(duì)第一溝槽進(jìn)行濕法刻蝕形成第二溝槽時(shí)，在所述第二溝槽底部出現(xiàn)尖角現(xiàn)象。


圖I至圖5為現(xiàn)有技術(shù)中在柵極間形成源漏區(qū)的剖面示意圖；圖6是本發(fā)明的ー種MOS晶體管的形成方法的具體實(shí)施方式
的流程示意圖；圖7至圖11是本發(fā)明形成ー種MOS晶體管的具體實(shí)施例的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式參考圖I-圖4，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)在形成MOS晶體管的過(guò)程中，隨著柵極結(jié)構(gòu)之間的間距減小，當(dāng)采用干法刻蝕對(duì)半導(dǎo)體襯底10進(jìn)行刻蝕時(shí)，形成的溝槽14的底部寬度也較小，通常與柵極結(jié)構(gòu)之間的間距相同，在進(jìn)ー步采用濕法刻蝕繼續(xù)對(duì)所述溝槽14刻蝕時(shí)，由于對(duì)溝槽14底部的刻蝕速率較快，因此很容易產(chǎn)生如圖5所示，在溝槽14'的底部出現(xiàn)尖角15的情形，這對(duì)后續(xù)沉積鍺硅形成源區(qū)、漏區(qū)會(huì)產(chǎn)生不利的影響，導(dǎo)致沉積的鍺硅無(wú)法完全填滿溝槽14'，從而影響MOS晶體管的器件性能。為了使本領(lǐng)域技術(shù)人員可以更好的理解本發(fā)明，下面結(jié)合附圖以及具體實(shí)施例詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的MOS晶體管及其形成方法。圖6為本發(fā)明的MOS晶體管的形成方法的具體實(shí)施方式
的流程示意圖，參考圖6，本發(fā)明具體實(shí)施例的形成MOS晶體管的方法包括步驟SI :提供半導(dǎo)體襯底；步驟S2 :在所述半導(dǎo)體襯底上形成柵極結(jié)構(gòu)；步驟S3 :刻蝕所述半導(dǎo)體襯底，在所述柵極結(jié)構(gòu)之間形成第一溝槽，所述第一溝槽底部的寬度大于所述柵極結(jié)構(gòu)之間的間距； 步驟S4 :刻蝕所述第一溝槽形成第二溝槽；步驟S5 :在所述第二溝槽內(nèi)形成源區(qū)、漏區(qū)。進(jìn)ー步地，如圖7至圖11為本發(fā)明的形成ー種MOS晶體管的具體實(shí)施例的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，結(jié)合參考圖6以及圖7至圖11詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明具體實(shí)施例的形成MOS晶體管的方法。結(jié)合參考圖6和圖7，執(zhí)行步驟SI，提供半導(dǎo)體襯底20。在本發(fā)明實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體襯底20可以是單晶硅或者神化鎵等III-V族化合物。結(jié)合參考圖6和圖8，執(zhí)行步驟S2，在所述半導(dǎo)體襯底20上形成柵極結(jié)構(gòu)。在本發(fā)明實(shí)施例中，所述柵極結(jié)構(gòu)包括位于半導(dǎo)體襯底20上的柵介質(zhì)層21、位于柵介質(zhì)層21上的柵極22以及位于所述柵極22周圍的側(cè)墻23。在本發(fā)明實(shí)施例中，所述柵介質(zhì)層21的材料可以為氧化硅，但實(shí)際應(yīng)用中不限于氧化硅，其厚度可根據(jù)實(shí)際エ藝需要確定。所述柵極22的材料可以是多晶硅或者金屬材料(例如，金屬鋁)，但實(shí)際應(yīng)用中不限于上述材料。所述側(cè)墻23可以是單層結(jié)構(gòu)，例如氧化硅側(cè)墻，也可以為疊層結(jié)構(gòu)，例如氧化硅和氮化硅的疊層結(jié)構(gòu)。形成所述柵極結(jié)構(gòu)的方法為在所述半導(dǎo)體襯底20上依次形成介質(zhì)層，在介質(zhì)層上形成導(dǎo)電層，并采用光刻、刻蝕エ藝圖形化所述介質(zhì)層和導(dǎo)電層形成柵介質(zhì)層21和柵極22 ;然后，形成介質(zhì)層，覆蓋所述柵極22、柵介質(zhì)層21以及半導(dǎo)體襯底20，該介質(zhì)層可以為單層結(jié)構(gòu)也可以為疊層結(jié)構(gòu)，之后回刻該介質(zhì)層形成側(cè)墻23。但在實(shí)際應(yīng)用中，并不限于上述形成方法。