專(zhuān)利名稱：雙層相變電阻及其形成方法、相變存儲(chǔ)器及其形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種形成相變存儲(chǔ)器中雙層相變電阻的方法、雙層相變電阻，形成相變存儲(chǔ)器的方法、相變存儲(chǔ)器。
背景技術(shù)：
隨著信息技術(shù)的發(fā)展存儲(chǔ)器件的需要越來(lái)越大，因此促進(jìn)了存儲(chǔ)器件朝著高性能、低壓、低功耗、高速及高密度方向發(fā)展。相變存儲(chǔ)器(PCRAM，phase change Random Access Memory)是在CMOS集成電路基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的新一代非易失性存儲(chǔ)器，其使用周期表中V族或VI族的一種或一種以上元素的合金作為相變電阻，用相變電阻作為存儲(chǔ)單元，相變電阻在以電脈沖的形式集中加熱的情況下，能夠從有序的晶態(tài)(電阻低)快速轉(zhuǎn)變?yōu)闊o(wú)序的非晶態(tài)(電阻高得多)。典型的相變存儲(chǔ)器使用硫族化物合金(比如GST，GeSbTe) 作為相變電阻，存儲(chǔ)單元是一種極小的硫族合金顆粒，相變電阻的非晶(a-GST，a-GeSbTe) 和結(jié)晶(c-GST，C-GeSbTe)狀態(tài)具有不同的電阻率，結(jié)晶狀態(tài)具有大約為千歐姆(kQ)的典型電阻，而非晶狀態(tài)具有大約為兆歐姆(ΜΩ)的典型電阻，因此通常利用硫族化物合金材料(比如GST，GeSbTe)制作相變電阻。通過(guò)測(cè)量PCRAM存儲(chǔ)單元的電阻值(即相變電阻的電阻值)來(lái)讀取PCRAM單元。關(guān)于相變存儲(chǔ)器的詳細(xì)描述可以參考公開(kāi)號(hào)為CN101523505A 的中國(guó)專(zhuān)利文獻(xiàn)公開(kāi)的“具有雙層底部電極的相變存儲(chǔ)器”。現(xiàn)有技術(shù)中，具有雙層相變電阻的相變存儲(chǔ)器，在PCRAM存儲(chǔ)單元傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的加熱層和底部電極之間插入一層存儲(chǔ)介質(zhì)GST，設(shè)計(jì)出含雙層GST相變電阻的PCRAM存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)。含雙層GST相變電阻的新型結(jié)構(gòu)一方面實(shí)現(xiàn)了存儲(chǔ)單元與CMOS晶體管的熱兼容，增強(qiáng)了器件的穩(wěn)定性；另一方面，將復(fù)位(reset)電流減小到0. 5mA，降低了器件功耗。現(xiàn)有技術(shù)中形成雙層GST相變電阻的方法為提供基底，所述基底上形成有第一層相變電阻，所述第一層相變電阻上形成介質(zhì)層。圖形化所述介質(zhì)層，用干法刻蝕在所述介質(zhì)層形成開(kāi)口，該開(kāi)口暴露出所述介質(zhì)層。用GST相變材料沉積在所述介質(zhì)層上，并填充所述開(kāi)口。之后利用刻蝕工藝刻蝕沉積的相變材料形成第二層相變電阻。第二層相變電阻與第一層相變電阻的連接部(即填充在開(kāi)口內(nèi)的相變材料)的關(guān)鍵尺寸(CD)影響相變存儲(chǔ)器的復(fù)位性能。連接部的關(guān)鍵尺寸取決于開(kāi)口的關(guān)鍵尺寸(CD)，而獲得關(guān)鍵尺寸小的開(kāi)口的工藝?yán)щy，這將阻礙相變存儲(chǔ)器的進(jìn)一步發(fā)展。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問(wèn)題是形成雙層相變電阻時(shí)，獲得關(guān)鍵尺寸小的開(kāi)口工藝?yán)щy。為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種雙層相變電阻的形成方法，包括提供基底，所述基底上形成有第一層相變電阻；在所述第一層相變電阻上形成具有第一開(kāi)口的第一介質(zhì)層，所述第一開(kāi)口暴露出所述第一層相變電阻；形成第二介質(zhì)層，覆蓋所述第一開(kāi)口的側(cè)壁，且所述第二介質(zhì)層圍成第二開(kāi)口 ；
