專利名稱：用于有機(jī)光電子裝置的低成本高效率透明有機(jī)電極的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及增加可用于生產(chǎn)發(fā)光裝置的材料的品種的方法以及由這種方法生產(chǎn)的裝置。本發(fā)明被發(fā)現(xiàn)可用于例如電子裝置。
背景技術(shù)：
在傳統(tǒng)有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的一些實(shí)施方式中，兩個(gè)電極被電致發(fā)光層隔開(kāi)。因?yàn)殡娮雍碗娮涌昭ǖ脑俳Y(jié)合而在電致發(fā)光層中產(chǎn)生光子，電極之一通常由透明材料制成，使得發(fā)出的光子能逃逸出裝置。例如，普通透明電極材料是氧化銦錫(ITO)。廣泛用于OLED裝置的透明導(dǎo)電性ITO電極通常是85-90%透明的，薄膜電阻約10歐姆/方塊 (Ω / □ )。ITO電極的一個(gè)主要缺點(diǎn)是其高折射率導(dǎo)致的高光學(xué)損失相對(duì)于透明載體基片 (在目前OLED裝置中通常是玻璃)的ITO高折射率相關(guān)的高反射造成光學(xué)損失增加。高光學(xué)損失明顯降低OLED裝置的外量子效率(EQE)。使用ITO的另一缺點(diǎn)是該材料較貴。在本領(lǐng)域中仍然需要克服上述缺陷，并且需要開(kāi)發(fā)新的方法和材料來(lái)制造有效且低成本的有機(jī)電裝置(OED)，例如電致發(fā)光裝置(ELD)。理想的方法將使用容易獲得或易于制備的材料，提供明顯改進(jìn)的裝置輸出(效率和/或總輸出)，最大程度地減少方法步驟數(shù)， 以及/或者提供高重現(xiàn)性的結(jié)果。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明涉及解決上述一個(gè)或多個(gè)缺點(diǎn)，特別是提供方法和材料用于制備不需要透明電極的電致發(fā)光裝置?！矫?，提供一種電致發(fā)光裝置，其包括包含透明材料的基片；包含透明光學(xué)材料的光學(xué)層，其中光學(xué)層接觸基片；接觸基片、光學(xué)層或同時(shí)接觸基片和光學(xué)層的第一電極；一個(gè)或多個(gè)通孔，其形成貫穿第一層到達(dá)第一電極的通道；包含導(dǎo)電材料的導(dǎo)電層，其中導(dǎo)電材料至少部分地填充一個(gè)或多個(gè)通孔，使得導(dǎo)電材料接觸第一電極，而且導(dǎo)電層覆蓋光學(xué)層；接觸導(dǎo)電層的電致發(fā)光層；以及接觸電致發(fā)光層的第二電極。另一方面，提供一種形成電致發(fā)光裝置的方法。該方法包括提供透明基片；在基片上形成圖案化的第一電極；在圖案化的第一電極和基片上沉積光學(xué)材料；通過(guò)除去光學(xué)材料使得一部分第一電極暴露而在光學(xué)材料中形成通孔圖案；在光學(xué)材料上和通孔內(nèi)沉積導(dǎo)電材料，使得導(dǎo)電材料通過(guò)通孔接觸第一電極；在導(dǎo)電材料上沉積電致發(fā)光材料；在電致發(fā)光材料上沉積第二電極。另一方面，提供一種形成電致發(fā)光裝置的方法。該方法包括提供透明基片；在基片上沉積第一部分的光學(xué)材料；任選地，通過(guò)除去一部分光學(xué)材料在光學(xué)材料內(nèi)形成圖案；在第一部分光學(xué)材料上形成圖案化的第一電極；在所述第一部分上和第一電極上沉積第二部分光學(xué)材料；通過(guò)除去光學(xué)材料在第二部分光學(xué)材料中形成通孔圖案，使得一部分第一電極通過(guò)所述通孔暴露；在光學(xué)材料上和通孔內(nèi)沉積導(dǎo)電材料，使得導(dǎo)電材料通過(guò)通孔接觸第一電極；在導(dǎo)電材料上沉積電致發(fā)光材料；以及在電致發(fā)光材料上沉積第二電極。從以下說(shuō)明(包括權(quán)利要求和實(shí)施例)很容易了解本發(fā)明的其他方面。附圖簡(jiǎn)要說(shuō)明圖2是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的來(lái)自網(wǎng)格第一電極的兩根導(dǎo)線之間的交點(diǎn)的示意圖。圖Ib提供根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的網(wǎng)格第一電極的示意圖。圖2提供根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的裝置的示意圖。圖3提供根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的若干裝置的示意圖。圖4提供根據(jù)本發(fā)明不同實(shí)施方式的裝置的示意圖。圖fe提供在光學(xué)層中具有通孔且在通孔內(nèi)和通孔上沉積有導(dǎo)電材料的裝置的示意圖。圖恥提供在光學(xué)顯微鏡下拍到的在6伏外加電壓且 8000cd/m2裝置亮度條件下的裝置的圖像。黑點(diǎn)表示通孔位置。圖6提供如圖恥所示裝置的外量子效率與表觀亮度的關(guān)系，并與常規(guī)OLED比較。圖7提供如圖恥所示裝置的功率效率與亮度的關(guān)系，并與常規(guī)OLED比較。發(fā)明詳述應(yīng)理解，本文所使用的術(shù)語(yǔ)僅為了描述特定的實(shí)施方式而不是限制性的。文中提供的定義不旨在互相排它的。例如，應(yīng)該理解一些化學(xué)基團(tuán)可適合不止一種定義。本文所用的術(shù)語(yǔ)"烷基"指通常(但并非必須)包含1-約M個(gè)碳原子的支鏈或非支鏈飽和烴基，如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、叔丁基、辛基、癸基等，以及環(huán)烷基，如環(huán)戊基、環(huán)己基等。