專利名稱：發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
目前發(fā)光二極管(Light Emitting Diode, LED)封裝結(jié)構(gòu)通常包括一個(gè)反射杯結(jié)構(gòu)，所述反射杯常設(shè)于基板的上方，發(fā)光二極管放置于反射杯中。這種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)中基板與反射杯之間容易形成縫隙，水汽和灰塵容易沿該縫隙進(jìn)入封裝后的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)中，從而影響該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的壽命，甚至造成發(fā)光二極管的失效。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，有必要提供一種能夠防止水氣進(jìn)入的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。—種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其包括基板、電極、反射杯、發(fā)光二極管芯片和封裝層，所述基板包括第一表面、相對的第二表面，所述電極至少為兩個(gè)，所述電極形成在所述基板上，所述發(fā)光二極管芯片與所述電極電性連接，所述反射杯位于所述基板的第一表面，每一電極設(shè)有凹槽，所述封裝層覆蓋所述發(fā)光二極管芯片，并填滿所述電極的凹槽。上述發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)中，由于封裝層向下延伸填滿電極的凹槽，有利于提高封裝層與電極之間的密合度，以及增加外界的水汽進(jìn)入該發(fā)光二極管芯片的路徑距離，有效的保護(hù)發(fā)光二極管芯片免受水氣等影響。


圖I是本發(fā)明第一實(shí)施方式提供的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)剖視圖。圖2是本圖I中發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖3是本發(fā)明第二實(shí)施方式提供的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)剖視圖。圖4是本發(fā)明第三實(shí)施方式提供的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)剖視圖。主要元件符號說明
發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu) 1100、200
基板_10、IOa_
第一表面_H_
蛋"二表面
_電極20、20a、20b 一
頂面_21_
~~凹槽22、22a、22b 一
電連接端23
發(fā)光二極管芯片30.30a
金屬導(dǎo)線_31_
反射杯_40、40a_
封裝層_50、50a、50b
如下具體實(shí)施方式
將結(jié)合上述附圖進(jìn)一步說明本發(fā)明。
具體實(shí)施例方式以下將結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。請參閱圖I及圖2，本發(fā)明的第一實(shí)施方式提供一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100，其包括基板10、電極20、發(fā)光二極管芯片30、反射杯40和封裝層50。
該基板10呈板體狀設(shè)置，具有上下相對的第一表面11及第二表面12。所述基板10為絕緣體，可選自聚甲基丙烯酸甲酯、石墨、硅、陶瓷、類鉆、環(huán)氧樹脂或硅烷氧樹脂等。電極20至少為兩個(gè)，均形成在所述基板10上，并且電極20相互之間電絕緣。所述電極20所用的材料為導(dǎo)電性能較好的金屬材料，如金、銀、銅、鉬、鋁、鎳、錫或鎂中的一種或幾種的合金。每一電極20呈矩形體設(shè)置。每一電極20的頂面21與基板10的第一表面11平齊,其底面嵌入在基板10內(nèi)部。每一電極20的背向另一電極20的一端向外延伸超出基板10的側(cè)面，以形成連接外部電源的電連接端23。每一電極20在頂面21上設(shè)有凹槽22。該凹槽22呈條狀設(shè)置，二電極20的凹槽22共同圍繞所述發(fā)光二極管芯片30。在本實(shí)施例中，二電極20的凹槽22組合大致圍成橢圓環(huán)形。可以理解地，二電極20的凹槽22可以組合圍成圓環(huán)形或者矩形。發(fā)光二極管芯片30貼設(shè)于基板10的第一表面11上。更具體的,發(fā)光二極管芯片30貼設(shè)于一電極20的頂面21上。所述發(fā)光二極管芯片30通過金屬導(dǎo)線31與所述電極20電性連接?？梢岳斫獾模摪l(fā)光二極管芯片30也可以采用覆晶的方式固定于電極20上并與電極20電連接。所述反射杯40環(huán)繞所述發(fā)光二極管芯片30并設(shè)置在基板10的第一表面11上。該反射杯40的內(nèi)壁底緣置于所述二電極20的凹槽22的外側(cè)或者與凹槽22的外緣平齊。在本實(shí)施中，該反射杯40的內(nèi)壁底緣與凹槽22的外緣平齊，并覆蓋二電極20頂面的凹槽22外側(cè)部分。封裝層50形成于所述基板10上的反射杯40內(nèi)，覆蓋所述發(fā)光二極管芯片30和金屬導(dǎo)線31。所述封裝層50的材質(zhì)可以為娃膠(silicone)、環(huán)氧樹脂(epoxy resin)或二者的組合物。所述封裝層50還可以包含熒光轉(zhuǎn)換材料，該螢光轉(zhuǎn)換材料可以為石榴石基熒光粉、硅酸鹽基熒光粉、原硅酸鹽基熒光粉、硫化物基熒光粉、硫代鎵酸鹽基熒光粉和氮化物基熒光粉。該封裝層50填滿二電極20頂面的凹槽22。