專利名稱：鋁電解電容器電極用鋁箔及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及鋁電解電容器中使用的陽極箔，尤其涉及作為200V以上的中高壓用 鋁電解電容器的陽極箔而使用的鋁箔及其的制造方法。
背景技術(shù)：
近些年，伴隨電子設(shè)備的小型化、高可靠性化，用戶強(qiáng)烈要求鋁電解電容器的小型 化。因此，對(duì)于在鋁電解電容器中使用的電極箔而言，也需要將每單位面積的靜電容量提高 到以往以上。通常的鋁電解電容器具有通過隔著隔板卷繞陽極箔和陰極箔而形成的電容元件。 陽極箔通過利用蝕刻處理使鋁箔有效表面積擴(kuò)大且通過陽極氧化在鋁箔表面形成電介質(zhì) 氧化被膜而制作。陰極箔通過利用蝕刻處理使鋁箔有效表面積擴(kuò)大而制作。鋁電解電容器 通過使電容元件浸漬到電解液中并將電容元件密封在金屬殼體內(nèi)而構(gòu)成。為了提高鋁電解電容器的靜電容量或使其小型化，擴(kuò)大陽極箔的有效表面積、提 高每單位面積當(dāng)?shù)撵o電容量是必要不可缺少的。因此，使陽極箔的有效表面積擴(kuò)大的蝕刻 技術(shù)和化成處理技術(shù)的開發(fā)被大力進(jìn)行。通常用于陽極箔的制作的鋁箔在添加了硫酸、硝酸、磷酸、乙二酸等形成被膜的酸 的鹽酸水溶液中進(jìn)行化學(xué)或電化學(xué)蝕刻處理。尤其是中高壓用鋁箔的蝕刻處理方法具有前 段蝕刻工序和后段蝕刻工序。在前段蝕刻工序中基本生成軌道狀的坑部(以下，僅稱為坑 部)。在后段蝕刻工序中將該坑部擴(kuò)大到適合于鋁電解電容器的使用電壓的直徑。在該處 理方法中，重要的是如何生成多個(gè)坑部，有效地?cái)U(kuò)大該坑部。在這樣的中高壓用鋁箔的蝕刻處理方法中，有效地生成坑部的技術(shù)大致區(qū)分為鋁 箔的表面改質(zhì)技術(shù)和蝕刻處理技術(shù)。另外，作為鋁箔的表面改質(zhì)技術(shù)，通常公知有使鋁箔的密勒指數(shù)(100)面的結(jié)晶 占有率為80%以上的技術(shù)(例如，日本特開平10-81945號(hào)公報(bào))。另外，日本特開平6-124855號(hào)公報(bào)中提出在使從電解電容器的鋁箔的表面到深 度0. Iym的表層部合計(jì)存在100 5000ppm的Hk In、Sn中的一種以上并且使在除了表 層部的內(nèi)部合計(jì)含有1 5ppm的Pb、In, Sn中的一種以上的方法。根據(jù)該方法，其目的在 于，抑制鋁箔的表面溶解且使蝕刻進(jìn)行到鋁箔的內(nèi)部，從而有效地形成多個(gè)蝕刻坑部。其結(jié) 果是認(rèn)為能夠使擴(kuò)面率增大且增大靜電容量。另外，在日本特開2003-2^334號(hào)公報(bào)中提出通過蒸鍍等在鋁箔上均勻地施加碳 后提供能量使鋁與碳反應(yīng)而形成Al4C3粒子的方法。根據(jù)該方法，其目的在于，將導(dǎo)入的 Al4C3作為初始坑部的開始點(diǎn)，從而該開始點(diǎn)在蝕刻中不會(huì)脫落，使蝕刻坑部以適當(dāng)個(gè)數(shù)均 勻地分散分布。其結(jié)果是，認(rèn)為能夠得到靜電容量高的電解電容器。然而，在上述的表面改質(zhì)技術(shù)中，即使附著Pb、Al4C3，靜電容量也不那樣變高。這 是由于在鋁箔表面殘存有軋制鋁材時(shí)產(chǎn)生的軋制缺陷的凹凸的緣故。雖然可靠地由附著有 HkAI4C3的部位產(chǎn)生坑部，但由軋制缺陷的凹凸部分也產(chǎn)生坑部。因此，特意均勻地生成的多個(gè)坑部卻以彼此相連的方式進(jìn)一步產(chǎn)生坑部，其結(jié)果是，坑部的個(gè)數(shù)減少。即，產(chǎn)生了坑 部的吞并(食…潰)。