一般但非必須地，本文的烷基可包含1到約18個(gè)碳原子，這些基團(tuán)可包含1到約12個(gè)碳原子。術(shù)語(yǔ)"低級(jí)烷基"指1-6個(gè)碳原子的烷基?！叭〈耐榛?指被一個(gè)或多個(gè)取代基取代的烷基，如以下詳述的那樣，術(shù)語(yǔ)"含雜原子的烷基" 和"雜烷基"指至少一個(gè)碳原子被雜原子取代的烷基取代基。如果沒(méi)有另外說(shuō)明，術(shù)語(yǔ)" 烷基"和"低級(jí)烷基"分別包括直鏈、支鏈、環(huán)狀、未取代、取代和/或含雜原子的烷基或低級(jí)烷基。本文所用的術(shù)語(yǔ)"烯基"指含至少一個(gè)雙鍵的2到約M個(gè)碳原子的直鏈、支鏈或環(huán)狀烴基，如乙烯基、正丙烯基、異丙烯基、正丁烯基、異丁烯基、辛烯基、癸烯基、十四碳烯基、十六碳烯基、二十碳烯基、二十四碳烯基等。一般但仍非必須地，本文的烯基可包含 2到約18個(gè)碳原子，例如可包含2-12個(gè)碳原子。術(shù)語(yǔ)"低級(jí)烯基"指2-6個(gè)碳原子的烯基?！叭〈南┗?指被一個(gè)或多個(gè)取代基取代的烯基，術(shù)語(yǔ)"含雜原子的烯基"和"雜烯基"指至少一個(gè)碳原子被雜原子取代的烯基。如果沒(méi)有另外說(shuō)明，術(shù)語(yǔ)"烯基"和"低級(jí)烯基"分別包括直鏈、支鏈、環(huán)狀、未取代、取代和/或含雜原子的烯基和低級(jí)烯基。本文所用的術(shù)語(yǔ)"炔基"指含至少一個(gè)三鍵的2-M個(gè)碳原子的直鏈或支鏈烴基，如乙炔基、正丙炔基等。一般但仍非必須地，本文的炔基可包含2到約18個(gè)碳原子，這些基團(tuán)還可包含2-12個(gè)碳原子。術(shù)語(yǔ)"低級(jí)炔基"指2-6個(gè)碳原子的炔基。術(shù)語(yǔ)"取代的炔基"指被一個(gè)或多個(gè)取代基取代的炔基，術(shù)語(yǔ)"含雜原子的炔基"和"雜炔基"指至少一個(gè)碳原子被雜原子取代的炔基。如果沒(méi)有另外說(shuō)明，術(shù)語(yǔ)"炔基"和"低級(jí)炔基"分別包括直鏈、支鏈、未取代、取代和/或含雜原子的炔基和低級(jí)炔基。如果沒(méi)有另外說(shuō)明，術(shù)語(yǔ)"不飽和烷基"包括烯基和炔基，以及它們的組合。本文所用的術(shù)語(yǔ)"烷氧基"指通過(guò)單個(gè)末端醚鍵連接的烷基，也就是說(shuō)，“烷氧基"可表示為-0-烷基，其中烷基如以上定義?！暗图?jí)烷氧基"指包含1-6個(gè)碳原子的烷氧基，包括例如，甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、叔丁氧基等。本文鑒定為"(^_(6烷氧基"或"低級(jí)烷氧基"的取代基可例如包含1-3個(gè)碳原子，作為另一個(gè)例子，這樣的取代基可包含1或2個(gè)碳原子(即甲氧基和乙氧基)。除非另外說(shuō)明，本文所用的術(shù)語(yǔ)"芳基"指一般但并不必須包含5-30個(gè)碳原子并包含單個(gè)芳環(huán)或稠合在一起、直接連接或間接連接(不同的芳環(huán)與一個(gè)共同的基團(tuán)如亞甲基或亞乙基部分相連)的多個(gè)芳環(huán)的芳族取代基。芳基可例如包含5-20個(gè)碳原子，作為另一個(gè)例子，芳基可包含5-12個(gè)碳原子。例如，芳基可包含一個(gè)芳環(huán)，或兩個(gè)稠合或連接的芳環(huán)，例如苯基、萘基、聯(lián)苯基、二苯醚、二苯胺、二苯酮等?！叭〈姆蓟?指被一個(gè)或多個(gè)取代基取代的芳基部分，如將在以下詳述的那樣，術(shù)語(yǔ)"含雜原子的芳基"和"雜芳基" 指至少一個(gè)碳原子被雜原子取代的芳基取代基。如果沒(méi)有另外說(shuō)明，術(shù)語(yǔ)"芳基"包括未取代、取代和/或含雜原子的芳基取代基。術(shù)語(yǔ)"芳烷基"指具有芳基取代基的烷基，術(shù)語(yǔ)"烷芳基"指具有烷基取代基的芳基，其中"烷基"和"芳基"如上定義。一般來(lái)說(shuō)，本文的芳烷基和烷芳基包含6-30個(gè)碳原子。芳烷基和烷芳基可例如，包含6-20個(gè)碳原子，作為另一個(gè)例子，這樣的基團(tuán)可包含 6-12個(gè)碳原子。術(shù)語(yǔ)"烯烴基"指2-12個(gè)碳原子的單不飽和或雙不飽和烴基。在本文中，這種烯烴基中優(yōu)選的烯烴基有時(shí)稱為"低級(jí)烯烴基"，表示含有一個(gè)端部雙鍵的2-6個(gè)碳原子的烴部分。后者也稱為"低級(jí)烯基"。文中使用的術(shù)語(yǔ)"亞烷基"指含有I-M個(gè)碳原子的雙官能飽和支化或未支化烴鏈?！暗图?jí)亞烷基〃指含1-6個(gè)碳原子的亞烷基連接基，包括例如亞甲基(--CH2--),亞乙基(--CH2CH2--)，亞丙基(--CH2CH2CH2--)，2-甲基亞丙基(--CH2-CH (CH3)-CH2-)，亞己基 (-(CH2)6-)等。本文所用的術(shù)語(yǔ)"氨基"指基團(tuán)-NZ1Z2,其中Z1和Z2是氫原子或非氫原子取代基，非氫原子取代基包括例如，烷基、芳基、烯基、芳烷基及其取代和/或含雜原子的變體。如"含雜原子的烷基"(也稱為"雜烷基“)或"含雜原子的芳基"(也稱為" 雜芳基")中的術(shù)語(yǔ)"含雜原子的"指一個(gè)或多個(gè)碳原子被除碳原子以外的原子取代的分子、連接基或取代基，所述除碳原子以外的原子是例如，氮、氧、硫、磷或硅，通常為氮、氧或硫。類似地，術(shù)語(yǔ)"雜烷基"指含雜原子的烷基取代基，術(shù)語(yǔ)"雜環(huán)基"指含雜原子的環(huán)狀取代基，術(shù)語(yǔ)"雜芳基"和"雜芳族"分別指含雜原子的"芳基"和"芳族"取代基等。雜芳基的例子包括烷氧芳基、烷基硫烷基取代的烷基、N-烷基化的氨烷基等。雜芳基取代基的例子包括吡咯基、吡咯烷基、吡啶基、喹啉基、噴哚基、呋喃基、嘧啶基、咪唑基、1，2， 4-三唑基、四唑基等，含雜原子的脂環(huán)族基團(tuán)的例子有吡咯烷基、嗎啉基、哌嗪基、哌啶基、 四氫呋喃基等。
