專利名稱：納米級側(cè)向成長磊晶的薄膜發(fā)光二極體及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)一種薄膜發(fā)光二極體及其制作方法，特別是指一種納米級側(cè)向成長磊晶的薄膜發(fā)光二極體及其制作方法。
背景技術(shù)：
利用鐳射剝離法所制作的氮化鎵發(fā)光二極體(Thin-GaN LED)有效增加了發(fā)光二極體在晶片階段的散熱，也減緩了 LED熱效應(yīng)所產(chǎn)生的效率下降(droop)，另一方面也提升了發(fā)光面積，成為目前高功率LED的趨勢。但在kwchung Sermonffu, Ji-Hao Cheng, and Wei Chih Peng 所發(fā)表白勺"Effects of laser sourceson the reverse-bias leakages of laser lift-off GaN-based light-emittingdiodes, "APPLIED PHYSICS LETTERS 90， 251110(2007)文獻中中提到，經(jīng)由實驗發(fā)現(xiàn)，經(jīng)過鐳射剝離法后所造成的應(yīng)力釋放將會增加錯位缺陷現(xiàn)象，而不僅使發(fā)光效率變差，也影響元件在長時間的操作下的壽命時間。此專利雖然教示增加氮化鎵的磊晶品質(zhì)與增加光萃取效率的方式，但其所教示的制程繁雜不易實現(xiàn)。在 D. S. Wuu, W. K. Wang, W. C. Shih, R. H. Horng, C. Ε. Lee, W. Y. Lin, and J. S. Fang 所發(fā)表的 “Enhanced Output Power ofNear-Ultraviolet, " IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, VOL. 17，NO. 2，F(xiàn)EBRUARY 2005 文獻與 Y. J. Lee, J. M. Hwang, T. C. Hsu, M. H. Hsieh, M. J. Jou, B. J. Lee, T. C. Lu, H. C. Kuo, Member, IEEE, and S. C. Wang, Senior Member, IEEE 所發(fā)表的“Enhancing the Output Power of GaN-Based LEDsGrown on Wet-Etched Patterned Sapphire Substrates，” IEEE PH0T0NICSTECHN0L0GY LETTERS,VOL. 18，NO. 10， MAY 15，2006文獻中提到圖形化藍寶石基板制作發(fā)光二極體，除了能增加光萃取效率外，也能減少磊晶時的錯位缺陷密度。在 Haiyong Gao, a_Fawang Yan，Yang Zhang, Jinmin Li, Yiping Zeng, and Guohong Wang 所發(fā)表的 Enhancement of the light output power of InGaNGaN light emitting diodes grown on pyramidal patterned sapphiresubstrates in the micro and nanoscale, "JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 103，014314_2008_ 文獻中提到利用納米圖形化藍寶石基板級制作發(fā)光二極體更能增加磊晶時氮化鎵的品質(zhì)，但制程中必須使用黃光微影制作蝕刻圖形，不僅增加制程復雜度也提高制作成本。有鑒于此，本發(fā)明遂針對上述公知技術(shù)的缺失，提出一種納米級側(cè)向成長磊晶的薄膜發(fā)光二極體及其制作方法，以有效克服上述的該等問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在提供一種納米級側(cè)向成長磊晶的薄膜發(fā)光二極體及其制作方法，其在具有納米級圖形化氧化硅層的磊晶基板上使用側(cè)向磊晶成長技術(shù)制作出半導體結(jié)構(gòu)，以有效抑止磊晶成長半導體結(jié)構(gòu)時的疊層缺陷，降低線差排密度，提高發(fā)光半導體層的結(jié)晶品質(zhì)。本發(fā)明的另一目的在提供一種納米級側(cè)向成長磊晶的薄膜發(fā)光二極體及其制作方法，其半導體結(jié)構(gòu)的出光面無須再次表面粗化，即可提升外部量子效率。
