專利名稱：熱處理裝置、熱處理方法和存儲(chǔ)介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一邊將被處理基板水平搬送，一邊對(duì)上述被處理基板實(shí)施熱處理的熱處理裝置和熱處理方法。
背景技術(shù)：
例如，在FPD(平板顯示器)的制造中，利用所謂光刻工序來(lái)形成電路圖案。具體而言，在對(duì)玻璃基板等被處理基板形成規(guī)定的膜后，涂敷作為處理液的光致抗蝕劑(以下稱“抗蝕劑”)來(lái)形成抗蝕膜，對(duì)應(yīng)于電路圖案將抗蝕膜曝光，并對(duì)其進(jìn)行顯影處理。不過(guò)，近年來(lái)，在該光刻工序中，出于提高吞吐量的目的，大多采用一邊將被處理基板以大致水平姿勢(shì)的狀態(tài)搬送，一邊對(duì)其被處理面實(shí)施抗蝕劑的涂敷、干燥、加熱、冷卻處理等各處理的結(jié)構(gòu)。例如，在將基板加熱，進(jìn)行抗蝕膜的干燥和顯影處理后的干燥的熱處理裝置中，已普及了如專利文獻(xiàn)1所公開(kāi)的那樣，一邊將基板在水平方向上水平搬送，一邊利用沿著搬送路配置的加熱器進(jìn)行加熱處理的結(jié)構(gòu)。對(duì)于具有這種水平搬送結(jié)構(gòu)的熱處理裝置來(lái)說(shuō)，由于能夠一邊使多個(gè)基板在搬送路上連續(xù)地流動(dòng)一邊進(jìn)行熱處理，所以能夠期待吞吐量的提高。以圖8(a) (d)作為一例進(jìn)行具體說(shuō)明，圖示的熱處理裝置60具備通過(guò)可旋轉(zhuǎn)地鋪設(shè)多個(gè)搬送輥61而得的水平的基板搬送路62，并設(shè)置有沿著該基板搬送路62形成熱處理空間的腔室65。在腔室65設(shè)置有狹縫狀的基板搬入口 65a和基板搬出口 65b。S卩，在基板搬送路62上搬送的基板G (G1、G2、G3……)，被連續(xù)地從基板搬入口 65a 搬入到腔室65內(nèi)實(shí)施規(guī)定的熱處理，然后從基板搬出口 6 搬出。在腔室65內(nèi)，連續(xù)地設(shè)置有對(duì)基板G(G1、G2、G3……)進(jìn)行預(yù)加熱，使基板G升溫至規(guī)定溫度的預(yù)加熱部63，和用于維持基板溫度的進(jìn)行主加熱的主加熱部64。預(yù)加熱部63具有設(shè)置于各搬送輥61之間的下部加熱器66和設(shè)置于頂部的上部加熱器67，主加熱部64具有設(shè)置于各搬送輥61之間的下部加熱器69和設(shè)置于頂部的上部加熱器70。在這樣構(gòu)成的熱處理裝置60中，為了在預(yù)加熱部63中將基板G加熱到規(guī)定溫度 (例如100°c )，下部加熱器66和上部加熱器67被設(shè)為規(guī)定的設(shè)定溫度(例如160°C )。另一方面，對(duì)于主加熱部64，為了維持已被預(yù)加熱部63加熱的基板G的溫度，高效地進(jìn)行熱處理，下部加熱器69和上部加熱器70被設(shè)為規(guī)定的熱處理溫度(例如100°C )。然后，如圖8(a) (d)的時(shí)序狀態(tài)所示，多個(gè)基板G(G1、G2、G3……)以批次單位連續(xù)地從搬入口 6 被搬入到預(yù)加熱部63，各基板G在該處被加熱到規(guī)定溫度(例如100°C )。在預(yù)加熱部63中升溫的各基板G，被接著搬送到主加熱部64，在該處被維持著基板溫度實(shí)施規(guī)定的熱處理(例如使抗蝕劑中的溶劑蒸發(fā)的處理)，然后被連續(xù)地從搬出口 6 搬出。
專利文獻(xiàn)1 日本特開(kāi)2007-158088號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
但是，在圖8(a) 圖8(d)所示的水平搬送結(jié)構(gòu)的熱處理裝置中，在以批次單位連續(xù)對(duì)多個(gè)基板G進(jìn)行加熱時(shí)，存在最前頭的基板Gl與后續(xù)的基板G(G2、G3……)之間的加熱溫度(基板面內(nèi)平均溫度)產(chǎn)生偏差，配線圖案的線寬變得不均勻的課題。S卩，連續(xù)處理的多個(gè)基板G中，就批次最前頭的基板Gl而言，由于在該基板Gl之前沒(méi)有基板G被搬入腔室65 (預(yù)加熱部6 內(nèi)，所以會(huì)被搬入到蓄熱較多的狀態(tài)的腔室65。另一方面，就第二片以后搬入到腔室65內(nèi)的基板G(G2、G3……)而言，由于腔室65 內(nèi)的氣氛熱被前一個(gè)搬入的基板G吸收，所以在腔室內(nèi)溫度比加熱最前頭基板Gl時(shí)低的狀態(tài)下實(shí)施熱處理。因此，相對(duì)于最前頭的基板Gl受到的熱量，后續(xù)的基板G(G2、G3……)受到的熱量變得降低，所以腔室65內(nèi)的熱處理溫度產(chǎn)生了差異。其結(jié)果是，最前頭的基板Gl的配線圖案的線寬可能比其它基板G形成得寬。本發(fā)明鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的問(wèn)題而實(shí)施，提供一種一邊將多個(gè)被處理基板連續(xù)地水平搬送一邊實(shí)施熱處理的熱處理裝置和熱處理方法，其能夠抑制基板間的熱處理溫度的偏差，使基板間的配線圖案的線寬更加均勻。為解決上述課題，本發(fā)明的熱處理裝置，是對(duì)水平搬送的基板進(jìn)行熱處理的熱處理裝置，其特征在于，包括形成基板搬送路，將上述基板沿著上述基板搬送路水平搬送的基板搬送機(jī)構(gòu)；覆蓋上述基板搬送路的規(guī)定區(qū)間，并形成對(duì)在上述基板搬送路搬送的上述基板的熱處理空間的第一腔室；能夠變更加熱或冷卻溫度的設(shè)定溫度，能夠?qū)⑸鲜龅谝磺皇覂?nèi)加熱或冷卻的第一加熱·冷卻機(jī)構(gòu)；設(shè)置于上述第一腔室的前段，對(duì)在上述基板搬送路搬送的基板進(jìn)行檢測(cè)的基板檢測(cè)機(jī)構(gòu)；和被供給上述基板檢測(cè)機(jī)構(gòu)的檢測(cè)信號(hào)，并對(duì)上述第一加熱·冷卻機(jī)構(gòu)進(jìn)行控制的控制機(jī)構(gòu)，其中，上述控制機(jī)構(gòu)，在向著上述第一腔室被搬送的基板中最前頭的基板被上述基板檢測(cè)機(jī)構(gòu)檢測(cè)到時(shí)，將上述第一加熱·冷卻機(jī)構(gòu)的設(shè)定溫度從第一溫度變更到第二溫度，搬入到上述第一腔室內(nèi)的上述最前頭的基板，在上述第一溫度與上述第二溫度之間的氣氛溫度下被熱處理。