“烴基〃指包含1到約30個(gè)碳原子、包括1到約M個(gè)碳原子、進(jìn)一步包括1到約 18個(gè)碳原子、還進(jìn)一步包括約1到12個(gè)碳原子的單價(jià)烴基基團(tuán)，包括直鏈、支鏈、環(huán)狀、飽和和不飽和的基團(tuán)，如烷基、烯基、芳基等?！叭〈臒N基"指被一個(gè)或多個(gè)取代基取代的烴基，術(shù)語(yǔ)"含雜原子的烴基"指至少一個(gè)碳原子被雜原子取代的烴基。除非另外說(shuō)明，術(shù)語(yǔ)"烴基"應(yīng)解釋為包括未取代的、取代的、含雜原子的和取代的含雜原子的烴基部分。術(shù)語(yǔ)〃鹵〃或〃鹵素〃指氟、氯、溴、或碘，通常涉及有機(jī)化合物中氫原子的鹵代取代基。在鹵素中，通常優(yōu)選的是氯和氟。在一些上述定義中提到的如〃取代的烴基〃、‘‘取代的烷基〃、‘‘取代的芳基〃 等中的"取代的"表示在烴基、烷基、芳基或其它部分中，至少有一個(gè)與碳(或其它)原子連接的氫原子被一個(gè)或多個(gè)非氫原子取代基取代。這樣的取代基的例子包括但不限于官能團(tuán)如鹵素，羥基，巰基，C1-C24烷氧基，C2-C24烯氧基，C2-C24炔氧基，C5-C2tl芳氧基，?；?包括C2-C24烷基羰基(-C0-烷基)和C6-C2tl芳基羰基(-C0-芳基))，酰氧基(-ο-酰基)，C2-C24 烷氧基羰基(-(CO) -ο-烷基)，C6-C20芳氧基羰基(-(CO) -ο-芳基)，鹵代羰基(-(CO) -X，其中X是鹵素)，C2-C24烷基碳酸根合(-0- (CO) -ο-烷基)，C6-C20芳基碳酸根合(-0- (CO) -ο-芳基)，羧基(-C00H)，羧酸根合(-C00-)，氨基甲?；?-(CO)-NH2)，單取代WC1-Cm烷基氨基甲?；?-(CO)-MKC1-Cm烷基))，二取代的烷基氨基甲?；?-(CO)-N(C1-Cm烷基)2)，單取代的芳基氨基甲?；?-(CO) -NH-芳基)，硫代氨基甲酰基(-(CS) -NH2)，脲基(-NH- (CO) -NH2)， 氰基(-C Ξ N)，異氰基(-N+ ε C")，氰氧基(-0-C Ε N)，異氰酸根合(-0-N+ Ε C")，異硫氰酸根合(-S-C ε N)，疊氮基(-N = N+ = N")，甲酰基(-(CO) -H)，硫代甲?；?-(CS) -H)，氨基 (-NH2)，單-和二- (C1-C24烷基)-取代的氨基，單和二 - (C5-C2tl芳基)-取代的氨基，C2-C24 烷基酰氨基(-NH- (CO)-烷基)，C5-C20芳基酰氨基(-NH- (CO)-芳基)，亞氨基(_CR = NH, 其中R =氫，C1-C24烷基，C5-C2tl芳基，C6-C2tl烷芳基，C6-C2tl芳烷基等)，烷基亞氨基(-CR = N(烷基)，其中R=氧，烷基，芳基，烷芳基等)，芳基亞氨基(-CR = N(芳基)，其中R=氧，烷基，芳基，烷芳基等)，硝基(-NO2)，亞硝基(-N0)，磺基(-SO2-OH)，磺酸根合(-SO2-O-)，C1-C24 烷基硫烷基(-S-烷基，也稱為"烷硫基")，芳基硫烷基(-S-芳基，也稱為"芳硫基")， C1-C24烷基亞磺?；?-(SO)-烷基)，C5-C20芳基亞磺酰基(-(SO)-芳基)，C1-C24烷基磺?；?-SO2-烷基)，C5-C20芳基磺酰基(-SO2-芳基)，膦酰基(-P (0) (OH) 2)，膦酸根合(-P (0) (0_) 2)，亞膦酸根合(-P (0) (0_))，磷酸基(-PO2)，膦基(-PH2)，單和二 - (C1-C24烷基)取代的膦基，單和二-(C5-C2tl芳基)取代的膦基；以及烴基部分C1-Cm烷基(包括C1-Cw烷基，優(yōu)選包括C1-C12烷基，更優(yōu)選包括C1-C6烷基)，C2-C24烯基(包括C2-C18烯基，優(yōu)選包括C2-C12烯基，更優(yōu)選包括C2-C6烯基)，C2-C24炔基(包括C2-C18炔基，優(yōu)選包括C2-C12炔基，更優(yōu)選包括C2-C6炔基)，C5-C3tl芳基(包括C5-C2tl芳基，優(yōu)選包括C5-C12芳基)，和C6-C3tl芳烷基(包括C6-C2tl芳烷基，優(yōu)選包括C6-C12芳烷基)。此外，如果特定的基團(tuán)允許，上述官能基團(tuán)可進(jìn)一步被一個(gè)或多個(gè)另外的官能基團(tuán)或一個(gè)或多個(gè)烴基部分如以上具體列舉的基團(tuán)所取代。 類似地，上述烴基部分可進(jìn)一步被一個(gè)或多個(gè)官能基團(tuán)或另外的烴基部分如具體列舉的基團(tuán)所取代。在術(shù)語(yǔ)"取代的"出現(xiàn)在一系列可能的取代基之前時(shí)，表示該術(shù)語(yǔ)用于此組的每個(gè)取代基。例如，短語(yǔ)"取代的烷基和芳基"應(yīng)解釋為"取代的烷基和取代的芳基"。除非另外說(shuō)明，提到原子時(shí)表示包括該原子的同位素。例如，提到H時(shí)表示包括1H、2H (即D)和3H (即T)，提到C時(shí)表示包括12C和所有碳的同位素(如13C)。在本文中，使用術(shù)語(yǔ)“面”和“邊”。這些術(shù)語(yǔ)具有其通常含義。例如，在一些實(shí)施方式中，“面”是基本平坦的表面，“邊”是由兩個(gè)面相交形成的高度彎曲的(即尖銳的)表面。在一些實(shí)施方式中，“面”可以是緩慢彎曲的和/或紋理化的。在本文中，術(shù)語(yǔ)“通孔”表示通過(guò)光學(xué)(例如介電)材料的間隙。例如，對(duì)于覆蓋導(dǎo)電層的光學(xué)層，通孔指光學(xué)層中的空穴，可與導(dǎo)電層之間形成電連接。在本文中，術(shù)語(yǔ)“導(dǎo)線”表示一種三維結(jié)構(gòu)，其中一個(gè)維度的尺寸明顯大于另外兩個(gè)維度。術(shù)語(yǔ)“導(dǎo)線”不限于任何特定截面形狀，合適的截面形狀包括圓形、橢圓形、正方形、 矩形、梯形等。