本發(fā)明的再一目的在提供一種納米級側(cè)向成長磊晶的薄膜發(fā)光二極體及其制作方法，其制作過程無須使用黃光微影蝕刻圖形，可大幅度降低制程復雜度并降低制作成本。為達上述的目的，本發(fā)明提供一種納米級側(cè)向成長磊晶的薄膜發(fā)光二極體，其包含有一基板；一位于基板上的接合金屬層；一位于接合金屬層上的第一電極；一第一電極上的半導體結(jié)構(gòu)，其側(cè)向磊晶形成；以及一位于半導體結(jié)構(gòu)上的第二電極，上述的半導體結(jié)構(gòu)未被第二電極所附蓋的上表面形成有一納米級粗糙化結(jié)構(gòu)。上述的半導體結(jié)構(gòu)包含有一 ρ型三五族半導體層；一 η型三五族半導體層；以及一發(fā)光半導體層，其位于P型三五族半導體層與Π型三五族半導體層間，發(fā)光半導體層具有多重量子井結(jié)構(gòu)。上述的納米級粗糙化結(jié)構(gòu)為規(guī)則或不規(guī)則的納米尺寸幾何圖形。上述的納米級粗糙化結(jié)構(gòu)可以為規(guī)則的納米尺寸圓形、橢圓形或者多邊形。上述的納米級粗糙化結(jié)構(gòu)為規(guī)則的納米尺寸幾何圖形，納米級粗糙化結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)周期或結(jié)構(gòu)大小為0. 01 0. 9納米。上述的半導體結(jié)構(gòu)是于一具納米級粗糙化結(jié)構(gòu)的磊晶基板上側(cè)向磊晶成長后剝離所形成，納米級粗糙化結(jié)構(gòu)與磊晶基板上的納米級圖形對應(yīng)。本發(fā)明尚提出一種納米級側(cè)向成長磊晶的薄膜發(fā)光二極體的制作方法，其步驟包含有提供一磊晶基板，其上形成有一納米級圖形化氧化硅層；于納米級圖形化氧化硅層上側(cè)向磊晶形成一半導體結(jié)構(gòu)，半導體結(jié)構(gòu)底表面形成有一納米級粗糙化結(jié)構(gòu)，其對應(yīng)于納米級圖形化氧化硅層的圖案；于半導體結(jié)構(gòu)上形成一第一電極；提供一第二基板，第二基板上形成有一接合金屬層；將第一電極接合于接合金屬層上，隨后移除磊晶基板，顯露出半導體結(jié)構(gòu)的納米級粗糙化結(jié)構(gòu)；以及于半導體結(jié)構(gòu)上形成一第二電極。上述的納米級圖形化氧化硅層的制作步驟包含有于磊晶基板上依序形成一氧化硅層與一納米級金屬層；對磊晶基板進行一熱退火制程，以使納米級金屬層的金屬粒子自聚集形成一納米級遮罩；以及以納米級遮罩為罩幕對氧化硅層進行蝕刻，隨后移除納米級遮罩，以形成納米級圖形化氧化硅層。上述的沉積形成半導體結(jié)構(gòu)的步驟包含有沉積一 η型三五族半導體層；沉積一發(fā)光半導體層，發(fā)光半導體層具有多重量子井結(jié)構(gòu)；以及沉積一 P型三五族半導體層。上述的移除磊晶基板的步驟是利用一鐳射剝離法所達成。上述的納米級粗糙化結(jié)構(gòu)為規(guī)則或不規(guī)則的納米尺寸幾何圖形。上述的納米級粗糙化結(jié)構(gòu)為規(guī)則的納米尺寸圓形、橢圓形或者多邊形。上述的納米級粗糙化結(jié)構(gòu)為規(guī)則的納米尺寸幾何圖形，納米級粗糙化結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)周期或結(jié)構(gòu)大小為0. 01 0. 