本發(fā)明涉及太陽(yáng)能電池領(lǐng)域，具體是一種Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體的太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)及其制作方法。

背景技術(shù)：

自二十世紀(jì)到二十一世紀(jì)，隨著人傾生活的進(jìn)步，對(duì)于能源的需求是愈來(lái)愈高，但由于地球可用資源有限，為免資源耗盡，太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)應(yīng)運(yùn)而生，太陽(yáng)能是一種綠色環(huán)保的永續(xù)能源，開(kāi)發(fā)太陽(yáng)能電池可以將光能儲(chǔ)存從而得到利用。太陽(yáng)能電池是半導(dǎo)體吸收光量或光子后，電子被激發(fā)并發(fā)生躍遷，激發(fā)的電子驅(qū)動(dòng)電路從而形成電池半導(dǎo)體。目前使用的各式太陽(yáng)能電池材料包括單晶硅、多晶硅、非晶硅等半導(dǎo)體種類或Ⅲ-Ⅴ族、二六族的元素鏈接的材料。

Ⅲ-Ⅴ族太陽(yáng)能電池，又稱為聚光型太陽(yáng)能電池，具有遠(yuǎn)高于硅晶太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。Ⅲ-Ⅴ族太陽(yáng)能電池是以在Ⅲ-Ⅴ族基板上，以化學(xué)氣相沉積法形成薄膜，此類薄膜太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)很早就應(yīng)用在人造衛(wèi)星的太陽(yáng)能電池板上，具有可吸收光譜范圍極廣且轉(zhuǎn)換效率可高逾30％、且壽命較其它種類太陽(yáng)能電池長(zhǎng)、性質(zhì)穩(wěn)定的優(yōu)點(diǎn)。Ⅲ-Ⅴ族太陽(yáng)能電池盡管不需要用到硅晶，但芯片成本仍然相對(duì)高昂，而且目前的太陽(yáng)能電池沒(méi)有相對(duì)應(yīng)的保護(hù)措施，致使其壽命仍然不長(zhǎng)；還有大多的太陽(yáng)能電池都是平板的結(jié)構(gòu)，從而使得部分太陽(yáng)光反射造成損失等因素，造成其光電轉(zhuǎn)換效率無(wú)法進(jìn)一步提升。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體的太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)及其制作方法，以解決上述背景技術(shù)中提出的問(wèn)題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：

一種Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體的太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)，包括保護(hù)殼以及設(shè)置在保護(hù)殼內(nèi)的

一透明基板，設(shè)置在保護(hù)殼內(nèi)部下方；

一非晶硅層，設(shè)于該透明基板上；

一Ⅲ-Ⅴ族多晶半導(dǎo)體層，設(shè)于非晶硅層上，Ⅲ-Ⅴ族多晶半導(dǎo)體層包含N型半導(dǎo)體層、本征半導(dǎo)體層和P型半導(dǎo)體層，本征半導(dǎo)體層設(shè)置在N型半導(dǎo)體層和P型半導(dǎo)體層之間；及

一透明導(dǎo)光層，設(shè)于Ⅲ-Ⅴ族多晶半導(dǎo)體層上，且該透明導(dǎo)光層的表面和內(nèi)部開(kāi)設(shè)有多個(gè)微孔，將入射光線水平導(dǎo)向至Ⅲ-Ⅴ族多晶半導(dǎo)體層中；透明導(dǎo)光層上設(shè)有弧形的凹槽；

一吸光層，設(shè)于透明導(dǎo)光層上，且設(shè)置在保護(hù)殼的頂端，吸光層呈凹向的弧形設(shè)置，與透明導(dǎo)光層上的凹槽為吻合；

一保護(hù)底板，活動(dòng)安裝在保護(hù)殼的底端，便于拆卸。

作為本發(fā)明進(jìn)一步的方案：該吸光層為V型槽、波浪型或折角式的吸光板。

作為本發(fā)明進(jìn)一步的方案：該透明導(dǎo)導(dǎo)光層為氧化銦錫、氧化鋅鋁或氧化鋅錫的透明導(dǎo)光導(dǎo)電氧化物。

作為本發(fā)明進(jìn)一步的方案：所述N型半導(dǎo)體層為N型或P型半導(dǎo)體，P型半導(dǎo)體層為對(duì)應(yīng)的P型或N型半導(dǎo)體。

作為本發(fā)明再進(jìn)一步的方案：該透明基板的材質(zhì)為玻璃、石英、透明塑膠或單晶氧化鋁透明材質(zhì)。

一種所述的Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體的太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)的制作方法，步驟如下：將非晶硅層利用電漿輔助化學(xué)氣相沉積法形成于透明基板上，將Ⅲ-Ⅴ族多晶半導(dǎo)體層利用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積法依次形成于非晶硅層上，將透明導(dǎo)光層利用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積法形成于Ⅲ-Ⅴ族多晶半導(dǎo)體層上，將吸光層設(shè)置在透明導(dǎo)光層上并進(jìn)行固定，整體放置于保護(hù)殼內(nèi)，并進(jìn)行再次固定，然后將保護(hù)底板活動(dòng)安裝在保護(hù)殼的底端。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是：