在所述第二開(kāi)口內(nèi)形成第三介質(zhì)層，且所述第三介質(zhì)層與所述第二介質(zhì)層之間形成有環(huán)形開(kāi)口；形成第二層相變電阻，所述第二層相變電阻覆蓋所述第一介質(zhì)層、第二介質(zhì)層、第三介質(zhì)層且填充所述環(huán)形開(kāi)口?？蛇x的，所述在所述第一層相變電阻上形成具有第一開(kāi)口的第一介質(zhì)層包括在所述第一層相變電阻上形成第一介質(zhì)層；光刻、刻蝕所述第一介質(zhì)層形成第一開(kāi)口?？蛇x的，所述第二介質(zhì)層的材料為氮化硅。可選的，所述形成第二介質(zhì)層的方法為化學(xué)氣相沉積。可選的，所述在所述第二開(kāi)口內(nèi)形成第三介質(zhì)層，且所述第三介質(zhì)層與所述第二介質(zhì)層之間形成有環(huán)形開(kāi)口包括在所述第二開(kāi)口的側(cè)壁形成側(cè)墻；形成第三介質(zhì)層，覆蓋所述第一介質(zhì)層、第二介質(zhì)層、所述側(cè)墻并填滿所述第二開(kāi) Π ；平坦化所述第三介質(zhì)層至暴露出所述第二介質(zhì)層；去除所述側(cè)墻，在所述第三介質(zhì)層與所述第二介質(zhì)層之間形成環(huán)形開(kāi)口?？蛇x的，所述側(cè)墻的材料為非晶碳。可選的，所述在所述第二開(kāi)口的側(cè)壁形成側(cè)墻的方法為化學(xué)氣相沉積方法?？蛇x的，所述第一層相變電阻和第二層相變電阻的材料為鍺-銻-碲。本發(fā)明還提供一種相變存儲(chǔ)器的形成方法，包括形成雙層相變電阻，所述形成雙層相變電阻的方法為以上所述的方法。本發(fā)明還提供一種雙層相變電阻，包括第一層相變電阻和第二層相變電阻，所述第二層相變電阻包括連接部，與所述第一層相變電阻連接，所述連接部為環(huán)狀。本發(fā)明還提供一種相變存儲(chǔ)器，包括雙層相變電阻，所述雙層相變電阻包括第一層相變電阻和第二層相變電阻，所述第二層相變電阻包括連接部，與所述第一層相變電阻連接，所述連接部為環(huán)狀。本發(fā)明還提供一種相變存儲(chǔ)器，包括用以上所述的方法形成的雙層相變電阻。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明通過(guò)在第一層相變電阻上形成具有第一開(kāi)口的第一介質(zhì)層，該在第一開(kāi)口側(cè)壁形成第二介質(zhì)層，第二介質(zhì)層圍成第二開(kāi)口 ；在第二開(kāi)口內(nèi)形成第三介質(zhì)層，且所述第三介質(zhì)層與所述第二介質(zhì)層之間形成有環(huán)形開(kāi)口 ；形成第二層相變電阻，覆蓋所述第一介質(zhì)層、第二介質(zhì)層、第三介質(zhì)層且填充所述環(huán)形開(kāi)口。通過(guò)這樣的方法容易形成關(guān)鍵尺寸小的環(huán)形開(kāi)口，從而可以確保第二層相變電阻和第一層相變電阻的連接部的關(guān)鍵尺寸小，提高PCRAM的性能，可以降低復(fù)位(reset)電流，提高設(shè)置速度(set speed)。在本發(fā)明的具體實(shí)施例中，在第二開(kāi)口內(nèi)形成第三介質(zhì)層，且第三介質(zhì)層與第二介質(zhì)層之間形成有環(huán)形開(kāi)口包括在所述第二開(kāi)口的側(cè)壁形成側(cè)墻；沉積介電材料形成第三介質(zhì)層，覆蓋所述第二介質(zhì)層、所述側(cè)墻并填滿所述第一開(kāi)口 ；平坦化所述第三介質(zhì)層至暴露出所述第二介質(zhì)層；去除所述側(cè)墻，在所述第三介質(zhì)層與所述第二介質(zhì)層之間形成環(huán)形開(kāi)口。該具體實(shí)施例中的工藝簡(jiǎn)單易行，而且環(huán)形開(kāi)口的關(guān)鍵尺寸通過(guò)側(cè)墻的厚度控制，容易實(shí)現(xiàn)。


圖1為本發(fā)明具體實(shí)施方式