在本發(fā)明中，術(shù)語(yǔ)“透明的”表示該材料能透過(guò)電磁輻射。在關(guān)于LED中使用的透明材料的具體內(nèi)容中，該術(shù)語(yǔ)指材料能透過(guò)由LED發(fā)出的電磁輻射的波長(zhǎng)。除非另有說(shuō)明， 該術(shù)語(yǔ)包括能完全透射的材料和半透射的材料。本發(fā)明的裝置通常是包括多個(gè)層的電子裝置。這些層可以是均勻或非均勻的。術(shù)語(yǔ)“均勻?qū)印笔侵冈谘b置截面的任何位置，層的存在和厚度基本相同。術(shù)語(yǔ)“非均勻?qū)印笔呛穸茸兓虿贿B續(xù)(即在層中存在間隙)的層。例如，網(wǎng)格層是非均勻?qū)樱驗(yàn)榫哂芯W(wǎng)格層的裝置的截面顯示有些區(qū)域存在該層，有些區(qū)域不存在該層。圖案化的層是非均勻?qū)?。然后，在一些?shí)施方式中，提供具有兩個(gè)都由非透明材料形成的電極層的電致發(fā)光裝置(例如0LED)。在這兩個(gè)電極中，一個(gè)電極即“底電極”或“第一電極”(最接近基片的電極)是非均勻?qū)拥男问?。另一個(gè)電極，即“頂電極”或“第二電極”(離基片最遠(yuǎn)的電極)是基本均勻?qū)拥男问健Ｍǔ?，本發(fā)明裝置是使用透明基片、兩個(gè)電極層和在兩個(gè)電極層之間的電致發(fā)光層的電致發(fā)光裝置。如文中所述，可包含其它層和特征。電極層之一的作用是作為電子注入層，另一個(gè)電極層是作為空穴注入層(也稱為電子空穴注入層)。通過(guò)電子和電子空穴再結(jié)合而在電致發(fā)光層中產(chǎn)生光子。光子由裝置發(fā)出，通過(guò)透明基片進(jìn)入環(huán)境。為了到達(dá)基片，在電致發(fā)光層中產(chǎn)生的光子必須通過(guò)底電極。為了實(shí)現(xiàn)這種通路， 本發(fā)明裝置使用圖案化的底電極。在一些實(shí)施方式中，底電極是網(wǎng)格形式，例如是相交導(dǎo)線的網(wǎng)格形式。下文中將給出底電極的進(jìn)一步說(shuō)明。本發(fā)明裝置包括透明基片。任何合適的透明材料可用于基片，這些材料的例子將在下文中給出。在本文中，基片被認(rèn)為是本發(fā)明裝置的“底”層，并以此命名。因此，如果第一層離基片的距離比第二層離基片的距離更遠(yuǎn)，即第二層在基片和第一層之間，則第一層在第二層“之上”。類似地，如果第一層在基片和第二層之間，則第一層在第二層“之下”。該命名規(guī)則并不意圖一定暗示任何特定的層沉積順序。因此，盡管基片稱為“底”層，所有其它層在基片“之上”，這種說(shuō)法并不意味著基片必需首先設(shè)置，所有層沉積在基片上。從基片開(kāi)始，裝置中的各層相繼沉積的實(shí)施方式在本發(fā)明的范圍內(nèi)。但是，裝置中的各層相繼沉積并以基片結(jié)束的實(shí)施方式也在本發(fā)明的范圍內(nèi)。在本文中，提到“頂”和“底”表面。應(yīng)理解，層的“頂”表面指離基片最遠(yuǎn)的表面， 層的“底”表面指最接近基片的表面。本發(fā)明的裝置包括接觸基片的光學(xué)層。光學(xué)層由透明介電材料組成，合適材料的例子將在下文中給出?？稍趩尾街谐练e光學(xué)層，形成單個(gè)材料層，或者可在多步驟組合中沉積光學(xué)層，形成多個(gè)材料層。但是，通常，在多步驟組合中沉積光學(xué)層時(shí)，用于各步的材料相同，或者用于各步的材料的折射率相同。因此，在優(yōu)選的實(shí)施方式中，對(duì)于任何特定裝置，用于形成光學(xué)層的諸材料的折射率無(wú)變化。光學(xué)層可由與基片相同的材料制成，使得光學(xué)層和基片作為單層起發(fā)揮功能(光學(xué)方面的功能)。將光學(xué)層直接沉積在基片上，使得光學(xué)層接觸(即覆蓋)基片。在光學(xué)層之上(并接觸光學(xué)層)的是導(dǎo)電層(如上文所述，“之上”是指導(dǎo)電層離基片的距離比光學(xué)層離基片的距離更遠(yuǎn))。導(dǎo)電層是透明的，可由任何合適的透明導(dǎo)電材料制成。一些這類材料在下文中進(jìn)行了描述。在優(yōu)選的實(shí)施方式中，將導(dǎo)電層保形沉積在光學(xué)層上。在導(dǎo)電層之上(并與導(dǎo)電層接觸)的是電致發(fā)光層。電致發(fā)光層可由任何合適的電致發(fā)光材料制成，一些這類材料如下文所述。在優(yōu)選的實(shí)施方式中，將電致發(fā)光層保形沉積在導(dǎo)電層上。在電致發(fā)光層之上(并與電致發(fā)光層接觸)的是電極層。在本文中，在電致發(fā)光層之上的電極層稱為“第二”電極層或“頂”電極。在優(yōu)選的實(shí)施方式中，第二電極層是保形沉積在電致發(fā)光層上的均勻?qū)?。在一些?shí)施方式中，第二電極用作陰極和/或電子注入電極。在其它實(shí)施方式中，第二電極用作陽(yáng)極和/或空穴注入電極。適用于第二電極的材料的例子如下文所述。通常，盡管不是必需的，第二電極由非透明材料制成。應(yīng)理解，本發(fā)明裝置還可包括覆蓋第二電極層的其它層。例如，封裝層或提供所需光學(xué)性質(zhì)的層可在第二電極層之上。本發(fā)明裝置還包括第一電極，在本文中還可以被稱為“底”電極。在一些實(shí)施方式中，第一電極用作陰極和/或電子注入電極。在其它實(shí)施方式中，第一電極用作陽(yáng)極和/或空穴注入電極。適用于第一電極的材料的例子如下文所述。通常，盡管不是必需的，第一電極由非透明材料制成。將底電極圖案化，使其具有合適的圖案，從而在電致發(fā)光層中產(chǎn)生的至少一部分光子穿過(guò)底電極，通過(guò)基片離開(kāi)裝置。因此，底電極是非均勻?qū)印Ｔ趦?yōu)選的實(shí)施方式中，底電極以網(wǎng)格圖案的形式圖案化。