另外，1 等集中存在于表面近傍，尤其集中存在于軋制痕，從集中的1 的位置容 易產(chǎn)生坑部。因此，在窄的范圍內(nèi)重復(fù)產(chǎn)生坑部，產(chǎn)生坑部的吞并。另外，在日本特開2008-231512號(hào)公報(bào)中提出在鋁箔的表面上具有多個(gè)火山口狀 的凹陷且在其表面形成從由Cu、Ni、Co、Fe、Mn、Mg、Zn、Pb、Bi、In、Sn及Sb構(gòu)成的組選擇 至少一種的金屬層的方法。并且，多個(gè)火山口狀的凹陷的開口部的尺寸平均在0. 05 μ m 5 μ m的范圍內(nèi)，由此認(rèn)為在蝕刻處理時(shí)能夠發(fā)揮高的靜電容量。然而，為了形成火山口狀坑部進(jìn)行陽極氧化處理而形成多孔質(zhì)氧化被膜，需要去 除該多孔質(zhì)氧化被膜。在該方法中，通過蒸鍍等在鋁箔上形成金屬層，因此工序繁雜，不實(shí) 用。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為適合于提高蝕刻處理產(chǎn)生的坑部密度及坑部分散性的中高壓用鋁箔及 其制造方法。通過對(duì)該鋁箔進(jìn)行蝕刻處理，能夠制作靜電容量高的鋁電解電容器的陽極箔。在本發(fā)明的中高壓用鋁箔的制造方法中，使具有軋制痕的鋁原箔連續(xù)地行進(jìn)，將 氧化物粒子和水混合后的分散液從鋁原箔的行進(jìn)方向的反方向向鋁原箔噴射。由此，除掉 鋁原箔的軋制痕，并且，在鋁原箔的表面的整面形成凹陷而使其表面積擴(kuò)大。通過這樣的方 法，相對(duì)于鋁原箔的行進(jìn)速度，氧化物粒子的碰撞沖擊變大，能夠有效地除掉鋁原箔的軋制 痕。并且，通過之后的直流蝕刻處理，以凹陷為起點(diǎn)而產(chǎn)生坑部，并且產(chǎn)生的坑部的分散性 均勻且沒有產(chǎn)生吞并，能夠有效地進(jìn)行蝕刻。其結(jié)果是，能夠使靜電容量變大。


圖1是示意性表示本發(fā)明的實(shí)施方式的鋁箔的制造方法的圖。圖2是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的鋁原箔的行進(jìn)狀態(tài)的簡(jiǎn)圖。圖3A是本發(fā)明的實(shí)施方式的鋁箔的表面SEM圖像的圖。圖:3B是圖3A的示意圖。圖4是本發(fā)明的實(shí)施方式的鋁箔的直流蝕刻處理的裝置的簡(jiǎn)圖。圖5是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的鋁原箔的其它行進(jìn)狀態(tài)的簡(jiǎn)圖。
具體實(shí)施例方式以下，利用附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施方式。需要說明的是，在以下的說明中，將 軋制鋁材后的箔狀的材料稱為鋁原箔，將氧化物粒子向該鋁原箔碰撞后得到的材料稱為鋁 箔。并且，將對(duì)該鋁箔進(jìn)行蝕刻處理而使其有效表面積擴(kuò)大后的材料稱為蝕刻箔，將對(duì)蝕刻 箔進(jìn)行化成處理后的材料稱為化成箔。該化成箔在用于鋁電解電容器時(shí)被稱為陽極箔。將 陽極箔和陰極箔總稱為電極箔。圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的向鋁原箔噴射氧化物粒子和水混合后的分散液 的情況的示意圖。鋁原箔1通過軋制鋁材后進(jìn)行熱處理而制作。通過該熱處理使密勒指數(shù) (100)面的結(jié)晶占有率為80%以上。處理后的鋁箔通常被稱為中高壓用鋁箔，在表面存在有軋制痕IA和軋制油(未圖示)。在本實(shí)施方式中，從噴嘴2將氧化物粒子和水混合后的分散液30從鋁原箔1的行 進(jìn)方向(箭頭A)的反方向向鋁原箔1噴射。噴嘴2在鋁原箔1的寬度方向具有多個(gè)噴射 孔(未圖示)。