由于二電極20的凹槽22圍繞發(fā)光二極管芯片30，封裝層50向下延伸填滿電極20的凹槽22，有利于提高封裝層50與電極20之間的密合度，以及增加外界的水汽進(jìn)入該發(fā)光二極管芯片30的路徑距離，有效的保護(hù)發(fā)光二極管芯片30免受水氣等影響。請參閱圖3，為本發(fā)明的第二實(shí)施方式提供的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)200。該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)200包括基板10a、電極20a、發(fā)光二極管芯片30a、反射杯40a和封裝層50a。與第一實(shí)施方式的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100不同之處在于，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)200的每一電極20a的凹槽22a并非呈條狀，而是自電極20a中部凹陷至靠近另外一電極20a的一端，即呈弧形切口狀。二電極20a的凹槽22a組合大致圍成橢圓形。由于凹槽22a的作用，每一電極20a設(shè)置封裝層50a的區(qū)域部分的厚度小于該電極20a設(shè)置反射杯40a的區(qū)域部分的厚度。一發(fā)光二極管芯片30a貼設(shè)于一電極20a的凹槽22a的頂面上。該封裝層50a覆蓋所述發(fā)光二極管芯片30a并填滿電極20a的凹槽22a。請參閱圖4，為本發(fā)明的第三實(shí)施方式提供的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)300。與第一實(shí)施方式的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100不同之處在于，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)300的每一電極20b的凹槽22b的底部朝外側(cè)延伸從而使凹槽22b的橫截面呈L型設(shè)置。封裝層50a延伸填滿凹槽22b以及增加外界的水汽進(jìn)入該發(fā)光二極管芯片30的路徑距離?？梢岳斫獾兀疾?2b還可以設(shè)置呈倒T型?？梢岳斫獾氖?，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思做 出其它各種像應(yīng)的改變與變形，而所有這些改變與變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括基板、電極、反射杯、發(fā)光二極管芯片和封裝層，所述基板包括第一表面、相對的第二表面，所述電極至少為兩個(gè)，所述電極形成在所述基板上，所述發(fā)光二極管芯片與所述電極電性連接，其特征在于所述反射杯位于所述基板的第一表面，每一電極設(shè)有凹槽，所述封裝層覆蓋所述發(fā)光二極管芯片，并填滿所述電極的凹槽。
2.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述電極的頂面與所述基板的第一表面平齊，每一電極的凹槽自電極的頂面凹陷設(shè)置。
3.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述電極的凹槽呈條形設(shè)置并圍繞所述發(fā)光二極管芯片。
4.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述電極的凹槽組合圍成橢圓環(huán)形。
5.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述電極的凹槽的外緣與該反射杯的內(nèi)壁底緣對應(yīng)平齊。
6.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述電極設(shè)置封裝層的區(qū)域部分的厚度小于該電極設(shè)置反射杯的區(qū)域部分的厚度。
7.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述電極的凹槽的橫截面呈L型或者倒T型設(shè)置。
8.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述封裝層內(nèi)摻雜有熒光粉。
9.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述熒光粉選自釔鋁石榴石、鋱釔鋁石榴石、氮化物、硫化物及硅酸鹽中的一種或幾種的組合。
10.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述反射杯環(huán)繞所述發(fā)光二極管芯片。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其包括基板、電極、反射杯、發(fā)光二極管芯片和封裝層，所述基板包括第一表面、相對的第二表面，所述電極至少為兩個(gè)，所述電極形成在所述基板上，所述發(fā)光二極管芯片與所述電極電性連接，所述反射杯位于所述基板的第一表面，每一電極設(shè)有凹槽，所述封裝層覆蓋所述發(fā)光二極管芯片，并填滿所述電極的凹槽。由于本發(fā)明發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的封裝層向下延伸填滿電極的凹槽，有利于提高封裝層與電極之間的密合度，以及增加外界的水汽進(jìn)入該發(fā)光二極管芯片的路徑距離，有效的保護(hù)發(fā)光二極管芯片免受水氣等影響。
文檔編號H01L33/62GK102760824SQ20111011069
公開日2012年10月31日 申請日期2011年4月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月29日
發(fā)明者張潔玲, 林新強(qiáng) 申請人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司