網(wǎng)格圖案包括多個(gè)基本平行的沿第一方向設(shè)置的導(dǎo)線，和多個(gè)基本平行的沿第二方向設(shè)置的導(dǎo)線。第一方向和第二方向可以是相互垂直的(即90 度)，或者相互之間可以是90度以外的角度(例如，45度)。在一些實(shí)施方式中，底電極嵌入光學(xué)層內(nèi)，并且不接觸基片。在其它實(shí)施方式中， 底電極既接觸基片，也接觸光學(xué)層。在一些這樣的實(shí)施方式中，底電極位于基片頂面上。在其它這樣的實(shí)施方式中，底電極橫穿基片和光學(xué)層之間的界面，使得底電極部分嵌入基片內(nèi)，并且部分嵌入光學(xué)層內(nèi)。在另一些這樣的實(shí)施方式中，底電極嵌入基片內(nèi)，使得底電極的頂表面與基片的頂表面齊平，從而底電極的頂表面接觸光學(xué)層?？蓪?duì)本發(fā)明網(wǎng)格底電極的導(dǎo)線的尺寸和截面形狀進(jìn)行選擇，以優(yōu)化裝置的性質(zhì)。 例如，在優(yōu)選的實(shí)施方式中，導(dǎo)線的截面形狀為梯形或正方形，因此導(dǎo)線包括四個(gè)表面(即頂表面，底表面和兩個(gè)側(cè)表面)和四個(gè)邊(即兩個(gè)頂邊和兩個(gè)底邊)。在優(yōu)選的實(shí)施方式中，導(dǎo)線的兩個(gè)頂邊接觸光學(xué)層。例如，兩個(gè)頂邊可完全嵌入光學(xué)層內(nèi)?；蛘?，導(dǎo)線的頂表面可與基片的頂表面齊平，使得導(dǎo)線的兩個(gè)頂邊位于光學(xué)層和基片之間的界面上。在一些實(shí)施方式中，本發(fā)明網(wǎng)格底電極的導(dǎo)線的平均截面寬度約為50-2000納米，或約100-1500納米，或約250-1000納米，或約500-1000納米，或約500-750納米。在一些實(shí)施方式中，導(dǎo)線的平均寬度小于2000納米，或小于1500納米，或小于1250納米，或小于1000納米，或小于900納米，或小于800納米，或小于700納米，或小于600納米，或小于500納米，或小于400納米，或小于300納米，或小于200納米，或小于100納米。在一些實(shí)施方式中，導(dǎo)線的平均寬度大于50納米，或大于100納米，或大于200納米，或大于300 納米，或大于400納米，或大于500納米，或大于600納米，或大于700納米，或大于800納米，或大于900納米，或大于1000納米，或大于1250納米，或大于1500納米，或大于2000 納米。類似地，在文中更詳細(xì)描述的一些實(shí)施方式中，用于任何給定裝置的通孔的平均寬度小于第一電極導(dǎo)線的平均寬度。例如，通孔的平均寬度為100-1500納米，或250-1000 納米，或500-1000納米，或500-750納米。在一些實(shí)施方式中，通孔的平均寬度小于1500 納米，或小于1250納米，或小于900納米，或小于800納米，或小于700納米，或小于600納米，或小于500納米，或小于400納米，或小于250納米，或小于100納米。在一些實(shí)施方式中，通孔的平均寬度大于100納米，或大于250納米，或大于400納米，或大于500納米，或大于600納米，或大于700納米，或大于800納米，或大于900納米，或大于1000納米，或大于1250納米，或大于1500納米。網(wǎng)格電極包括沿第一方向延伸的第一組平行導(dǎo)線和沿第二方向延伸的第二組平行導(dǎo)線。各組平行導(dǎo)線之間的優(yōu)選間距受導(dǎo)線層中導(dǎo)電材料的電導(dǎo)率影響。對(duì)于具有高電導(dǎo)率的材料(例如，一些PEDOT或PEDOT衍生物的制劑)，與具有較低或中等電導(dǎo)率的材料 (例如，稀釋的PEDOT或PEDOT衍生物)相比，平行導(dǎo)線之間的間距可以較大。不希望受限于理論，據(jù)信由于較高電導(dǎo)率的材料使得電荷可以更有效地在導(dǎo)電層上鋪展，然后才進(jìn)入電致發(fā)光層，所以可以實(shí)現(xiàn)從電致發(fā)光層更均勻的發(fā)射。通常，本發(fā)明裝置平行導(dǎo)線之間的間距(中心到中心)為1-500微米，或2-400微米，或2-300微米，或5-300微米，或5-200 微米，或10-200微米，或10-100微米，或15-100微米，或20-50微米。在一些實(shí)施方式中， 平行導(dǎo)線之間的間距(中心到中心)為1-5微米，或1. 5-5微米，或1. 5-4微米，或2-4微米，或2. 5-4微米。在一些實(shí)施方式中，平行導(dǎo)線之間的間距(中心到中心)小于5微米， 或小于4微米，或小于3. 5微米，或小于2微米，或小于2. 5微米。在一些實(shí)施方式中，平行導(dǎo)線之間的間距(中心到中心)大于1微米，或大于2微米，或大于2. 5微米，或大于3微米，或大于3. 5微米，或大于4微米，或大于5微米。在一些實(shí)施方式中，沿第一方向延伸的平行導(dǎo)線之間的間距與沿第二方向延伸的平行導(dǎo)線之間的間距相同。在其它實(shí)施方式中， 沿第一方向延伸的平行導(dǎo)線之間的間距與沿第二方向延伸的平行導(dǎo)線之間的間距不同。應(yīng)理解，對(duì)于包括相交導(dǎo)線網(wǎng)格的第一電極，可通過(guò)改變導(dǎo)線的截面特征(例如寬度和高度)來(lái)調(diào)節(jié)第一電極的電導(dǎo)率。類似地，可通過(guò)改變導(dǎo)線的寬度和間距來(lái)調(diào)節(jié)第一電極的“透明度”(例如，在電致發(fā)光層中產(chǎn)生的光子的透過(guò)率，即能穿過(guò)第一電極層的光子的數(shù)量與到達(dá)第一電極層的光子的總數(shù)量的比值)。在一些實(shí)施方式中，第一電極是包括沿第一方向延伸的第一組平行導(dǎo)線和沿第二方向延伸的第二組平行導(dǎo)線的網(wǎng)格電極。在一些這樣的實(shí)施方式中，第一組導(dǎo)線攜帶電流， 或第二組導(dǎo)線攜帶電流。在本發(fā)明裝置的優(yōu)選實(shí)施方式中，在光學(xué)層中存在一系列通孔。