此外，還優(yōu)選包括沿著上述基板搬送路設(shè)置于上述第一腔室的后段，覆蓋上述基板搬送路的規(guī)定區(qū)間，并形成對(duì)在上述基板搬送路搬送的上述基板的熱處理空間的第二腔室；和能夠?qū)⑸鲜龅诙皇覂?nèi)加熱或冷卻的第二加熱·冷卻機(jī)構(gòu)，其中上述控制機(jī)構(gòu)將上述第二加熱·冷卻機(jī)構(gòu)的設(shè)定溫度設(shè)定為第三溫度，從上述第一腔室搬入到上述第二腔室的上述基板，通過(guò)設(shè)定為上述第三溫度的上述第二加熱 冷卻機(jī)構(gòu)，保持在上述第一腔室內(nèi)熱處理后的基板的溫度，并進(jìn)行熱處理。另外，當(dāng)上述第一加熱 冷卻機(jī)構(gòu)將上述第一腔室內(nèi)加熱，對(duì)搬入到上述第一腔室內(nèi)的基板進(jìn)行加熱處理時(shí)，上述第一溫度優(yōu)選為比上述第二溫度低的溫度。而當(dāng)上述第一加熱 冷卻機(jī)構(gòu)將上述第一腔室內(nèi)冷卻，對(duì)搬入到上述第一腔室內(nèi)的基板進(jìn)行冷卻處理時(shí)， 上述第一溫度優(yōu)選為比上述第二溫度高的溫度。在這種結(jié)構(gòu)中，在對(duì)搬入到上述腔室內(nèi)的多個(gè)被處理基板實(shí)施加熱處理時(shí)，在至少最前頭的被處理基板在上述腔室的前段被檢測(cè)到為止，使加熱·冷卻機(jī)構(gòu)的設(shè)定溫度比對(duì)后續(xù)的多個(gè)基板的設(shè)定溫度低。另一方面，在對(duì)搬入上述腔室內(nèi)的多個(gè)被處理基板實(shí)施冷卻處理時(shí)，在至少最前頭的被處理基板在上述腔室的前段被檢測(cè)到為止，使加熱·冷卻機(jī)構(gòu)的設(shè)定溫度比對(duì)后續(xù)的多個(gè)基板的設(shè)定溫度高。由此，不存在前一個(gè)搬入腔室內(nèi)的被處理基板的最前頭基板的熱處理溫度，與產(chǎn)生有前一個(gè)搬入的被處理基板的熱吸收或熱散發(fā)的后續(xù)的基板的熱處理溫度變得大致相等，能夠抑制加熱處理后的基板溫度的偏差。其結(jié)果是，能夠使基板間的配線圖案的線寬更加均勻。此外，為解決上述課題，本發(fā)明的熱處理方法，將基板沿著基板搬送路水平搬送， 搬入到將上述基板加熱或冷卻的第一腔室內(nèi)，并對(duì)搬入到上述第一腔室內(nèi)的基板進(jìn)行熱處理，該熱處理方法的特征在于，包括在向上述第一腔室搬入前，對(duì)在上述基板搬送路搬送的基板中最前頭的基板進(jìn)行檢測(cè)的步驟；和在檢測(cè)到上述最前頭的基板起經(jīng)過(guò)規(guī)定的時(shí)間后，將上述第一腔室內(nèi)的第一加熱·冷卻機(jī)構(gòu)的設(shè)定溫度從第一溫度變更到第二溫度的步驟，對(duì)上述最前頭的基板，在上述第一腔室內(nèi)在上述第一溫度與第二溫度之間的氣氛溫度下進(jìn)行熱處理。此外，還優(yōu)選包括在沿著上述基板搬送路設(shè)置于上述第一腔室的后段的第二腔室，將上述第二腔室內(nèi)的第二加熱·冷卻機(jī)構(gòu)的設(shè)定溫度設(shè)定為第三溫度的步驟；和將上述基板從上述第一腔室搬入到上述第二腔室，通過(guò)設(shè)定為上述第三溫度的上述第二加熱·冷卻機(jī)構(gòu)，保持在上述第一腔室內(nèi)經(jīng)過(guò)熱處理的基板的溫度，并進(jìn)行熱處理的步驟。另外，當(dāng)對(duì)搬入到上述第一腔室內(nèi)的多個(gè)被處理基板進(jìn)行加熱處理時(shí)，上述第一溫度優(yōu)選為比上述第二溫度低的溫度。而當(dāng)對(duì)搬入到上述第一腔室內(nèi)的多個(gè)被處理基板進(jìn)行冷卻處理時(shí)，上述第一溫度優(yōu)選是比上述第二溫度高的溫度。根據(jù)這種方法，在對(duì)搬入上述腔室內(nèi)的多個(gè)被處理基板進(jìn)行加熱處理時(shí)，在至少最前頭的被處理基板在上述腔室的前段被檢測(cè)到為止，使熱處理的設(shè)定溫度比對(duì)后續(xù)的多個(gè)基板的設(shè)定溫度低。另一方面，在對(duì)搬入上述腔室內(nèi)的多個(gè)被處理基板進(jìn)行冷卻處理時(shí)，在至少最前頭的被處理基板在上述腔室的前段被檢測(cè)到為止，使熱處理的設(shè)定溫度比對(duì)后續(xù)的多個(gè)基板的設(shè)定溫度高。由此，不存在前一個(gè)搬入腔室內(nèi)的被處理基板的最前頭基板的熱處理溫度，與產(chǎn)生有前一個(gè)搬入的被處理基板的熱吸收或熱散發(fā)的后續(xù)的基板的熱處理溫度變得大致相等，能夠抑制加熱處理后的基板溫度的偏差。其結(jié)果是，能夠使基板間的配線圖案的線寬更加均勻。根據(jù)本發(fā)明，能夠獲得一種一邊將多個(gè)被處理基板連續(xù)地水平搬送一邊實(shí)施熱處理的熱處理裝置和熱處理方法，其能夠抑制基板間的熱處理溫度的偏差，使基板間的配線圖案的線寬均勻。


圖1是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的整體概略結(jié)構(gòu)的截面圖。
圖2是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的整體概略結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖3(a) (d)是用于說(shuō)明本發(fā)明的熱處理裝置的動(dòng)作的第一實(shí)施方式的截面圖。圖4是表示本發(fā)明的熱處理裝置的動(dòng)作的第一實(shí)施方式的流程圖。圖5(a) (d)是用于說(shuō)明本發(fā)明的熱處理裝置的動(dòng)作的第二實(shí)施方式的截面圖。圖6(a) (d)是用于說(shuō)明圖示動(dòng)作的第二之后的動(dòng)作的截面圖。圖7是表示本發(fā)明的熱處理裝置的動(dòng)作的第二實(shí)施方式的流程圖。圖8(a) (d)是用于說(shuō)明現(xiàn)有的熱處理裝置的課題的截面圖。圖9是表示第一實(shí)施方式中從批次最前頭的基板到批次最后的基板的溫度的圖。圖10是表示第三實(shí)施方式中從批次最前頭的基板到批次最后的基板的溫度的圖。圖11是表示第四實(shí)施方式的整體概略結(jié)構(gòu)的俯視圖。附圖標(biāo)記說(shuō)明1加熱處理單元(熱處理裝置)2基板搬送路8第一腔室17a 17c下部面狀加熱器(第一加熱·冷卻機(jī)構(gòu))18a 18c上部面狀加熱器(第二加熱·冷卻機(jī)構(gòu))20輥(基板搬送機(jī)構(gòu))40控制部(控制機(jī)構(gòu))45基板檢測(cè)傳感器(基板檢測(cè)機(jī)構(gòu))G基板(被處理基板)
