專利名稱：機(jī)械手、大氣傳輸單元和晶片傳輸方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及微電子技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種機(jī)械手、大氣傳輸單元和晶片傳輸方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體的制程工藝中，需要將待處理的晶片從大氣環(huán)境中逐步傳送到反應(yīng)腔室中進(jìn)行工藝處理，例如刻蝕工藝(Etch)處理、物理氣相沉積(PVD)處理等。把晶片傳送到反應(yīng)腔室的過(guò)程，需要一個(gè)由一系列的設(shè)備組成的晶片傳輸系統(tǒng)來(lái)完成。晶片傳輸系統(tǒng)包括大氣傳輸單元(Equipment Frond-End Module,以下簡(jiǎn)稱EFEM)和與大氣傳輸單元連接的傳輸腔室(Transport Chamber),大氣傳輸單元將晶片從晶片盒中取出并傳輸至傳輸腔室中，傳輸腔室將晶片傳輸至工藝腔室中，并由工藝腔室對(duì)晶片進(jìn)行工藝處理；而后傳輸腔室將工藝處理后的晶片回傳至大氣傳輸單元，并由大氣傳輸單元將工藝處理后的晶片傳回晶片盒中。大氣傳輸單元中存在多種機(jī)械結(jié)構(gòu)，例如機(jī)械手、定位器等，機(jī)械手用于傳輸晶片。晶片在大氣傳輸單元傳輸過(guò)程中，大氣傳輸單元中的機(jī)械結(jié)構(gòu)在進(jìn)行機(jī)械運(yùn)動(dòng)時(shí)會(huì)產(chǎn)生微小的顆粒，這些顆粒會(huì)附著到晶片表面；在工藝腔室對(duì)晶片進(jìn)行處理過(guò)程中也會(huì)有產(chǎn)生顆粒，這些顆粒也會(huì)附著到晶片上。這些附著到晶片表面的顆粒會(huì)污染晶片，從而增大晶片產(chǎn)生缺陷的可能性。為解決上述晶片表面附著的顆粒污染晶片的問(wèn)題，可在大氣傳輸單元的頂部設(shè)置過(guò)濾器(Fan Filter Unit)，該過(guò)濾器可確保大氣傳輸單元這個(gè)微環(huán)境不受外界的污染以及該大氣傳輸單元中的顆粒能被迅速有效地排到大氣傳輸單元外。具體地，過(guò)濾器將大氣傳輸單元外的顆粒過(guò)濾掉，并向下方吹出均勻的氣體，該氣體最終從大氣傳輸單元的底部流出，從而在大氣傳輸單元內(nèi)部形成一個(gè)自上而下的氣流并在大氣傳輸單元 中產(chǎn)生稍大于大氣壓的正壓。過(guò)濾器產(chǎn)生的自上而下的氣體可對(duì)晶片進(jìn)行吹掃，以去除晶片表面附著的顆粒。但是，由于在大氣傳輸單元中晶片被水平傳輸，因此大氣傳輸單元中的顆粒會(huì)隨自上而下的氣體沉積到晶片的表面；并且由于晶片被水平傳輸，因此氣體在到達(dá)晶片表面后必然產(chǎn)生發(fā)散，發(fā)散的氣體使晶片上中心區(qū)域的顆粒難以被從晶片上吹走，并且中心區(qū)域上氣體產(chǎn)生反射的現(xiàn)象使顆粒更加難以被從晶片上吹走。這將不利于氣體對(duì)晶片的吹掃，使晶片表面附著的顆粒難以被完全去除。綜上所述，晶片被水平傳輸會(huì)降低去除晶片表面顆粒的效果。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種機(jī)械手、大氣傳輸單元和晶片傳輸方法，用以提高去除晶片表面顆粒的效果。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種I、一種機(jī)械手，包括機(jī)械手臂、驅(qū)動(dòng)裝置、終端受動(dòng)器和旋轉(zhuǎn)電機(jī)；
