專利名稱：大功率的垂直結(jié)構(gòu)led芯片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型揭示大功率的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片，屬于光電子技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體照明正快速的進(jìn)入通用照明，目前的主要障礙是高成本，另外，擴展產(chǎn)能需 要巨額資金。主流LED芯片的結(jié)構(gòu)是垂直結(jié)構(gòu)LED芯片，其基本結(jié)構(gòu)如下外延層通過反射 /歐姆層/鍵合層鍵合在導(dǎo)電支持襯底上，剝離生長襯底，形成垂直結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體芯片。傳統(tǒng) 的垂直結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體芯片的不足之處在于，不易向芯片輸入大電流，在打線焊盤附近產(chǎn)生電 流擁塞(current crowding)，電流擁塞一方面降低芯片壽命，一方面降低芯片發(fā)光效率。然 而，向芯片輸入大電流是快速降低芯片成本、減少巨額投資的重要方法，需要能引入大電流 的芯片。本實用新型公開大功率的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片。
實用新型內(nèi)容本實用新型公開大功率的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片，垂直結(jié)構(gòu)LED芯片包括導(dǎo)電支持襯 底、半導(dǎo)體外延層、焊盤絕緣層、電極絕緣層、電極。其中，半導(dǎo)體外延層鍵合于導(dǎo)電支持襯 底上；焊盤絕緣層和電極絕緣層形成在半導(dǎo)體外延層上；打線焊盤形成在焊盤絕緣層上； 電極包括，打線焊盤、至少一個條形電極，條形電極是從一組電極中選出，該組電極包括，非 有效條形電極、有效條形電極、混合條形電極；有效條形電極形成在半導(dǎo)體外延層上，電流 通過有效條形電極直接流向半導(dǎo)體外延層；非有效條形電極形成在電極絕緣層上而不直接 與半導(dǎo)體外延層接觸，電流不能通過非有效條形電極直接流向半導(dǎo)體外延層；混合條形電 極包括有效電極部分和非有效電極部分，非有效電極部分形成在焊盤絕緣層和/或電極絕 緣層上，電流不能通過非有效電極部分直接流向半導(dǎo)體外延層，電流通過非有效電極部分 流向有效電極部分，有效電極部分形成在半導(dǎo)體外延層上，電流通過有效電極部分直接流 向半導(dǎo)體外延層。其特征在于(1)焊盤絕緣層使得電流不能從打線焊盤直接流向半導(dǎo)體 外延層，不會在打線焊盤的下方形成電流擁塞(current crowding)。(2)焊盤絕緣層與至 少一個電極絕緣層相連接(焊盤絕緣層與電極絕緣層同時形成)，電極絕緣層使得電流不 能從非有效條形電極和/或混合條形電極的非有效電極部分直接流向半導(dǎo)體外延層。(3) 與打線焊盤連接的非有效條形電極在電極絕緣層上延伸一段預(yù)定的距離后，與混合條形電 極相連接，避免電流在打線焊盤附近形成電流擁塞。(4)電流從至少一個端點流入混合條形 電極的有效電極部分，該端點稱為混合條形電極的有效電極部分的電流引入點，電流從這 一點開始向下流入半導(dǎo)體外延層。每個混合條形電極有至少一個電流引入點。(5)兩個相 鄰的混合條形電極基本上互相平行。(6)電極的設(shè)置是從一組設(shè)置中選出，該組設(shè)置包括， 并列型電極(包括互相平行的多個混合條形電極)、叉型電極、U型電極。優(yōu)選實施例在外延層和焊盤絕緣層之間形成反射層，反射層的形狀與尺寸和打 線焊盤相同。