具體實(shí)施例方式以下基于附圖對(duì)本發(fā)明的熱處理裝置的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。另外，本實(shí)施方式中， 以將熱處理裝置應(yīng)用于對(duì)作為被處理基板的玻璃基板(以下稱“基板G”)進(jìn)行加熱處理的加熱處理單元的情況為例進(jìn)行說(shuō)明。圖1是表示加熱處理單元1的整體的概略結(jié)構(gòu)的截面圖，圖2是加熱處理單元 1(表示平面方向的截面)的俯視圖。該加熱處理單元1如圖1、圖2所示，具有利用可旋轉(zhuǎn)地鋪設(shè)的多個(gè)輥20將基板G 向著X方向搬送的基板搬送路2。沿著該基板搬送路2，從上游側(cè)依次配置(向著X方向) 有基板搬入部3、進(jìn)行預(yù)加熱的預(yù)加熱部4和進(jìn)行主加熱的主加熱部5?；灏崴吐?如圖2所示，具有多個(gè)在Y方向延伸的圓柱狀的輥20 (基板搬送機(jī)構(gòu))，這些多個(gè)輥20在X方向上隔開(kāi)規(guī)定的間隔，分別可旋轉(zhuǎn)地配置。此外，基板搬入部3 的輥20、預(yù)加熱部4的輥20和主加熱部5的輥20各自的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)獨(dú)立設(shè)置。具體而言， 基板搬入部3的多個(gè)輥20以其旋轉(zhuǎn)軸21的旋轉(zhuǎn)能夠在傳送帶22a的作用下聯(lián)動(dòng)的方式設(shè)置，一個(gè)旋轉(zhuǎn)軸21與電動(dòng)機(jī)等輥驅(qū)動(dòng)裝置IOa連接。此外，預(yù)加熱部4的多個(gè)輥20以其旋轉(zhuǎn)軸21的旋轉(zhuǎn)能夠在傳送帶22b的作用下聯(lián)動(dòng)的方式設(shè)置，一個(gè)旋轉(zhuǎn)軸21與電動(dòng)機(jī)等輥驅(qū)動(dòng)裝置IOb連接。另外，主加熱部5的多個(gè)輥20以其旋轉(zhuǎn)軸21的旋轉(zhuǎn)能夠在傳送帶22c的作用下聯(lián)動(dòng)的方式設(shè)置，一個(gè)旋轉(zhuǎn)軸21與電動(dòng)機(jī)等輥驅(qū)動(dòng)裝置IOc連接。另外，各輥20以其周面與基板G的整個(gè)寬度相接的方式設(shè)置，并且，外周面部由樹(shù)脂等熱傳導(dǎo)率低的材料，例如PEEK(聚醚醚酮)形成，以使被加熱后的基板G的熱不容易傳遞。此外，輥20的旋轉(zhuǎn)軸21由鋁、不銹鋼、陶瓷等高強(qiáng)度且低熱傳導(dǎo)率的材料形成。另外，加熱處理單元1具有用于形成規(guī)定的熱處理空間的腔室8。腔室8形成為將基板搬送路2的周圍覆蓋的薄型的箱狀，在該腔室8內(nèi)，對(duì)輥搬送的基板G連續(xù)進(jìn)行預(yù)加熱部4的預(yù)加熱和主加熱部5的主加熱。另外，在本實(shí)施方式中，腔室8包括形成預(yù)加熱部4的熱處理空間的第一腔室 8A ；和與該第一腔室8A的后端相連地形成的，形成主加熱部5的熱處理空間的第二腔室 8B。如圖1所示，在腔室8的前部側(cè)壁，設(shè)置有在Y方向上延伸的狹縫狀的搬入口 51。 基板搬送路2上的基板G通過(guò)該搬入口 51，搬入到腔室8內(nèi)。此外，在腔室8的后部側(cè)壁，設(shè)置有基板搬送路2上的基板G能夠通過(guò)的在Y方向上延伸的狹縫狀的搬出口 52。即，基板搬送路2上的基板G通過(guò)該搬出口 52，從腔室8搬
出ο此外，腔室8的上下左右的壁部具有雙重壁結(jié)構(gòu)，該雙重壁結(jié)構(gòu)包括相互隔開(kāi)空間設(shè)置的內(nèi)壁12和外壁13，內(nèi)壁12和外壁13之間的空間14，作為將腔室8內(nèi)外絕熱的空氣絕熱層發(fā)揮作用。此外，在外壁13的內(nèi)側(cè)面設(shè)置有絕熱材料15。另外，如圖2所示，在腔室8中，在Y方向上相對(duì)的(由上述內(nèi)壁12和外壁13構(gòu)成的)側(cè)壁設(shè)置有軸承22，通過(guò)該軸承22，基板搬送路2的輥20各自被可旋轉(zhuǎn)地支承。另外，如圖1所示，在腔室8中，在搬入口 51附近的上壁部設(shè)置有排氣口 25，在下壁部設(shè)置有排氣口 26，分別與排氣量可變的排氣裝置31、32連接。此外，在腔室8的搬出口 52附近的上壁部設(shè)置有排氣口 27，在下壁部設(shè)置有排氣口 28，分別與排氣量可變的排氣裝置33、34連接。S卩，通過(guò)使上述排氣裝置31 ；34運(yùn)轉(zhuǎn)，來(lái)經(jīng)由排氣口 25 觀進(jìn)行腔室8內(nèi)的排氣，使腔室內(nèi)溫度更加穩(wěn)定化。另外，如圖1所示，預(yù)加熱部4作為第一加熱機(jī)構(gòu)，具有沿著基板搬送路2排列在腔室8內(nèi)的下部面狀加熱器17a 17c和上部面狀加熱器18a 18c。這些下部面狀加熱器17a 17c和上部面狀加熱器18a 18c分別通過(guò)供給驅(qū)動(dòng)電流而發(fā)熱。另外，在圖1、圖2所示的例子中，下部面狀加熱器17a 17c分別由兩根長(zhǎng)條狀的板構(gòu)成，各板以從下方加熱基板G的方式，鋪設(shè)在相鄰的輥部件20之間。此外，上部面狀加熱器18a 18c分別由兩根長(zhǎng)條狀的板構(gòu)成，如圖1所示，以從上方加熱基板G的方式，鋪設(shè)在腔室8的頂部。此外，通過(guò)下部面狀加熱器17a和上部面狀加熱器18a加熱預(yù)加熱部4的上游區(qū)域(稱作區(qū)域A)，通過(guò)下部面狀加熱器17b和上部面狀加熱器18b，加熱預(yù)加熱部4內(nèi)的中央?yún)^(qū)域(稱作區(qū)域B)。另外，通過(guò)下部面狀加熱器17c和上部面狀加熱器18c，加熱預(yù)加熱部4內(nèi)的下游區(qū)域(稱作區(qū)域C)。