本發(fā)明采用弧形的吸光層、透明導(dǎo)光層以及透明基板作為結(jié)構(gòu)，不僅增加了其使用壽命，降低了總成本，而且增加吸光面積，有效的吸收光能，提高太陽(yáng)能電池對(duì)光的轉(zhuǎn)換效率。

附圖說(shuō)明

圖1為Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體的太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)的整體結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體的太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)的具體結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中：1-吸光層；2-透明導(dǎo)光層；30-Ⅲ-Ⅴ族多晶半導(dǎo)體層；3-N型半導(dǎo)體層；4-本征半導(dǎo)體層；5-P型半導(dǎo)體層；6-非晶硅層；7-透明基板；8-保護(hù)殼；9-保護(hù)底板。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

請(qǐng)參閱圖1～2，本發(fā)明實(shí)施例中，一種Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體的太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)，包括保護(hù)殼8以及設(shè)置在保護(hù)殼8內(nèi)的透明基板7、非晶硅層6、Ⅲ-Ⅴ族多晶半導(dǎo)體層30、透明導(dǎo)光層2、吸光層1、保護(hù)底板9，透明基板7設(shè)置在保護(hù)殼8內(nèi)部下方，非晶硅層6設(shè)置在透明基板7上，Ⅲ-Ⅴ族多晶半導(dǎo)體層30設(shè)置在非晶硅層6上，透明導(dǎo)光層2設(shè)置在Ⅲ-Ⅴ族多晶半導(dǎo)體層30上，吸光層1設(shè)置在透明導(dǎo)光層2上，且吸光層1設(shè)置在保護(hù)殼8的頂端，保護(hù)底板9，活動(dòng)安裝在保護(hù)殼8的底端，便于拆卸。

吸光層1呈凹向的弧形設(shè)置，與透明導(dǎo)光層2上的凹槽為吻合；該吸光層1為V型槽、波浪型或折角式的吸光板，從而有利于吸光，提高光的轉(zhuǎn)化率。

Ⅲ-Ⅴ族多晶半導(dǎo)體層30包含N型半導(dǎo)體層3、本征半導(dǎo)體層4和P型半導(dǎo)體層5，本征半導(dǎo)體層4設(shè)置在N型半導(dǎo)體層3和P型半導(dǎo)體層5之間，N型半導(dǎo)體層3為N型或P型半導(dǎo)體，P型半導(dǎo)體層5為對(duì)應(yīng)的P型或N型半導(dǎo)體。

透明導(dǎo)光層2的表面和內(nèi)部開(kāi)設(shè)有多個(gè)微孔，將入射光線水平導(dǎo)向至Ⅲ-Ⅴ族多晶半導(dǎo)體層30中；透明導(dǎo)光層2上設(shè)有弧形的凹槽；透明導(dǎo)光層2采用氧化銦錫、氧化鋅鋁或氧化鋅錫的透明導(dǎo)光導(dǎo)電氧化物。而對(duì)于透明基板7則采用玻璃、石英、透明塑膠或單晶氧化鋁透明材質(zhì)。

該Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體的太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)的制作步驟如下：將非晶硅層利用電漿輔助化學(xué)氣相沉積法形成于透明基板上，將Ⅲ-Ⅴ族多晶半導(dǎo)體層利用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積法依次形成于非晶硅層上，即依次形成N型半導(dǎo)體層、本征半導(dǎo)體層和P型半導(dǎo)體層，將透明導(dǎo)光層利用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積法形成于Ⅲ-Ⅴ族多晶半導(dǎo)體層上，將吸光層設(shè)置在透明導(dǎo)光層上并進(jìn)行固定，整體放置于保護(hù)殼內(nèi)，并進(jìn)行再次固定，然后將保護(hù)底板活動(dòng)安裝在保護(hù)殼的底端。

對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，顯然本發(fā)明不限于上述示范性實(shí)施例的細(xì)節(jié)，而且在不背離本發(fā)明的精神或基本特征的情況下，能夠以其他的具體形式實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。因此，無(wú)論從哪一點(diǎn)來(lái)看，均應(yīng)將實(shí)施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求而不是上述說(shuō)明限定，因此旨在將落在權(quán)利要求的等同要件的含義和范圍內(nèi)的所有變化囊括在本發(fā)明內(nèi)。不應(yīng)將權(quán)利要求中的任何附圖標(biāo)記視為限制所涉及的權(quán)利要求。