專利名稱：金屬表面的化學(xué)保護(hù)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及金屬表面的化學(xué)保護(hù)。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)已知包含金屬陽(yáng)極、陰極和固體或包含溶劑的電解質(zhì)的電化學(xué)單元 (cell)。這樣的蓄電池在重復(fù)充電/放電循環(huán)中具有限制，并且當(dāng)與它們的初始充電和放電容量相比時(shí)，在它們的充電和放電容量方面可有所降低。此外，固體蓄電池的初始容量經(jīng)常低于所需要的。因此，現(xiàn)有技術(shù)中存在對(duì)具有高初始容量并在重復(fù)的充電和放電循環(huán)中維持這樣的容量的改良蓄電池的需求。與電化學(xué)單元相關(guān)的另一個(gè)問(wèn)題是在重復(fù)充電和放電循環(huán)中枝晶的產(chǎn)生。當(dāng)電化學(xué)單元充電時(shí)，枝晶可在陽(yáng)極上形成。枝晶可在重復(fù)的循環(huán)中生長(zhǎng)并且導(dǎo)致蓄電池下降的性能或不允許蓄電池充電和放電的短路。因此，現(xiàn)有技術(shù)中存在對(duì)具有改善的循環(huán)壽命并限制枝晶形成的蓄電池和電極的需求。

發(fā)明內(nèi)容
電化學(xué)單元包含具有金屬材料的陽(yáng)極，該金屬材料具有含氧層。該電化學(xué)單元還包含陰極和電解質(zhì)。該陽(yáng)極包含通過(guò)使D或P區(qū)前體與含氧層反應(yīng)而形成在金屬材料上的保護(hù)層。


圖1是在施加保護(hù)層之前和之后鋰金屬的波長(zhǎng)與強(qiáng)度的頂光譜曲線；圖2是具有保護(hù)層的鋰金屬的差示掃描量熱曲線；圖3用于阻抗測(cè)試的實(shí)驗(yàn)裝置的圖表；圖4形成保護(hù)層的三甲基氯硅烷前體和參照材料的阻抗曲線；圖5形成保護(hù)層的氯二異丙基膦前體和參照材料的阻抗曲線；圖6形成保護(hù)層的氯二乙基膦前體和參照材料的阻抗曲線；圖7形成保護(hù)層的溴二甲基硼烷(dromodimethylborane)前體和參照材料的阻抗曲線；圖8是形成保護(hù)層的三甲基氯硅烷、氯二異丙基膦、氯二乙基膦和溴二甲基硼烷和參照材料的阻抗曲線；圖9是形成保護(hù)層的四乙基原硅酸酯前體和參照材料的阻抗曲線；圖10是顯示在金屬表面上沉積的厚層的橫截面SEM數(shù)據(jù)；
圖11用于實(shí)施例4的實(shí)驗(yàn)裝置的描述。
具體實(shí)施例方式在本文中使用的術(shù)語(yǔ)電化學(xué)單元意指具有陽(yáng)極、陰極和插入兩者之間的離子導(dǎo)電電解質(zhì)的裝置。該電化學(xué)單元可為蓄電池、電容器或其它這樣的裝置。蓄電池可具有一次或二次化學(xué)性質(zhì)。蓄電池可具有固體電解質(zhì)或液體電解質(zhì)。在本文中使用的術(shù)語(yǔ)陽(yáng)極意指在放電循環(huán)期間氧化的電極。公開(kāi)了具有包含金屬材料的陽(yáng)極的電化學(xué)單元，該金屬材料具有含氧層。陽(yáng)極材料可為如元素周期表所指出的堿金屬或堿土金屬。金屬材料的非限制性例子包括鋰、鋁、 鈉和鎂。在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選方面，金屬材料為鋰。含氧層可通過(guò)將金屬材料暴露于氣氛中形成或可以以其它方式形成于金屬材料上。電化學(xué)單元還包含陰極，其可由任何合適的材料形成。