結(jié)合參考圖6和圖9，執(zhí)行步驟S3，刻蝕所述半導(dǎo)體襯底20，在所述柵極結(jié)構(gòu)之間形成第一溝槽24，所述第一溝槽24底部的寬度大于所述柵極結(jié)構(gòu)之間的間距。在本發(fā)明實(shí)施例中，采用干法刻蝕法對(duì)所述半導(dǎo)體襯底20進(jìn)行刻蝕?？蛇x地，所述干法刻蝕的參數(shù)如下反應(yīng)氣體包括四氟化碳(Carbontetrafluoride, CF4)、氯氣(Cl2)、氧氣(O2)以及U1氣(Argon, Ar),其中所述CF4的氣體流量為10_200sccm(標(biāo)況毫升姆分standard-statecubiccentimeter per minute)、所述Cl2的氣體流量為10_200sccm、所述O2的氣體流量為10-50sccm、所述Ar的氣體流量為50-200sccm ;反應(yīng)時(shí)間為10秒-60秒；反應(yīng)壓カ為IO-IOOmTorr (毫托)；偏壓(Bias power)為10_200W(瓦)；變壓器稱合等離子體(transformer coupled plasma, TCP)功率為 100-1000W。
需要說(shuō)明的是，上述エ藝參數(shù)僅是形成底部寬度較寬的溝槽舉例，在實(shí)際應(yīng)用中，第一溝槽底部的寬度可以根據(jù)需要確定，相應(yīng)的，干法刻蝕形成所述第一溝槽的參數(shù)也會(huì)不同。發(fā)明人經(jīng)實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，采用上述エ藝參數(shù)的干法刻蝕法對(duì)所述半導(dǎo)體襯底20進(jìn)行刻蝕后，在所述柵極結(jié)構(gòu)之間形成的第一溝槽24，由于在エ藝參數(shù)中設(shè)置了偏壓值，使得反應(yīng)氣體偏離垂直于所述半導(dǎo)體襯底20的方向，這樣形成的所述第一溝槽24的底部寬度大于所述柵極結(jié)構(gòu)的間距(近似于所述第一溝槽24的頂部)；進(jìn)ー步地，同樣由于偏壓值，使得反應(yīng)氣體會(huì)對(duì)所述半導(dǎo)體襯底20產(chǎn)生橫向刻蝕，因此形成的所述第一溝槽24的側(cè)壁呈圓弧形。需要說(shuō)明的是，圖9所示的僅是實(shí)施例的示意圖，由于エ藝參數(shù)的變化，形成的第ー溝槽24可能并不限于圖9所示的形狀。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，通過(guò)改變干法刻蝕的エ藝參數(shù)，尤其是設(shè)置了偏壓值，使得形成的所述第一溝槽24的底部寬度大于所述柵極結(jié)構(gòu)的間距，由于所述第一溝槽24的底部更寬，這樣在后續(xù)對(duì)所述第一溝槽24進(jìn)行濕法刻蝕形成第二溝槽時(shí)，可以避免因?qū)λ龅谝粶喜?4底部的刻蝕速率較快而使得形成的第二溝槽的底部出現(xiàn)尖角現(xiàn)象。結(jié)合參考圖6和圖10，執(zhí)行步驟S4，刻蝕所述第一溝槽24形成第二溝槽24'。在本發(fā)明實(shí)施例中，采用濕法刻蝕法對(duì)所述第一溝槽24繼續(xù)刻蝕，形成第二溝槽24'?？蛇x地，所述濕法刻蝕的反應(yīng)溶液包括四甲基氫氧化銨(Tetramethylammonium hydroxide,TMAH)，其濃度為10% -40% ;反應(yīng)溫度為60-90攝氏度。由于在上述步驟S3中，通過(guò)干法刻蝕形成的第一溝槽24的底部較寬。在本步驟中，采用濕法刻蝕法對(duì)所述第一溝槽24繼續(xù)刻蝕形成第二溝槽24'時(shí)，可以避免在所述第ニ溝槽24'的底部產(chǎn)生尖角現(xiàn)象。本領(lǐng)域技術(shù)人員公知，濕法刻蝕是各向同性化學(xué)腐蝕，即在各個(gè)方向上以同樣的速率進(jìn)行刻蝕，這樣當(dāng)所述第一溝槽24的底部較寬時(shí)，刻蝕后形成的所述第二溝槽24'不會(huì)出現(xiàn)尖角現(xiàn)象。需要說(shuō)明的是，圖10所示的僅是實(shí)施例的示意圖，第二溝槽24'的邊緣近似于Σ型，實(shí)際エ藝中形成所述的第二溝槽24'并不限于圖10所示的形狀。 結(jié)合圖6和圖11，執(zhí)行步驟S5，在所述第二溝槽24'內(nèi)形成源區(qū)、漏區(qū)。在本發(fā)明實(shí)施例中，所述源區(qū)、漏區(qū)通過(guò)沉積鍺硅形成。