各區(qū)域A C能夠按各區(qū)域進(jìn)行加熱控制。即，下部面狀加熱器17a和上部面狀加熱器18a分別由加熱器電源35a、3^供給驅(qū)動(dòng)電流。另外，下部面狀加熱器17b和上部面狀加熱器18b分別由加熱器電源36a、36b供給驅(qū)動(dòng)電流，另外，下部面狀加熱器17c和上部面狀加熱器18c分別由加熱器電源37a、37b供給驅(qū)動(dòng)電流。這些各加熱器電源35a、35b、 36a、36b、37a、37b分別為由計(jì)算機(jī)構(gòu)成的控制部40 (控制機(jī)構(gòu))所控制。另一方面，主加熱部5作為第二加熱機(jī)構(gòu)，具有沿著基板搬送路2設(shè)置在腔室8內(nèi)的由長(zhǎng)條狀的板構(gòu)成的下部面狀加熱器23和上部面狀加熱器24。其中，下部面狀加熱器23 以從基板G的下方進(jìn)行加熱的方式，鋪設(shè)在相鄰的輥部件20之間，上部面狀加熱器M以從基板G的上方進(jìn)行加熱的方式，鋪設(shè)在腔室8的頂部。通過(guò)加熱器電源39a、39b向上述下部面狀加熱器23和上部面狀加熱器M供給驅(qū)動(dòng)電流，各加熱器電源39a、39b為控制部40 所控制。此外，在該加熱處理單元1中，在基板搬入部3的規(guī)定位置，設(shè)置有用于檢測(cè)在基板搬送路2上搬送的基板G的基板檢測(cè)傳感器45 (基板檢測(cè)機(jī)構(gòu))，將其檢測(cè)信號(hào)向控制部 40輸出。該基板檢測(cè)傳感器45，例如從腔室8的搬入口 51向前方側(cè)空開(kāi)規(guī)定距離設(shè)置，在基板G的規(guī)定部位(例如前端)通過(guò)傳感器上經(jīng)過(guò)規(guī)定時(shí)間后，基板G從搬入口 51搬入到腔室8內(nèi)(預(yù)加熱部4)。此外，在腔室8內(nèi)，在主加熱部5的入口附近，設(shè)置有對(duì)搬入該主加熱部5的基板 G，例如通過(guò)紅外線照射來(lái)非接觸地進(jìn)行基板溫度的檢測(cè)的基板溫度檢測(cè)傳感器46(基板溫度檢測(cè)機(jī)構(gòu))，將其檢測(cè)信號(hào)向控制部40輸出。S卩，控制部40基于基板溫度檢測(cè)傳感器 46的輸出，取得被預(yù)加熱部4加熱后的基板G的溫度。接著，使用圖3和圖4對(duì)如此構(gòu)成的加熱處理單元1的第一實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。其中，圖3是表示加熱處理單元1的基板處理狀態(tài)的截面圖，圖4是表示對(duì)預(yù)加熱部4的控制動(dòng)作的流程的流程圖。首先，通過(guò)供給來(lái)自各加熱器電源35a、35b、36a、36b、37a、37b的驅(qū)動(dòng)電流，將預(yù)加熱部4的下部面狀加熱器17a 17c和上部面狀加熱器18a 18c統(tǒng)一設(shè)定為第一溫度 (例如150°C )(圖4的步驟Si)。此外，通過(guò)供給來(lái)自加熱器電源39a、39b的驅(qū)動(dòng)電流，將主加熱部5的上部面狀加熱器M和下部面狀加熱器25的溫度，設(shè)定為用于維持已被預(yù)加熱部4加熱的基板G的溫度的第三溫度(例如100°C )。通過(guò)該加熱器溫度設(shè)定，使腔室8內(nèi)的氣氛為，預(yù)加熱部4為比主加熱部5高規(guī)定溫度的狀態(tài)。即，基板G通過(guò)成為高溫(150°C )氣氛的預(yù)加熱部4，由此使其基板溫度升溫到規(guī)定的熱處理溫度(例如100°C )，在通過(guò)主加熱部5的期間，基板溫度得以維持。如上所述，當(dāng)基板搬入前對(duì)腔室8內(nèi)的氣氛溫度進(jìn)行調(diào)整后，如圖3(a)所示，最前頭的基板Gl以規(guī)定的搬送速度(例如50mm/sec)在基板搬入部3的基板搬送路2上搬送。 然后，如圖3 (b)所示，當(dāng)通過(guò)基板檢測(cè)傳感器45檢測(cè)到基板Gl時(shí)(圖4的步驟S》，該基板檢測(cè)信號(hào)被供給到控制部40。當(dāng)被供給了上述基板檢測(cè)信號(hào)后，控制部40基于從傳感器檢測(cè)時(shí)起的經(jīng)過(guò)時(shí)間和基板搬送速度來(lái)取得基板Gl的搬送位置。然后，控制部40控制預(yù)加熱部4的加熱器電源35a、35b、36a、36b、37a、37b，在經(jīng)過(guò)規(guī)定時(shí)間后，變更(增加)向下部面狀加熱器17a 17c和上部面狀加熱器18a 18c供給的電流。即，在從檢測(cè)到上述基板起經(jīng)過(guò)規(guī)定時(shí)間后(例如基板Gl即將從腔室8的搬入口 51搬入前)，將預(yù)加熱部4的加熱器設(shè)定溫度從上述第一溫度變更為第二溫度(例如 160°C )(圖4的步驟S4)。此處，當(dāng)最前頭的基板Gl搬入預(yù)加熱部4時(shí)，在該時(shí)刻，預(yù)加熱部4內(nèi)的氣氛溫度未達(dá)到上述第二溫度(160°C )。因此，基板Gl被第一溫度(150°C )和第二溫度(160°C ) 之間的氣氛溫度加熱。通過(guò)該預(yù)加熱部4的加熱處理，基板Gl升溫至規(guī)定溫度(10(TC附近)，接著被搬入到主加熱部5。然后，在主加熱部5中搬送的基板Gl，通過(guò)下部面狀加熱器23和上部面狀加熱器 24的加熱，維持基板溫度，并被實(shí)施規(guī)定的熱處理(例如抗蝕劑中的溶劑的蒸發(fā))，從搬出口 52搬出。此外，如圖3(c)所示，在最前頭的基板61之后，多個(gè)基板6(62、63、64……)被連續(xù)地搬入腔室8內(nèi)。此處，預(yù)加熱部4的下部面狀加熱器17a 17c和上部面狀加熱器18a 18c的設(shè)定溫度，在步驟S4中為第二溫度(160°C )。但是，在基板Gl的后續(xù)的基板G(G2、G3……) 的加熱處理時(shí)，預(yù)加熱部4內(nèi)的氣氛熱被各自的前一個(gè)搬送的基板G吸收，氣氛溫度降低。 因此，繼基板Gl之后的多個(gè)基板G，各自在第一溫度(150°C)與第二溫度(160°C)之間的氣氛溫度下加熱。其結(jié)果是，預(yù)加熱部4中對(duì)最前頭的基板Gl加熱的加熱溫度與對(duì)后續(xù)的多個(gè)基板 G加熱的加熱溫度大致相等，基板間的熱處理溫度的偏差被抑制得較小。