電解質(zhì)置入在陽(yáng)極和陰極之間， 并且其可為任何合適的形式，包括固體電解質(zhì)液體電解質(zhì)和凝膠聚合物電解質(zhì)，該凝膠聚合物電解質(zhì)是用溶劑和鹽溶脹的聚合物基體。固體電解質(zhì)可為聚合物類型、無(wú)機(jī)層或這兩者的混合物。聚合物電解質(zhì)的例子包括PEO基和PEG基的聚合物。無(wú)機(jī)電解質(zhì)可由硫化物玻璃、磷化物玻璃、氧化物玻璃及其混合物組成。液體電解質(zhì)的例子包括具有溶解的金屬離子鹽的碳酸酯溶劑，例如在乙烯碳/碳酸乙酯(EC/DEC)中的IM LiPF6。電化學(xué)單元的陽(yáng)極包括通過(guò)使D或P區(qū)前體與含氧層反應(yīng)而形成于其上的化學(xué)鍵合的保護(hù)層。術(shù)語(yǔ)D或P區(qū)前體包括具有在元素周期表的D或P區(qū)中的元素的化合物。D 或P區(qū)元素的例子包括磷、硼、硅、鈦、鉬、鉭、釩等。D或P區(qū)前體可為有機(jī)金屬化合物。有機(jī)金屬化合物的例子包括金屬間化合物、具有鍵合于其上的有機(jī)取代基的合金和金屬。在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選方面，D或P區(qū)前體可包括硅、硼或磷。D或P區(qū)前體與金屬材料的含氧層反應(yīng)以形成保護(hù)層。在一個(gè)實(shí)施方案中，D或P區(qū)前體可以是具有以下式的化學(xué)化合物=AR1R2X,其中A 選自磷或硼，X是鹵素或包含鹵素的化合物，并且R1選自鹵素、具有1-20個(gè)碳的烷基、包含 1-20個(gè)碳的烷氧基或具有1-20個(gè)碳的芳基。R2選自鹵素、具有1-20個(gè)碳的烷基、包含1_20 個(gè)碳的烷氧基或具有1-20個(gè)碳的芳基。鹵素可包括氯、溴、氟和碘。烷基、烷氧基和芳基可為氟化或部分氟化的。烷基可為甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、叔戊基、異辛基、叔辛基、2-乙基己基、壬基、癸基、i^一烷基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)辛基、1-甲基環(huán)戊基、1-甲基環(huán)己基、1-甲基環(huán)己基和1-甲基-4-異丙基環(huán)己基，盡管本發(fā)明也可使用沒(méi)有列出的其它烷基。還可使烷基官能化。合適的官能團(tuán)包括醚、硫醚、亞砜等。芳基可為苯基，在對(duì)、間或鄰位上具有烷基取代基的苯基和多環(huán)芳族化合物 (polyaromatic compound) 0合適的多環(huán)芳族化合物的例子包括萘的衍生物。在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方案中，D或P區(qū)前體可以是具有以下式的化學(xué)化合物 AR1R2R3R4X,其中A為磷，X為鹵素或包含鹵素的化合物，并且R1選自鹵素、具有1_20個(gè)碳的烷基、包含1-20個(gè)碳的烷氧基或具有1-20個(gè)碳的芳基、或氧，R2選自鹵素、具有1-20個(gè)碳的烷基、包含1-20個(gè)碳的烷氧基、具有1-20個(gè)碳的芳基、或氧，R3選自鹵素、具有1-20個(gè)碳的烷基、包含1-20個(gè)碳的烷氧基、具有1-20個(gè)碳原子的芳基、或氧，R4選自鹵素、具有1-20個(gè)碳的烷基、包含1-20個(gè)碳的烷氧基、具有1-20個(gè)碳原子的芳基、或氧。在化合物包含雙鍵氧或其它雙鍵取代基的情況下，R基的數(shù)目總數(shù)可少于4。如同前面描述的實(shí)施方案，鹵素、烷基、烷氧基和芳基相同并且不再重復(fù)。