3[0006]優(yōu)選實施例在外延層和電極絕緣層之間形成反射層，反射層的形狀與尺寸和形 成在電極絕緣層上面的非有效條形電極相同。半導(dǎo)體外延層包括，氮化鎵基、磷化鎵基、鎵氮磷基、氧化鋅基外延層，即，發(fā)紅光/ 黃、綠光、藍(lán)光，等的半導(dǎo)體外延層。本實用新型的目的和能達(dá)到的各項效果如下(1)本實用新型提供大功率的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片，解決了向芯片輸入大電流的問 題，使得每個芯片發(fā)出的光通量(流明(Im)/芯片)增加。(2)本實用新型提供的大功率的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片，降低了流明(Im)成本(元/ Im)，使得LED可以很快地進(jìn)入普通照明。(3)本實用新型提供的大功率的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片，在相同的芯片產(chǎn)能的條件下， 提高了流明(Im)產(chǎn)能，其中，流明(Im)產(chǎn)能=芯片產(chǎn)能χ流明(Im)/芯片。節(jié)省了巨額的 設(shè)備投資。(4)本實用新型提供的大功率的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片，在相同的流明(Im)產(chǎn)能的條 件下，節(jié)省了外延生長和芯片工藝的原材料。(5)本實用新型提供的大功率的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片，制造工藝適于批量生產(chǎn)。本實用新型和它的特征及效益將在下面的詳細(xì)描述中更好的展示。

圖Ia展示本實用新型的大功率的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片的一個實施例的頂視圖。圖Ib展示圖Ia展示的具體實施例的有效電極。圖2a展示本實用新型的大功率的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片的一個實施例的頂視圖。圖2b展示圖2a展示的具體實施例的有效電極。圖3a展示本實用新型的大功率的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片的一個實施例的頂視圖。圖3b展示圖3a展示的具體實施例的有效電極。圖4a展示本實用新型的大功率的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片的一個實施例的頂視圖。圖4b展示圖4a展示的具體實施例的有效電極。圖5a展示本實用新型的大功率的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片的一個實施例的頂視圖。圖5b展示圖5a展示的具體實施例的有效電極。圖6a展示混合條形電極的實施例的局部的頂視圖。圖6b展示圖6a展示的具體實施例的截面圖。圖7展示本實用新型的大電流驅(qū)動的帶有反射層的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片的實施例的 截面圖。
具體實施例雖然本實用新型的具體實施例將會在下面被描述，但下列各項描述只是說明本實 用新型的原理，而不是局限本實用新型于下列各項具體化實施實例的描述。注意下列各項適用于本實用新型的大功率的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片的所有實施例(1)圖中各部分的比例不代表真實產(chǎn)品的比例。(2)外延層的材料是從一組材料中選出，該組材料包括，氮化鎵基、磷化鎵基、鎵
4氮磷基、和氧化鋅基材料，g卩，發(fā)紅光/黃、綠光、藍(lán)光，等的半導(dǎo)體外延層。其中，氮化鎵基 材料包括鎵、鋁、銦、氮的二元系、三元系、四元系材料。鎵、鋁、銦、氮的二元系、三元系、四 元系材料包括，GaN, GaInN, AlGaInN, AlGalnN，等。磷化鎵基材料包括鎵、鋁、銦、磷的二 元系、三元系、四元系材料。鎵、鋁、銦、磷的二元系、三元系、四元系材料包括，GaP, GaInP, AlGaInP、InP，等。鎵氮磷基材料包括鎵、鋁、銦、氮、磷的二元系、三元系、四元系和五元系 材料。鎵、鋁、銦、氮、磷的二元系、三元系、四元系和五元系材料包括，GaNP、AlGaNP、GaInNP、 AlGalnNP，等。氧化鋅基材料包括，ZnO，等。氮化鎵基外延層的晶體平面是從一組晶體平面 中選出，該組晶體平面包括C-平面、a-平面、m-平面。(3)垂直結(jié)構(gòu)LED芯片包括導(dǎo)電支持襯底、半導(dǎo)體外延層、焊盤絕緣層、電極絕緣 層、電極。