此外，在預(yù)加熱部4中升溫至規(guī)定溫度(100°C )的多個(gè)基板G(G2、G3……)，與最前頭的基板Gl同樣地被搬入主加熱部5，并在此處實(shí)施規(guī)定的熱處理，從搬出口 52搬出。此外，如上所述，進(jìn)行多個(gè)基板G的熱處理(圖4的步驟SQ，當(dāng)批次最后的基板 Gn被基板搬入部3的基板檢測(cè)傳感器45檢測(cè)到時(shí)(圖4的步驟S6)，控制部40在經(jīng)過(guò)規(guī)定時(shí)間后對(duì)加熱器電源35a、35b、36a、36b、37a、37b進(jìn)行控制。具體而言，在最后的基板通過(guò)預(yù)加熱部4后以減少向下部面狀加熱器17a 17c和上部面狀加熱器18a 18c供給的電流，使其加熱器溫度恢復(fù)第一溫度(150°C )的方式進(jìn)行控制(圖4的步驟S7)。由此，完成在加熱處理單元1中進(jìn)行下一批次的多個(gè)基板G的加熱處理的準(zhǔn)備。如上所述，根據(jù)第一實(shí)施方式，當(dāng)對(duì)搬入到腔室8內(nèi)的多個(gè)基板G實(shí)施熱處理時(shí)， 在至少最前頭的基板Gl在上述腔室8的前段被檢測(cè)到為止，使預(yù)加熱部4的加熱器設(shè)定溫度為比針對(duì)后續(xù)的多個(gè)基板G的設(shè)定溫度(第二溫度)低的第一溫度。然后，在基板Gl被搬入到預(yù)加熱部4的時(shí)刻，將加熱器設(shè)定溫度變更為第二溫度。通過(guò)該控制，在預(yù)加熱部4中，不存在之前搬入的基板G的最前頭基板Gl對(duì)應(yīng)的氣氛溫度，與存在前一個(gè)搬入的基板G的熱吸收(氣氛溫度降低)的后續(xù)的多個(gè)基板G對(duì)應(yīng)的氣氛溫度大致相等，能夠抑制加熱處理溫度的偏差。其結(jié)果是，能夠使基板間的配線圖案的線寬更加均勻。接著，對(duì)加熱處理單元1的熱處理工序的第二實(shí)施方式，使用圖1、圖2和圖5 圖 7進(jìn)行說(shuō)明。其中，圖5、圖6是表示加熱處理單元1的基板處理狀態(tài)的截面圖，圖7是表示對(duì)預(yù)加熱部4的控制動(dòng)作的流程的流程圖。該第二實(shí)施方式中，僅預(yù)加熱部4的加熱器設(shè)定溫度的控制方法與上述第一實(shí)施方式不同。即，上述第一實(shí)施方式中，使預(yù)加熱部4的下部面狀加熱器17a 17c和上部面狀加熱器18a 18c的加熱器設(shè)定溫度，統(tǒng)一地在同一時(shí)刻在第一溫度(150°C )和第二溫度 (160°C )間切換。而該第二實(shí)施方式中，按預(yù)加熱部4內(nèi)的區(qū)域(區(qū)域A C)在不同的時(shí)刻切換加熱器設(shè)定溫度。具體來(lái)說(shuō)，如圖5 (a)所示，在批次最前頭的基板Gl搬入預(yù)加熱部4之前，使預(yù)加熱部4的加熱器設(shè)定溫度為第一溫度(150°C )，使主加熱部5的加熱器設(shè)定溫度為第三溫度(100°C )(圖7的步驟Ml)。由此，腔室8內(nèi)在預(yù)加熱部4和主加熱部5中分別為與加熱器設(shè)定溫度大致接近的溫度的氣氛。如圖5(a)所示，批次最前頭的基板Gl以規(guī)定的搬送速度(例如50mm/SeC)搬送， 當(dāng)由基板檢測(cè)傳感器45檢測(cè)到時(shí)，將檢測(cè)信號(hào)向控制部40供給(圖7的步驟^2)?？刂撇?0基于從傳感器檢測(cè)時(shí)起的經(jīng)過(guò)時(shí)間和基板搬送速度，開(kāi)始取得(檢測(cè)) 基板Gl的搬送位置。然后，如圖5(b)所示，控制部40在檢測(cè)到批次的最前頭的基板Gl的前端即將搬入預(yù)加熱部4時(shí)(圖7的步驟乂幻，將設(shè)置于區(qū)域A的下部面狀加熱器17a和上部面狀加熱器18a的設(shè)定溫度變更為第二設(shè)定溫度(160°C )(圖7的步驟M4)。此外，如圖5(c)所示，控制部40在檢測(cè)到基板Gl的前端即將搬入作為預(yù)加熱部 4的中央?yún)^(qū)域的區(qū)域B時(shí)(圖7的步驟M5)，將設(shè)置于區(qū)域B的下部面狀加熱器17b和上部面狀加熱器18b的設(shè)定溫度變更為第二設(shè)定溫度(160°C )(圖7的步驟M6)。然后，如圖5(d)所示，控制部40在檢測(cè)到基板Gl的前端即將搬入作為預(yù)加熱部 4的下游區(qū)域的區(qū)域C時(shí)(圖7的步驟M7)，將設(shè)置于區(qū)域C的下部面狀加熱器17c和上部面狀加熱器18c的設(shè)定溫度變更為第二設(shè)定溫度(160°C )(圖7的步驟M8)。如此，在第二實(shí)施方式中，在最前頭的基板Gl在預(yù)加熱部4中搬送的期間，在基板 Gl通過(guò)區(qū)域A C的各區(qū)域的時(shí)刻，將加熱器設(shè)定溫度從第一溫度(150°C)切換到第二溫度(160°C )。因此，在最前頭的基板Gl通過(guò)預(yù)加熱部4內(nèi)的期間，預(yù)加熱部4的氣氛溫度尚未到達(dá)上述第二溫度(160°C )，基板Gl在第一溫度(150°C )和第二溫度(160°C )之間的氣氛溫度下進(jìn)行加熱處理。通過(guò)該預(yù)加熱部4中的加熱處理，基板Gl升溫至規(guī)定溫度(100°C 附近)，接著被搬入主加熱部5。然后，在主加熱部5中，基板Gl的基板溫度在下部面狀加熱器23和上部面狀加熱器對(duì)的加熱的作用下得以維持，在實(shí)施規(guī)定的熱處理(例如抗蝕劑中的溶劑的蒸發(fā))后被從搬出口 52搬出。此外，與上述第一實(shí)施方式相同地，繼最前頭基板Gl后，多個(gè)基板G被連續(xù)地搬入到腔室8內(nèi)。此處，預(yù)加熱部4的下部面狀加熱器17a 17c和上部面狀加熱器18a 18c 的設(shè)定溫度，在步驟SW中已全部為第二溫度(160°C )。但是，在基板Gl的后續(xù)基板G (G2、 G3……)的加熱處理時(shí)，預(yù)加熱部4內(nèi)的氣氛熱被各自的前一個(gè)搬送的基板G吸收，氣氛溫度降低。因此，繼基板Gl之后的多個(gè)基板G，分別在第一溫度(150°C )和第二溫度(160°C ) 之間的氣氛溫度下加熱(圖7的步驟M9)。