9納米。本發(fā)明提供一種納米級側(cè)向成長磊晶的薄膜發(fā)光二極體及其制作方法，其在具有納米級圖形化氧化硅層的磊晶基板上使用側(cè)向磊晶成長技術(shù)制作出半導體結(jié)構(gòu)，以有效抑止磊晶成長半導體結(jié)構(gòu)時的疊層缺陷，降低線差排密度，提高發(fā)光半導體層的結(jié)晶品質(zhì)。再者，在本發(fā)明的制程下半導體結(jié)構(gòu)的出光面無須再次表面粗化，即可提升外部量子效率。本發(fā)明的整體結(jié)構(gòu)也有利于使用鐳射剝離的薄膜發(fā)光二極體，提高制程的良率。底下由具體實施例詳加說明，當更容易了解本發(fā)明的目的、技術(shù)內(nèi)容、特點及其所達成的功效。


圖1為本發(fā)明的納米級側(cè)向成長磊晶的薄膜發(fā)光二極體的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2(a) 2(f)為制作本發(fā)明的納米級側(cè)向成長磊晶的薄膜發(fā)光二極體的各步驟剖面示意圖。圖3為本發(fā)明所形成的納米級圖形化氧化硅層的掃瞄式電子顯微鏡剖面影像圖。圖4(a)為傳統(tǒng)薄膜發(fā)光二極體的穿透式電子顯微鏡剖面影像圖。圖4(b)為本發(fā)明的薄膜發(fā)光二極體的穿透式電子顯微鏡剖面影像圖。圖5(a)為本發(fā)明的薄膜發(fā)光二極體的接觸模式的導電原子力顯微鏡影像圖。圖5(b)傳統(tǒng)薄膜發(fā)光二極體的接觸模式的導電原子力顯微鏡影像圖。圖6為本發(fā)明的薄膜發(fā)光二極體與傳統(tǒng)薄膜發(fā)光二極體的電流與光輸出強度的圖表。附圖標記說明10納米級側(cè)向成長磊晶的薄膜發(fā)光二極體；12基板；14接合金屬層；16第一電極；18半導體結(jié)構(gòu)；20第二電極；22納米級粗糙化結(jié)構(gòu)；24p型三五族半導體層；26η型三五族半導體層；觀發(fā)光半導體層；30磊晶基板；32 二氧化硅層；34鎳層；36納米級圖形
化氧化硅層。
具體實施例方式請參閱圖1，其為本發(fā)明的納米級側(cè)向成長磊晶的薄膜發(fā)光二極體的結(jié)構(gòu)示意圖。 如圖所示，本發(fā)明的納米級側(cè)向成長磊晶的薄膜發(fā)光二極體10包含有一基板12; —位于基板12上的接合金屬層14 ；一位于接合金屬層14上的第一電極16 ；—位于第一電極16上的半導體結(jié)構(gòu)18 ；以及一位于半導體結(jié)構(gòu)18上的第二電極20，其中半導體結(jié)構(gòu)18未被第二電極20所附蓋的上表面形成有一納米級粗糙化結(jié)構(gòu)22。上述的接合金屬層14為二層結(jié)構(gòu)，其由下而上依序可以為一鈦層與一金層。上述的第一電極16可以為三層結(jié)構(gòu)，其由下而上依序為一金層、一鉬層以及一鉻層。因此，接合金屬層14的金層接觸于第一電極16的金層。上述的第二電極20可以為二層結(jié)構(gòu)，其由下而上依序為一金層與一鉻層?；?2則是采用散熱性較佳的硅基板或金屬基板。上述的半導體結(jié)構(gòu)18可受電激發(fā)而發(fā)出光線，半導體結(jié)構(gòu)18包含有一 ρ型三五族半導體層M ；— η型三五族半導體層沈，其表面形成有上述的納米級粗糙化結(jié)構(gòu)22 ；以及一發(fā)光半導體層觀，其位于P型三五族半導體層M與η型三五族半導體層沈間，該發(fā)光半導體層觀具有多重量子井(multi-quantum well)結(jié)構(gòu)。此外，此處所述的三五族半導體層的材料可以為氮化鎵或者磷化鎵。上述的納米級粗糙化結(jié)構(gòu)22為規(guī)則或不規(guī)則的納米尺寸幾何圖形。當納米級粗糙化結(jié)構(gòu)22為規(guī)則時，其幾何圖形可以是納米尺寸圓形、橢圓形或者多邊形，且結(jié)構(gòu)周期或結(jié)構(gòu)大小為0. 01 0. 9納米。由于本發(fā)明的納米級側(cè)向成長磊晶的薄膜發(fā)光二極體10在η型三五族半導體層沈的表面形成有納米級粗糙化結(jié)構(gòu)22，使得整體發(fā)光二極體的光引出效率(light extraction efficiency)更為加強，所發(fā)出的光線也可大致位于一設(shè)定的峰值波長范圍。
