專利名稱：多層導(dǎo)通孔疊層結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明系關(guān)于一種多層導(dǎo)通孔疊層結(jié)構(gòu)，特別有關(guān)一種應(yīng)用于柔性半導(dǎo)體或柔性多層基板的多層導(dǎo)通孔疊層結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
多層基板用于制作封裝基板、印刷電路板、柔性封裝基板及柔性電路板等領(lǐng)域，整合成高密度系統(tǒng)為現(xiàn)今電子產(chǎn)品小型化必然的趨勢(shì)。特別是當(dāng)前業(yè)界均不斷地投入研發(fā)更輕、更薄、更具可撓性的柔性集成電路以及柔性多層基板。制作各種應(yīng)用更為廣泛的柔性電子產(chǎn)品，不僅能更有效地應(yīng)用于各類產(chǎn)品，同時(shí)更符合商品微型化的需求。柔性多層基板的厚度越薄，集成電路及多層基板的繞線密度(routing density)要求便越高。請(qǐng)參考附圖1所示，是現(xiàn)有技術(shù)中堆棧式導(dǎo)通孔(Stacked VIA)技術(shù)形成多層埋孔的多層導(dǎo)通孔疊層結(jié)構(gòu)，以提高集成電路及多層基板的繞線密度的方法。如附圖1中所示，多層導(dǎo)通孔疊層結(jié)構(gòu)是將集成電路或多層基板中位于不同層的金屬層10、20及30(金屬線路或焊墊層)均設(shè)置于垂直對(duì)應(yīng)的位置，在分別制作介電層80及90后，再于金屬層 10,20的位置上制作一垂直的導(dǎo)通孔，填入導(dǎo)通金屬材料，形成導(dǎo)通孔金屬60、70，用以電學(xué)連接位于上下不同層的金屬層10、20及30 (金屬線路或焊墊層)。這是一種有效縮小繞線密度的技術(shù)，尤其適用于硬質(zhì)的集成電路及多層基板，而不適用于柔性集成電路以及柔性多層基板。主要是因此多層的導(dǎo)通孔結(jié)構(gòu)的堆棧特性，大量金屬材料設(shè)置于一密集的區(qū)域內(nèi)，致使其幾乎不具可撓性，若將此技術(shù)應(yīng)用于制作柔性集成電路以及柔性多層基板，當(dāng)依此種現(xiàn)有技術(shù)制作的堆棧式導(dǎo)通孔被折曲時(shí)，折曲的動(dòng)作很容易對(duì)其產(chǎn)生結(jié)構(gòu)性破壞。請(qǐng)參考附圖2，亦為現(xiàn)有技術(shù)另一種堆棧式導(dǎo)通孔(Stacked VIA)的技術(shù)，形成一越層孔(盲孔)的多層導(dǎo)通孔疊層結(jié)構(gòu)，以提高集成電路及多層基板的繞線密度的方法。此方法是將集成電路或多層基板中位于不同層的金屬層10或20 (金屬線路或焊墊層)均設(shè)置于垂直對(duì)應(yīng)的位置，分別以介電層80或90與其他層相隔，而利用單一垂直的導(dǎo)通孔，以一貫的。再以蝕刻法或是沉積法形成附圖2中所示的形成導(dǎo)通孔金屬60，使金屬層10、20 電學(xué)連接。同樣地，此多層導(dǎo)通孔疊層結(jié)構(gòu)亦僅適用于硬質(zhì)的集成電路及多層基板，主要亦因此多層導(dǎo)通孔疊層結(jié)構(gòu)的堆棧特性，大量金屬材料設(shè)置于一密集的區(qū)域內(nèi)，致使其幾乎不具可撓性。因此也不適用于柔性集成電路以及柔性多層基板。請(qǐng)參考附圖3所示，是另一現(xiàn)有技術(shù)堆棧式導(dǎo)通孔技術(shù)形成一越層孔，且具有斜孔壁的多層導(dǎo)通孔疊層結(jié)構(gòu)。與附圖2中所示的多層導(dǎo)通孔疊層結(jié)構(gòu)相似，此方法是將集成電路或多層基板中位于不同層的金屬層10或20 (金屬線路或焊墊層)均設(shè)置于大致上垂直對(duì)應(yīng)的位置，分別以介電層80或90與其他層相隔，亦利用單一垂直的導(dǎo)通孔，以一貫的。再以蝕刻法或是沉積法形成附圖3中所示的導(dǎo)通孔金屬60使金屬層10、20電學(xué)連接。 只是其疊層結(jié)構(gòu)導(dǎo)孔的導(dǎo)孔壁均為具有一定角度的斜孔壁。然而此結(jié)構(gòu)金屬層20、60(做為孔墊)面積較大，因此必然導(dǎo)致布線密度較低。請(qǐng)參考附圖4所示，是現(xiàn)有技術(shù)中交錯(cuò)式導(dǎo)通孔(Staggered VIA)技術(shù)形成多層埋孔的多層導(dǎo)通孔疊層結(jié)構(gòu)。如附圖4所示的多層導(dǎo)通孔疊層結(jié)構(gòu)是先將導(dǎo)通孔金屬60形成于金屬層10上，同時(shí)亦于介電層80表面向金屬層10的外延伸出具有一定面積的一特定區(qū)域。接著，于形成介電層90并對(duì)其在前述特定區(qū)域開(kāi)孔后，于前述特定區(qū)域上再形成導(dǎo)通孔金屬70，并且如附圖4中所示，導(dǎo)通孔金屬70的導(dǎo)通孔金屬邊緣垂直線99同樣地會(huì)落于前述特定區(qū)域上，亦即一般做法會(huì)使導(dǎo)通孔金屬70盡量不與導(dǎo)通孔金屬60的前述特定區(qū)域以外的部份重疊。