通孔是光學(xué)層內(nèi)的通道，對(duì)應(yīng)于第一電極導(dǎo)線的位置設(shè)置。因此，在第一電極包括相交導(dǎo)線的網(wǎng)格時(shí)，通孔以類似排列的網(wǎng)格形式存在。通孔從光學(xué)層的上表面延伸到第一電極的上表面，從而形成使第一電極暴露的貫穿光學(xué)層的通道。如上所述，包含導(dǎo)電材料的導(dǎo)電層覆蓋光學(xué)層。通孔內(nèi)部包含導(dǎo)電材料，使得通孔形成貫穿光學(xué)層的導(dǎo)電通道，將第一電極與導(dǎo)電層電連接起來(lái)。如上所述，用于本發(fā)明裝置的第一電極是圖案化的電極。例如，在優(yōu)選的裝置中， 第一電極以互連導(dǎo)線的網(wǎng)格形式圖案化。這些電極包括第一組基本平行的導(dǎo)線和第二組基本平行的導(dǎo)線。第一組導(dǎo)線具有第一平均寬度和第一平均深度，第二組導(dǎo)線具有第二平均寬度和第二平均深度。第一平均寬度可與第二平均寬度相同或不同，第一平均深度可與第二平均深度相同或不同。通常，第一平均寬度與第二平均寬度相同，第一平均深度與第二平均深度相同。第一組導(dǎo)線中的全部或一部分與第二組導(dǎo)線中的全部或一部分相交，從而形成多個(gè)交點(diǎn)。圖Ia示意性地示出兩根導(dǎo)線之間的交點(diǎn)。第一導(dǎo)線的寬度為W1，第二導(dǎo)線的寬度為W2。兩根導(dǎo)線之間的交點(diǎn)的直徑(即最大尺寸)標(biāo)記為D1。應(yīng)理解，Dl可以大于W1，大于W2，或既大于Wl也大于W2。還應(yīng)理解，交點(diǎn)可包括彎曲的角而非尖銳的角，如圖Ia中虛線所示。彎曲的角進(jìn)一步增加Dl值。當(dāng)?shù)谝浑姌O按照上文所述以網(wǎng)格形式圖案化時(shí)，通孔以相同的網(wǎng)格圖案形成相交通道的網(wǎng)(從而使電極網(wǎng)格暴露于光學(xué)層之上的導(dǎo)電層)。通常，通孔的圖案模擬第一電極的圖案。在一些實(shí)施方式中，通孔不會(huì)使第一電極的整個(gè)頂表面暴露。例如，當(dāng)?shù)谝浑姌O包括具有平均寬度Wl的導(dǎo)線的網(wǎng)時(shí)，通孔的平均寬度小于W1，這樣第一電極的一部分仍然被光學(xué)層的光學(xué)材料覆蓋。在優(yōu)選的實(shí)施方式中，通孔位于第一電極導(dǎo)線的中心上方，這樣第一電極導(dǎo)線的兩個(gè)頂邊仍然被光學(xué)材料覆蓋。參見(jiàn)例如圖3d(下文討論)。以網(wǎng)格形式圖案化的通孔具有上文關(guān)于第一電極討論的(關(guān)于圖la)相同的尺寸特征。換言之，通孔將具有寬度，通孔相交的點(diǎn)將具有直徑。在一些實(shí)施方式中，對(duì)于任何給定的裝置，通孔的平均寬度小于第一電極導(dǎo)線的平均寬度。此外，對(duì)于任何給定的裝置，通孔相交處的平均直徑小于導(dǎo)線相交處的平均直徑。但是，應(yīng)理解，對(duì)于任何給定的裝置，通孔相交處的平均直徑可以大于第一電極導(dǎo)線的平均寬度。此外，在一些實(shí)施方式中(下文討論)，通孔的寬度大于第一電極導(dǎo)線的寬度。當(dāng)使用掩模技術(shù)形成第一電極時(shí)，可使用相同的掩模形成通孔網(wǎng)，或使用不同的掩模形成通孔網(wǎng)。通常，形成通孔的掩?？赡M形成第一電極的掩模(但是，例如，前者可經(jīng)過(guò)改變，以形成與第一電極相比寬度或直徑更小的通孔)。術(shù)語(yǔ)“模擬”指掩模圖案的一些特征相似，但是掩模圖案的其它特征可不同。例如，用于產(chǎn)生第一電極的掩?？尚纬蓪挾葹閃1、間距為Sl的導(dǎo)線。用于產(chǎn)生覆蓋通孔的“模擬”掩模將產(chǎn)生寬度為W2(其中Wl > W2)、間距為S2(其中Sl = S2)的通孔。這類掩模將產(chǎn)生使第一電極導(dǎo)線的一部分頂表面暴露的通孔圖案。不希望受限于理論，網(wǎng)格電極將電流均勻且有效地通過(guò)通孔分布到導(dǎo)電層中；通過(guò)各通孔的電流橫向地鋪展在導(dǎo)電層上，使裝置均勻地發(fā)光?；谠摍C(jī)理，相鄰?fù)字g的容許距離將取決于有機(jī)導(dǎo)電層的電導(dǎo)率。也就是說(shuō)，如果有機(jī)導(dǎo)電層具有較高的電導(dǎo)率，則通孔之間的距離可以較大。
可通過(guò)計(jì)算未被網(wǎng)格覆蓋的表面積占總表面積的比例來(lái)估計(jì)金屬網(wǎng)格電極的透明度。如果導(dǎo)線的寬度是D，相鄰導(dǎo)線邊到邊之間的間距為S，則可使用下式估算透明度 (T% )T%= S2/(S+D)2 (1)例如，如果0.5微米寬度的導(dǎo)線之間的間距為4微米，則使用式(1)估算的電極的透明度為42Λ4+0.5)2 = 79%。如果導(dǎo)線變窄到0.25微米，則透明度將增加到89%?；蛘撸稍龃骃來(lái)提高Τ%，而無(wú)需減小導(dǎo)線的寬度，只要導(dǎo)電層具有足夠的電導(dǎo)率。因?yàn)榇蟛糠纸饘俚碾妼?dǎo)率比ITO的電導(dǎo)率大1-2個(gè)數(shù)量級(jí)，并且網(wǎng)格電極的截面厚度可調(diào)節(jié)，所以可以在不犧牲透明度的情況下使網(wǎng)格電極的薄層電阻等于或小于ITO電極的薄層電阻，后者通常約為10Ω/ 口。例如，如果網(wǎng)格電極由100納米厚度的鎢(W)膜制成(即第一電極包括厚度為100納米的導(dǎo)線)，W薄膜的薄層電阻(Rs-W)等于W的電阻率 W(Pw)除以膜厚度(d)。用下式表示Rs-w = P Jd = 5. 60 X 1(Γ8 Ω m/100 X l(T9m = 0· 56 Ω / 口。作為近似，參考