接續(xù)，請參閱圖2 (a) 2 (f)，其為制作上述本發(fā)明的納米級側(cè)向成長磊晶的薄膜發(fā)光二極體的各步驟剖面示意圖。首先，提供一磊晶基板30，于磊晶基板表面蒸鍍上厚度為200納米的二氧化硅層32，然后在二氧化硅層32上又蒸鍍上厚度為50納米的鎳層34， 如圖2(a)所示。隨后，經(jīng)過一分鐘850°C熱退火制程使鎳層的鎳粒子自聚集形成一納米級遮罩 (mask)。以此納米級遮罩為罩幕對氧化硅層進行蝕刻，舉例來說，以反應(yīng)離子蝕刻系統(tǒng)蝕刻 3分鐘，隨后使用硝酸洗除此納米級遮罩，以形成一納米級圖形化氧化硅層36，如圖2 (b)所示，其中納米級圖形化氧化硅層36的圖形部分的直徑約為100納米 150納米。利用有機金屬化學氣相沉積法于納米級圖形化氧化硅層36上依序磊晶成長一 η 型三五族半導體層沈；沉積一具有多重量子井結(jié)構(gòu)的發(fā)光半導體層觀；以及沉積一 P型三五族半導體層Μ，以形成上述的半導體結(jié)構(gòu)18，如圖2 (C)所示。而此η型三五族半導體層沈的底表面將形成有上述的納米級粗糙化結(jié)構(gòu)22，其對應(yīng)于納米級圖形化氧化硅層36 的圖案。磊晶基板30的材質(zhì)為藍寶石等晶格常數(shù)與半導體結(jié)構(gòu)的晶格常數(shù)相近似的基板材質(zhì)。此外，更為順利磊晶成長上述的半導體結(jié)構(gòu)18，于半導體結(jié)構(gòu)18形成前，可先于磊晶基板30上形成一厚度約50納米的氮化鎵緩沖層(圖中未示)。上述的半導體結(jié)構(gòu)18是于納米級圖形化氧化硅層36上經(jīng)側(cè)向磊晶成長所形成， 因此能有效抑止在磊晶成長過程時所產(chǎn)生的疊層缺陷(stacking fault)，以降低線差排密度(threading dislocation density)，提升發(fā)光半導體層觀的結(jié)晶品質(zhì)而降低漏電流。 再者，本發(fā)明的半導體結(jié)構(gòu)18的η型三五族半導體層沈的出光面已有表面粗化結(jié)構(gòu)，因此無須再次粗化也能提升外部量子效率。接續(xù)，如圖2(d)所示，于半導體結(jié)構(gòu)18上形成上述的第一電極16，其形成方法可以以物理或化學氣相沉積法為之。隨后，提供一表面上形成有上述的接合金屬層14的基板12。將第一電極16經(jīng)過高溫高壓一段時間接合于接合金屬層14上，形成如圖2(e)所示。利用鐳射剝離法(laser lift-off)將磊晶基板30與其上的納米級圖形化氧化硅層36自半導體結(jié)構(gòu)18上移除。舉例來說，此鐳射剝離法是使用準分子鐳射，其波長為M8 納米，脈沖寬度為25ns，此準分子鐳射是照射并破壞緩沖層，以將磊晶基板與其上的納米級圖形化氧化硅層和半導體結(jié)構(gòu)分離，達到移除的目的。然后，可依序以硫酸等酸液以及電漿對半導體結(jié)構(gòu)18表面上所殘留的氮化鎵緩沖層進行蝕刻清除。移除部分納米級粗糙化結(jié)構(gòu)22，并于其上形成一第二電極20，如圖 2(f)所示，即完成本發(fā)明的發(fā)光二極體。再者，半導體結(jié)構(gòu)上形成第二電極的步驟前更可包含有利用一電感耦合式電漿 (inductive coupled plasma)自半導體結(jié)構(gòu)表面向下蝕刻至第一電極，以區(qū)隔形成數(shù)個發(fā)光二極體晶粒。請參閱圖3，其為本發(fā)明所形成的納米級圖形化氧化硅層的掃瞄式電子顯微鏡剖面影像圖。如圖所示，納米級圖形化氧化硅層是呈現(xiàn)直徑約為100納米 150納米的納米柱圖形。