專利名稱：膜狀粘接劑的制造方法、粘接片和半導體裝置及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及ー種膜狀粘接劑的制造方法、粘接片和半導體裝置及其制造方法。
背景技術：
將多個半導體元件以多段進行疊層的堆棧封裝型半導體裝置被用于存儲器等用途。在制造半導體裝置時，為了將半導體元件彼此粘接或將半導體元件與半導體元件搭載用支撐部件粘接，使用了半導體用芯片貼膜(die attach film)等膜狀粘接劑(例如，參照專利文獻I)。對于半導體用芯片貼膜，為了使埋線、填充基板凹凸充分進行，要求其受熱時流動性優(yōu)異。因此，提出了一種實現受熱時流動性提高的半導體用芯片貼膜(例如，參照專利文獻2)。 在倒裝芯片、晶圓級CSP等中，為了保護具有突起狀電極的封裝中的突起部分以及對突起之間進行填充，進行了樹脂密封，然而使用一般的固態(tài)環(huán)氧樹脂密封材料難以成型。因此，提出了將含有環(huán)氧樹脂和無機填料的樹脂組合物進行成型的密封片、配合了高分子量丙烯酸聚合物的密封用膜(例如，參照專利文獻3 4)?，F有技術文獻專利文獻專利文獻I :日本特開平9 — 17810號公報專利文獻2 日本特開2009 — 74067號公報專利文獻3 :日本特開平8 - 73621號公報專利文獻4 :日本特開2005-60584號公報

發(fā)明內容
發(fā)明要解決的問題上述的膜狀粘接劑，通過準備將粘接劑組合物溶解或分散在溶劑中的涂布液，將其涂布在基材上，并加熱干燥使溶劑揮發(fā)而制作。但是，上述專利文獻2的膜狀粘接劑，為了賦予其受熱時流動性而配合很多熱固化成分，因此存在有加熱干燥時進行了部分交聯(lián)反應，受熱時流動性受損的問題。上述專利文獻3的膜狀密封用片材，通過對含有熱固性樹脂和填料的組合物進行加壓加工而制作。通過這種方法所得的密封用片材，在半導體封裝、晶片較大時，存在有熱固化后產生翹曲的問題。如果為了抑制這種缺陷而配合了大量的ニ氧化硅等無機填料，則難以進行批量涂布，此外還產生了膜的撓性受損，難以卷繞，無法長尺化為卷等的問題、片材的操作性下降，在使用中容易產生破裂的問題、密封用片材的受熱時流動性受損等問題。另ー方面，在制作上述專利文獻4那樣厚膜化的膜狀粘接劑時，存在有在進行溶劑揮發(fā)的加熱干燥時，殘存揮發(fā)成分增多的問題。另外，如果為了降低殘存揮發(fā)成分而使用了低沸點溶剤，則先進行膜表面的干燥，殘存揮發(fā)成分變得更多。因此，在上述情況下，存在有溶劑揮發(fā)需要很長時間的問題。此外，如果干燥時間變長或干燥溫度高溫化，還存在有加熱干燥時進行部分交聯(lián)反應，受熱時流動性受損的問題。在通過貼合薄膜進行制作的方法中，產生了貼合界面，從而存在有可靠性下降的問題，并且也有制造成本方面的問題。本發(fā)明鑒于上述情況而進行，其目的是提供ー種能夠以所希望的厚度并且在比以往短的時間內制造受熱時流動性優(yōu)異的膜狀粘接劑的膜狀粘接劑制造方法、粘接片和半導體裝置及其制造方法。解決問題的方法為了解決上述問題，本發(fā)明提供ー種膜狀粘接劑的制造方法，其特征在于，在基材上涂布溶劑的含量為5質量％以下且在25°C下為液狀的粘接劑組合物而形成粘接劑組合物層，對該粘接劑組合物層進行光照射而形成膜狀粘接劑，所述粘接劑組合物含有(A)放射線聚合性化合物、(B)光引發(fā)劑和(C)熱固性樹脂。在本發(fā)明中，溶劑是指不具有こ烯性不飽和基團等放射線聚合性基團、肟酯基、α ー氨基苯こ酮、氧化膦等光反應性基團、環(huán)氧基、酚羥基、羧基、氨基、酸酐、異氰酸酷、過氧化物、重氮基、咪唑、烷氧基硅烷等熱反應性基團，分子量為500以下并且在室溫(25°C)下為液狀的有機化合物。