其中，半導(dǎo)體外延層鍵合于導(dǎo)電支持襯底上。(4)電極絕緣層和焊盤絕緣層形成在半導(dǎo)體外延層上。(5)電極包括，打線焊盤、至少一個條形電極。打線焊盤形成在焊盤絕緣層上；條 形電極是從一組電極中選出，該組電極包括，非有效條形電極、有效條形電極、混合條形電 極。在對圖1至圖5中的條形電極的說明中，只在對每個圖的說明中第一次提到時，采用全 稱例如，非有效條形電極123、有效條形電極456、混合條形電極789，在對該圖的說明中再 次提到時，簡稱為條形電極123、條形電極456、條形電極789。(6)非有效條形電極的主要部分形成在電極絕緣層上，非有效條形電極的其它部 分形成在焊盤絕緣層上，使得非有效條形電極與半導(dǎo)體外延層沒有直接接觸，電流不能通 過非有效條形電極直接流向半導(dǎo)體外延層。(7)有效條形電極形成在半導(dǎo)體外延層上，電流通過有效條形電極直接流向半導(dǎo) 體外延層。(8)混合條形電極包括有效電極部分和非有效電極部分，有效電極部分形成在半 導(dǎo)體外延層上，非有效電極部分形成在電極絕緣層上，電流不能通過非有效電極部分直接 流向半導(dǎo)體外延層，電流通過非有效電極部分流向有效電極部分，電流通過有效電極部分 直接流向半導(dǎo)體外延層。。(9)打線焊盤形成在焊盤絕緣層上，使得電流不能從打線焊盤直接流向半導(dǎo)體外 延層，因此，不會在打線焊盤的下方形成電流擁塞。(10)至少一個電極絕緣層與焊盤絕緣層相連接(焊盤絕緣層與電極絕緣層同時 形成)，電極絕緣層形成在半導(dǎo)體外延層與非有效條形電極之間，使得電流不能從非有效條 形電極直接流向半導(dǎo)體外延層?；蛘?，電極絕緣層形成在半導(dǎo)體外延層與混合條形電極的 非有效電極部分之間，使得電流不能從非有效電極部分直接流向半導(dǎo)體外延層。(11)電流從至少一個端點流入混合條形電極的有效電極部分，該端點稱為電流引 入點，電流從這一點開始向下流入半導(dǎo)體外延層。(12) 一個LED芯片的電極包括至少一個打線焊盤。對于具有多個打線焊盤的電 極，打線焊盤的位置的設(shè)置使得多個混合條形電極的有效電極部分基本上互相平行。(13)至少一個非有效條形電極與打線焊盤連接，該非有效條形電極在電極絕緣層 上延伸一段預(yù)定的距離后，與混合條形電極相連接，避免電流在打線焊盤附近形成電流擁
O(14)芯片的電極設(shè)置是從一組電極設(shè)置中選出，該組設(shè)置包括，并列型電極、叉型
5電極、U型電極。(15)構(gòu)成并列型電極的混合條形電極的有效電極部分基本上互相平行。(16)叉型電極的叉基本上互相平行。一個叉型電極包括至少兩個叉。一個LED芯 片的電極可以包括多個叉型電極。。(17)構(gòu)成U型電極的兩側(cè)的有效電極部分基本上互相平行。一個LED芯片的電極 可以包括多個U型電極。(18)在外延層和焊盤絕緣層之間形成反射層。優(yōu)選實施例，反射層的形狀與尺寸 和打線焊盤相同。(19)在外延層和電極絕緣層之間形成反射層。優(yōu)選實施例，反射層的形狀與尺寸 和混合條形電極的非有效電極部分相同。優(yōu)選實施例，反射層的形狀與尺寸和非有效條形 電極相同。(20)焊盤絕緣層和電極絕緣層的材料是從一組材料中選出，該組材料包括，氧化 硅(Si02)、氮化硅(SiN)、玻璃上硅(SOG)，等。(21)在半導(dǎo)體外延層的表面上，形成粗化結(jié)構(gòu)或光子晶體結(jié)構(gòu)。(22)有效條形電極與半導(dǎo)體外延層之間形成透明電極。在透明電極的表面上，形 成粗化結(jié)構(gòu)。在透明電極表面上形成絕緣的保護層。保護層的表面上，形成粗化結(jié)構(gòu)。圖Ia展示本實用新型的大功率的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片的電極的一個實施例的頂視 圖。垂直結(jié)構(gòu)LED芯片100包括導(dǎo)電支持襯底和半導(dǎo)體外延層，半導(dǎo)體外延層鍵合在導(dǎo)電 支持襯底上。半導(dǎo)體外延層上預(yù)定的位置上分別形成互相連接的焊盤絕緣層103a、焊盤絕 緣層103b、電極絕緣層104。