圖1，可使用各正方形格子中單個(gè)導(dǎo)線的電阻估算網(wǎng)格電極的當(dāng)量薄層電阻(equivalent sheet resistance)，前提是網(wǎng)格電極的每個(gè)正方形表面區(qū)域僅具有一個(gè)傳導(dǎo)電流的金屬線。在圖1中，電極導(dǎo)線60構(gòu)成網(wǎng)格，電流流動(dòng)的方向如加黑的箭頭所示。標(biāo)記為65的導(dǎo)線部分被認(rèn)為是正方形66的導(dǎo)體。使用之前假設(shè)0.5微米寬度的導(dǎo)線間隔4微米的實(shí)施例，每個(gè)4. 5微米X4. 5微米格子中導(dǎo)線的長(zhǎng)度為9方塊(4. 5/0. 5 =9口)。因此，各線的電阻(Rs-網(wǎng)格)為0. 56Ω/□ X9 □= 5.0Ω。網(wǎng)格電極的表觀薄層電阻為Rs-網(wǎng)格=5. 0Ω / 口。如果導(dǎo)線的寬度減小到0. 25微米，則薄層電阻增加到 2Χ5.0Ω/ = 10Ω/□，相當(dāng)于ITO電極的薄層電阻。如果需要較低的薄層電阻，則可相應(yīng)地增加d。如上述討論所示的，本發(fā)明的網(wǎng)格電極可制備為具有與ITO電極相當(dāng)?shù)碾娮杪屎屯该鞫?。但是，網(wǎng)格電極的光學(xué)性能明顯優(yōu)于ITO電極，原因在于網(wǎng)格電極不會(huì)像ITO電極一樣導(dǎo)致光學(xué)損失。本發(fā)明裝置減少或消除了使用透明導(dǎo)電電極如ITO時(shí)由于在電極/基片界面反射而常常損失的光的量。尤其是，如果用于本發(fā)明裝置的光學(xué)層材料的折射率接近或匹配基片材料的折射率，則可以減少或消除光學(xué)層/基片界面處的反射。第二電極可以是圖案化的(即非均勻的)或未圖案化的(即均勻的)。例如，可按照需要，使用遮蔽掩?；蚱渌绞綄?duì)第二電極進(jìn)行圖案化，產(chǎn)生圖案化的層。類似地，電致發(fā)光層可以是圖案化或非圖案化的。材料本發(fā)明裝置包括透明基片。適用于本發(fā)明方法中的基片的材料是透明的或半透明的，并且與OLED裝置相容。聚合物和無(wú)定形或半結(jié)晶陶瓷是優(yōu)選的材料。無(wú)機(jī)材料的例子包括二氧化硅(即石英玻璃)，各種硅基玻璃，如鈉鈣玻璃和硼硅酸鹽玻璃，氧化鋁，氧化鋯，氯化鈉，金剛石和/或類似的材料。透明的或者半透明的聚合物材料的例子包括聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚乙烯、聚丙烯、聚酯、聚酰亞胺、聚酰胺、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯，以及它們的共聚物和混合物。所述基片可以是剛性的或者撓性的，可以具有任意合適的形狀和結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的裝置還包括光學(xué)層。適用于本發(fā)明方法中光學(xué)層的材料是透明的介電(即非導(dǎo)電性)材料。聚合物和無(wú)定形或半結(jié)晶陶瓷是優(yōu)選的材料。無(wú)機(jī)材料的例子包括二氧化硅(即石英玻璃)，各種硅基玻璃，如鈉鈣玻璃和硼硅酸鹽玻璃，氧化鋁，氧化鋯，氯化鈉，金剛石和/或類似的材料。透明的或者半透明的聚合物材料的例子包括聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚乙烯、聚丙烯、聚酯、聚酰亞胺、聚酰胺、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯，以及它們的共聚物和混合物。在一些實(shí)施方式中，光學(xué)材料包括陶瓷材料或陶瓷前體材料。這些材料是交聯(lián)的 (在陶瓷材料的情況中)或能形成交聯(lián)網(wǎng)絡(luò)(在陶瓷前體材料的情況中)的非導(dǎo)電性材料。在一些實(shí)施方式中，光學(xué)材料是有機(jī)或完全無(wú)機(jī)的含硅材料。作為例子，光學(xué)材料可具有1993年9月21日授予Blum的美國(guó)專利第5，246, 738號(hào)(“作為陶瓷產(chǎn)品前體的氫 ^. , (Hydridosiloxanes as Precursors to Ceramic Products，，禾口 12/8/08 提交的共同待審查的美國(guó)專利申請(qǐng)第12/330，319號(hào)中所述的陶瓷前體材料的結(jié)構(gòu)，并且可通過(guò)文獻(xiàn)中所述的方法合成。這些文獻(xiàn)中涉及這些材料和方法的內(nèi)容通過(guò)參考結(jié)合于此。例如，光學(xué)材料可包含具有通式(I)的結(jié)構(gòu)的重復(fù)單元
權(quán)利要求
1.一種電致發(fā)光裝置，其包括 包含透明材料的基片；包含透明光學(xué)材料的光學(xué)層，其中所述光學(xué)層接觸所述基片； 接觸所述基片、光學(xué)層或同時(shí)接觸所述基片和光學(xué)層的第一電極； 一個(gè)或多個(gè)通孔，其構(gòu)成通過(guò)光學(xué)層到第一電極的通道；包含導(dǎo)電材料的導(dǎo)電層，其中所述導(dǎo)電材料至少部分地填充一個(gè)或多個(gè)通孔，使得導(dǎo)電材料接觸第一電極，并且導(dǎo)電層覆蓋光學(xué)層； 接觸所述導(dǎo)電層的電致發(fā)光層；和接觸所述電致發(fā)光層的第二電極。
2.如權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光裝置，其特征在于，所述第一電極是圖案化的，包含相交導(dǎo)線的網(wǎng)格。
3.如權(quán)利要求2所述的電致發(fā)光裝置，其特征在于，所述導(dǎo)線包括面對(duì)基片的底表面和背對(duì)基片的頂表面，以及連接所述頂表面和底表面兩個(gè)側(cè)表面。
4.如權(quán)利要求3所述的電致發(fā)光裝置，其特征在于，導(dǎo)線的頂表面和側(cè)表面相遇，形成接觸光學(xué)層或嵌在光學(xué)層內(nèi)的邊。