所述終端受動(dòng)器和所述驅(qū)動(dòng)裝置分別連接于所述機(jī)械手臂，所述終端受動(dòng)器用于承載晶片，所述驅(qū)動(dòng)裝置用于驅(qū)動(dòng)所述機(jī)械手臂進(jìn)行伸縮運(yùn)動(dòng)以實(shí)現(xiàn)對(duì)晶片進(jìn)行傳輸；所述旋轉(zhuǎn)電機(jī)連接于所述終端受動(dòng)器，所述旋轉(zhuǎn)電機(jī)用于驅(qū)動(dòng)所述終端受動(dòng)器旋轉(zhuǎn)以帶動(dòng)所承載的晶片旋轉(zhuǎn)進(jìn)而使所述晶片的表面與水平面呈預(yù)設(shè)吹掃角度。進(jìn)ー步地，機(jī)械手還包括連軸器，用于使所述旋轉(zhuǎn)電機(jī)和所述終端受動(dòng)器連接，并在所述旋轉(zhuǎn)電機(jī)的驅(qū)動(dòng)下帶動(dòng)所述終端受動(dòng)器旋轉(zhuǎn)。進(jìn)ー步地，所述終端受動(dòng)器通過(guò)吸附所述晶片或者夾持所述晶片的方式以實(shí)現(xiàn)對(duì)所述晶片的承載。進(jìn)ー步地，所述預(yù)設(shè)吹掃角度為90度。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種機(jī)械手，包括機(jī)械手臂、用于驅(qū)動(dòng)所述機(jī)械手 臂的驅(qū)動(dòng)裝置和設(shè)置于所述機(jī)械手臂上的晶片承載裝置，所述晶片承載裝置用于承載晶片;所述驅(qū)動(dòng)裝置用于驅(qū)動(dòng)所述機(jī)械手臂旋轉(zhuǎn)以帶動(dòng)所承載的晶片旋轉(zhuǎn)進(jìn)而使所述晶片的表面與水平面呈預(yù)設(shè)吹掃角度，并驅(qū)動(dòng)所述機(jī)械手臂進(jìn)行伸縮運(yùn)動(dòng)以對(duì)晶片進(jìn)行傳輸。進(jìn)ー步地，所述晶片承載裝置通過(guò)吸附所述晶片或者夾持所述晶片的方式以實(shí)現(xiàn)對(duì)所述晶片的承載。進(jìn)ー步地，所述預(yù)設(shè)吹掃角度為90度。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種大氣傳輸單元，包括腔體、過(guò)濾器和上述機(jī)械手，所述過(guò)濾器設(shè)置于所述腔體的頂部，所述機(jī)械手設(shè)置于腔體的內(nèi)部；所述過(guò)濾器用于向所述腔體內(nèi)部提供用于對(duì)所述晶片進(jìn)行吹掃的氣體。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種大氣傳輸單元，包括腔體、過(guò)濾器和上述機(jī)械手，所述過(guò)濾器設(shè)置于所述腔體的頂部，所述機(jī)械手設(shè)置于腔體的內(nèi)部；所述過(guò)濾器用于向所述腔體內(nèi)部提供用于對(duì)所述晶片進(jìn)行吹掃的氣體。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了ー種應(yīng)用于上述大氣傳輸單元的晶片傳輸方法，包括所述機(jī)械手將所述晶片水平傳輸至所述腔體內(nèi)；所述機(jī)械手將所述晶片進(jìn)行旋轉(zhuǎn)使所述晶片的表面與水平面呈預(yù)設(shè)吹掃角度；所述過(guò)濾器向所述腔體內(nèi)部提供氣體，對(duì)所述晶片進(jìn)行吹掃。本發(fā)明具有以下有益效果本發(fā)明提供的機(jī)械手、大氣傳輸單元和晶片傳輸方法中，機(jī)械手對(duì)晶片進(jìn)行旋轉(zhuǎn)使晶片的表面與水平面呈預(yù)設(shè)吹掃角度，并對(duì)晶片進(jìn)行傳輸。當(dāng)將機(jī)械手應(yīng)用于大氣傳輸単元中時(shí)，機(jī)械手在傳輸晶片的過(guò)程中晶片的表面與水平面呈預(yù)設(shè)吹掃角度，無(wú)需將晶片水平傳輸，極大的減少了隨氣體沉積到晶片表面的顆粒以及使晶片表面附著的顆粒更加有效的被去除，從而提高了去除晶片表面顆粒的效果。