作為這種溶劑，例如，可以列舉ニ甲基甲酰胺、甲苯、苯、ニ甲苯、甲こ酮、四氫呋喃、こ基溶纖劑、こ基溶纖劑こ酸酷、ニ噁烷、環(huán)己酮、こ酸こ酷、Y 一丁內酯和N —甲基ー卩比咯燒酮等。根據本發(fā)明的膜狀粘接劑制造方法，能夠以所希望的厚度并且在比以往短的時間內制造受熱時流動性優(yōu)異的膜狀粘接劑。并且，由于所得的膜狀粘接劑的受熱時流動性優(yōu)異，因此可以對被粘接物進行良好的熱壓接。此外，根據本發(fā)明的膜狀粘接劑制造方法，通過使用上述特定的液狀粘接劑組合物，不需要在涂布后進行干燥溶劑的加熱，因此可以減少熱能和揮發(fā)性有機化合物(V0C)，此外還可以充分抑制因熱流動、揮發(fā)成分而產生的針孔。在本發(fā)明的膜狀粘接劑制造方法中，上述(A)成分在25°C下優(yōu)選為液狀。這時，SP使在不含有溶劑的組合物中，也可以降低粘度，能夠成膜，并且，通過配合固態(tài)或高粘度的熱固性樹脂，還可以進ー步提高固化后的粘接性。此外，上述(A)成分，優(yōu)選包含在25°C下為液狀的單官能(甲基)丙烯酸酷。此處，單官能是指在分子內具有I個碳碳雙鍵的情況，并且也可以具有除此以外的官能團。通過含有上述的(甲基)丙烯酸酯，可以進ー步提高在進行光照射后的受熱時流動性。此外，可以充分維持涂布性，同時通過配合固態(tài)或高粘度的熱固性樹脂，還可以進ー步提高粘接性。進ー步，上述單官能(甲基)丙烯酸酯優(yōu)選為具有酰亞胺骨架或羥基的物質。由此，可以大大提高所得的膜狀粘接劑在層壓于被粘接物上時對被粘接物的密合性、固化后的粘接性。在本發(fā)明的膜狀粘接劑制造方法中，上述(B)成分優(yōu)選包含對波長為365nm的光的分子吸光系數為100ml/g · cm以上的光引發(fā)劑。由此，可以降低在通過光照射而進行膜化時的曝光量，從而能夠在更短的時間內得到B階化的膜狀粘接劑。 上述的分子吸光系數，可以通過調制樣品的O. 001質量％こ腈溶液，將該溶液加入到石英盒中，并在室溫(25°C)、空氣中使用分光光度計(日立高新技術株式會社制，“U —3310”(商品名))測定吸光度而求出。此外，對波長為365nm的光的分子吸光系數為100ml/g ·ο 以上的上述光引發(fā)劑，優(yōu)選為在分子內具有肟酯骨架或嗎啉骨架的化合物。通過含有這種光引發(fā)劑，即使在空氣中進行光照射，也可以不進行加熱而在短時間內降低粘力。在本發(fā)明的膜狀粘接劑制造方法中，上述粘接劑組合物可以進一歩含有(D)固化齊 。此外，在本發(fā)明的膜狀粘接劑制造方法中，上述粘接劑組合物可以進ー步含有(E)熱自由基產生劑。由此，可以在熱固化時使光照射后未反應的殘存(A)成分進行聚合反應，因此可以進ー步抑制所得的膜狀粘接劑在熱固化時的發(fā)泡以及在之后的熱過程中的發(fā)泡、剝離。
本發(fā)明還提供ー種粘接片，其特征在于具有切割片和通過上述本發(fā)明方法所得的膜狀粘接劑進行疊層的結構。本發(fā)明的粘接片，其膜狀粘接劑在受熱時的流動性優(yōu)異，而且具有容易制造的優(yōu)點。也就是說，根據本發(fā)明的膜狀粘接劑的制造方法，可以將由熱性能較差的材質，例如聚烯烴、聚氯こ烯、こ烯こ酸こ烯酯(EVA)等柔軟性基材所構成的切割片作為基材。這時，可以很容易地在短時間內制造兼具有切割功能和芯片接合功能的粘接片。本發(fā)明的粘接片，其上述切割片具有基材膜和設置在該基材膜上的放射線固化型粘著劑層，膜狀粘接劑可以具有和放射線固化型粘著劑層疊層的結構。