的雙層相變電阻的形成方法的流程圖；圖加 圖池為本發(fā)明具體實(shí)施例的雙層相變電阻的形成方法的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明具體實(shí)施方式
的雙層相變電阻的形成方法，通過(guò)在第一層相變電阻上形成具有第一開(kāi)口的第一介質(zhì)層，在第一開(kāi)口的側(cè)壁形成第二介質(zhì)層，第二介質(zhì)層圍成第二開(kāi)口 ；在第二開(kāi)口內(nèi)形成第三介質(zhì)層，且所述第三介質(zhì)層與所述第二介質(zhì)層之間形成有環(huán)形開(kāi)口 ；形成第二層相變電阻，覆蓋所述第一介質(zhì)層、第二介質(zhì)層第三介質(zhì)層且填充所述環(huán)形開(kāi)口。開(kāi)口內(nèi)填充的相變電阻為第二層相變電阻與第一層相變電阻的連接部，通過(guò)這樣的方法容易形成關(guān)鍵尺寸小環(huán)形開(kāi)口，從而可以確保第二層相變電阻和第一層相變電阻的連接部的關(guān)鍵尺寸小，提高PCRAM的性能。圖1為本發(fā)明具體實(shí)施方式
的雙層相變電阻的形成方法的流程圖，參考圖1，本發(fā)明具體實(shí)施方式
的雙層相變電阻的形成方法包括步驟Si，提供基底，所述基底上形成有第一層相變電阻；步驟S2，在所述第一層相變電阻上形成具有第一開(kāi)口的第一介質(zhì)層，所述第一開(kāi)口暴露出所述第一層相變電阻；步驟S3，形成第二介質(zhì)層，覆蓋所述第一開(kāi)口的側(cè)壁，且所述第二介質(zhì)層圍成第二開(kāi)口 ；步驟S4，在所述第二開(kāi)口內(nèi)形成第三介質(zhì)層，且所述第三介質(zhì)層與所述第二介質(zhì)層之間形成有環(huán)形開(kāi)口；步驟S5，形成第二層相變電阻，所述第二層相變電阻覆蓋所述第一介質(zhì)層、第二介質(zhì)層、第三介質(zhì)層且填充所述環(huán)形開(kāi)口。圖加 圖池為本發(fā)明具體實(shí)施例的雙層相變電阻的形成方法的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，結(jié)合參考圖1與圖加 圖池詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明具體實(shí)施例的雙層相變電阻的形成方法。結(jié)合參考圖1與圖2a，執(zhí)行步驟Si，提供基底30，所述基底30上形成有第一層相變電阻31。基底30包括襯底(圖中未標(biāo))，襯底的材料可以為單晶硅(Si)、單晶鍺(Ge)、 或硅鍺(GeSi)、碳化硅(SiC)；也可以是絕緣體上硅(SOI)，絕緣體上鍺(GOI)；或者還可以為其它的材料，例如砷化鎵等III-V族化合物。在襯底和第一層相變電阻31之間形成有晶體管(圖中未示)，該晶體管用來(lái)給第一層相變電阻以及之后形成的第二層相變電阻提供電流。在本發(fā)明具體實(shí)施例中，第一層相變電阻31的材料為鍺-銻-碲(GST)，在其他實(shí)施例中也可以使用周期表中V族或VI族的一種或一種以上元素的合金作為第一層相變電阻 31。結(jié)合參考圖1與圖2b，執(zhí)行步驟S2，在所述第一層相變電阻31上形成具有第一開(kāi)口 321的第一介質(zhì)層32，所述第一開(kāi)口 321暴露出所述第一層相變電阻31。在本發(fā)明具體實(shí)施例中，在所述第一層相變電阻31上形成具有第一開(kāi)口 321的第一介質(zhì)層32包括在所述第一層相變電阻上形成第一介質(zhì)層；光刻、刻蝕所述第一介質(zhì)層形成第一開(kāi)口 321。在本發(fā)明的該具體實(shí)施例中，第一介質(zhì)層的材料為氧化硅，在其他實(shí)施例中，第一介質(zhì)層的材料也可以為本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的其他絕緣層材料。第一開(kāi)口 321在本發(fā)明具體實(shí)施例中為圓孔形開(kāi)口，其直徑范圍為80nm 200nm。