5.如權(quán)利要求4所述的電致發(fā)光裝置，其特征在于，所述通孔形成模擬第一電極網(wǎng)格圖案的連接通道網(wǎng)。
6.如權(quán)利要求5所述的電致發(fā)光裝置，其特征在于，所述通道使導(dǎo)線的至少一部分頂表面暴露，使得通道中的導(dǎo)電材料接觸導(dǎo)線的暴露部分。
7.如權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光裝置，其特征在于，所述第一電極包括互連導(dǎo)線的網(wǎng)格，其中所述網(wǎng)格包括第一組基本平行的間隔第一預(yù)定量的導(dǎo)線；第二組基本平行的間隔第二預(yù)定量的導(dǎo)線，其中第一組的導(dǎo)線與第二組的導(dǎo)線相交，形成多個(gè)交點(diǎn)。
8.如權(quán)利要求7所述的電致發(fā)光裝置，其特征在于，所述導(dǎo)線具有平均寬度，所述交點(diǎn)具有平均直徑。
9.如權(quán)利要求7所述的電致發(fā)光裝置，其特征在于，通孔的平均寬度小于導(dǎo)線的平均寬度，或者通孔的平均寬度基本等于導(dǎo)線的平均寬度，或者通孔的平均寬度大于導(dǎo)線的平均寬度。
10.如權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光裝置，其特征在于，所述第二電極選自圖案化層和未圖案化層。
11.一種形成電致發(fā)光裝置的方法，其包括 提供透明基片；在所述基片上形成圖案化的第一電極； 在圖案化的第一電極和基片上沉積光學(xué)材料；通過(guò)除去光學(xué)材料使得至少一部分第一電極暴露而在光學(xué)材料中形成通孔圖案； 在光學(xué)材料上和通孔中沉積導(dǎo)電材料，使得導(dǎo)電材料通過(guò)通孔接觸第一電極； 在所述導(dǎo)電材料上沉積電致發(fā)光材料；和在電致發(fā)光材料上沉積第二電極。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，分兩步形成圖案化的第一電極，包括(a) 沉積基本均勻的導(dǎo)電材料層；(b)選擇性地除去均勻?qū)又械膶?dǎo)電材料，形成圖案。
13.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述第一電極包括具有頂表面、兩個(gè)側(cè)表面和在頂表面和各側(cè)表面相交處的邊的導(dǎo)線。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述通孔使導(dǎo)線的至少一部分頂表面暴露，但是不使導(dǎo)線的邊暴露，使得在將導(dǎo)電材料沉積到通孔內(nèi)時(shí)，導(dǎo)電材料不接觸導(dǎo)線的邊。
15.如權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述通孔使導(dǎo)線的整個(gè)頂表面暴露。
16.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，圖案化的第一電極是通過(guò)以圖案形式沉積導(dǎo)電材料的單個(gè)步驟形成的。
17.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，該方法還包括在形成圖案化第一電極之前在基片中形成通道圖案，然后形成圖案化的第一電極，使得第一電極至少部分地位于基片中的通道內(nèi)。
18.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，第一電極和第二電極包含非透明材料。
19.一種形成電致發(fā)光裝置的方法，其包括提供透明基片；在基片上沉積第一部分光學(xué)材料；任選地，通過(guò)除去一部分光學(xué)材料而在所述光學(xué)材料中形成圖案；在第一部分光學(xué)材料上形成圖案化的第一電極；在所述第一部分上和第一電極上沉積第二部分光學(xué)材料；通過(guò)除去光學(xué)材料在第二部分光學(xué)材料中形成通孔圖案，使得至少一部分第一電極通過(guò)通孔暴露；在光學(xué)材料上和通孔中沉積導(dǎo)電材料，使得導(dǎo)電材料通過(guò)通孔接觸第一電極；在導(dǎo)電材料上沉積電致發(fā)光材料；和在電致發(fā)光材料上沉積第二電極。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，第一電極包括具有兩個(gè)或更多個(gè)邊的導(dǎo)線，所述兩個(gè)或更多個(gè)邊嵌在光學(xué)材料中，使得它們不接觸位于通孔中的導(dǎo)電材料。
21.如權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，第一電極包括具有兩個(gè)或更多個(gè)邊的導(dǎo)線，其中所述兩個(gè)或更多個(gè)邊既接觸光學(xué)材料，又接觸位于通孔中的導(dǎo)電材料。
全文摘要
本發(fā)明提供用于減少電致發(fā)光裝置成本和提高其效率的方法和材料。本發(fā)明還提供了由這些方法制備的電致發(fā)光裝置。例如，在一個(gè)實(shí)施方式中，提供一種制備電致發(fā)光裝置的方法，該裝置包括兩個(gè)金屬電極、電致發(fā)光層、光學(xué)/絕緣層和導(dǎo)電層，所有這些層都位于透明基片上。電極之一是圖案化的，光學(xué)/絕緣層包括能在圖案化電極和導(dǎo)電層之間建立電導(dǎo)的通孔。
文檔編號(hào)H01L51/52GK102460766SQ201080032615
公開(kāi)日2012年5月16日 申請(qǐng)日期2010年5月13日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月14日
發(fā)明者Y·施, 許倩斐 申請(qǐng)人:思研(Sri)國(guó)際顧問(wèn)與咨詢公司