通過該處理，能夠除掉鋁原箔1的軋制痕1A，并且在鋁原箔1表面的整面形 成有多個(gè)前端具有銳角的多棱錐狀的凹陷。通過這樣的濕式噴丸處理，能夠制作表面積擴(kuò) 大了的鋁箔21。作為氧化物粒子，優(yōu)選使用具有銳角的多面體狀的粒子。由此，如上述那樣能夠在 鋁原箔1的表面可靠地形成前端具有銳角的多棱錐狀的凹陷。另外，通過對(duì)鋁原箔1的表面傾斜地噴射分散液30，氧化物粒子不會(huì)陷入鋁原箔1 中，氧化物粒子的前端部碰撞鋁原箔1的表面而能夠除掉鋁原箔1的表面的軋制痕1A。并 且，能夠在鋁原箔1的表面層形成多個(gè)深度到10 μ m的前端具有銳角的多棱錐的凹陷。S卩，優(yōu)選噴嘴2相對(duì)于鋁原箔1的表面具有小于90度的角度R。并且，優(yōu)選角度R 為45度以上且小于90度。角度R小于45度時(shí)，氧化物粒子對(duì)鋁原箔1的沖擊變?nèi)?，從?不能夠有效地除掉軋制痕1A。另外，當(dāng)角度R為90度以上時(shí)，由于成為從與鋁原箔1的行 進(jìn)方向相同的方向噴射分散液30的狀態(tài)，氧化物粒子追趕著鋁原箔1的表面。因此，在軋 制痕IA的去除方面產(chǎn)生不均，之后的通過直流蝕刻處理產(chǎn)生的坑部變得不均勻。從噴嘴2噴射的氧化物粒子擴(kuò)寬成某程度的寬度。因此，優(yōu)選預(yù)先調(diào)整鋁原箔1 距噴嘴2的距離L，使得噴射氧化物粒子中整體的70%以上成為相對(duì)于鋁原箔1的行進(jìn)方 向的反方向。利用圖2說明連續(xù)進(jìn)行這樣的濕式噴丸處理的結(jié)構(gòu)。圖2是表示本實(shí)施方式的鋁 原箔1的行進(jìn)狀態(tài)的簡(jiǎn)圖。鋁原箔1從放卷部4通過行進(jìn)輥3而由卷繞部5卷繞。S卩，在 放卷部4與卷繞部5之間配置有使鋁原箔1行進(jìn)的行進(jìn)輥3。行進(jìn)輥3分別配置在鋁原箔 1的表背面，配置成對(duì)鋁原箔1施加張力。在鋁原箔1與行進(jìn)輥3相接的部位，將氧化物粒子和水混合后的分散液30從噴嘴 2向鋁原箔1噴射。此時(shí)，分散液30從鋁原箔1的行進(jìn)方向(箭頭A)的反方向噴射。通過將氧化物粒子和水混合后的分散液30在鋁原箔1與行進(jìn)輥3相接的部位向 鋁原箔1噴射，能夠抑制鋁原箔1的曲折及皺褶，能夠提高噴射效率。根據(jù)鋁原箔1的行進(jìn)速度來調(diào)整噴嘴2的角度R。當(dāng)行進(jìn)速度慢時(shí)，使角度R進(jìn)一 步接近90度也沒有問題。另一方面，當(dāng)行進(jìn)速度快時(shí)，優(yōu)選角度R接近45度。另外，氧化 物粒子與水的混合比、噴射壓力、噴射距離L能夠根據(jù)行進(jìn)速度而適當(dāng)設(shè)定。優(yōu)選氧化物粒子的平均粒徑為5 15μπι的范圍。如上所述，優(yōu)選氧化物粒子為 具有銳角和適當(dāng)韌性的多面體狀。通過以高壓力噴射分散液30，能夠除掉軋制油和軋制痕 1Α，在鋁箔21的表面能夠形成多個(gè)至少前端具有銳角的多棱錐的凹陷。圖3Α中示出本實(shí)施方式的鋁箔21的表面SEM圖像，圖中示出其示意圖。能 夠觀察到多個(gè)在鋁箔21的表面形成的具有銳角的多棱錐的凹陷6。優(yōu)選凹陷6的長(zhǎng)度為 0. 5 15 μ m，深度為15 μ m以下，并且存在有500個(gè)/mm2以上且2000個(gè)/mm2以下這樣的 凹陷6。通過形成這樣的范圍，能夠提高靜電容量。此外，當(dāng)通過日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)(EIAJ)規(guī)定的檢測(cè)方法對(duì)沒有進(jìn)行任何物理 處理的鋁原箔1的靜電容量進(jìn)行測(cè)定時(shí)，通常約為3.6yF/cm2。并且，在對(duì)鋁原箔1進(jìn)行CN 102122576 A