結(jié)合參考圖1與圖2c，執(zhí)行步驟S3，形成第二介質(zhì)層33，覆蓋所述第一開(kāi)口 321的側(cè)壁，所述第二介質(zhì)層33圍成第二開(kāi)口 322。在本發(fā)明的該具體實(shí)施例中，所述第二介質(zhì)層 33的材料為氮化硅，在所述第一開(kāi)口 321的側(cè)壁形成氮化硅材料的第二介質(zhì)層的方法為化學(xué)氣相沉積，具體方法為利用化學(xué)氣相沉積方法在第一開(kāi)口 321的側(cè)壁以及第一介質(zhì)層 32的表面形成氮化硅層，氮化硅層的厚度范圍20nm 150nm，然后利用刻蝕去除第一介質(zhì)層32表面的氮化硅，剩余第一開(kāi)口 321側(cè)壁的氮化硅，從而形成環(huán)形的第二介質(zhì)層33。在具體實(shí)施例中，氮化硅層的厚度根據(jù)第一開(kāi)口的直徑做相應(yīng)的調(diào)整，做到刻蝕的氮化硅工藝完成后，第二開(kāi)口 322的直徑在40nm lOOnm。結(jié)合參考圖1與圖2d、圖2e、圖2f、圖2g，執(zhí)行步驟S4，在所述第二開(kāi)口 322內(nèi)形成第三介質(zhì)層35，且所述第三介質(zhì)層35與所述第二介質(zhì)層33之間形成有環(huán)形開(kāi)口 36。在本發(fā)明具體實(shí)施例中，在所述第二開(kāi)口 322內(nèi)形成第三介質(zhì)層35，且所述第三介質(zhì)層35與所述第二介質(zhì)層33之間形成有環(huán)形開(kāi)口 36具體為參考圖2d，在所述第二介質(zhì)層33的側(cè)壁或者說(shuō)第二開(kāi)口 322的側(cè)壁(可參考圖2c)形成側(cè)墻34;參考圖加，形成第三介質(zhì)層35，覆蓋所述第一介質(zhì)層、第二介質(zhì)層、所述側(cè)墻并填滿所述第二開(kāi)口 322(可結(jié)合參考圖2c)；參考圖2f，平坦化所述第三介質(zhì)層35至暴露出所述第二介質(zhì)層33 ；參考圖 2g，去除所述側(cè)墻34，在所述第三介質(zhì)層35與所述第二介質(zhì)層33之間形成環(huán)形開(kāi)口 36。下面對(duì)形成環(huán)形開(kāi)口 36做詳細(xì)說(shuō)明。參考圖2d，在所述第二介質(zhì)層33的側(cè)壁形成側(cè)墻34，在該具體實(shí)施例中，側(cè)墻34 的材料為非晶碳(amorphous carbon無(wú)定型碳)。形成非晶碳側(cè)墻的方法為用化學(xué)氣相沉積方法在所述第一介質(zhì)層32的表面、第二介質(zhì)層33的表面以及側(cè)壁形成非晶碳層，厚度 5nm 30nm，干法刻蝕去除第一介質(zhì)層32的表面以及第二介質(zhì)層33的表面的非晶碳，剩余第二介質(zhì)層33側(cè)壁的非晶碳，從而在第二介質(zhì)層的側(cè)壁形成側(cè)墻34。參考圖加，形成第三介質(zhì)層35，覆蓋所述第一介質(zhì)層32、第二介質(zhì)層33、所述側(cè)墻 34并填滿所述第二開(kāi)口 322(結(jié)合參考圖2c)。在該具體實(shí)施例中，第三介質(zhì)層的材料氧化硅層，利用化學(xué)氣相沉積形成第三介質(zhì)層，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，第三介質(zhì)層的材料也可以為本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的其他絕緣材料。參考圖2f，平坦化所述第三介質(zhì)層35至暴露出所述第二介質(zhì)層33。在該具體實(shí)施例中，第一介質(zhì)層32和第二介質(zhì)層33等高，平坦化所述第三介質(zhì)層35至暴露出所述第二介質(zhì)層33時(shí)，也暴露出第一介質(zhì)層32。參考圖2g，去除所述側(cè)墻34，在所述第三介質(zhì)層35與所述第二介質(zhì)層33之間形成環(huán)形開(kāi)口 36。