圖I為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種機(jī)械手的側(cè)視圖；圖2為圖I中機(jī)械手的俯視圖3為實(shí)施例一中機(jī)械手的工作效果圖之一；圖4為實(shí)施例一中機(jī)械手的工作效果圖之二 ；圖5為本發(fā)明實(shí)施例三提供的一種大氣傳輸單元的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為本發(fā)明中一種晶片傳輸系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)不意圖；圖7為本發(fā)明實(shí)施例四提供的一種晶片傳輸方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明提供的機(jī)械手、大氣傳輸單元和晶片傳輸方法進(jìn)行詳細(xì)描述。圖I為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種機(jī)械手的側(cè)視圖，圖2為圖I中機(jī)械手的俯視 圖，如圖I和圖2所示，該機(jī)械手包括機(jī)械手臂11、驅(qū)動(dòng)裝置(圖I和圖2中未示意出)、終端受動(dòng)器12和旋轉(zhuǎn)電機(jī)14，終端受動(dòng)器12和驅(qū)動(dòng)裝置分別連接于機(jī)械手臂11，終端受動(dòng)器12用于承載晶片，驅(qū)動(dòng)裝置用于驅(qū)動(dòng)機(jī)械手臂11進(jìn)行伸縮運(yùn)動(dòng)以對(duì)晶片15進(jìn)行傳輸。旋轉(zhuǎn)電機(jī)14連接于終端受動(dòng)器12，旋轉(zhuǎn)電機(jī)14用于驅(qū)動(dòng)終端受動(dòng)器12旋轉(zhuǎn)以帶動(dòng)所承載的晶片旋轉(zhuǎn)，進(jìn)而使晶片的表面與水平面呈預(yù)設(shè)吹掃角度。本實(shí)施例中，旋轉(zhuǎn)電機(jī)14可向終端受動(dòng)器12輸出動(dòng)力，以驅(qū)動(dòng)終端受動(dòng)器12旋轉(zhuǎn)。優(yōu)選地，旋轉(zhuǎn)電機(jī)14設(shè)置于機(jī)械手臂11上。優(yōu)選地，終端受動(dòng)器12通過(guò)連接于旋轉(zhuǎn)電機(jī)14以實(shí)現(xiàn)連接于機(jī)械手臂11。進(jìn)一步地，該機(jī)械手還可以包括連軸器13。連軸器13用于使旋轉(zhuǎn)電機(jī)14和終端受動(dòng)器12連接，并在旋轉(zhuǎn)電機(jī)14的驅(qū)動(dòng)下帶動(dòng)終端受動(dòng)器12旋轉(zhuǎn)。具體地，連軸器13可在旋轉(zhuǎn)電機(jī)14輸出的動(dòng)力的驅(qū)動(dòng)下帶動(dòng)終端受動(dòng)器12旋轉(zhuǎn)。換言之，旋轉(zhuǎn)電機(jī)14可通過(guò)連軸器13和終端受動(dòng)器12連接；旋轉(zhuǎn)電機(jī)14可通過(guò)連軸器13向終端受動(dòng)器12輸出動(dòng)力，以驅(qū)動(dòng)終端受動(dòng)器12旋轉(zhuǎn)。具體地，旋轉(zhuǎn)電機(jī)14向連軸器13輸出動(dòng)力，再由連軸器13帶動(dòng)終端受動(dòng)器12旋轉(zhuǎn)。本實(shí)施例中，終端受動(dòng)器12可通過(guò)吸附晶片的方式以實(shí)現(xiàn)對(duì)晶片15的承載?；蛘撸K端受動(dòng)器12可通過(guò)夾持晶片15的方式以實(shí)現(xiàn)對(duì)晶片的承載。此種情況不再具體畫(huà)出。