電極包括，打線焊盤IOla和打線焊盤101b、互相電連接的混 合條形電極(包括混合條形電極1053、10513、105(3、105(1)、非有效條形電極102。打線焊盤 IOla和打線焊盤IOlb分別形成在焊盤絕緣層103a和焊盤絕緣層103b上。非有效條形電 極102形成在電極絕緣層104上。電流分別從金線引入打線焊盤IOla和打線焊盤101b，電 流不能從打線焊盤IOla和打線焊盤IOlb直接向下流向半導(dǎo)體外延層；電流不能從非有效 條形電極102直接向下流向半導(dǎo)體外延層。電流分別通過條形電極105a、105b、105c、105d 流向半導(dǎo)體外延層。條形電極105a、105b、105c、105d各自的一部分形成在電極絕緣層104 上，條形電極105a、105b、105c、105d各自的主要部分形成在半導(dǎo)體外延層上。圖6a展示混合條形電極的實施例的局部的頂視圖。圖6b展示混合條形電極的實 施例的局部的截面圖。圖6a中的虛線圓圈x20展示圖Ia中虛線圓圈120部分、圖2a中虛 線圓圈220部分、圖3a中虛線圓圈320部分、圖4a中虛線圓圈420部分、圖5a中虛線圓圈 520部分，其中，χ = 1、2、3、4、5。圖6a和圖6b中的數(shù)字標(biāo)記中的χ = 1、2、3、4、5，分別表 示圖la、圖2a、圖3a、圖4a、圖5a中的相對應(yīng)的部分例如，LED芯片χΟΟ，當(dāng)χ = 1時，是 圖Ia中的LED芯片100 ；當(dāng)χ = 2時，是圖2a中的LED芯片200 ；當(dāng)χ = 3時，是圖3a中的 LED芯片300 ；當(dāng)χ = 4時，是圖4a中的LED芯片400 ；當(dāng)χ = 5時，是圖5a中的LED芯片 500。LED芯片χΟΟ的上表面是半導(dǎo)體外延層，電極絕緣層x04形成在半導(dǎo)體外延層上，非有 效條形電極x02形成在電極絕緣層x04上?；旌蠗l形電極包括非有效電極部分x05a和有 效電極部分x05b，非有效電極部分x05a形成在電極絕緣層x04上，有效電極部分x05b形成 在半導(dǎo)體外延層上，非有效電極部分x05a與有效電極部分x05b的交界處稱為電流引入點 XlO0電流通過非有效條形電極x02流向非有效電極部分x05a，再有效電極部分x05b，最后
6流向半導(dǎo)體外延層。圖Ia中的每一個條形電極105a、105b、105c、105d只有一個電流引入點。注意，圖Ia中的LED芯片100的電極包括，至少一個打線焊盤，至少一個混合條形 電極和至少一個非有效條形電極，混合條形電極和非有效條形電極形成電連接，打線焊盤 和非有效條形電極形成電連接。條形電極105a、105b、105c、105d基本上互相平行。使得沒
有電流擁塞。圖Ib展示圖Ia展示的具體實施例的有效電極。垂直結(jié)構(gòu)LED芯片100中，混合條形電極105a、105b、105c、105d的有效電極部分 105aa、105bb、105cc、105dd的一端分別是電流引入點110a、110b、110c、110d，電流分別從 電流引入點通過有效電極部分105aa、105bb、105CC、105dd流向外延層。多個混合條形電 極的有效電極部分105aa、105bbU05ccU05dd構(gòu)成并列型電極，有效電極部分基本互相平 行，因此，并列型電極的混合條形電極基本互相平行，電流分布均勻，沒有電流擁塞。圖2a展示本實用新型的大功率的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片的電極的一個實施例的頂視 圖。圖2a展示的實施例與圖Ia展示的實施例基本相同，區(qū)別在于，混合條形電極205a、 205b、205c、205d的另一端分別與有效條形電極206電連接。圖2b展示圖2a展示的具體實施例的有效電極。圖2b展示的實施例與圖Ib展示的實施例基本相同，區(qū)別在于，混合條形電極 205a、205b、205c、205d的有效電極部分205aa、205bb、205cc、205dd的另一端分別與有效條 形電極206相電連接?；旌蠗l形電極的有效電極部分205aa、205bb、205CC、205dd基本互相 平行，因此，混合條形電極205a、205b、205c、205d基本互相平行，電流分布均勻，沒有電流擁塞?；旌蠗l形電極205a、205b、205c、205d 的有效電極部分 205aa、205bb、205cc、205dd 與有效條形電極206形成叉型電極。