這種粘接片，在拾取切割出的半導體時，可以通過曝光處理而很容易地從基材膜剝離粘接劑層。此外，本發(fā)明的粘接片，其上述切割片可以僅由基材膜構成。這時，可以進一歩降低制造成本。本發(fā)明還提供一種半導體裝置，其具有通過由上述本發(fā)明的方法所得的膜狀粘接劑粘接有半導體元件彼此和/或半導體元件與半導體元件搭載用支撐部件的結構。本發(fā)明的半導體裝置，通過受熱時流動性優(yōu)異的本發(fā)明膜狀粘接劑進行粘接，因此可靠性優(yōu)異。本發(fā)明還提供一種半導體裝置的制造方法，其具有在半導體晶片的一面上，粘貼上述本發(fā)明粘接片的膜狀粘接劑層的エ序；將膜狀粘接劑層和半導體晶片一起切斷，得到帶有粘接劑層的半導體元件的エ序；以及，將帶有粘接劑層的半導體元件與其它半導體元件或半導體元件搭載用支撐部件，夾著帶有粘接劑層的半導體元件的粘接劑層進行壓接，從而粘接的エ序。根據本發(fā)明的半導體裝置制造方法，由于本發(fā)明的粘接片兼具有切割功能和芯片接合功能，并且膜狀粘接劑的受熱時流動性優(yōu)異，因此能夠以高制造效率得到可靠性優(yōu)異的半導體裝置。發(fā)明效果根據本發(fā)明，可以提供ー種能夠以所希望的厚度并且在比以往短的時間內制造受熱時流動性優(yōu)異的膜狀粘接劑的膜狀粘接劑制造方法、粘接片和半導體裝置及其制造方法。


[圖I]是表示本發(fā)明半導體裝置的制造方法的一種實施方式的模式圖。[圖2]是表示本發(fā)明半導體裝置的制造方法的一種實施方式的模式圖。[圖3]是表示本發(fā)明粘接片的ー種實施方式的模式圖。[圖4]是表示本發(fā)明半導體裝置的制造方法的其它實施方式的模式圖。[圖5]是表示本發(fā)明半導體裝置的制造方法的一種實施方式的模式圖。[圖6]是表示本發(fā)明半導體裝置的制造方法的一種實施方式的模式圖。[圖7]是表示本發(fā)明半導體裝置的制造方法的一種實施方式的模式圖。[圖8]是表示本發(fā)明半導體裝置的制造方法的一種實施方式的模式圖。
[圖9]是表示本發(fā)明半導體裝置的制造方法的一種實施方式的模式圖。[圖10]是表示本發(fā)明半導體裝置的制造方法的一種實施方式的模式圖。[圖11]是表示本發(fā)明半導體裝置的制造方法的一種實施方式的模式圖。
具體實施例方式以下，對本發(fā)明的優(yōu)選實施方式進行詳細說明。但本發(fā)明并不限定于以下的實施方式。以下，根據需要參照附圖，對本發(fā)明的實施方式進行詳細說明。但是，本發(fā)明并不限定于以下的實施方式。另外，在附圖中，對相同要素賦予相同符號，并省略重復的說明。此夕卜，上下左右等位置關系只要沒有特別說明，則基于附圖所示的位置關系，并且附圖的尺寸比例并不限于圖示比例。本發(fā)明的膜狀粘接劑制造方法，其特征在于，在基材上涂布溶劑的含量為5質量％以下且在25°C下為液狀的粘接劑組合物而形成粘接劑組合物層，對該粘接劑組合物層進行光照射而形成膜狀粘接劑，所述粘接劑組合物含有(A)放射線聚合性化合物、(B)光引發(fā)劑和(C)熱固性樹脂。圖3是表示本發(fā)明粘接片的ー種實施方式的模式圖。圖3所示的粘接片50，具有在基材6上疊層通過本發(fā)明的膜狀粘接劑制造方法所形成的膜狀粘接劑5的結構。作為制作粘接劑組合物的方法，可以列舉在添加(A)放射線聚合性化合物、(B)光引發(fā)劑、(C)熱固性樹脂以及其它配合成分之后，進行攪拌、脫泡的方法。在本實施方式中，