本實(shí)施例中，預(yù)設(shè)吹掃角度可以包括45度至135度。優(yōu)選地，預(yù)設(shè)吹掃角度為90度，即晶片的表面和水平面垂直。此時(shí)，晶片的表面平行于氣體流動(dòng)的方向，避免了氣體中的顆粒沉積到晶片表面，并且使晶片表面附著的顆粒最大限度的被去除。圖3為本實(shí)施例中機(jī)械手的工作效果圖之一，圖4為本實(shí)施例中機(jī)械手的工作效果圖之二。如圖3所示，終端受動(dòng)器12上承載有晶片15，晶片15的表面與水平面平行。再如圖4所示，旋轉(zhuǎn)電機(jī)14通過(guò)連軸器13驅(qū)動(dòng)終端受動(dòng)器12旋轉(zhuǎn)以帶動(dòng)所承載的晶片15旋轉(zhuǎn)，進(jìn)而使晶片15的表面與水平面呈預(yù)設(shè)吹掃角度，圖4中的預(yù)設(shè)吹掃角度為90度，即使晶片15的表面與水平面垂直。綜上所述，本實(shí)施例中的機(jī)械手可將晶片15從圖3中表面與水平面平行的狀態(tài)旋轉(zhuǎn)為圖4中表面與水平面呈預(yù)設(shè)吹掃角度的狀態(tài)，并以表面與水平面呈預(yù)設(shè)吹掃角度的狀態(tài)傳輸晶片15。本實(shí)施例提供的機(jī)械手包括機(jī)械手臂、驅(qū)動(dòng)裝置、終端受動(dòng)器和旋轉(zhuǎn)電機(jī)，終端受動(dòng)器和驅(qū)動(dòng)裝置分別連接于機(jī)械手臂，終端受動(dòng)器用于承載晶片，驅(qū)動(dòng)裝置用于驅(qū)動(dòng)機(jī)械手臂進(jìn)行伸縮運(yùn)動(dòng)以實(shí)現(xiàn)對(duì)晶片進(jìn)行傳輸；旋轉(zhuǎn)電機(jī)連接于終端受動(dòng)器，旋轉(zhuǎn)電機(jī)用于驅(qū)動(dòng)終端受動(dòng)器旋轉(zhuǎn)以帶動(dòng)所承載的晶片旋轉(zhuǎn)進(jìn)而使晶片的表面與水平面呈預(yù)設(shè)吹掃角度。當(dāng)將本實(shí)施例中的機(jī)械手應(yīng)用于大氣傳輸單元中時(shí)，機(jī)械手在傳輸晶片的過(guò)程中晶片的表面與水平面呈預(yù)設(shè)吹掃角度，無(wú)需將晶片水平傳輸，極大的減少了隨氣體沉積到晶片表面的顆粒以及使晶片表面附著的顆粒更加有效的被去除，從而提高了去除晶片表面顆粒的效果。進(jìn)ー步地，當(dāng)預(yù)設(shè)吹掃角度為90度時(shí)，晶片的表面平行于氣體流動(dòng)的方向，避免了氣體中的顆粒沉積到晶片表面并且使晶片表面附著的顆粒最大限度的被去除，從而使去除晶片表面顆粒的效果達(dá)到最佳。本發(fā)明實(shí)施例ニ提供了一種機(jī)械手，該機(jī)械手包括機(jī)械手臂、用于驅(qū)動(dòng)機(jī)械手臂的驅(qū)動(dòng)裝置和設(shè)置于機(jī)械手臂上的晶片承載裝置，晶片承載裝置用于承載晶片。驅(qū)動(dòng)裝置用于驅(qū)動(dòng)機(jī)械手臂旋轉(zhuǎn)以帶動(dòng)所承載的晶片旋轉(zhuǎn)進(jìn)而使晶片的表面與水平面呈預(yù)設(shè)吹掃角度，并驅(qū)動(dòng)機(jī)械手臂進(jìn)行伸縮運(yùn)動(dòng)以對(duì)晶片進(jìn)行傳輸。本實(shí)施例中，晶片承載裝置通過(guò)吸附晶片的方式以實(shí)現(xiàn)對(duì)晶片的承載。或者，晶片承載裝置還可以通過(guò)夾持晶片的方式以實(shí)現(xiàn)對(duì)晶片的承載。
