專利名稱：一種感應加熱非晶硅晶化方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種電子顯示器件，特別涉及一種感應加熱非晶硅晶化方法。
背景技術：
薄膜晶體管在顯示器件中有著廣泛的應用，目前薄膜晶體管的主流技術是非晶硅薄膜晶體管技術，但非晶硅薄膜晶體管有遷移率低、穩(wěn)定性差的問題，不能適用在一些高要求的領域，如有機發(fā)光顯示器件，多晶硅薄膜晶體管可以解決上述問題，因此在有機發(fā)光顯示器件中人們開始應用多晶硅薄膜晶體管技術，多晶硅薄膜晶體管技術可以解決上述的問題。在多晶硅薄膜晶體管制造技術中非晶硅薄膜的晶化技術是最關鍵的，為了在玻璃基板上進行晶化，必須使用低溫晶化技術，目前的主要的低溫晶化技術是激光退火，但激光技術還有一些局限性，如準分子激光器的功率不穩(wěn)定，會引起晶化的不均勻性，從而導致顯示圖像的不均勻，而半導體激光器雖然功率穩(wěn)定，但目前半導體激光器的功率比較小，而且半導體激光器的波長和硅的吸收波長很難匹配。另外激光退火設備復雜，大尺寸擴展困難，價格和維護費用都非常高。這都是多晶硅薄膜晶體管普及應用的主要障礙之一。

發(fā)明內容
本發(fā)明是針對非晶硅薄膜的晶化現(xiàn)在存在的問題，提出了一種感應加熱非晶硅晶化方法，利用感應線圈產(chǎn)生強的交變磁場，交變磁場靠近覆蓋有金屬膜的非晶硅薄膜，金屬膜會產(chǎn)生強的感應渦旋電流，可以迅速加熱金屬膜，從而加熱金屬膜下面的非晶硅，非晶硅被加熱后，導電性增強，在交變磁場中也會產(chǎn)生渦旋電流，進一步對自己加熱，因此非晶硅薄膜被迅速加熱達到晶化溫度，從而達到晶化的目的，所需設備簡單，成本低。本發(fā)明的技術方案為一種感應加熱非晶硅晶化方法，先在玻璃基板上沉積一層非晶硅薄膜，再將非晶硅薄膜上覆蓋一層金屬膜，將感應線圈的開口一端貼近金屬膜，感應線圈連接感應電源，感應線圈中通上千安培的交變電流，線圈中產(chǎn)生強的交變磁場垂直作用于金屬膜和非晶硅薄膜，金屬膜產(chǎn)生強的感應渦旋電流，迅速加熱金屬膜，金屬膜上熱傳遞到下面覆蓋的非晶硅薄膜，當非晶硅薄膜被迅速加熱達到晶化溫度后，保持到非晶硅薄膜逐漸轉變?yōu)槎嗑Ч璞∧?，結晶完以后將玻璃基板冷卻，并對玻璃基板上的金屬膜進行脫膜，最后得到了晶化好的非晶硅薄膜。當線圈中產(chǎn)生強的交變磁場垂直作用于金屬膜和非晶硅薄膜時，讓玻璃基板進行橫向移動，使感應線圈對整個玻璃基板上的非晶硅薄膜進行掃描晶化。所述金屬膜的厚度范圍為10納米到10000納米。本發(fā)明的有益效果在于本發(fā)明感應加熱非晶硅晶化方法，感應加熱設設備比較簡單，晶化設備的成本較低；感應加熱速度很快，而且是直接對需加熱的區(qū)域進行加熱，力口熱效率很高，能效利用率高；感應加熱不會對非晶硅下面的玻璃基板加熱，不會使玻璃基板溫度過高而變形，有利于多晶硅薄膜晶體管普及應用。


圖1為本發(fā)明感應加熱非晶硅晶化示意圖。