在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方案中，D或P區(qū)前體可以是具有以下式的化學(xué)化合物 SiR1R2R3X,其中X為鹵素或包含鹵素的化合物，并且R1選自氫、鹵素、具有1-20個(gè)碳的烷基、 包含1-20個(gè)碳的烷氧基或具有1-20個(gè)碳的芳基，R2選自氫、鹵素、具有1-20個(gè)碳的烷基、 包含1-20個(gè)碳的烷氧基或具有1-20個(gè)碳的芳基、R3選自氫、鹵素、具有1-20個(gè)碳的烷基、 包含1-20個(gè)碳的烷氧基或具有1-20個(gè)碳原子的芳基。如同前面描述的實(shí)施方案，鹵素、烷基、烷氧基和芳基相同并且不再重復(fù)。在另一個(gè)方面，化學(xué)保護(hù)層可不鍵合于如上所述的金屬材料。在該申請(qǐng)中，電化學(xué)單元的陽(yáng)極還由通過(guò)使D或P區(qū)前體與含氧層反應(yīng)而在其上形成保護(hù)層所覆蓋。D或P區(qū)前體可包括如上所述的相同類型的材料，包括具有以下式的化合物=AR1R2X,其中A選自磷或硼，X是鹵素或包含鹵素的化合物，并且R1選自鹵素、具有1-20個(gè)碳的烷基、包含1-20個(gè)碳的烷氧基或具有1-20個(gè)碳的芳基，R2選自鹵素、具有1-20個(gè)碳的烷基、包含1-20個(gè)碳的烷氧基或具有1-20個(gè)碳的芳基；具有以下式的化合物=AR1R2R3R4X,其中A為磷，X為鹵素或包含鹵素的化合物，并且R1選自鹵素、具有1-20個(gè)碳的烷基、包含1-20個(gè)碳的烷氧基或具有1-20個(gè)碳的芳基、或氧，R2選自鹵素、具有1-20個(gè)碳的烷基、包含1-20個(gè)碳的烷氧基、具有1-20個(gè)碳的芳基、或氧，R3選自鹵素、具有1-20個(gè)碳的烷基、包含1-20個(gè)碳的烷氧基、具有1-20個(gè)碳的芳基、或氧，R4選自鹵素、具有1-20個(gè)碳的烷基、包含1-20個(gè)碳的烷氧基、具有1-20個(gè)碳的芳基、或氧；以及具有以下式的化學(xué)化合物=SiR1R2R3X,其中X為鹵素或包含鹵素的化合物，并且R1選自氫、鹵素、具有1-20個(gè)碳的烷基、包含1-20個(gè)碳的烷氧基或具有1-20個(gè)碳的芳基，R2選自氫、鹵素、具有1-20個(gè)碳的烷基、包含1-20個(gè)碳的烷氧基或具有1-20個(gè)碳的芳基，R3選自氫、鹵素、具有1-20個(gè)碳的烷基、包含1-20個(gè)碳的烷氧基或具有1-20個(gè)碳原子的芳基。除了上述確定的化合物之外，另外的含氧物質(zhì)還可包含于D或P區(qū)前體，并且反應(yīng)形成化學(xué)保護(hù)層。合適的含氧物質(zhì)可包括氧、水蒸汽和其它含氧的化合物。在化學(xué)保護(hù)層不鍵合于金屬材料的表面的實(shí)施方案中，D或P區(qū)前體與金屬材料的含氧層和/或與任何另外的含氧物質(zhì)反應(yīng)以引發(fā)D或P區(qū)前體的分解、水解、聚合或其它反應(yīng)，從而形成不鍵合于金屬材料表面的層。實(shí)施例在實(shí)施例部分詳細(xì)描述的實(shí)驗(yàn)中，將鋰金屬條帶暴露于各種前體化合物。在室溫下于包含前體化合物的惰性氣氛中，將鋰條帶放置在密封燒瓶中。使條帶暴露于前體合適周期的時(shí)間，用于前體與在鋰上的金屬含氧層反應(yīng)以形成保護(hù)層。對(duì)各種樣品進(jìn)行各種分析程序阻抗測(cè)試、頂光譜測(cè)試和差示掃描量熱測(cè)試。實(shí)施例1如圖1所示，采用頂光譜分析鋰金屬的未處理樣品和根據(jù)上述的步驟用三甲基氯硅烷處理240秒的樣品。對(duì)于未處理樣品，對(duì)應(yīng)氫氧化鋰鍵的峰顯示于3600cm-l范圍內(nèi)。 對(duì)于處理過(guò)的樣品沒(méi)有顯示該峰，該樣品包括對(duì)應(yīng)硅氧鍵在IlOOcm-I范圍內(nèi)的峰。該關(guān)系說(shuō)明前體化合物已經(jīng)與含氧金屬反應(yīng)以形成硅氧鍵。