稱多個混合條形電極205a、205b、205c、205d的有效電 極部分205aa、205bb、205CC、205dd為叉型電極的叉。叉型電極的叉基本上互相平行。叉型 電極包括至少兩個叉。一個LED芯片的電極可以包括多個叉型電極。圖3a展示本實用新型的大功率的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片的電極的一個實施例的頂視 圖。圖3a展示的實施例與圖Ia展示的實施例基本相同，區(qū)別在于，混合條形電極305a和 305b的另一端分別與有效條形電極307a電連接，形成一個U型電極。注意，圖3a中的電極包括至少一個U型電極.圖3b展示圖3a展示的具體實施例的有效電極。圖3b展示的實施例與圖Ib展示 的實施例基本相同，區(qū)別在于，混合條形電極305a和305b的有效電極部分305aa和305bb 的另一端分別與有效條形電極307a相電連接，形成一個U型電極，構(gòu)成U型電極的兩側(cè)的 有效電極部分305aa和305bb基本上互相平行；混合條形電極305c和305d的有效電極部 分305cc和305dd的另一端分別與有效條形電極307b相電連接，形成另一個U型電極，構(gòu) 成U型電極的兩側(cè)的有效電極部分305cc和305dd基本上互相平行。優(yōu)選的實施例，兩個U 型電極的兩側(cè)的混合條形電極的有效電極部分305aa、305bb、305CC、305dd基本互相平行， 因此，混合條形電極305a、305b、305c、305d基本互相平行，電流分布均勻，沒有電流擁塞。圖4a展示本實用新型的大功率的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片的電極的一個實施例的頂視 圖。
7施例基本相同，區(qū)別在于，混合條形電極 405a、405b、405c、405d的另一端分別與非有效條形電極402a電連接，非有效條形電極402a 的兩端分別與打線焊盤401c和打線焊盤401d電連接，打線焊盤401c和打線焊盤401d分 別形成在焊盤絕緣層403c和焊盤絕緣層403d上，非有效條形電極402a形成在電極絕緣 層404a上，焊盤絕緣層403c、焊盤絕緣層403d、電極絕緣層404a互相連接，使得打線焊盤 401c、打線焊盤401d、非有效條形電極402a與半導(dǎo)體外延層不能直接接觸。注意，圖4a展示的實施例中，LED芯片400的電極包括，至少兩個打線焊盤，至少 一個混合條形電極，至少兩個非有效條形電極，使得每個非有效條形電極至少與一個打線 焊盤電連接，混合條形電極分別與兩個非有效條形電極形成電連接。圖4b展示圖4a展示的具體實施例的有效電極。圖4b展示的實施例與圖Ib展示的實施例基本相同，區(qū)別在于，混合條形電極 405a、405b、405c、405d的有效電極部分405aa、405bb、405cc、405dd的兩端分別有電流引入 點 410a 和 410e、410b 和 410f、410c 和 410g、410d 和 410h。多個混合條形電極的有效電極部分405aa、405bb、405CC、405dd構(gòu)成并列型電極， 有效電極部分405aa、405bb、405CC、405dd基本互相平行，因此，并列的混合條形電極基本 互相平行，電流分布均勻，沒有電流擁塞。注意，圖4a和4b展示的實施例中，電極包括多個混合條形電極，每個混合條形電 極包括兩個電流引入點，每個電流引入點引入較小的電流，使得芯片可以采用更大的電流。圖5a展示本實用新型的大功率的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片的電極的一個實施例的頂視 圖。垂直結(jié)構(gòu)LED芯片500包括導(dǎo)電支持襯底和半導(dǎo)體外延層，半導(dǎo)體外延層鍵合在導(dǎo)電 支持襯底上。半導(dǎo)體外延層上預(yù)定的位置上分別形成焊盤絕緣層503a、焊盤絕緣層503b、 電極絕緣層504、電極絕緣層504a、電極絕緣層504b、電極絕緣層504c、電極絕緣層504d。 電極包括，打線焊盤501a、打線焊盤501b、互相電連接的混合條形電極(包括混合條形電 極505a、505b、505c、505d)、非有效條形電極(包括非有效條形電極502a、502b、502c、502d、 502)。