在該具體實(shí)施例中，側(cè)墻34的材料為非晶碳，利用氧氣與非晶碳反應(yīng)生成二氧化碳?xì)怏w，即0+C — CO2，去除側(cè)墻34，從而在第三介質(zhì)層35與所述第二介質(zhì)層33之間形成環(huán)形開(kāi)口 36，環(huán)形開(kāi)口 36的外徑與內(nèi)徑之差由側(cè)墻34的厚度決定，因此可以通過(guò)控制形成的側(cè)墻34的厚度來(lái)控制環(huán)形開(kāi)口 36的內(nèi)外徑之差，而側(cè)墻34的厚度可以很薄，因此控制環(huán)形開(kāi)口 36的內(nèi)外徑之差可以很小，即環(huán)形開(kāi)口的關(guān)鍵尺寸可以很小。該具體實(shí)施例中形成環(huán)形開(kāi)口的工藝簡(jiǎn)單易行，而且環(huán)形開(kāi)口的關(guān)鍵尺寸通過(guò)側(cè)墻的厚度控制，容易實(shí)現(xiàn)。結(jié)合參考圖1與圖池，執(zhí)行步驟S5，形成第二層相變電阻37，所述第二層相變電阻 37覆蓋所述第一介質(zhì)層32、第二介質(zhì)層33、第三介質(zhì)層35且填充所述環(huán)形開(kāi)口 36。在該具體實(shí)施例中，第二層相變電阻的材料為鍺-銻-碲(GST，Ge2Sb2Te5)，形成第二層相變電阻的方法為利用磁控濺射方法濺射鍺-銻-碲合金，在所述第一介質(zhì)層32、第二介質(zhì)層33、 第三介質(zhì)層35上以及所述環(huán)形開(kāi)口 36內(nèi)沉積鍺-銻-碲合金，作為第二層相變電阻37。 之后平坦化所述第二層相變電阻，再對(duì)其進(jìn)行刻蝕，可以與第一層相變電阻作為存儲(chǔ)單元。填充在環(huán)形開(kāi)口 36內(nèi)的第二層相變電阻為該第二層相變電阻與第一層相變電阻的連接部371，該連接部371的關(guān)鍵尺寸由環(huán)形開(kāi)口 36的內(nèi)外徑之差決定，由于環(huán)形開(kāi)口的內(nèi)外徑由側(cè)墻的厚度決定，側(cè)墻的厚度可以做的很小，因此環(huán)形開(kāi)口的內(nèi)外徑之差可以做的很小，相應(yīng)的第二層相變電阻與第一層相變電阻的連接部的關(guān)鍵尺寸可以做的很小，因此可以提高提高PCRAM的性能，可以降低復(fù)位(reset)電流，提高設(shè)置速度(set speed)。在形成第二層相變電阻后，就形成了雙層相變電阻，之后可以在第二層相變電阻上形成金屬互連層，形成互連結(jié)構(gòu)?；诒景l(fā)明的形成雙層相變電阻的方法，本發(fā)明還提供一種形成相變存儲(chǔ)器的方法，包括形成雙層相變電阻，所述形成雙層相變電阻的方法為以上所述的形成雙層相變電阻的方法。參考圖池，本發(fā)明還提供一種雙層相變電阻以及包括該雙層相變電阻的相變存儲(chǔ)器，所述雙層相變電阻包括第一層相變電阻31和第二層相變電阻37，所述第二層相變電阻 37包括連接部371，與所述第一層相變電阻31連接，所述連接部為環(huán)狀。另外，本發(fā)明還提供一種包括用以上所述方法形成的雙層相變電阻的相變存儲(chǔ)器。以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施例，為了使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好的理解本發(fā)明的精神，然而本發(fā)明的保護(hù)范圍并不以該具體實(shí)施例的具體描述為限定范圍，任何本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明精神的范圍內(nèi)，可以對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例做修改，而不脫離本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種雙層相變電阻的形成方法，其特征在于，包括提供基底，所述基底上形成有第一層相變電阻；在所述第一層相變電阻上形成具有第一開(kāi)口的第一介質(zhì)層，所述第一開(kāi)口暴露出所述第一層相變電阻；形成第二介質(zhì)層，覆蓋所述第一開(kāi)口的側(cè)壁，且所述第二介質(zhì)層圍成第二開(kāi)口 ；在所述第二開(kāi)口內(nèi)形成第三介質(zhì)層，且所述第三介質(zhì)層與所述第二介質(zhì)層之間形成有環(huán)形開(kāi)口 ；形成第二層相變電阻，所述第二層相變電阻覆蓋所述第一介質(zhì)層、第二介質(zhì)層、第三介質(zhì)層且填充所述環(huán)形開(kāi)口。