例如，通過(guò)化學(xué)氣相沉積法(Chemical VaporD印osition，CVD)在所述第二溝槽24'內(nèi)沉積鍺硅，形成源區(qū)25 (或者漏區(qū))。由于上述步驟S4形成的第二溝槽24'內(nèi)的底部沒(méi)有尖角現(xiàn)象，因此，本步驟中沉積的鍺硅能夠填滿整個(gè)第二溝槽24'，形成源區(qū)25 (或者漏區(qū))。進(jìn)ー步地，本步驟還可以通過(guò)其他本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的技術(shù)實(shí)現(xiàn)。例如，可以通過(guò)分子束外延(Molecular Beam Epitaxy, MBE)的方法在所述第二溝槽24'內(nèi)生長(zhǎng)鍺娃，形成源區(qū)25 (或者漏區(qū))。所述分子束外延的方法是指將半導(dǎo)體襯底20放置在超高真空腔體中，需要生長(zhǎng)的單晶物質(zhì)(本實(shí)施例中指鍺和硅)按元素的不同分別放在噴射爐中。由分別加熱到相應(yīng)溫度的各元素噴射出的分子流在所述半導(dǎo)體襯底20上生長(zhǎng)出幾種物質(zhì)交替的超晶格結(jié)構(gòu)(本實(shí)施例中指錯(cuò)娃)。需要說(shuō)明的是，由于在圖11中，所述半導(dǎo)體襯底20上僅示出了相鄰的兩個(gè)柵極結(jié)構(gòu)以及位于半導(dǎo)體襯底內(nèi)兩個(gè)柵極結(jié)構(gòu)之間的源區(qū)25(或者漏區(qū))。但是，實(shí)際應(yīng)用中，在半導(dǎo)體襯底上通常可以形成多個(gè)柵極結(jié)構(gòu)，在相鄰的柵極結(jié)構(gòu)之間的半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成源區(qū)、漏區(qū)。在本發(fā)明實(shí)施例的一個(gè)變化例中，在所述步驟S4 :刻蝕所述第一溝槽形成第二溝槽之后，還包括步驟S5 :在所述第二溝槽內(nèi)形成源區(qū)、漏區(qū)之前，還包括步驟通過(guò)回流エ藝對(duì)所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行處理。本實(shí)施例中，所述回流エ藝的反應(yīng)室為回流爐，所述回流爐內(nèi)的溫度范圍在800-850攝氏度。結(jié)合圖10，經(jīng)過(guò)回流エ藝后，抬高了所述半導(dǎo)體襯底20內(nèi)的所述第二溝槽24'邊緣尖角的位置，使得后續(xù)在所述第二溝槽24'內(nèi)沉積鍺硅(SiGe)的效果更好。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例提供的MOS晶體管的形成方法，通過(guò)改變干法刻蝕的エ藝參數(shù)，尤其是通過(guò)設(shè)置偏壓值，在半導(dǎo)體襯底內(nèi)可以形成底部寬度大于柵極結(jié)構(gòu)間距的第一溝槽，從而避免了后續(xù)對(duì)第一溝槽進(jìn)行濕法刻蝕形成第二溝槽時(shí)，在所述第二溝槽底部出現(xiàn)尖角現(xiàn)象，使得后續(xù)在第二溝槽內(nèi)沉積的鍺硅能夠填滿整個(gè)第二溝槽，形成源區(qū)、漏區(qū)， 提聞了 MOS晶體管的器件性能。以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施例，為了使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好的理解本發(fā)明的精神，然而本發(fā)明的保護(hù)范圍并不以該具體實(shí)施例的具體描述為限定范圍，任何本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明精神的范圍內(nèi)，可以對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例作修改，而不脫離本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.