(A)成分在室溫(25°C)下優(yōu)選為液狀。這時，當(B)光引發(fā)劑、(C)熱固性樹脂以及其它配合成分對(A)成分的溶解性不足時，優(yōu)選ー邊在100°C以下進行加熱ー邊攪拌。通過該手段，可以降低殘存的固體成分。在攪拌粘接劑組合物時，優(yōu)選在遮光或黃色室中進行。此外，在配合咪唑、熱自由基引發(fā)劑等熱固化劑時，優(yōu)選在40°C以下進行攪拌。此外，當咪唑類等固化促進劑對其它成分的溶解性不足時，可以使用分散機預先將其分散或溶解在(A)成分中。所得的粘接劑組合物優(yōu)選進行遮光，此外，優(yōu)選在0°C以下保管，并更優(yōu)選在ー20°C以下保管。并且，為了提高保存穩(wěn)定性，還可以吹入或封入氧、空氣。作為基材，例如，可以列舉聚酯膜、聚丙烯膜、聚對苯ニ甲酸こニ醇酯膜、聚酰亞胺膜、聚醚酰亞胺膜、聚醚萘ニ甲酸酯膜、甲基戊烯膜等。作為這些基材的膜，可以將2種以上組合起來形成多層膜，并且也可以是表面用有機硅系、ニ氧化硅系等脫模劑等進行了處理的材料。作為將粘接劑組合物涂布在基材上的方法，沒有特別限定，可以使用噴涂、簾涂、棒涂、刮刀涂布等。此外，在可以降低粘接劑組合物的粘度這一點上，還可以在100°c以下進行加熱。涂膜的厚度，可以根據膜狀粘接劑的用途而適當設定。根據本發(fā)明，和通過溶劑揮發(fā)的制造情況不同，可以進行厚膜化。在密封膜、應カ緩和膜的用途中，涂膜的厚度優(yōu)選設定為使膜狀粘接劑的厚度成為50 200 μ m。膜狀粘接劑的膜厚可以使用表面粗糙度測定器(小坂研究所制)進行測定。 在本發(fā)明的膜狀粘接劑制造方法中，通過對該粘接劑組合物層進行光照射，使(A)放射線聚合性化合物反應，形成膜狀粘接劑。作為此處的反應，例如，可以列舉加成反應、聚合反應、重排反應、環(huán)化反應、ニ聚反應等，而在能夠以低能量形成膜這一點上，優(yōu)選交聯(lián)反應、聚合反應，在能夠以更低曝光量降低粘性這一點上，更優(yōu)選為聚合反應。對涂布的粘接劑組合物的光照射，例如，可以列舉電離性放射線、非電離性放射線的照射，具體來說，可以列舉ArF、KrF等準分子激光、電子束極端紫外線、真空紫外線、X射線、離子束、i線、g線等紫外線。在照射紫外線時，可以在空氣中、氮氣中或真空中進行光照射。 為了防止針孔等，光照射優(yōu)選在粘接劑涂布后立即進行。此外，光照射可以在空氣中、氮氣中、真空中并且在層壓了其它基材(覆蓋膜)之后進行。此外，還可以在空氣中進行光照射后層壓覆蓋膜，并且還可以再進行光照射。通過再次進行光照射，可以進一歩降低曝光后的粘性。在光照射后還可以進行加熱。由此，光照射的反應進ー步進行，并且有粘性降低的傾向。加熱可以在熱板上、在爐內進行。從通過進行固化反應而降低流動性、粘接性的觀點考慮，加熱溫度優(yōu)選為120°C以下，更優(yōu)選為100°C以下，并最優(yōu)選為80°C以下。以下，對本發(fā)明中所用的粘接劑組合物進行更詳細地說明。粘接劑組合物是溶劑含量為5質量％以下的無溶劑型，但溶劑的含量優(yōu)選為I質量％以下。作為本發(fā)明中所用的(A)成分，例如，可以列舉具有こ烯性不飽和基團的化合物。作為こ稀性不飽和基團，可以列舉こ稀基、稀丙基、塊丙基、丁稀基、こ塊基、苯基こ塊基、馬來酰亞胺基、納迪克酰亞胺基、(甲基)丙烯((メタ)ァクリル)基等。從反應性觀點考慮，優(yōu)選(甲基)丙烯基。為了不使用溶劑而涂布粘接劑組合物，(A)成分在室溫(25°C)下優(yōu)選為液狀。此夕卜，在室溫下的粘度優(yōu)選為30000mPa · s以下，更優(yōu)選為20000mPa · s以下，并且最優(yōu)選為IOOOOmPa · s以下。