本實(shí)施例與上述實(shí)施例一的區(qū)別在于本實(shí)施例是通過(guò)驅(qū)動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)整個(gè)機(jī)械手臂旋轉(zhuǎn)以帶動(dòng)晶片旋轉(zhuǎn)。本實(shí)施例中，預(yù)設(shè)吹掃角度可以包括45度至135度。優(yōu)選地，預(yù)設(shè)吹掃角度為90度，即晶片的表面和水平面垂直。本實(shí)施例提供的機(jī)械手包括機(jī)械手臂、用于驅(qū)動(dòng)機(jī)械手臂的驅(qū)動(dòng)裝置和設(shè)置于機(jī)械手臂上的晶片承載裝置，晶片承載裝置用于承載晶片，驅(qū)動(dòng)裝置用于驅(qū)動(dòng)機(jī)械手臂旋轉(zhuǎn)以帶動(dòng)所承載的晶片旋轉(zhuǎn)進(jìn)而使晶片的表面與水平面呈預(yù)設(shè)吹掃角度，并驅(qū)動(dòng)機(jī)械手臂進(jìn)行伸縮運(yùn)動(dòng)以對(duì)晶片進(jìn)行傳輸。當(dāng)將本實(shí)施例中的機(jī)械手應(yīng)用于大氣傳輸單元中時(shí)，機(jī)械手在傳輸晶片的過(guò)程中晶片的表面與水平面呈預(yù)設(shè)吹掃角度，無(wú)需將晶片水平傳輸，極大的減少了隨氣體沉積到晶片表面的顆粒以及使晶片表面附著的顆粒更加有效的被去除，從而提高了去除晶片表面顆粒的效果。進(jìn)ー步地，當(dāng)預(yù)設(shè)吹掃角度為90度吋，晶片的表面平行于氣體流動(dòng)的方向，避免了氣體中的顆粒沉積到晶片表面并且使晶片表面附著的顆粒最大限度的被去除，從而使去除晶片表面顆粒的效果達(dá)到最佳。圖5為本發(fā)明實(shí)施例三提供的一種大氣傳輸單元的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖5所示，該大氣傳輸単元包括腔體21、過(guò)濾器22和機(jī)械手23，過(guò)濾器22設(shè)置于腔體21的頂部，機(jī)械手23設(shè)置于腔體的內(nèi)部，過(guò)濾器22用于向腔體21內(nèi)部提供用于對(duì)晶片15進(jìn)行吹掃的氣體。本實(shí)施例中的機(jī)械手可采用上述實(shí)施例一至或?qū)嵤├怂龅臋C(jī)械手，具體結(jié)構(gòu)此處不再贅述。進(jìn)ー步地，該機(jī)械手23還包括底座16，機(jī)械手臂設(shè)置于該底座16上，底座16用干支撐機(jī)械手臂。進(jìn)ー步地，該大氣傳輸單元還可以包括緩存器24。緩存器24用于放置機(jī)械手23從晶片盒中獲取的晶片15。進(jìn)ー步地，該大氣傳輸單元還可以包括導(dǎo)軌25，導(dǎo)軌25可用于帶動(dòng)機(jī)械手整體運(yùn)動(dòng)。具體地，底座16設(shè)置于導(dǎo)軌25上并在驅(qū)動(dòng)裝置的驅(qū)動(dòng)下沿導(dǎo)軌25運(yùn)動(dòng)，以實(shí)現(xiàn)機(jī)械手的整體運(yùn)動(dòng)。進(jìn)ー步地，該大氣傳輸單元還可以包括晶片位置校準(zhǔn)器26。該晶片位置校準(zhǔn)器26用于對(duì)晶片15在機(jī)械手23上的位置進(jìn)行校準(zhǔn)。進(jìn)一步地，該大氣傳輸單元還可以包括槽閥(Slot Value) 27。槽閥27用于連接大氣傳輸單元和負(fù)載鎖閉器。當(dāng)槽閥27打開(kāi)后，機(jī)械手23伸入到負(fù)載鎖閉器中，并將機(jī)械手23上的晶片15放置到負(fù)載鎖閉器中。下面結(jié)合圖6對(duì)本實(shí)施例的技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)描述。圖6為本發(fā)明中一種晶片傳輸系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖，結(jié)合圖5和如圖6所示，該晶片傳輸系統(tǒng)包括依次連接的前端開(kāi)啟裝置(FOUP) I、大氣傳輸單元2、負(fù)載鎖閉器(Load Lock) 3、傳輸腔室4和反應(yīng)腔室5。