專利名稱：一種非晶硅太陽電池的生產(chǎn)工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于太陽能光伏技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種非晶硅太陽電池生產(chǎn)的工藝。
背景技術(shù)：
太陽電池是一種利用“光伏效應(yīng)”原理直接將太陽能轉(zhuǎn)化為電能的半導(dǎo)體光伏器 件，非晶硅太陽電池是一種薄膜電池，普遍采用的電池結(jié)構(gòu)如圖1所示。主要工藝步驟為(1).SN02透明導(dǎo)電膜激光刻劃，刻劃線1 ;(2).沉積非晶硅薄 膜；(3).激光刻劃非晶硅膜，刻劃線2 ； (4).濺射鋁電極，鋁通過刻劃線2的刻槽與SNO2膜 連通，形成串聯(lián)路徑線4，將各個子電池內(nèi)部串聯(lián)起來；(5). AL膜激光刻劃，刻劃線3，使各 子電池在電極處絕緣。無論在研發(fā)還是生產(chǎn)過程中，人們都在積極倡導(dǎo)采用氧化鋅加鋁這種復(fù)合電極來 代替?zhèn)鹘y(tǒng)單一鋁電極。電池性能提高的同時也產(chǎn)生新的問題，因為目前比較普遍的電池結(jié) 構(gòu)如圖2所示。整個太陽電池結(jié)構(gòu)如圖2所示，主要工藝步驟為(1). SN02透明導(dǎo)電膜激光刻劃， 刻劃線1 ； (2).沉積非晶硅薄膜；(3).激光刻劃非晶硅膜刻劃線2 ； (4).濺射ZNO和AL電 極，AL和ZNO通過刻劃線2的刻槽與SNO2膜連通，形成串聯(lián)路徑線4 ； (5). AL膜激光刻劃， 亥_線3，使各子電池在電極處絕緣。由于ZnO的導(dǎo)電率低于前電極透明導(dǎo)電膜SnO2，圖2結(jié) 構(gòu)中的串聯(lián)路徑使得內(nèi)部子電池連接的串聯(lián)電阻增大，從而使得電池整體性能受到影響。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種非晶硅太陽電池的生產(chǎn)工藝， 本工藝可有效降低電池的串聯(lián)電阻，提高電池功率。本發(fā)明解決其技術(shù)問題是采取以下技術(shù)方案實現(xiàn)的一種非晶硅太陽電池的生產(chǎn)工藝，包括如下工藝步驟(1) SnO2透明導(dǎo)電膜激光刻劃；(2)沉積非晶硅薄膜；(3)濺射 ZnO;(4)激光刻劃非晶硅膜和ZnO薄膜；(5)濺射AL電極，AL通過步驟⑷刻劃線的刻槽與SnO2膜連通；(6) AL膜激光刻劃，使各子電池在電極處絕緣。本發(fā)明的優(yōu)點和積極效果是1、本生產(chǎn)工藝在生長完a-Si加ZnO后才進行第二條激光刻劃，接著濺射AL。由 于ZnO的電導(dǎo)率低于前電極透明導(dǎo)電膜SnO2,這樣使AL與SnO2直接串聯(lián)，比AL加ZnO再 與SnO2連接串聯(lián)電阻更小，有利于填充因子和短路電流的改善，從而提高電池性能。2、本生產(chǎn)工藝改變了以往第二條激光刻劃與濺射的生產(chǎn)工序，使電池的內(nèi)部串聯(lián) 效果更好，從而有效降低電池的串聯(lián)電阻，提高電池功率。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)中太陽電池基本內(nèi)部串聯(lián)示意圖；圖2為現(xiàn)有技術(shù)中背電極采用氧化鋅加鋁復(fù)合電極的非晶硅太陽電池內(nèi)部串聯(lián) 結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明的非晶硅太陽電池內(nèi)部串聯(lián)結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式下面通過具體實施對本發(fā)明作進一步詳述，以下實施例只是描述性的，不是限定 性的，不能以此限定本發(fā)明的保護范圍。一種非晶硅太陽電池的生產(chǎn)工藝，是在生長完a-Si和ZnO后才進行第二道激光刻 劃，接著濺射AL電極。改進后整個太陽電池結(jié)構(gòu)如圖3所示，所包括的工藝步驟為(I)SnO2透明導(dǎo)電膜激光刻劃，刻劃線1 ；(2)沉積非晶硅薄膜；(3)濺射 SiO ；(4)激光刻劃非晶硅膜和ZnO薄膜，刻劃線2 ；(5)濺射AL電極，AL通過刻劃線2的刻槽與Sr^2膜連通，串聯(lián)路徑線4 ；(6) AL膜激光刻劃，刻劃線3，使各子電池在電極處絕緣。本專利在保留ZnO改善電池性能的基礎(chǔ)上通過改變工藝使上述問題得以解決，生 長完a-Si及ZnO后進行第二道激光刻劃，然后濺射Al，這樣雖引入&10，但是子電池之間的 連接仍然是AL與SnO2,串聯(lián)電阻不會增加，使得加入ZnO后電池性能得到最大程度改善。
權(quán)利要求
1. 一種非晶硅太陽電池的生產(chǎn)工藝，其特征在于包括如下工藝步驟(1)SnO2透明導(dǎo)電膜激光刻劃；(2)沉積非晶硅薄膜；(3)濺射ZnO ；(4)激光刻劃非晶硅膜和SiO薄膜；(5)濺射AL電極，AL通過步驟(4)刻劃線的刻槽與Sr^2膜連通；(6)AL膜激光刻劃，使各子電池在電極處絕緣。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種非晶硅太陽電池的生產(chǎn)工藝，包括如下工藝步驟(1)SnO2透明導(dǎo)電膜激光刻劃；(2)沉積非晶硅薄膜；(3)濺射ZnO；(4)激光刻劃非晶硅膜和ZnO薄膜；(5)濺射AL電極，AL通過步驟(4)刻劃線的刻槽與SnO2膜連通；(6)AL膜激光刻劃，使各子電池在電極處絕緣。本生產(chǎn)工藝改變了以往第二條激光刻劃與濺射的生產(chǎn)工序，使電池的內(nèi)部串聯(lián)效果更好，從而有效降低電池的串聯(lián)電阻，提高電池功率。
文檔編號H01L31/0224GK102082212SQ20101058708
公開日2011年6月1日 申請日期2010年12月14日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月14日
發(fā)明者張亞萍, 郭增良 申請人:天津市津能電池科技有限公司