請一并參閱圖4(a)與圖4(b)，圖4(a)是傳統(tǒng)薄膜發(fā)光二極體的穿透式電子顯微鏡剖面影像圖，圖4(b)是本發(fā)明的薄膜發(fā)光二極體的穿透式電子顯微鏡剖面影像圖，將兩者比較可發(fā)現(xiàn)傳統(tǒng)薄膜發(fā)光二極體具有比較高的線差排密度(threading dislocation density)0請一并參閱圖5(a)與圖5(b)，圖5 (a)是本發(fā)明的薄膜發(fā)光二極體的掃瞄電流顯微鏡影像圖，圖5(b)傳統(tǒng)薄膜發(fā)光二極體的掃瞄電流顯微鏡影像圖，將兩者比較可發(fā)現(xiàn)傳統(tǒng)薄膜發(fā)光二極體的漏電流范圍比本發(fā)明多很多。請參閱圖6，其為本發(fā)明的薄膜發(fā)光二極體與傳統(tǒng)薄膜發(fā)光二極體的電流與光輸出強度的圖表。由此圖可發(fā)現(xiàn)，在施加任何電流值的情況下，在光輸出功率方面可看出本發(fā)明的納米級側(cè)像成長磊晶的薄膜發(fā)光二極體優(yōu)于傳統(tǒng)薄膜的發(fā)光二極體。綜上所述，本發(fā)明提供一種納米級側(cè)向成長磊晶的薄膜發(fā)光二極體及其制作方法，其在具有納米級圖形化氧化硅層的磊晶基板上使用側(cè)向磊晶成長技術(shù)制作出半導體結(jié)構(gòu)，以有效抑止磊晶成長半導體結(jié)構(gòu)時的疊層缺陷，降低線差排密度，提高發(fā)光半導體層的結(jié)晶品質(zhì)。再者，在本發(fā)明的制程下半導體結(jié)構(gòu)的出光面無須再次表面粗化，即可提升外部量子效率。本發(fā)明的整體結(jié)構(gòu)也有利于使用鐳射剝離的薄膜發(fā)光二極體，提高制程的良率。此外，本發(fā)明整個制作過程無須使用黃光微影蝕刻圖形，可大幅度降低制程復雜度并降低制作成本。以上對本發(fā)明的描述是說明性的，而非限制性的，本專業(yè)技術(shù)人員理解，在權(quán)利要求限定的精神與范圍的內(nèi)可對其進行許多修改、變化或等效，但是它們都將落入本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種納米級側(cè)向成長磊晶的薄膜發(fā)光二極體，其特征在于，包含有 一基板；一接合金屬層，其位于該基板上； 一第一電極，其位于該接合金屬層上；一半導體結(jié)構(gòu)，其位于該第一電極上，該半導體結(jié)構(gòu)是側(cè)向磊晶形成；以及一第二電極，其位于該半導體結(jié)構(gòu)上，該半導體結(jié)構(gòu)未被該第二電極所附蓋的上表面形成有一納米級粗糙化結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的納米級側(cè)向成長磊晶的薄膜發(fā)光二極體，其特征在于，該半導體結(jié)構(gòu)包含有一P型三五族半導體層； 一 η型三五族半導體層；以及一發(fā)光半導體層，其位于該P型三五族半導體層與該η型三五族半導體層間，該發(fā)光半導體層具有多重量子井結(jié)構(gòu)。
3.如權(quán)利要求1所述的納米級側(cè)向成長磊晶的薄膜發(fā)光二極體，其特征在于，該納米級粗糙化結(jié)構(gòu)為規(guī)則或不規(guī)則的納米尺寸幾何圖形。
4.如權(quán)利要求1所述的納米級側(cè)向成長磊晶的薄膜發(fā)光二極體，其特征在于，該納米級粗糙化結(jié)構(gòu)為規(guī)則的納米尺寸圓形、橢圓形或者多邊形。
5.如權(quán)利要求1所述的納米級側(cè)向成長磊晶的薄膜發(fā)光二極體，其特征在于，該納米級粗糙化結(jié)構(gòu)為規(guī)則的納米尺寸幾何圖形，該納米級粗糙化結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)周期或結(jié)構(gòu)大小為 0. 01 0. 9納米。