說明書
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噴射氧化物粒子和水混合后的分散液30的處理后，鋁箔21的表面積被擴(kuò)大，其靜電容量變 大。通過使鋁箔21的靜電容量為鋁原箔1的靜電容量的1. 19倍以上，能夠提高之后的直 流蝕刻處理后的靜電容量。即，優(yōu)選鋁箔21的靜電容量為4J8yF/cm2以上。此外，如上所述，靜電容量是以EIAJ規(guī)定(RC-2364A)的鋁電解電容器用電極箔的 試驗(yàn)方法中的中高壓用陽極化成箔的靜電容量試驗(yàn)方法為依據(jù)進(jìn)行測(cè)定。在此，簡(jiǎn)單說明 上述試驗(yàn)方法。試驗(yàn)片為IOmmX 50mm。首先，將在一升純水中溶解有80g五硼酸氨的水溶 液加入玻璃制的試驗(yàn)槽中，在該水溶液中浸漬試驗(yàn)片和對(duì)極。使試驗(yàn)片完全浸漬于水溶液 中。對(duì)極使用靜電容量為40000 μ F以上的被蝕刻(etched)鋁箔或白金板。在該狀態(tài)下， 將水溶液的溫度保持為30°C，并利用靜電容量計(jì)測(cè)定試驗(yàn)片的靜電容量。如上所述，在本實(shí)施方式中，使具有軋制痕IA的鋁原箔1行進(jìn)，并將氧化物粒子和 水混合后的分散液30從鋁原箔1的行進(jìn)方向的反方向向鋁原箔1噴射。通過該處理，相對(duì) 于鋁原箔1的行進(jìn)速度，氧化物粒子的碰撞沖擊變大，從而能夠有效地除掉軋制痕1A，并且 鋁原箔1的不純物的集中被緩和。并且，在鋁原箔1的表面形成多數(shù)的凹陷6，所以能夠使 其表面積擴(kuò)大。并且，通過之后的直流蝕刻處理，由凹陷6產(chǎn)生坑部，坑部的重復(fù)形成被緩和而分 散性得到提高。因此，不產(chǎn)生坑部的吞并，能夠有效地進(jìn)行直流蝕刻，其結(jié)果是，能夠提高鋁 陽極箔的靜電容量。并且，由于噴射氧化物粒子和水混合后的分散液30，因此減小因噴射時(shí)氧化物粒 子飛散而對(duì)其它部位帶來的影響。因此，能夠在鋁原箔1的表面形成從鋁原箔1的表面到 深度15 μ m的范圍內(nèi)的多個(gè)前端具有銳角的多棱錐的凹陷6。其結(jié)果是，能夠制作表面積擴(kuò) 大的鋁箔21。另外，由于通過行進(jìn)輥3對(duì)鋁原箔1施加張力，因此能夠抑制鋁原箔1的曲折及皺 褶，能夠進(jìn)一步提高噴射效率。此外，即使形成從鋁原箔1的表面超過15 μ m深度的凹陷，從深的位置產(chǎn)生坑部反 而困難。因此，分散性提高的效果變小，因此不優(yōu)選。此外，更加優(yōu)選凹陷6形成在從鋁原箔1的表面到深度10 μ m的范圍內(nèi)。由此，能 夠通過后述的直流蝕刻處理提高坑部的分散性且能夠均勻地形成坑部。此外，通過使氧化物粒子碰撞，能夠除掉鋁原箔1的軋制痕1A。也存在軋制痕IA 殘留在目視觀察下很薄程度的情況，但對(duì)蝕刻處理的坑部產(chǎn)生沒有影響。接著，參照?qǐng)D4說明直流蝕刻處理。圖4是本實(shí)施方式的鋁箔的直流蝕刻處理的 裝置的簡(jiǎn)圖。該裝置具有前處理部16、前段蝕刻部17、后段蝕刻部18，通過多個(gè)輥11 15 對(duì)鋁箔21連續(xù)地進(jìn)行蝕刻處理。在此，優(yōu)選進(jìn)行直流蝕刻處理的最初的輥11的直徑為30mm以上。S卩，優(yōu)選前處理 部16的最初的輥11的直徑為30mm以上。在直流蝕刻處理中，當(dāng)使用曲率小的輥時(shí)，通過噴射氧化物粒子而生成的凹陷6 發(fā)生變形而坑部的分散性的效果變小。因此，優(yōu)選最初的輥11的直徑為30mm以上。