實(shí)施例2如圖2所示，采用差示掃描量熱分析鋰金屬的未處理樣品和根據(jù)上述的步驟用三甲基氯硅烷處理的樣品。將樣品放置在鋁盤(pán)中，使氮?dú)鈬@樣品流動(dòng)。將樣品重復(fù)地加熱到高于熔點(diǎn)并且冷卻到低于熔點(diǎn)，以確定鋰是否受到保護(hù)免于環(huán)境影響。未處理的鋰樣品與鋁盤(pán)反應(yīng)并且沒(méi)有顯示代表純鋰金屬的熔化和凝固。未處理的樣品，如圖2所示，在鋰的熔點(diǎn)或非常接近鋰的熔點(diǎn)處展現(xiàn)了非常清晰的熔化和凝固(在熔點(diǎn)處微量的過(guò)熱或過(guò)冷取決于加熱速率)。窄峰說(shuō)明鋰金屬得到保護(hù)并且與未保護(hù)的樣品相比沒(méi)有與環(huán)境反應(yīng)。實(shí)施例3對(duì)各種處理過(guò)的鋰樣品和作為參照的未處理的鋰進(jìn)行阻抗測(cè)試。使用的實(shí)驗(yàn)裝置顯示于圖3中。使用如上所述的步驟形成各種樣品。在正電極位置放置有樣品的實(shí)驗(yàn)裝置中測(cè)試鋰樣品。不同樣品的阻抗曲線顯示于圖4-7中。圖4顯示了用三甲基氯硅烷前體處理形成保護(hù)層的樣品的阻抗曲線。圖5顯示了對(duì)于形成保護(hù)層的氯二異丙基膦前體的阻抗曲線。圖6顯示了對(duì)于形成保護(hù)層的氯二乙基膦前體的阻抗曲線。圖7顯示了對(duì)于形成保護(hù)層的二溴二甲基硼烷(dibromodimethylborane)前體的阻抗曲線。如從附圖中可看出， 處理過(guò)的樣品均具有斜率小于參照樣品的阻抗曲線。該行為顯示了相對(duì)于未處理樣品的改善的性能。使用阻抗值來(lái)計(jì)算各種樣品的阻抗，對(duì)于各種樣品的阻抗顯示于圖8中。如從附圖中可看出，所有處理過(guò)的樣品的阻抗小于未處理的參照物。前體材料的各種元素和R 基對(duì)樣品的阻抗具有影響。氯二異丙基膦樣品顯示了處理的樣品的最低阻抗。對(duì)于用作電化學(xué)單元中的陽(yáng)極，需要較低阻抗的金屬材料。實(shí)施例4分析了鋰金屬的未處理樣品和根據(jù)上述的步驟用四乙基原硅酸酯處理的樣品。對(duì)鋰的處理過(guò)和作為參照的未處理的鋰進(jìn)行阻抗測(cè)試。使用的實(shí)驗(yàn)裝置顯示于圖11中。使用阻抗曲線來(lái)計(jì)算樣品的阻抗，其顯示于圖9中。如從附圖中可看出，所有處理過(guò)的樣品的阻抗小于未處理的參照物。對(duì)于用作電化學(xué)單元中的陽(yáng)極，需要較低阻抗的金屬材料。參考圖10，顯示了處理過(guò)的樣品的橫截面的SEM顯微照片。如從顯微照片中可看出，化學(xué)保護(hù)層為厚層，如層的厚度所證明的那樣，該厚層沒(méi)有化學(xué)鍵合于金屬表面。已經(jīng)以說(shuō)明性方式描述了本發(fā)明。將理解所使用的術(shù)語(yǔ)意欲為描述詞語(yǔ)的本義而不是限制。在考慮到以上的教導(dǎo)下本發(fā)明的許多修改或改變是可能的。因此，在所附的權(quán)利要求的范圍內(nèi)，可在如特別描述之外實(shí)踐本發(fā)明。
權(quán)利要求
1.用于電化學(xué)單元的陽(yáng)極，包含 具有含氧層的金屬材料；通過(guò)使D或P區(qū)前體與含氧層反應(yīng)而在金屬材料上形成的保護(hù)層。
2.權(quán)利要求1的陽(yáng)極，包括將含氧物質(zhì)添加到D或P區(qū)前體。