6.如權(quán)利要求1所述的納米級側(cè)向成長磊晶的薄膜發(fā)光二極體，其特征在于，該半導體結(jié)構(gòu)是于一具納米級粗糙化結(jié)構(gòu)的磊晶基板上側(cè)向磊晶成長后剝離所形成，該納米級粗糙化結(jié)構(gòu)與該磊晶基板上的納米級圖形對應(yīng)。
7.—種納米級側(cè)向成長磊晶的薄膜發(fā)光二極體的制作方法，其特征在于，包含有下列步驟提供一磊晶基板，其上形成有一納米級圖形化氧化硅層；于該納米級圖形化氧化硅層上側(cè)向磊晶形成一半導體結(jié)構(gòu)，該半導體結(jié)構(gòu)底表面形成有一納米級粗糙化結(jié)構(gòu)，其對應(yīng)于該納米級圖形化氧化硅層的圖案； 于該半導體結(jié)構(gòu)上形成一第一電極； 提供一第二基板，該第二基板上形成有一接合金屬層；將該第一電極接合于該接合金屬層上，隨后移除該磊晶基板，顯露出該半導體結(jié)構(gòu)的該納米級粗糙化結(jié)構(gòu)；以及于該半導體結(jié)構(gòu)上形成一第二電極。
8.如權(quán)利要求7所述的納米級側(cè)向成長磊晶的薄膜發(fā)光二極體的制作方法，其特征在于，該納米級圖形化氧化硅層的制作步驟包含有于該磊晶基板上依序形成一氧化硅層與一納米級金屬層；對該磊晶基板進行一熱退火制程，以使該納米級金屬層的金屬粒子自聚集形成一納米級遮罩；以及以該納米級遮罩為罩幕對該氧化硅層進行蝕刻，隨后移除該納米級遮罩，以形成該納米級圖形化氧化硅層。
9.如權(quán)利要求7所述的納米級側(cè)向成長磊晶的薄膜發(fā)光二極體的制作方法，其特征在于，沉積形成該半導體結(jié)構(gòu)的步驟包含有沉積一 η型三五族半導體層；沉積一發(fā)光半導體層，該發(fā)光半導體層具有多重量子井結(jié)構(gòu)；以及沉積一 P型三五族半導體層。
10.如權(quán)利要求7所述的納米級側(cè)向成長磊晶的薄膜發(fā)光二極體的制作方法，其特征在于，該移除該磊晶基板的步驟是利用一鐳射剝離法所達成。
11.如權(quán)利要求7所述的納米級側(cè)向成長磊晶的薄膜發(fā)光二極體的制作方法，其特征在于，該納米級粗糙化結(jié)構(gòu)為規(guī)則或不規(guī)則的納米尺寸幾何圖形。
12.如權(quán)利要求7所述的納米級側(cè)向成長磊晶的薄膜發(fā)光二極體的制作方法，其特征在于，該納米級粗糙化結(jié)構(gòu)為規(guī)則的納米尺寸圓形、橢圓形或者多邊形。
13.如權(quán)利要求7所述的納米級側(cè)向成長磊晶的薄膜發(fā)光二極體的制作方法，其特征在于，該納米級粗糙化結(jié)構(gòu)為規(guī)則的納米尺寸幾何圖形，該納米級粗糙化結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)周期或結(jié)構(gòu)大小為0. 01 0. 9納米。
全文摘要
本發(fā)明提供一種納米級側(cè)向成長磊晶的薄膜發(fā)光二極體及其制作方法。本發(fā)明的納米級側(cè)向成長磊晶的薄膜發(fā)光二極體包含有一基板；一位于基板上的接合金屬層；一位于接合金屬層上的第一電極；一位于第一電極上的半導體結(jié)構(gòu)，其為側(cè)向磊晶所形成；以及一位于半導體結(jié)構(gòu)上的第二電極，上述的半導體結(jié)構(gòu)未被第二電極所附蓋的上表面形成有一納米級粗糙化結(jié)構(gòu)。本發(fā)明由側(cè)向磊晶成長方式有效抑制半導體結(jié)構(gòu)內(nèi)的疊層缺陷與降低差排密度，提升發(fā)光層結(jié)晶品質(zhì)，降低漏電流，同時半導體結(jié)構(gòu)表面形成有粗化結(jié)構(gòu)，以提升外部量子效率。
文檔編號H01L33/24GK102214750SQ201110153259
公開日2011年10月12日 申請日期2011年6月7日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月26日
發(fā)明者李佳佑, 王朝勛, 邱鏡學, 郭浩中 申請人:財團法人交大思源基金會