如果粘度超過30000mPa · s，則有粘接劑組合物的粘度上升，難以制作清漆，并且難以薄膜化、吐出的傾向。本說明書中的室溫下的粘度，是指25°C下用E型粘時計所得的測定值。在本發(fā)明的粘接劑組合物中，(A)成分優(yōu)選包含(Al)單官能(甲基)丙烯酸酯(以下，有時稱為Al化合物)。此處所謂的單官能是指分子內具有I個碳碳雙鍵，并且也可以具有除此以外的官能團。通過添加單官能(甲基)丙烯酸酯，特別是在為了成膜化而曝光時，可以降低交聯(lián)密度，并且可以使曝光后的熱壓接性、低應カ性和粘接性呈良好狀態(tài)。作為單官能(甲基)丙烯酸酯，優(yōu)選5%失重溫度為100°C以上，更優(yōu)選為120°C以上，進ー步優(yōu)選為150°C以上，并最優(yōu)選為180°C以上。此外，從粘接劑組合物的低粘度化、涂布后表面凹凸的抑制、成膜化后受熱時的流動性的觀點考慮，優(yōu)選為以有機化合物為主體的材料設計，因此單官能(甲基)丙烯酸酯的5%失重溫度優(yōu)選為500°C以下。單官能(甲基)丙烯酸酯的5%失重溫度是使用差示熱熱重量同時測定裝置(SII納米科技公司制TG/DTA 6300)，在升溫速度為10°C /min、氮氣流(400ml/min)下測定時的5%失重溫度。通過配合5%失重溫度為上述溫度范圍的單官能(甲基)丙烯酸酯，可以抑制通過曝光進行成膜化后殘存的未反應單官能(甲基)丙烯酸酯在熱壓接或熱固化時揮發(fā)。在配合了分子內具有2個以上碳碳雙鍵的化合物的感光性組合物的情況下，在光照射時產生了形成交聯(lián)結構的狀態(tài)，在之后的受熱時難以熔融，并且也難以表現出粘性，因此存在有熱壓接困難的傾向。相反，在配合了上述單官能(甲基)丙烯酸酯等分子內具有I個碳碳雙鍵的化合物的情況下，能夠提高受熱時流動性。另外，(Al)單官能(甲基)丙烯酸酷光照射后的分子量為幾十萬以上，因此在高度要求受熱時流動性時，優(yōu)選単獨使用(Al)單官能(甲基)丙烯酸酷。而為了耐熱性、降低曝光后粘性強度，還可以相對于(Al)單官能 (甲基)丙烯酸酷，并用O. I 50質量％在分子內具有2個以上碳碳雙鍵的化合物。作為單官能(甲基)丙烯酸酯，可以列舉例如，在可以使固化物堅韌化這一點上，優(yōu)選含縮水甘油基的(甲基)丙烯酸酷、4 一羥基苯基甲基丙烯酸酷、3，5 一二甲基一 4 ー羥基芐基丙烯酰胺等含酚羥基的(甲基)丙烯酸酷、2 —甲基丙烯酰氧基こ基鄰苯ニ甲酸、2 —甲基丙烯酰氧基丙基六氫化鄰苯ニ甲酸、2-甲基丙烯酰氧基甲基六氫化鄰苯ニ甲酸等含羧基的(甲基)丙烯酸酯，在可以提高耐熱性這一點上，優(yōu)選苯酚EO改性(甲基)丙烯酸酯、苯酚PO改性(甲基)丙烯酸酯、壬基苯酚EO改性(甲基)丙烯酸酯、壬基苯酚PO改性(甲基)丙烯酸酷、苯氧基こ基(甲基)丙烯酸酯、苯氧基こニ醇(甲基)丙烯酸酯、苯氧基ニこニ醇(甲基)丙烯酸酯、羥こ基化苯基苯酚丙烯酸酷、苯氧基聚こニ醇(甲基)丙烯酸酯、壬基苯氧基こニ醇(甲基)丙烯酸酯、壬基苯氧基聚こニ醇(甲基)丙烯酸酯、壬基苯氧基聚丙ニ醇(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸芐酷、2 —甲基丙烯酰氧基こ基2 —羥基丙基鄰苯ニ甲酸酷、苯基苯酚縮水甘油醚丙烯酸酯等含有芳香族基團的(甲基)丙烯酸酯，在可以賦予成膜化后的密合性、熱固化后的粘接性這一點上，優(yōu)選2 —羥基ー 3 —苯氧基丙基(甲基)丙烯酸酷、O ー苯基苯酚縮水甘油醚(甲基)丙烯酸酷、2 —(甲基)丙烯酰氧基一 2 —羥基丙基鄰苯ニ甲酸酷、2 