其中，大氣傳輸單元2的具體結(jié)構(gòu)可如圖4所示。前端開(kāi)啟裝置I開(kāi)啟晶片盒的門，大氣傳輸單元2中的機(jī)械手23從晶片盒中取出晶片15并將該晶片15傳輸至大氣傳輸單元2內(nèi)，對(duì)晶片15進(jìn)行旋轉(zhuǎn)使晶片15的表面與水平面呈90度，即晶片15的表面與水平面垂直。過(guò)濾器2向大氣傳輸腔室2的腔體21提供氣體，該氣體自上而下流動(dòng)。機(jī)械手23將表面與水平面垂直的晶片15傳輸至晶片位置校準(zhǔn)器26，在傳輸過(guò)程中過(guò)濾器2提供的氣體可對(duì)晶片15的表面進(jìn)行吹掃，此時(shí)由于晶片15的表面平行于氣體流動(dòng)的方向，從而避免了氣體中的顆粒沉積到晶片表面，并且使晶片表面附著的顆粒最大限度的被去除。機(jī)械手23對(duì)晶片15進(jìn) 行旋轉(zhuǎn)使晶片15的表面與水平面平行(例如可參見(jiàn)圖3中所示的情況)。晶片位置校準(zhǔn)器26對(duì)晶片15在機(jī)械手23上的位置進(jìn)行校準(zhǔn)。機(jī)械手23對(duì)晶片15進(jìn)行旋轉(zhuǎn)使晶片15的表面與水平面垂直，將表面與水平面垂直的晶片15傳輸至負(fù)載鎖閉器3與大氣傳輸單元2之間的槽閥27，對(duì)晶片15進(jìn)行旋轉(zhuǎn)使晶片15的表面與水平面平行。待槽閥27打開(kāi)后，機(jī)械手23伸入到負(fù)載鎖閉器3中并將晶片15放置于負(fù)載鎖閉器3內(nèi)，而后待機(jī)械手23縮回后槽閥27關(guān)閉。傳輸腔室4中的真空機(jī)械手將晶片15從負(fù)載鎖閉器3中取出，并傳輸至反應(yīng)腔室5中。反應(yīng)腔室5對(duì)晶片15進(jìn)行工藝處理。完成工藝處理后，傳輸腔室4中的真空機(jī)械手將晶片15從反應(yīng)腔室5中取出，并將晶片15放入負(fù)載鎖閉器3中。并由大氣傳輸單元2中的機(jī)械手23將晶片15回傳至晶片盒中。其中，機(jī)械手23將晶片15回傳至晶片盒的過(guò)程中，在對(duì)晶片15進(jìn)行傳輸時(shí)仍然需要對(duì)晶片15進(jìn)行旋轉(zhuǎn)使晶片15的表面與水平面垂直，以便于過(guò)濾器2提供的氣體可對(duì)晶片15的表面進(jìn)行吹掃，從而避免了氣體中的顆粒沉積到晶片15表面，并且使晶片15表面附著的顆粒最大限度的被去除。進(jìn)一步地，本實(shí)施例中，大氣傳輸單元2中的機(jī)械手23從晶片盒中取出晶片15并將該晶片15傳輸至大氣傳輸單元2內(nèi)之后，還可以先將晶片15放置入緩存器24中。待需要將晶片15傳輸至傳輸腔室4中時(shí)，再將晶片15從緩存器24中取出，并采用本實(shí)施例提供的技術(shù)方案對(duì)晶片15進(jìn)行傳輸。進(jìn)一步地，在大氣傳輸單元2中的機(jī)械手將晶片15回傳至晶片盒的過(guò)程中，大氣傳輸單兀2中的機(jī)械手23將晶片15從負(fù)載鎖閉器3中取出后,可先將晶片15放置入緩存器24中，待需要將晶片15回傳至晶片盒中時(shí)，再采用本實(shí)施例提供的技術(shù)方案對(duì)晶片15進(jìn)行傳輸。本實(shí)施例提供的大氣傳輸單元包括腔體、過(guò)濾器和機(jī)械手，過(guò)濾器設(shè)置于腔體的頂部，機(jī)械手設(shè)置于腔體的內(nèi)部，過(guò)濾器用于向腔體內(nèi)部提供用于對(duì)晶片進(jìn)行吹掃的氣體。機(jī)械手在傳輸晶片的過(guò)程中晶片的表面與水平面呈預(yù)設(shè)吹掃角度，無(wú)需將晶片水平傳輸，極大的減少了隨氣體沉積到晶片表面的顆粒以及使晶片表面附著的顆粒更加有效的被去除，從而提高了去除晶片表面顆粒的效果。