由此， 能夠?qū)⒃阡X原箔1上形成的凹陷6彼此之間產(chǎn)生的裂紋抑制為最小限度，從而能夠進(jìn)一步 提高坑部的分散性。另外，優(yōu)選使鋁箔21連續(xù)行進(jìn)的多個(gè)輥的直徑均為30mm以上，優(yōu)選至少在直流蝕刻處理的各槽中行進(jìn)的最初的輥使用直徑為30mm以上的輥。即，優(yōu)選前段蝕刻部17的最 初的輥即輥14、后段蝕刻部18的最初的輥即輥15的直徑為30mm以上。其理由也與上述相 同。此外，在圖4中示出噴射氧化物粒子的鋁箔21卷繞在放卷部10上的狀態(tài)，但也可 以對(duì)鋁原箔1連續(xù)實(shí)施噴射分散液30的工序和直流蝕刻工序。此外，優(yōu)選在進(jìn)行前段蝕刻前，在前處理部16中通過酸性溶液對(duì)鋁箔21進(jìn)行前處 理。通過前處理，能夠去除分散液30碰撞的過程中生成的微少的氧化被膜，能夠溶解殘存 的少量的軋制痕1A。因此，能夠進(jìn)一步提高坑部的分散性效果。接著，參照?qǐng)D5說明進(jìn)行濕式噴丸處理的裝置的更優(yōu)選結(jié)構(gòu)。圖5是表示本發(fā)明 的實(shí)施方式的鋁原箔的另一行進(jìn)狀態(tài)的簡(jiǎn)圖。在該結(jié)構(gòu)中，相對(duì)于圖2的結(jié)構(gòu)，具有在行進(jìn)輥3前配置的拉緊(tension)輥7。 即，在將鋁原箔1從放卷部4通過行進(jìn)輥3并由卷繞部5卷繞的配置中，在行進(jìn)輥3前配置 有拉緊輥7。拉緊輥7通過對(duì)鋁原箔1施加張力，能夠抑制鋁原箔1的曲折及皺褶，能夠提 高分散液30的噴射效率，從而能夠提高生產(chǎn)效率。此外，噴嘴2配置在比行進(jìn)輥3的垂直中心線靠上游側(cè)的位置，噴嘴2的噴出部朝 向正下方。并且，噴嘴2向鋁原箔1與行進(jìn)輥3相接的部位噴射分散液30。通過這樣配置，不需要進(jìn)行噴嘴2的角度調(diào)整。并且，僅控制鋁原箔1的行進(jìn)速度 和拉緊輥7的安裝位置，就能夠容易設(shè)定最佳的噴射條件。以下，說明本實(shí)施方式的具體實(shí)施例。此外，在以下的說明中，作為鋁原箔1，使用 昭和電工株式會(huì)社制的鋁電解電容器用陽極箔(高壓用)(產(chǎn)品名CH99)。(鋁原箔1的行進(jìn)速度和噴嘴2的角度R的研究)首先，說明研究鋁原箔1的行進(jìn)速度與噴嘴2的角度R的結(jié)果。在該研究中，使用 厚度為115 μ m的鋁原箔1。使用圖2所示的裝置，以行進(jìn)速度為2. 8,5. 2,7. 2m/分鐘的三 個(gè)水準(zhǔn)、噴嘴2的角度R為45、60、75、90、105度的五個(gè)水準(zhǔn)對(duì)這樣厚度的鋁原箔1進(jìn)行濕 式噴丸處理。然后，通過包括直徑為30mm的輥11的圖4所示的裝置，對(duì)處理后的鋁箔21 進(jìn)行直流蝕刻處理。此外，氧化物粒子使用(株)不二制作所制的陶器系研磨材料(白剛玉，規(guī)格 #2000)。氧化物粒子與水的重量混合比為14/86。另外，噴射壓力為0. IMPa，鋁原箔1與噴 射口的距離L為20mm。此外，所謂白剛玉為氧化鋁含有量為99. 7%以上的高純度氧化鋁，莫氏硬度為 12，比含有鐵質(zhì)的鋁氧粉稍硬，通常用作噴砂或切削用的研磨劑。粒子形狀有棱角，#2000的 平均粒徑為6. 7 士0. 6μπι。直流蝕刻處理如下這樣進(jìn)行。首先，在前處理部16中，將鋁箔21在80°C、30g/l 的鹽酸水溶液中浸漬90秒。在前段蝕刻部17中，使用將鋁溶解于鹽酸、硫酸、磷酸的混合水溶液中的蝕刻液 17A。每1升蝕刻液17々中鹽酸、硫酸、磷酸及鋁的配合量分別為3(^、30(^、0.58、128。另 外，液體溫度為75°C。并且，在蝕刻液17A中配置對(duì)極17B，將鋁箔21作為陽極而進(jìn)行直流 蝕刻處理并進(jìn)行水洗。