具體實施例方式如圖1所示感應加熱非晶硅晶化示意圖，先在玻璃基板1上沉積一層非晶硅薄膜 2，再將非晶硅薄膜2上覆蓋一層金屬膜3，將感應線圈4的開口一端貼近金屬膜，感應線圈連接感應電源，感應線圈中通強大交變電流，可達上千安培，線圈中產(chǎn)生強的交變磁場，交變磁場垂直金屬膜和非晶硅薄膜2，金屬膜3會產(chǎn)生強的感應渦旋電流，可以迅速加熱金屬膜3，從而加熱金屬膜3下面覆蓋的非晶硅薄膜2，非晶硅被加熱后，導電性增強，在交變磁場中也產(chǎn)生渦旋電流，進一步對非晶硅薄膜2進行加熱，非晶硅薄膜2被迅速加熱達到晶化溫度，保持一段時間，使非晶硅薄膜2逐漸轉變?yōu)槎嗑Ч璞∧?。結晶完以后將玻璃基板1冷卻，并對玻璃基板1上的金屬膜3進行脫膜，最后就得到了晶化好的非晶硅薄膜2。為了進行大面積晶化，將沉積有非晶硅薄膜2的玻璃基板1進行橫向移動，從而使感應線圈4對整個底板上的非晶硅薄膜2進行掃描晶化，從而達到大面積計劃的目的。實驗步驟在玻璃基板上用化學氣相沉積的方法沉積一層非晶硅薄膜，非晶硅薄膜的厚度在30納米左右，然后再利用熱蒸發(fā)鍍膜設備在非晶硅薄膜上蒸鍍一層金屬鋁膜， 金屬鋁膜的厚度在100納米左右，一般金屬膜的厚度范圍為10納米到10000納米，將玻璃基板放置到感應線圈口下，對線圈通高頻電流，電流為1000安培，2分鐘后停止通電進行冷卻，冷卻后將基板放入鹽酸中對鋁膜進行脫膜，脫膜后就得到了晶化好得多晶硅薄膜基板。
權利要求
1.一種感應加熱非晶硅晶化方法，其特征在于，先在玻璃基板上沉積一層非晶硅薄膜， 再將非晶硅薄膜上覆蓋一層金屬膜，將感應線圈的開口一端貼近金屬膜，感應線圈連接感應電源，感應線圈中通上千安培的交變電流，線圈中產(chǎn)生強的交變磁場垂直作用于金屬膜和非晶硅薄膜，金屬膜產(chǎn)生強的感應渦旋電流，迅速加熱金屬膜，金屬膜上熱傳遞到下面覆蓋的非晶硅薄膜，當非晶硅薄膜被迅速加熱達到晶化溫度后，保持到非晶硅薄膜逐漸轉變?yōu)槎嗑Ч璞∧?，結晶完以后將玻璃基板冷卻，并對玻璃基板上的金屬膜進行脫膜，最后得到了晶化好的非晶硅薄膜。
2.根據(jù)權利要求1所述感應加熱非晶硅晶化方法，其特征在于，當線圈中產(chǎn)生強的交變磁場垂直作用于金屬膜和非晶硅薄膜時，讓玻璃基板進行橫向移動，使感應線圈對整個玻璃基板上的非晶硅薄膜進行掃描晶化。
3.根據(jù)權利要求1所述感應加熱非晶硅晶化方法，其特征在于，所述金屬膜的厚度范圍為10納米到10000納米。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種感應加熱非晶硅晶化方法，利用感應線圈產(chǎn)生強的交變磁場，交變磁場靠近覆蓋有金屬膜的非晶硅薄膜，金屬膜會產(chǎn)生強的感應渦旋電流，可以迅速加熱金屬膜，從而加熱金屬膜下面的非晶硅，非晶硅被加熱后，導電性增強，在交變磁場中也會產(chǎn)生渦旋電流，進一步對自己加熱，因此非晶硅薄膜被迅速加熱達到晶化溫度，從而達到晶化的目的，所需設備簡單，成本低。有利于多晶硅薄膜晶體管普及應用。
文檔編號C30B28/02GK102465338SQ20101054771
公開日2012年5月23日 申請日期2010年11月17日 優(yōu)先權日2010年11月17日
發(fā)明者劉紅君, 陳科 申請人:上海廣電電子股份有限公司