圖7為本發(fā)明實(shí)施例四提供的一種晶片傳輸方法的流程圖，如圖7所示，該方法應(yīng)用于大氣傳輸單元，該大氣傳輸單元可采用上述實(shí)施例三中的大氣傳輸單元，此處不再贅述。則該方法包括步驟101、機(jī)械手將晶片水平傳輸至腔體內(nèi)。步驟102、機(jī)械手將晶片進(jìn)行旋轉(zhuǎn)使晶片的表面與水平面呈預(yù)設(shè)吹掃角度。本實(shí)施例中，預(yù)設(shè)吹掃角度可以包括45度至135度。優(yōu)選地，該預(yù)設(shè)吹掃角度為90度。步驟103、過(guò)濾器向腔體內(nèi)部提供氣體，對(duì)晶片進(jìn)行吹掃。本實(shí)施例中，可在機(jī)械手在腔體內(nèi)對(duì)晶片進(jìn)行傳輸?shù)倪^(guò)程中執(zhí)行步驟103。進(jìn)ー步地，該方法還可以包括
步驟104、機(jī)械手對(duì)晶片進(jìn)行旋轉(zhuǎn)使晶片的表面與水平面平行。本實(shí)施例中，當(dāng)執(zhí)行對(duì)晶片在機(jī)械手上的位置進(jìn)行校準(zhǔn)以及將晶片放置于負(fù)載鎖閉器等操作之前，需要執(zhí)行步驟104。本實(shí)施例提供的晶片傳輸方法包括機(jī)械手將晶片水平傳輸至腔體內(nèi)，機(jī)械手將晶片進(jìn)行旋轉(zhuǎn)使晶片的表面與水平面呈預(yù)設(shè)吹掃角度，過(guò)濾器向腔體內(nèi)部提供氣體，對(duì)晶片進(jìn)行吹掃。機(jī)械手在傳輸晶片的過(guò)程中晶片的表面與水平面呈預(yù)設(shè)吹掃角度，無(wú)需將晶片水平傳輸，極大的減少了隨氣體沉積到晶片表面的顆粒以及使晶片表面附著的顆粒更加有效的被去除，從而提高了去除晶片表面顆粒的效果。可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說(shuō)明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種機(jī)械手，其特征在于，包括機(jī)械手臂、驅(qū)動(dòng)裝置、終端受動(dòng)器和旋轉(zhuǎn)電機(jī)； 所述終端受動(dòng)器和所述驅(qū)動(dòng)裝置分別連接于所述機(jī)械手臂，所述終端受動(dòng)器用于承載晶片，所述驅(qū)動(dòng)裝置用于驅(qū)動(dòng)所述機(jī)械手臂進(jìn)行伸縮運(yùn)動(dòng)以實(shí)現(xiàn)對(duì)晶片進(jìn)行傳輸； 所述旋轉(zhuǎn)電機(jī)連接于所述終端受動(dòng)器，所述旋轉(zhuǎn)電機(jī)用于驅(qū)動(dòng)所述終端受動(dòng)器旋轉(zhuǎn)以帶動(dòng)所承載的晶片旋轉(zhuǎn)進(jìn)而使所述晶片的表面與水平面呈預(yù)設(shè)吹掃角度。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的機(jī)械手，其特征在于，還包括 連軸器，用于使所述旋轉(zhuǎn)電機(jī)和所述終端受動(dòng)器連接，并在所述旋轉(zhuǎn)電機(jī)的驅(qū)動(dòng)下帶動(dòng)所述終端受動(dòng)器旋轉(zhuǎn)。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的機(jī)械手，其特征在于，所述終端受動(dòng)器通過(guò)吸附所述晶片或者夾持所述晶片的方式以實(shí)現(xiàn)對(duì)所述晶片的承載。
4.根據(jù)權(quán)利要求I至3任一所述的機(jī)械手，其特征在于，所述預(yù)設(shè)吹掃角度為90度。