2.如權(quán)利要求1所述的雙層相變電阻的形成方法，其特征在于，所述在所述第一層相變電阻上形成具有第一開(kāi)口的第一介質(zhì)層包括在所述第一層相變電阻上形成第一介質(zhì)層；光刻、刻蝕所述第一介質(zhì)層形成第一開(kāi)口。
3.如權(quán)利要求1所述的雙層相變電阻的形成方法，其特征在于，所述第二介質(zhì)層的材料為氮化硅。
4.如權(quán)利要求3所述的雙層相變電阻的形成方法，其特征在于，所述形成第二介質(zhì)層的方法為化學(xué)氣相沉積。
5.如權(quán)利要求1所述的雙層相變電阻的形成方法，其特征在于，所述在所述第二開(kāi)口內(nèi)形成第三介質(zhì)層，且所述第三介質(zhì)層與所述第二介質(zhì)層之間形成有環(huán)形開(kāi)口包括在所述第二開(kāi)口的側(cè)壁形成側(cè)墻；形成第三介質(zhì)層，覆蓋所述第一介質(zhì)層、第二介質(zhì)層、所述側(cè)墻并填滿所述第二開(kāi)口 ； 平坦化所述第三介質(zhì)層至暴露出所述第二介質(zhì)層；去除所述側(cè)墻，在所述第三介質(zhì)層與所述第二介質(zhì)層之間形成環(huán)形開(kāi)口。
6.如權(quán)利要求5所述的雙層相變電阻的形成方法，其特征在于，所述側(cè)墻的材料為非晶碳。
7.如權(quán)利要求6所述的雙層相變電阻的形成方法，其特征在于，所述在所述第二開(kāi)口的側(cè)壁形成側(cè)墻的方法為化學(xué)氣相沉積方法。
8.如權(quán)利要求1所述的雙層相變電阻的形成方法，其特征在于，所述第一層相變電阻和第二層相變電阻的材料為鍺-銻-碲。
9.一種相變存儲(chǔ)器的形成方法，包括形成雙層相變電阻，其特征在于，所述雙層相變電阻的形成方法為權(quán)利要求1 8任一項(xiàng)所述的方法。
10.一種雙層相變電阻，其特征在于，包括第一層相變電阻和第二層相變電阻，所述第二層相變電阻包括連接部，與所述第一層相變電阻連接，所述連接部為環(huán)狀。
11.一種相變存儲(chǔ)器，包括雙層相變電阻，其特征在于，所述雙層相變電阻包括第一層相變電阻和第二層相變電阻，所述第二層相變電阻包括連接部，與所述第一層相變電阻連接，所述連接部為環(huán)狀。
12.一種相變存儲(chǔ)器，其特征在于，包括用權(quán)利要求1 8任一項(xiàng)所述的方法形成的雙層相變電阻。
全文摘要
一種雙層相變電阻及其形成方法、相變存儲(chǔ)器及其形成方法，其中雙層相變電阻的形成方法，包括提供基底，基底上形成有第一層相變電阻；在第一層相變電阻上形成具有第一開(kāi)口的第一介質(zhì)層，第一開(kāi)口暴露出第一層相變電阻；形成第二介質(zhì)層，覆蓋第一開(kāi)口的側(cè)壁，所述第二介質(zhì)層圍成第二開(kāi)口；在第二開(kāi)口內(nèi)形成第三介質(zhì)層，且第三介質(zhì)層與第二介質(zhì)層之間形成有環(huán)形開(kāi)口；形成第二層相變電阻，第二層相變電阻覆蓋第一介質(zhì)層、第二介質(zhì)層、第三介質(zhì)層且填充環(huán)形開(kāi)口。本發(fā)明可以確保第二層相變電阻和第一層相變電阻的連接部的關(guān)鍵尺寸小，提高PCRAM的性能，可以降低復(fù)位電流，提高設(shè)置速度。
文檔編號(hào)H01L45/00GK102447059SQ201010509349
公開(kāi)日2012年5月9日 申請(qǐng)日期2010年10月14日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月14日
發(fā)明者張海洋, 李凡 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司