ー種MOS晶體管的形成方法，其特征在于，包括如下步驟 提供半導(dǎo)體襯底； 在所述半導(dǎo)體襯底上形成柵極結(jié)構(gòu)； 刻蝕所述半導(dǎo)體襯底，在所述柵極結(jié)構(gòu)之間形成第一溝槽，所述第一溝槽底部的寬度大于所述柵極結(jié)構(gòu)之間的間距； 刻蝕所述第一溝槽形成第二溝槽； 在所述第二溝槽內(nèi)形成源區(qū)、漏區(qū)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的MOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述刻蝕所述半導(dǎo)體襯底，在所述柵極結(jié)構(gòu)之間形成第一溝槽的方法是干法刻蝕。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的MOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述干法刻蝕的參數(shù)如下反應(yīng)氣體包括CF4、C12、02以及Ar，其中所述CF4的氣體流量為10-200sCCm、所述Cl2的氣體流量為10-200sccm、所述O2的氣體流量為10_50sccm、所述Ar的氣體流量為50_200sccm ；反應(yīng)時(shí)間為10s-60s ;反應(yīng)壓カ為IO-IOOmTorr ;偏壓為10-200W ;變壓器耦合等離子體功率為 100-1000W。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的MOS晶體管的形成方法，其特征在于，刻蝕所述第一溝槽形成第ニ溝槽的方法為濕法刻蝕。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的MOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述濕法刻蝕的反應(yīng)溶液包括四甲基氫氧化銨，其濃度為10% -40% ;反應(yīng)溫度為60-90攝氏度。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的MOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述柵極結(jié)構(gòu)包括形成于所述半導(dǎo)體襯底上的柵介質(zhì)層、形成于所述柵介質(zhì)層上的柵極以及形成于所述柵極周圍的側(cè)墻。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的MOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述源區(qū)、漏區(qū)通過(guò)沉積鍺硅形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的MOS晶體管的形成方法，其特征在于，在刻蝕所述第一溝槽形成第二溝槽之后，在所述第二溝槽內(nèi)形成源區(qū)、漏區(qū)之前，還包括步驟 通過(guò)回流エ藝對(duì)所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行處理。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的MOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述回流エ藝的反應(yīng)室為回流爐，所述回流爐內(nèi)的溫度范圍在800-850攝氏度。
全文摘要
一種MOS晶體管的形成方法，包括如下步驟提供半導(dǎo)體襯底；在所述半導(dǎo)體襯底上形成柵極結(jié)構(gòu)；刻蝕所述半導(dǎo)體襯底，在所述柵極結(jié)構(gòu)之間形第一溝槽，所述第一溝槽底部的寬度大于所述柵極結(jié)構(gòu)之間的間距；刻蝕所述第一溝槽形成第二溝槽；在所述第二溝槽內(nèi)形成源區(qū)、漏區(qū)。本技術(shù)方案通過(guò)改變干法刻蝕的工藝參數(shù)，在半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成溝槽，并且所述溝槽的底部較寬，從而避免了后續(xù)進(jìn)行濕法刻蝕時(shí)在溝槽底部出現(xiàn)尖角現(xiàn)象。
文檔編號(hào)H01L21/336GK102867749SQ20111018855
公開(kāi)日2013年1月9日 申請(qǐng)日期2011年7月6日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月6日
發(fā)明者李凡, 張海洋 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司