其結(jié)果是，預(yù)加熱部4中對(duì)最前頭的基板Gl加熱的加熱溫度與對(duì)繼基板Gl后連續(xù)搬入的多個(gè)基板G加熱的加熱溫度變得大致相等，基板間的熱處理溫度的偏差被抑制得較小。此外，在預(yù)加熱部4中升溫至規(guī)定溫度(100°C)的多個(gè)基板G，與最前頭的基板Gl 同樣地被搬入到主加熱部5，并在此處實(shí)施規(guī)定的熱處理，被從搬出口 52搬出。另外，進(jìn)行多個(gè)基板G的連續(xù)處理，如圖6 (a)所示，當(dāng)批次最后的基板&ι被基板檢測(cè)傳感器45檢測(cè)到時(shí)，將檢測(cè)信號(hào)供給到控制部40(圖7的步驟^lO)?？刂撇?0基于從傳感器檢測(cè)時(shí)起的經(jīng)過(guò)時(shí)間和基板搬送速度，開(kāi)始取得(檢測(cè)) 基板的搬送位置。然后，如圖6(b)所示，控制部40在檢測(cè)到批次最后的基板搬入到預(yù)加熱部4， 整個(gè)基板通過(guò)了上游側(cè)的區(qū)域A時(shí)，將設(shè)置于區(qū)域A的下部面狀加熱器17a和上部面狀加熱器18a的設(shè)定溫度變更為第一設(shè)定溫度(150°C )。此外，如圖6(c)所示，控制部40在檢測(cè)到整個(gè)基板通過(guò)了作為預(yù)加熱部4的中央?yún)^(qū)域的區(qū)域B時(shí)，將設(shè)置于區(qū)域B的下部面狀加熱器17b和上部面狀加熱器18b的設(shè)定溫度變更為第一設(shè)定溫度(150°C )。然后，如圖6(d)所示，控制部40在檢測(cè)到整個(gè)基板通過(guò)了作為預(yù)加熱部4的下游區(qū)域的區(qū)域C時(shí)(即整個(gè)基板通過(guò)了預(yù)加熱部4時(shí))，將設(shè)置于區(qū)域C的下部面狀加熱器17c和上部面狀加熱器18c的設(shè)定溫度變更為第一設(shè)定溫度(150°C )。像這樣，批次最后的基板通過(guò)后的區(qū)域A、B、C各區(qū)域，其加熱器溫度設(shè)定立即變更為第一溫度，為下一批次的熱處理作好準(zhǔn)備。如上所述，根據(jù)第二實(shí)施方式，與上述第一實(shí)施方式同樣地，能夠使預(yù)加熱部4中對(duì)最前頭基板Gl加熱的加熱溫度與對(duì)繼基板Gl后連續(xù)搬入的后續(xù)的多個(gè)基板G加熱的加熱溫度大致相等，能夠?qū)⒒彘g的熱處理溫度的偏差抑制得較小。此外，在最前頭基板Gl通過(guò)預(yù)加熱部4的期間，在基板Gl每次通過(guò)區(qū)域A C各區(qū)域時(shí)使加熱器設(shè)定溫度變更(上升)，所以預(yù)加熱部4的氣氛溫度的急劇變化得以緩和。 因此，能夠進(jìn)一步減少基板間和基板內(nèi)的熱處理溫度的偏差。 此外，批次最后的基板通過(guò)后的區(qū)域A C各區(qū)域，其加熱器溫度設(shè)定立即恢復(fù)為第一溫度(150°C )，所以能夠更迅速地將預(yù)加熱部4內(nèi)的氣氛溫度降低到第一溫度附近。因此，能夠縮短處理下一批次前的待機(jī)時(shí)間，能夠提高生產(chǎn)率。另外，在上述第二實(shí)施方式中，在批次最前頭的基板Gl的前端即將到達(dá)區(qū)域A C各區(qū)域前的時(shí)刻，變更各區(qū)域的加熱器設(shè)定溫度。但是并不限定于此，也可以在基板Gl的任意部位(例如中央部或后端)到達(dá)區(qū)域 A C各區(qū)域的時(shí)刻，進(jìn)行變更該區(qū)域的加熱器設(shè)定溫度的控制。此外，這時(shí)也可以基于由基板溫度檢測(cè)傳感器46檢測(cè)到的在預(yù)加熱部4中進(jìn)行加熱處理后的基板溫度，來(lái)確定上述加熱器設(shè)定溫度的變更時(shí)刻。另外，在上述第一、第二實(shí)施方式中，以預(yù)加熱部4的加熱器設(shè)定溫度能夠切換到第一溫度(150°C )和第二溫度(160°C )這二個(gè)等級(jí)的結(jié)構(gòu)為例。但是，本發(fā)明的熱處理裝置不限于此，也可以例如在第一溫度和第二溫度之間，更多等級(jí)地(更細(xì)地)設(shè)置加熱器設(shè)定溫度。在這種情況下，例如可以考慮進(jìn)行如下控制，即，就連續(xù)搬入腔室8內(nèi)的批次最前頭側(cè)的多片基板而言，按每個(gè)連續(xù)處理的基板G，使加熱器設(shè)定溫度階梯性地緩緩上升，在達(dá)到規(guī)定片數(shù)時(shí)，使加熱器設(shè)定溫度到達(dá)第二溫度。在進(jìn)行這種控制的情況下，連續(xù)處理的基板間的加熱溫度之差變小，能夠進(jìn)一步抑制其偏差。此外，在上述第一、第二實(shí)施方式中，上述第一溫度和第二溫度是預(yù)先決定的固定的溫度，但也可以例如控制部40基于基板溫度檢測(cè)傳感器46的輸出(由預(yù)加熱部4加熱后的基板溫度)，按每個(gè)基板G來(lái)每次決定第二溫度。更具體地說(shuō)，在由設(shè)定為例如160°C的第二溫度加熱后，基板溫度檢測(cè)傳感器46 檢測(cè)到的基板溫度沒(méi)有達(dá)到期望的溫度(例如100°c)的情況下，在下一基板加熱時(shí)優(yōu)選將第二溫度設(shè)定為更高的溫度。另一方面，在由設(shè)定為例如160°C的第二溫度加熱后，基板溫度檢測(cè)傳感器46檢測(cè)到的基板溫度高于期望的溫度(例如100°c)的情況下，在下一基板加熱時(shí)優(yōu)選將第二溫度設(shè)定為更低的溫度。接著說(shuō)明第三實(shí)施方式。此處對(duì)與第一或第二實(shí)施方式相同的部分省略說(shuō)明。 在第三實(shí)施方式中，除了第一溫度(150°C)、第二溫度(160°C)外，還設(shè)有例如第四溫度 (162°C )和第五溫度(164°C )。然后，在預(yù)加熱部4的加熱器設(shè)定溫度從第一溫度變更到第二溫度為止，與第一實(shí)施方式相同。然后，在經(jīng)過(guò)從最前頭的基板Gl起規(guī)定片數(shù)后(例如第四片基板G4)的基板被基板檢測(cè)傳感器45檢測(cè)到的規(guī)定時(shí)間后，將預(yù)加熱部4的設(shè)定溫度變更為第四溫度(162°C)。然后，在從最前頭的基板Gl起規(guī)定片數(shù)后(例如第八片基板G8)的基板被基板檢測(cè)傳感器45檢測(cè)到并經(jīng)過(guò)規(guī)定時(shí)間后，將預(yù)加熱部4的設(shè)定溫度變更為第五溫度(164°C)。