3.權(quán)利要求1的陽(yáng)極，其中D或P區(qū)前體為有機(jī)金屬化合物。
4.權(quán)利要求1的陽(yáng)極，其中金屬材料選自堿金屬和堿土金屬。
5.權(quán)利要求1的陽(yáng)極，其中金屬材料包含鋰。
6.權(quán)利要求1的陽(yáng)極，其中D或P區(qū)前體包含具有以下式的化學(xué)化合物=AR1R2X,其中A 選自磷或硼，X是鹵素或包含鹵素的化合物，并且R1選自鹵素、具有1-20個(gè)碳的烷基、包含 1-20個(gè)碳的烷氧基或具有1-20個(gè)碳的芳基，R2選自鹵素、具有1-20個(gè)碳的烷基、包含1_20 個(gè)碳的烷氧基或具有1-20個(gè)碳的芳基。
7.權(quán)利要求6的陽(yáng)極，其中鹵素選自氯、溴、氟和碘。
8.權(quán)利要求6的陽(yáng)極，其中烷基、烷氧基和芳基可為氟化或部分氟化的。
9.權(quán)利要求6的陽(yáng)極，其中烷基是官能化的。
10.權(quán)利要求6的陽(yáng)極，其中烷基選自甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、叔戊基、異辛基、叔辛基、2-乙基己基、壬基、癸基、十一烷基、環(huán)戊基、環(huán)己基、 環(huán)庚基、環(huán)辛基、1-甲基環(huán)戊基、1-甲基環(huán)己基、1-甲基環(huán)己基和1-甲基-4-異丙基環(huán)己基。
11.權(quán)利要求6的陽(yáng)極，其中芳基選自苯基，在對(duì)、間或鄰位上具有烷基取代基的苯基和多環(huán)芳族化合物。
12.權(quán)利要求1的陽(yáng)極，其中D或P區(qū)前體包含具有以下式的化學(xué)化合物=AR1R2R3R4X, 其中A為磷，X為鹵素或包含鹵素的化合物，并且R1選自鹵素、具有1-20個(gè)碳的烷基、包含 1-20個(gè)碳的烷氧基，具有1-20個(gè)碳的芳基、或氧，R2選自鹵素、具有1-20個(gè)碳的烷基、包含 1-20個(gè)碳的烷氧基，具有1-20個(gè)碳的芳基、或氧，R3選自鹵素、具有1-20個(gè)碳的烷基、包含 1-20個(gè)碳的烷氧基、具有1-20個(gè)碳的芳基、或氧，R4選自鹵素、具有1-20個(gè)碳的烷基、包含 1-20個(gè)碳的烷氧基、具有1-20個(gè)碳的芳基，或氧。
13.權(quán)利要求12的陽(yáng)極，其中鹵素選自氯、溴、氟和碘。
14.權(quán)利要求12的陽(yáng)極，其中烷基、烷氧基和芳基可為氟化或部分氟化的。
15.權(quán)利要求12的陽(yáng)極，其中烷基是官能化的。
16.權(quán)利要求12的陽(yáng)極，其中烷基選自甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、叔戊基、異辛基、叔辛基、2-乙基己基、壬基、癸基、十一烷基、環(huán)戊基、環(huán)己基、 環(huán)庚基、環(huán)辛基、1-甲基環(huán)戊基、I-甲基環(huán)己基、1-甲基環(huán)己基和1-甲基-4-異丙基環(huán)己基。
17.權(quán)利要求1的陽(yáng)極，其中D或P區(qū)前體包含具有以下式的化學(xué)化合物=SiR1R2R3X,其中X為鹵素或包含鹵素的化合物，并且R1選自氫、鹵素、具有1-20個(gè)碳的烷基、包含1-20個(gè)碳的烷氧基或具有1-20個(gè)碳的芳基，R2選自氫、鹵素、具有1-20個(gè)碳的烷基、包含1-20個(gè)碳的烷氧基或具有1-20個(gè)碳的芳基，R3選自氫、鹵素、具有1-20個(gè)碳的烷基、包含1-20個(gè)碳的烷氧基或具有1-20個(gè)碳的芳基。