打線焊盤501a和打線焊盤501b分別形成在焊盤絕緣層503a和焊盤絕緣層503b上。 條形電極 502、502a、502b、502c、502d 分別形成在電極絕緣層 504、504a、504b、504c、504d 上。打線焊盤501a、打線焊盤501b、非有效條形電極、有效條形電極形成電連接。電流分別 從金線引入打線焊盤501a和打線焊盤501b，電流不能從打線焊盤501a和打線焊盤501b直 接向下流向半導(dǎo)體外延層；電流不能從條形電極502、502a、502b、502c、502d直接向下流向 半導(dǎo)體外延層。電流分別通過條形電極505a、505b、505c、505d流向半導(dǎo)體外延層。條形電 極505a、505b、505c、505d的各自的一部分分別形成在電極絕緣層504上，另一部分分別形 成在電極絕緣層504d上，條形電極505a、505b、505c、505d的各自的主要部分分別形成在半 導(dǎo)體外延層上。圖5b展示圖5a展示的具體實施例的有效電極。圖5b展示的實施例的有效電極部分與圖4b展示的實施例的有效電極部分基本相 同。有效電極部分505的各自的兩端分別有電流引入點510a和510b。多個混合條形電極的有效電極部分構(gòu)成并列型電極，有效電極部分基本互相平 行，因此，并列的混合條形電極基本互相平行，電流分布均勻，沒有電流擁塞。注意，圖5a和5b展示的實施例中，電極包括多個混合條形電極，每個混合條形電
8極包括兩個電流引入點，每個電流引入點引入較小的電流，使得芯片可以采用更大的電流 驅(qū)動。圖7展示本實用新型的大功率的帶有反射層的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片的實施例的截面 圖。在垂直結(jié)構(gòu)LED芯片700的外延層上的預(yù)定位置形成反射層708，反射層708的形 狀、位置、尺寸與部件701 (部件701代表打線焊盤或者條形電極)相對應(yīng)，部件703 (部件 703代表焊盤絕緣層或電極絕緣層)形成在反射層708和部件701之間。注意，為了采用更大的電流驅(qū)動，(1)把芯片沿混合條形電極的有效電極部分的方 向延伸，即，使得每一個沿此方向的有效條形電極或混合條形電極的有效電極部分更長?；?者，(2)把芯片沿垂直于混合條形電極的有效電極部分的方向延伸，并且，沿此方向排列更 多的混合條形電極。一個優(yōu)選的實施例是在半導(dǎo)體外延層的暴露的表面上形成粗化結(jié)構(gòu)或光子晶體 (未在圖中展示)。一個優(yōu)選的實施例是在半導(dǎo)體外延層的表面上形成透明電極(未在圖中展示)。 條形電極形成在透明電極上。一個優(yōu)化的實施例是在透明電極的表面上形成粗化結(jié)構(gòu)(未在圖中展示)。一個優(yōu)化的實施例在透明電極的表面上層疊絕緣的保護層(未在圖中展示)。其 中，透明電極的表面可以是平滑的表面，也可以是粗化的表面。一個優(yōu)化的實施例絕緣的保護層的表面具有粗化結(jié)構(gòu)(未在圖中展示)。上面的具體的描述并不限制本實用新型的范圍，而只是提供一些本實用新型的具 體化的例證。因此本實用新型的涵蓋范圍應(yīng)該由權(quán)利要求和它們的合法等同物決定，而不 是由上述具體化的詳細(xì)描述和實施實例決定。
權(quán)利要求一種大功率的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片，包括導(dǎo)電支持襯底、半導(dǎo)體外延層、至少一個焊盤絕緣層、至少一個電極絕緣層和電極；其特征在于，所述的半導(dǎo)體外延層鍵合于所述的導(dǎo)電支持襯底上；所述的焊盤絕緣層形成在所述的半導(dǎo)體外延層的預(yù)定位置上；所述的電極絕緣層形成在所述的半導(dǎo)體外延層的預(yù)定位置上；至少一個所述的電極絕緣層與所述的焊盤絕緣層相連接；所述的電極包括，至少一個打線焊盤、非有效條形電極和混合條形電極；所述的打線焊盤形成于所述的焊盤絕緣層上，使得電流不能從所述的打線焊盤直接流向所述的半導(dǎo)體外延層；所述的非有效條形電極的主要部分形成在所述的電極絕緣層上，所述的非有效條形電極的其它部分形成在所述的焊盤絕緣層上，使得電流不能從所述的非有效條形電極直接流向所述的半導(dǎo)體外延層；所述的混合條形電極包括有效電極部分和非有效電極部分，所述的有效電極部分形成在所述的半導(dǎo)體外延層上，所述的非有效電極部分形成在所述的電極絕緣層上；至少一個所述的非有效條形電極與所述的打線焊盤電連接；至少兩個所述的混合條形電極與所述的非有效條形電極電連接；所述的混合條形電極的所述的有效電極部分基本互相平行。