然后，在批次最后的基板被基板檢測(cè)傳感器45檢測(cè)到并經(jīng)過(guò)規(guī)定時(shí)間后，具體而言在最后的基板通過(guò)預(yù)加熱部4后，將預(yù)加熱部4的設(shè)定溫度變更為第一溫度(150°C )。在此，將第一實(shí)施方式中從批次最前頭到批次最后的基板的溫度的偏差作圖表示在圖9中，與第三實(shí)施方式進(jìn)行比較。在第一實(shí)施方式中，如圖9所示，基板G的溫度，批次最前頭的基板Gl最高，從接下來(lái)的基板G2起溫度依次降低，在例如第十二片基板以后， 穩(wěn)定在大致一定的溫度。在圖9中，從批次最前頭到批次最后的基板的溫度的偏差為約 4. 0°C，這在能夠允許的范圍內(nèi)。接著將第四實(shí)施方式中從批次最前頭到批次最后的基板的溫度的偏差作圖表示在圖10中。圖10中從批次最前頭到批次最后的基板的溫度的偏差為約1. 4°C。像這樣，通過(guò)像第三實(shí)施方式這樣控制預(yù)加熱部4的加熱器設(shè)定溫度，能夠使從批次最前頭到批次最后的基板G的溫度的偏差進(jìn)一步縮小，能夠進(jìn)一步提高產(chǎn)品的成品率。接著說(shuō)明第四實(shí)施方式。如圖11所述，在第四實(shí)施方式中，下部面狀加熱器17a 17c和上部面狀加熱器18a 18c各自在與基板的搬送方向正交的方向(Y方向)上被分割成多個(gè)。而且，各個(gè)分割后的加熱器能夠各自進(jìn)行溫度控制。另外，在與基板的搬送方向正交的方向上，且在與分割后的加熱器分別對(duì)應(yīng)的位置，配置有多個(gè)未圖示的基板溫度檢測(cè)傳感器46。而且，除了第一 第三實(shí)施方式說(shuō)明的之外，各個(gè)基板溫度檢測(cè)傳感器46對(duì)基板 G的溫度進(jìn)行檢測(cè)，基于該檢測(cè)結(jié)果對(duì)對(duì)應(yīng)的分割后的加熱器的溫度進(jìn)行控制。通過(guò)如此控制下部面狀加熱器17a 17c和上部面狀加熱器18a 18c，能夠使從批次最前頭到批次最后的基板的溫度的偏差進(jìn)一步縮小，能夠進(jìn)一步提高產(chǎn)品的成品率。此外，第一 第四實(shí)施方式中說(shuō)明的加熱器(下部面狀加熱器17a 17c和上部面狀加熱器18a 18c等)的控制，作為控制熱處理裝置的程序，分別存儲(chǔ)于未圖示的存儲(chǔ)部。此外，也可以使用存儲(chǔ)有這些程序的存儲(chǔ)介質(zhì)來(lái)控制熱處理裝置的控制部。此外，在上述實(shí)施方式中，將本發(fā)明的熱處理裝置應(yīng)用于對(duì)被處理基板G實(shí)施加熱處理的加熱處理單元1，但并不限定于此，也可以應(yīng)用于對(duì)基板G實(shí)施冷卻處理的基板冷卻裝置。此時(shí)，作為冷卻機(jī)構(gòu)，例如能夠使用由珀?duì)柼鋮s的板。另外，在這種情況下，通過(guò)將上述第一溫度設(shè)定成比第二溫度高規(guī)定溫度的溫度， 能夠使最前頭的被處理基板與后續(xù)的被處理基板的熱處理空間的氣氛大致相等，能夠抑制熱處理(冷卻)溫度的偏差。
權(quán)利要求
1.一種熱處理裝置，對(duì)水平搬送的基板進(jìn)行熱處理，該熱處理裝置的特征在于，包括 形成基板搬送路，將所述基板沿著所述基板搬送路水平搬送的基板搬送機(jī)構(gòu)；覆蓋所述基板搬送路的規(guī)定區(qū)間，并形成對(duì)在所述基板搬送路搬送的所述基板的熱處理空間的第一腔室；能夠變更加熱或冷卻溫度的設(shè)定溫度，能夠?qū)⑺龅谝磺皇覂?nèi)加熱或冷卻的第一加熱·冷卻機(jī)構(gòu)；設(shè)置于所述第一腔室的前段，對(duì)在所述基板搬送路搬送的基板進(jìn)行檢測(cè)的基板檢測(cè)機(jī)構(gòu)；和被供給所述基板檢測(cè)機(jī)構(gòu)的檢測(cè)信號(hào)，并對(duì)所述第一加熱·冷卻機(jī)構(gòu)進(jìn)行控制的控制機(jī)構(gòu)，其中，所述控制機(jī)構(gòu)，在向著所述第一腔室被搬送的基板中最前頭的基板被所述基板檢測(cè)機(jī)構(gòu)檢測(cè)到時(shí)，將所述第一加熱·冷卻機(jī)構(gòu)的設(shè)定溫度從第一溫度變更到第二溫度，搬入到所述第一腔室內(nèi)的所述最前頭的基板，在所述第一溫度與所述第二溫度之間的氣氛溫度下被熱處理。
2.如權(quán)利要求1所述的熱處理裝置，其特征在于，包括沿著所述基板搬送路設(shè)置于所述第一腔室的后段，覆蓋所述基板搬送路的規(guī)定區(qū)間， 并形成對(duì)在所述基板搬送路搬送的所述基板的熱處理空間的第二腔室；和能夠?qū)⑺龅诙皇覂?nèi)加熱或冷卻的第二加熱·冷卻機(jī)構(gòu)，其中所述控制機(jī)構(gòu)將所述第二加熱·冷卻機(jī)構(gòu)的設(shè)定溫度設(shè)定為第三溫度， 從所述第一腔室搬入到所述第二腔室的所述基板，通過(guò)設(shè)定為所述第三溫度的所述第二加熱·冷卻機(jī)構(gòu)，保持在所述第一腔室內(nèi)熱處理后的基板的溫度，并進(jìn)行熱處理。
3.如權(quán)利要求2所述的熱處理裝置，其特征在于 所述第一溫度是比所述第二溫度低的溫度，所述第一加熱·冷卻機(jī)構(gòu)將所述第一腔室內(nèi)加熱，對(duì)搬入到所述第一腔室內(nèi)的基板進(jìn)行加熱處理。
4.如權(quán)利要求2所述的熱處理裝置，其特征在于 所述第一溫度是比所述第二溫度高的溫度，所述第一加熱·冷卻機(jī)構(gòu)將所述第一腔室內(nèi)冷卻，對(duì)搬入到所述第一腔室內(nèi)的基板進(jìn)行冷卻處理。
5.如權(quán)利要求1 4中任一項(xiàng)所述的熱處理裝置，其特征在于所述控制機(jī)構(gòu)，在向著所述第一腔室搬送的基板中最后的基板被所述基板檢測(cè)機(jī)構(gòu)檢測(cè)到，所述最后的基板的熱處理完成時(shí)，將所述第一加熱 冷卻機(jī)構(gòu)的所述設(shè)定溫度從所述第二溫度變更到第一溫度。