一(甲基)丙烯酰氧基こ基一 2 —羥基こ基一鄰苯ニ甲酸、2 —羥基ー 3 —苯氧基丙基(甲基)丙烯酸酯等、下述通式(A — I)或(A — 2)所表示的含有羥基的(甲基)丙烯酸酷、2 —(I, 2 一環(huán)六羧基酰亞胺基)こ基丙烯酸酯等、下述通式(A — 3)或(A — 4)所表示的含有酰亞胺基的(甲基)丙烯酸酯，而在可以使粘接劑組合物低粘度化這一點上，優(yōu)選含有異冰片基的(甲基)丙烯酸酯、含有ニ環(huán)戊ニ烯基的(甲基)丙烯酸酷、異冰片基(甲基)丙烯酸酯等。[化I]
權利要求
1.ー種膜狀粘接劑的制造方法，其特征在于，在基材上涂布溶劑的含量為5質量％以下且在25°C下為液狀的粘接劑組合物而形成粘接劑組合物層，對該粘接劑組合物層進行光照射而形成膜狀粘接劑，所述粘接劑組合物含有(A)放射線聚合性化合物、(B)光引發(fā)劑和(C)熱固性樹脂。
2.如權利要求I所述的膜狀粘接劑的制造方法，其特征在于，所述(A)成分在25°C下為液狀。
3.如權利要求I或2所述的膜狀粘接劑的制造方法，其特征在于，所述(A)成分包含在25°C下為液狀的單官能(甲基)丙烯酸酷。
4.如權利要求3所述的膜狀粘接劑的制造方法，其特征在于，所述單官能(甲基)丙烯酸酷具有酰亞胺骨架或羥基。
5.如權利要求I 4中任一項所述的膜狀粘接劑的制造方法，其特征在于，所述(B)成分包含對波長365nm的光的分子吸光系數為100ml/g · cm以上的光引發(fā)劑。
6.如權利要求5所述的膜狀粘接劑的制造方法，其特征在于，對波長365nm的光的分子吸光系數為100ml/g*cm以上的所述光引發(fā)劑為分子內具有肟酯骨架或嗎啉骨架的化合物。
7.如權利要求I 6中任一項所述的膜狀粘接劑的制造方法，其特征在于，所述粘接劑組合物進ー步含有(D)固化劑。
8.如權利要求I 7中任一項所述的膜狀粘接劑的制造方法，其特征在于，所述粘接劑組合物進ー步含有(E)熱自由基產生劑。
9.ー種粘接片，其特征在于，具有切割片與由權利要求I 8中任一項所述的方法所得的膜狀粘接劑疊層的結構。
10.如權利要求9所述的粘接片，其特征在于，所述切割片具有基材膜和設置在該基材膜上的放射線固化型粘著劑層，所述膜狀粘接劑具有與所述放射線固化型粘著劑層疊層的結構。
11.如權利要求9所述的粘接片，其特征在于，所述切割片僅由基材膜構成。
12.—種半導體裝置，其具有通過由權利要求I 8中任一項所述的方法所得的膜狀粘接劑粘接有半導體元件彼此和/或半導體元件與半導體元件搭載用支撐部件的結構。
13.一種半導體裝置的制造方法，其具有在半導體晶片的一面上粘貼權利要求9 11中任一項所述的粘接片的所述膜狀粘接劑層的エ序；將所述膜狀粘接劑層和所述半導體晶片一起切斷，而得到帶有粘接劑層的半導體元件的エ序；以及，將所述帶有粘接劑層的半導體元件與其它半導體元件或半導體元件搭載用支撐部件，夾著所述帶有粘接劑層的半導體元件的粘接劑層進行壓接，從而粘接的エ序。
全文摘要
本發(fā)明的膜狀粘接劑的制造方法，其特征在于，在基材上涂布溶劑的含量為5質量%以下且在25℃下為液狀的粘接劑組合物而形成粘接劑組合物層，對該粘接劑組合物層進行光照射而形成膜狀粘接劑，所述粘接劑組合物含有(A)放射線聚合性化合物、(B)光引發(fā)劑和(C)熱固性樹脂。
文檔編號H01L21/52GK102687256SQ20108005037
公開日2012年9月19日 申請日期2010年11月10日 優(yōu)先權日2009年11月13日
發(fā)明者加藤木茂樹, 增子崇, 川守崇司, 滿倉一行, 藤井真二郎 申請人:日立化成工業(yè)株式會社