此外，直流蝕刻處理的電流密度為1. OA/cm2，處理時(shí)間為30秒。接著，在后段蝕刻部18中，在在5%硝酸溶液中添加有0. 5%硼酸的70°C的蝕刻液18A中配置對(duì)極18B，并將鋁箔21作為陽極而進(jìn)行直流蝕刻處理并進(jìn)行水洗。此外，直流蝕 刻處理的電流密度為0. lA/cm2，處理時(shí)間為10分鐘。最后進(jìn)行脫鹽處理來制作蝕刻箔。接 著，對(duì)該蝕刻箔進(jìn)行通常使用的化成處理(500V)來制作化成箔。此外，為了比較，對(duì)上述的鋁原箔1不進(jìn)行濕式噴丸處理而如上述那樣制作直流 蝕刻處理后的蝕刻箔。對(duì)該蝕刻箔也同樣進(jìn)行化成處理。表1中示出測(cè)定這樣制作的各種化成箔的靜電容量和彎曲強(qiáng)度的結(jié)果。此外，彎 曲強(qiáng)度通過在以直徑為1. Omm的棒為中心、250g載荷、彎曲角度為90度的條件下將試驗(yàn)片 折彎并使其返回原來的狀態(tài)而進(jìn)行評(píng)價(jià)。并且，在表1中將一個(gè)來回作為一次而進(jìn)行處理。表 1
鋁箔的狀態(tài)化成箔的特性行進(jìn)速度 (m/分鐘)噴嘴的角度R (度)靜電容量比彎曲強(qiáng)度 (次)2.895102.16485105.86175108.26260106.86345105.86440103.2655.295103.36485109.56375110.25960106.36245105.16940103.5687.295102.26385109.26375110.85960105.96645105.46740103.169未進(jìn)行濕式噴丸處理10055
由表1明顯可知，噴嘴2的角度R在45度以上且85度以下的范圍內(nèi)，與未進(jìn)行濕 式噴丸處理時(shí)相比，蝕刻箔的靜電容量得到提高。并且，在從鋁原箔1的行進(jìn)方向的反方向 即以R < 90度的狀態(tài)下使分散液30碰撞鋁原箔1的方式進(jìn)一步提高靜電容量。此外，優(yōu)選行進(jìn)速度為2. Sm/分鐘以上，但即使提高到7. 2m/分鐘也不能夠進(jìn)一步 增強(qiáng)靜電容量提高的效果。但是能夠提高生產(chǎn)效率。(輥11的直徑的研究)在噴嘴2的角度R為60度，鋁原箔1的行進(jìn)速度為5. 2m/分鐘、分散液30的混合 比、噴射壓力、距離L與上述相同的條件下制作鋁箔21。并且，使用圖4所示的裝置，對(duì)鋁 箔21進(jìn)行直流蝕刻處理。此時(shí)，在表2中示出使用直徑為10、15、20、30、40、90、110、130、 250mm的輥?zhàn)鳛檩?1時(shí)的結(jié)果。此外，為了比較，對(duì)上述的鋁原箔1不進(jìn)行濕式噴丸處理而如上述那樣制作直流 蝕刻處理后的蝕刻箔。此時(shí)，使用直徑為250mm的輥?zhàn)鳛檩?1。對(duì)該蝕刻箔也同樣進(jìn)行化 成處理。表權(quán)利要求
1.一種鋁電解電容器電極用鋁箔，其通過使鋁原箔行進(jìn)的同時(shí)將氧化物粒子和水混合 后的分散液從所述鋁原箔的行進(jìn)方向的反方向向所述鋁原箔噴射來除掉所述鋁原箔的軋 制痕進(jìn)行制作，其中，在所述鋁箔表面的整面存在前端具有銳角的多棱錐的凹陷。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鋁電解電容器電極用鋁箔，其中，所述鋁箔表面的測(cè)色值即Hunter Lab的表色系的L值為65以上且80以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鋁電解電容器電極用鋁箔，其中， 所述鋁箔每Icm2的靜電容量為4.觀μ F以上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鋁電解電容器電極用鋁箔，其中， 所述凹陷形成為距所述鋁箔表面的深度最大為15 μ m。