6.如權(quán)利要求1 4中任一項(xiàng)所述的熱處理裝置，其特征在于所述第一加熱·冷卻機(jī)構(gòu)，能夠?qū)υ谒龅谝磺皇覂?nèi)沿著基板搬送路被分割成多個(gè)的區(qū)域的每個(gè)設(shè)定加熱溫度或冷卻溫度，所述控制機(jī)構(gòu)，在最前頭的基板或最后的基板通過(guò)所述被分割而成的各區(qū)域的時(shí)刻， 變更該區(qū)域的所述加熱·冷卻機(jī)構(gòu)的設(shè)定溫度。
7.如權(quán)利要求1 4中任一項(xiàng)所述的熱處理裝置，其特征在于，包括對(duì)在所述第一腔室內(nèi)經(jīng)過(guò)熱處理的基板的溫度進(jìn)行檢測(cè)，將檢測(cè)結(jié)果向所述控制機(jī)構(gòu)供給的基板溫度檢測(cè)機(jī)構(gòu)，所述控制機(jī)構(gòu)，基于所述檢測(cè)結(jié)果來(lái)設(shè)定所述第二溫度的值。
8.如權(quán)利要求1 4中任一項(xiàng)所述的熱處理裝置，其特征在于所述控制機(jī)構(gòu)進(jìn)行控制，使得對(duì)于搬入到所述第一腔室內(nèi)的基板中最前頭側(cè)的規(guī)定片數(shù)，所述第一加熱 冷卻機(jī)構(gòu)的設(shè)定溫度按連續(xù)處理的每個(gè)基板階梯性地上升或下降，并且在所述規(guī)定片數(shù)的加熱處理后，所述設(shè)定溫度到達(dá)所述第二溫度。
9.一種熱處理方法，將基板沿著基板搬送路水平搬送，搬入到將所述基板加熱或冷卻的第一腔室內(nèi)，并對(duì)搬入到所述第一腔室內(nèi)的基板進(jìn)行熱處理，該熱處理方法的特征在于， 包括在向所述第一腔室搬入前，對(duì)在所述基板搬送路搬送的基板中最前頭的基板進(jìn)行檢測(cè)的步驟；和在檢測(cè)到所述最前頭的基板起經(jīng)過(guò)規(guī)定的時(shí)間后，將所述第一腔室內(nèi)的第一加熱·冷卻機(jī)構(gòu)的設(shè)定溫度從第一溫度變更到第二溫度的步驟，對(duì)所述最前頭的基板，在所述第一腔室內(nèi)在所述第一溫度與第二溫度之間的氣氛溫度下進(jìn)行熱處理。
10.如權(quán)利要求9所述的熱處理方法，其特征在于，包括在沿著所述基板搬送路設(shè)置于所述第一腔室的后段的第二腔室，將所述第二腔室內(nèi)的第二加熱·冷卻機(jī)構(gòu)的設(shè)定溫度設(shè)定為第三溫度的步驟；和將所述基板從所述第一腔室搬入到所述第二腔室，通過(guò)設(shè)定為所述第三溫度的所述第二加熱·冷卻機(jī)構(gòu)，保持在所述第一腔室內(nèi)經(jīng)過(guò)熱處理的基板的溫度，并進(jìn)行熱處理的步馬聚ο
11.如權(quán)利要求10所述的熱處理方法，其特征在于 所述第一溫度是比所述第二溫度低的溫度，對(duì)搬入到所述第一腔室內(nèi)的多個(gè)被處理基板進(jìn)行加熱處理。
12.如權(quán)利要求10所述的熱處理方法，其特征在于 所述第一溫度是比所述第二溫度高的溫度，對(duì)搬入到所述第一腔室內(nèi)的多個(gè)被處理基板進(jìn)行冷卻處理。
13.如權(quán)利要求9 12中任一項(xiàng)所述的熱處理方法，其特征在于，包括在向所述第一腔室搬入前，對(duì)在所述基板搬送路搬送的基板中最后的基板進(jìn)行檢測(cè)的步驟；和在檢測(cè)到所述最后的基板起經(jīng)過(guò)規(guī)定的時(shí)間后，將所述第一腔室內(nèi)的熱處理的設(shè)定溫度從第二溫度變更到第一溫度的步驟。
14.一種存儲(chǔ)介質(zhì)，其特征在于配置在對(duì)基板進(jìn)行熱處理的熱處理裝置中，所述熱處理裝置包括 形成基板搬送路，將所述基板沿著所述基板搬送路水平搬送的基板搬送機(jī)構(gòu)； 覆蓋所述基板搬送路的規(guī)定區(qū)間，并形成對(duì)在所述基板搬送路搬送的所述基板的熱處理空間的第一腔室；能夠變更加熱或冷卻溫度的設(shè)定溫度，能夠?qū)⑺龅谝磺皇覂?nèi)加熱或冷卻的第一加熱·冷卻機(jī)構(gòu)；設(shè)置于所述第一腔室的前段，對(duì)在所述基板搬送路搬送的基板進(jìn)行檢測(cè)的基板檢測(cè)機(jī)構(gòu)；和被供給所述基板檢測(cè)機(jī)構(gòu)的檢測(cè)信號(hào)，對(duì)所述第一加熱·冷卻機(jī)構(gòu)進(jìn)行控制的控制機(jī)構(gòu)，所述存儲(chǔ)介質(zhì)中存儲(chǔ)有控制所述控制機(jī)構(gòu)的程序，其對(duì)所述控制機(jī)構(gòu)進(jìn)行控制，使得所述控制機(jī)構(gòu)，在向著所述第一腔室搬送的基板中最前頭的基板被所述基板檢測(cè)機(jī)構(gòu)檢測(cè)到時(shí)，將所述第一加熱·冷卻機(jī)構(gòu)的設(shè)定溫度從第一溫度變更到第二溫度，對(duì)搬入到所述第一腔室內(nèi)的所述最前頭的基板，在所述第一溫度與所述第二溫度之間的氣氛溫度下進(jìn)行熱處理。
全文摘要
本發(fā)明提供熱處理裝置、熱處理方法和存儲(chǔ)介質(zhì)。包括基板搬送機(jī)構(gòu)(20)；形成對(duì)在基板搬送路搬送的被處理基板(G)的熱處理空間的第一腔室(8)；能夠變更加熱或冷卻溫度的設(shè)定溫度，能夠?qū)⑸鲜龅谝磺皇覂?nèi)加熱或冷卻的第一加熱·冷卻機(jī)構(gòu)(17、18)；設(shè)置于上述第一腔室的前段，對(duì)在上述基板搬送路搬送的上述被處理基板進(jìn)行檢測(cè)的基板檢測(cè)機(jī)構(gòu)(45)；和被供給上述基板檢測(cè)機(jī)構(gòu)的檢測(cè)信號(hào)，并能夠進(jìn)行上述第一加熱·冷卻機(jī)構(gòu)的控制的控制機(jī)構(gòu)(40)，上述控制機(jī)構(gòu)，在向著上述第一腔室搬送的多個(gè)被處理基板中最前頭的被處理基板被上述基板檢測(cè)機(jī)構(gòu)檢測(cè)到時(shí)，將上述第一加熱·冷卻機(jī)構(gòu)的設(shè)定溫度從第一溫度變更到第二溫度。
文檔編號(hào)H01L21/00GK102270563SQ20111015370
公開(kāi)日2011年12月7日 申請(qǐng)日期2011年6月3日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月3日
發(fā)明者佐竹政紀(jì), 八尋俊一, 川口義廣 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社