18.權(quán)利要求17的陽(yáng)極，其中鹵素選自氯、溴、氟和碘。
19.權(quán)利要求17的陽(yáng)極，其中烷基、烷氧基和芳基可為氟化或部分氟化的。
20.權(quán)利要求17的陽(yáng)極，其中烷基是官能化的。
21.權(quán)利要求17的陽(yáng)極，其中烷基選自甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、叔戊基、異辛基、叔辛基、2-乙基己基、壬基、癸基、十一烷基、環(huán)戊基、環(huán)己基、 環(huán)庚基、環(huán)辛基、1-甲基環(huán)戊基、1-甲基環(huán)己基、1-甲基環(huán)己基和1-甲基-4-異丙基環(huán)己基。
22.一種電化學(xué)單元，包含包括具有含氧層的金屬材料的陽(yáng)極；陰極；電解質(zhì)；陽(yáng)極包括通過(guò)使D或P區(qū)前體與含氧層反應(yīng)而在金屬材料上形成的保護(hù)層。
23.權(quán)利要求22的電化學(xué)單元，其中D或P區(qū)前體包含具有以下式的化學(xué)化合物 AR1R2X,其中A選自磷或硼，X是鹵素或包含鹵素的化合物，并且R1選自鹵素、具有1-20個(gè)碳的烷基、包含1-20個(gè)碳的烷氧基或具有1-20個(gè)碳的芳基，R2選自鹵素、具有1-20個(gè)碳的烷基、包含1-20個(gè)碳的烷氧基或具有1-20個(gè)碳的芳基。
24.權(quán)利要求22的電化學(xué)單元，其中D或P區(qū)前體包含具有以下式的化學(xué)化合物 AR1R2R3R4X,其中A為磷，X為鹵素或包含鹵素的化合物，并且R1選自鹵素、具有1_20個(gè)碳的烷基、包含1-20個(gè)碳的烷氧基、具有1-20個(gè)碳的芳基、或氧，R2選自鹵素、具有1-20個(gè)碳的烷基、包含1-20個(gè)碳的烷氧基，具有1-20個(gè)碳的芳基、或氧，R3選自鹵素、具有1-20個(gè)碳的烷基、包含1-20個(gè)碳的烷氧基、具有1-20個(gè)碳的芳基、或氧，R4選自鹵素、具有1-20個(gè)碳的烷基、包含1-20個(gè)碳的烷氧基、具有1-20個(gè)碳的芳基、或氧。
25.權(quán)利要求22的電化學(xué)單元，其中D或P區(qū)前體包含以下式的化學(xué)化合物 SiR1R2R3X,其中X為鹵素或包含鹵素的化合物，并且R1選自氫、鹵素、具有1-20個(gè)碳的烷基、 包含1-20個(gè)碳的烷氧基或具有1-20個(gè)碳的芳基，R2選自氫、鹵素、具有1-20個(gè)碳的烷基、 包含1-20個(gè)碳的烷氧基或具有1-20個(gè)碳的芳基，R3選自氫、鹵素、具有1-20個(gè)碳的烷基、 包含1-20個(gè)碳的烷氧基或具有1-20個(gè)碳的芳基。
全文摘要
一種電化學(xué)單元包含有具有含氧層的金屬材料的陽(yáng)極。該電化學(xué)單元還包含陰極和電解質(zhì)。該陽(yáng)極包含通過(guò)使D或P區(qū)前體與含氧層反應(yīng)而形成的保護(hù)層。
文檔編號(hào)H01G9/04GK102405543SQ201080016126
公開(kāi)日2012年4月4日 申請(qǐng)日期2010年3月2日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月2日
發(fā)明者B·杜恩, E·曼克, F·伍德?tīng)? G·尤米達(dá), K·L·斯戴姆, M·N·理查德 申請(qǐng)人:豐田自動(dòng)車工程及制造北美公司, 加利福尼亞大學(xué)董事會(huì)