2.權(quán)利要求1的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片，其特征在于，所述的電極的設(shè)置是U型電極。
3.權(quán)利要求2的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片，其特征在于，構(gòu)成所述的U型電極的兩側(cè)的混合條 形電極的有效電極部分基本上互相平行。
4.權(quán)利要求2的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片，其特征在于，所述的電極包括多個U型電極。
5.權(quán)利要求1的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片，其特征在于，所述的電極進(jìn)一步包括有效條形電 極；所述的有效條形電極與所述的混合條形電極的有效電極部分電連接并且構(gòu)成叉型電 極。
6.權(quán)利要求5的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片，其特征在于，所述的叉型電極包括至少兩個所述的 混合條形電極的有效電極部分，所述的有效電極部分構(gòu)成所述的叉型電極的叉；所述的叉 型電極的叉基本上互相平行。
7.權(quán)利要求5的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片，其特征在于，所述的電極包括多個叉型電極。
8.權(quán)利要求1的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片，其特征在于，所述的半導(dǎo)體外延層和所述的焊盤絕 緣層之間形成反射層；所述的反射層的位置與所述的焊盤絕緣層相對應(yīng)；所述的反射層的 形狀與尺寸與所述的打線焊盤基本相同。
9.權(quán)利要求1的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片，其特征在于，所述的半導(dǎo)體外延層和所述的電極絕 緣層之間形成反射層；所述的反射層的位置與所述的非有效條形電極相對應(yīng)；所述的反射 層的形狀與尺寸與所述的非有效條形電極基本相同。
10.權(quán)利要求1的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片，其特征在于，所述的半導(dǎo)體外延層和所述的電極 絕緣層之間形成反射層；所述的反射層的位置與所述的混合條形電極的所述的非有效電極 部分相對應(yīng)；所述的反射層的形狀與尺寸與所述的混合條形電極的所述的非有效電極部分 基本相同。
專利摘要大功率的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片包括導(dǎo)電支持襯底、半導(dǎo)體外延層、焊盤絕緣層、電極絕緣層、電極。焊盤絕緣層和電極絕緣層形成在半導(dǎo)體外延層上；打線焊盤形成在焊盤絕緣層上；電極包括，打線焊盤、非有效條形電極、有效條形電極、混合條形電極；有效條形電極形成在半導(dǎo)體外延層上；非有效條形電極形成在電極絕緣層上而不直接與半導(dǎo)體外延層接觸；混合條形電極包括有效電極部分和非有效電極部分，有效電極部分形成在半導(dǎo)體外延層上，非有效電極部分形成在焊盤絕緣層和/或電極絕緣層上。焊盤絕緣層使得電流不能從打線焊盤直接流向半導(dǎo)體外延層，電極絕緣層使得電流不能從非有效條形電極和/或混合條形電極的非有效電極部分直接流向半導(dǎo)體外延層。
文檔編號H01L33/38GK201681963SQ20102016812
公開日2010年12月22日 申請日期2010年3月27日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月27日
發(fā)明者彭暉 申請人:金芃;彭暉