5.一種鋁電解電容器用鋁箔的制造方法，其包括 放卷步驟，將具有軋制痕的鋁原箔放卷；和凹陷形成步驟，使所述鋁原箔行進(jìn)的同時(shí)將氧化物粒子和水混合后的分散液從所述鋁 原箔的行進(jìn)方向的反方向向所述鋁原箔噴射而除掉所述鋁原箔的所述軋制痕，并且在所述 鋁原箔的表面的整面形成前端具有銳角的多棱錐的凹陷。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的鋁電解電容器用鋁箔的制造方法，其中， 所述氧化物粒子為具有銳角的多面體狀。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的鋁電解電容器用鋁箔的制造方法，其中，將所述氧化物粒子和水混合后的所述分散液對(duì)所述鋁原箔的表面傾斜地噴射。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的鋁電解電容器用鋁箔的制造方法，其中， 將所述凹陷形成為距所述鋁箔表面的深度最大為15 μ m。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的鋁電解電容器用鋁箔的制造方法，其中， 在使所述鋁原箔行進(jìn)的中途對(duì)所述鋁原箔施加張力。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的鋁電解電容器用鋁箔的制造方法，其中， 使所述鋁原箔沿著行進(jìn)輥行進(jìn)，將所述氧化物粒子和水混合后的所述分散液從比所述行進(jìn)輥的垂直中心線靠行進(jìn)的 上游側(cè)的位置向正下方噴射。
11.根據(jù)權(quán)利要求5所述的鋁電解電容器用鋁箔的制造方法，其中， 使所述鋁箔的表面的測(cè)色值比所述鋁原箔的表面的測(cè)色值高。
12.根據(jù)權(quán)利要求5所述的鋁電解電容器用鋁箔的制造方法，其中， 使所述鋁箔的表面的硬度比所述鋁原箔的表面的硬度高。
13.根據(jù)權(quán)利要求5所述的鋁電解電容器用鋁箔的制造方法，其中， 使所述鋁箔的靜電容量為所述鋁原箔的靜電容量的1. 19倍以上。
14.一種鋁電解電容器用電極箔的制造方法，其包括 放卷步驟，將具有軋制痕的鋁原箔放卷；鋁電解電容器用鋁箔制作步驟，通過使所述鋁原箔行進(jìn)的同時(shí)將氧化物粒子和水混合 后的分散液從所述鋁原箔的行進(jìn)方向的反方向向所述鋁原箔噴射而除掉所述鋁原箔的所 述軋制痕并且在所述鋁原箔的表面的整面形成前端具有銳角的多棱錐的凹陷，來制作鋁電 解電容器用鋁箔；直流蝕刻處理步驟，對(duì)所述鋁電解電容器用鋁箔實(shí)施直流蝕刻處理； 化成處理步驟，在所述直流蝕刻處理后實(shí)施化成處理。
全文摘要
本發(fā)明提供一種鋁電解電容器電極用鋁箔及其制造方法。其中，使鋁原箔行進(jìn)的同時(shí)將氧化物粒子和水混合后的分散液從鋁原箔的行進(jìn)方向的反方向向鋁原箔噴射。通過這樣除掉鋁原箔的軋制痕來制作鋁電解電容器電極用鋁箔。在該鋁箔的表面的整面存在前端具有銳角的多棱錐的凹陷。
文檔編號(hào)H01G9/04GK102122576SQ20101060382
公開日2011年7月13日 申請(qǐng)日期2010年12月22日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月24日
發(fā)明者加藤隼人, 吉村滿久, 太田達(dá)史, 新宮克喜, 椿真佐美, 藤原和男 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社