5.一種機(jī)械手，其特征在于，包括機(jī)械手臂、用于驅(qū)動(dòng)所述機(jī)械手臂的驅(qū)動(dòng)裝置和設(shè)置于所述機(jī)械手臂上的晶片承載裝置； 所述晶片承載裝置用于承載晶片； 所述驅(qū)動(dòng)裝置用于驅(qū)動(dòng)所述機(jī)械手臂旋轉(zhuǎn)以帶動(dòng)所承載的晶片旋轉(zhuǎn)進(jìn)而使所述晶片的表面與水平面呈預(yù)設(shè)吹掃角度，并驅(qū)動(dòng)所述機(jī)械手臂進(jìn)行伸縮運(yùn)動(dòng)以對(duì)晶片進(jìn)行傳輸。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的機(jī)械手，其特征在于，所述晶片承載裝置通過(guò)吸附所述晶片或者夾持所述晶片的方式以實(shí)現(xiàn)對(duì)所述晶片的承載。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的機(jī)械手，其特征在于，所述預(yù)設(shè)吹掃角度為90度。
8.一種大氣傳輸單元，其特征在于，包括腔體、過(guò)濾器和如上述權(quán)利要求I至4任一所述的機(jī)械手，所述過(guò)濾器設(shè)置于所述腔體的頂部，所述機(jī)械手設(shè)置于腔體的內(nèi)部； 所述過(guò)濾器用于向所述腔體內(nèi)部提供用于對(duì)所述晶片進(jìn)行吹掃的氣體。
9.一種大氣傳輸單兀，其特征在于，包括腔體、過(guò)濾器和如上述權(quán)利要求5至7任一所述的機(jī)械手，所述過(guò)濾器設(shè)置于所述腔體的頂部，所述機(jī)械手設(shè)置于腔體的內(nèi)部； 所述過(guò)濾器用于向所述腔體內(nèi)部提供用于對(duì)所述晶片進(jìn)行吹掃的氣體。
10.一種應(yīng)用于權(quán)利要求8或9所述的大氣傳輸單兀的晶片傳輸方法,其特征在于,包括 所述機(jī)械手將所述晶片水平傳輸至所述腔體內(nèi)； 所述機(jī)械手將所述晶片進(jìn)行旋轉(zhuǎn)使所述晶片的表面與水平面呈預(yù)設(shè)吹掃角度； 所述過(guò)濾器向所述腔體內(nèi)部提供氣體，對(duì)所述晶片進(jìn)行吹掃。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種機(jī)械手、大氣傳輸單元和晶片傳輸方法。該機(jī)械手包括機(jī)械手臂、驅(qū)動(dòng)裝置、終端受動(dòng)器和旋轉(zhuǎn)電機(jī)；終端受動(dòng)器和驅(qū)動(dòng)裝置分別連接于機(jī)械手臂，終端受動(dòng)器用于承載晶片，驅(qū)動(dòng)裝置用于驅(qū)動(dòng)機(jī)械手臂進(jìn)行伸縮運(yùn)動(dòng)以實(shí)現(xiàn)對(duì)晶片進(jìn)行傳輸；旋轉(zhuǎn)電機(jī)連接于所述終端受動(dòng)器，旋轉(zhuǎn)電機(jī)用于驅(qū)動(dòng)終端受動(dòng)器旋轉(zhuǎn)以帶動(dòng)所承載的晶片旋轉(zhuǎn)進(jìn)而使晶片的表面與水平面呈預(yù)設(shè)吹掃角度。本發(fā)明中當(dāng)將機(jī)械手應(yīng)用于大氣傳輸單元中時(shí)，機(jī)械手在傳輸晶片的過(guò)程中晶片的表面與水平面呈預(yù)設(shè)吹掃角度，極大的減少了隨氣體沉積到晶片表面的顆粒以及使晶片表面附著的顆粒更加有效的被去除，從而提高了去除晶片表面顆粒的效果。
文檔編號(hào)H01L21/683GK102768977SQ201110116788
公開(kāi)日2012年11月7日 申請(qǐng)日期2011年5月6日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月6日
發(fā)明者魏曉 申請(qǐng)人:北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司