此類結(jié)構(gòu)系為目前最為普遍、用途最廣的多層導(dǎo)通孔疊層結(jié)構(gòu)。只是其不像附圖3所示的堆棧式導(dǎo)通孔技術(shù)能讓集成電路以及多層基板尺寸縮小的幅度可觀。 因此在提高集成電路及多層基板的繞線密度(routing density)方面必然將有先天存在的限制。特別是如前述當(dāng)今面對(duì)柔性集成電路及柔性多層基板更進(jìn)一步、更嚴(yán)苛的要求下恐更加力有未逮。然而其相比于堆棧式導(dǎo)通孔技術(shù)，較具有可撓性。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是，提供一種多層導(dǎo)通孔疊層結(jié)構(gòu)，更薄、布線密度更高、更具可撓性，因而能應(yīng)用于柔性半導(dǎo)體或柔性多層基板的多層導(dǎo)通孔疊層結(jié)構(gòu)。并且， 本發(fā)明多層導(dǎo)通孔疊層結(jié)構(gòu)的高布線密度特性亦適用于一般封裝基板或印刷電路板為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種多層導(dǎo)通孔疊層結(jié)構(gòu)，包含一金屬層、一第一介電層、一第一導(dǎo)通孔金屬層、一第二介電層以及一第二導(dǎo)通孔金屬層。第一介電層披覆金屬層，且于金屬層上方具有第一開(kāi)口。第一導(dǎo)通孔金屬層形成于第一開(kāi)口及第一介電層上，具有第一底部、位于第一介電層上的第一上端部以及第一斜孔壁。第一斜孔壁具有與第一上端部接合的第一頂端及與第一底部接合的第一底端。并且，第一底部具有一幾何對(duì)稱中心。第二介電層披覆第一導(dǎo)通孔金屬層，且于第一導(dǎo)通孔金屬層的第一上端部及第一斜孔壁上方具有第二開(kāi)口。第二導(dǎo)通孔金屬層形成于第二開(kāi)口及第二介電層上，具有第二底部、位于第二介電層上的第二上端部以及第二斜孔壁。第二斜孔壁具有與第二上端部接合的第二頂端及與第二底部接合的第二底端。第二頂端最接近第一底部具有的幾何對(duì)稱中心的一點(diǎn)所具有相對(duì)金屬層的垂直線是落于第一斜孔壁上的?；蛘?，第二底端最接近第一底部具有的幾何對(duì)稱中心的一點(diǎn)所具有相對(duì)金屬層的垂直線是落于第一斜孔壁上的。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于，所提供的多層導(dǎo)通孔疊層結(jié)構(gòu)，不僅能適用于柔性半導(dǎo)體或柔性多層基板的多層導(dǎo)通孔疊層結(jié)構(gòu)更薄、更具可撓性的需求，同時(shí)能更進(jìn)一步提高柔性集成電路及柔性多層基板的繞線密度。

附圖1是現(xiàn)有技術(shù)中堆棧式導(dǎo)通孔技術(shù)形成多層埋孔的多層導(dǎo)通孔疊層結(jié)構(gòu)。附圖2是現(xiàn)有技術(shù)中堆棧式導(dǎo)通孔技術(shù)形成越層孔(盲孔)的多層導(dǎo)通孔疊層結(jié)構(gòu)。附圖3是現(xiàn)有技術(shù)中另一堆棧式導(dǎo)通孔技術(shù)形成越層孔，且具有斜孔壁的多層導(dǎo)通孔疊層結(jié)構(gòu)。附圖4是現(xiàn)有技術(shù)中交錯(cuò)式導(dǎo)通孔技術(shù)形成多層埋孔的多層導(dǎo)通孔疊層結(jié)構(gòu)。附圖5是本發(fā)明第一實(shí)施例的多層導(dǎo)通孔疊層結(jié)構(gòu)。附圖6是本發(fā)明第二實(shí)施例的多層導(dǎo)通孔疊層結(jié)構(gòu)。
附圖7是本發(fā)明比較例的多層導(dǎo)通孔疊層結(jié)構(gòu)。附圖至附圖他是本發(fā)明第二實(shí)施例的多層導(dǎo)通孔疊層結(jié)構(gòu)的制作方法。
具體實(shí)施方式接下來(lái)結(jié)合附圖詳細(xì)介紹本發(fā)明所述多層導(dǎo)通孔疊層結(jié)構(gòu)的具體實(shí)施方式
。請(qǐng)參考附圖5所示，是本發(fā)明第一實(shí)施例的多層導(dǎo)通孔疊層結(jié)構(gòu)。本發(fā)明第一實(shí)施例的多層導(dǎo)通孔疊層結(jié)構(gòu)包含一金屬層100、一第一介電層202、一第一導(dǎo)通孔金屬層 102、一第二介電層204以及一第二導(dǎo)通孔金屬層104。如第5圖中所示，金屬層100是作為柔性半導(dǎo)體電路或柔性多層基板的金屬線路或焊墊層。第一介電層202披覆金屬層100，且于金屬層100上方具有第一開(kāi)口。第一導(dǎo)通孔金屬層102形成于第一開(kāi)口及第一介電層202 上。第一導(dǎo)通孔金屬層102具有第一底部102-1、第一上端部102-2及第一斜孔壁102-3。 如圖5所示，第一底部102-1形成于第一開(kāi)口的位置且具有一幾何對(duì)稱中心，其可為一對(duì)稱線或者一圓心，視第一底部102-1的形狀決定。第一上端部102-2則形成于第一介電層202 上。第一斜孔壁102-3具有第一頂端及第一底端。第一頂端與第一上端部102-2接合，其第一底端則與第一底部102-1接合。第二介電層204披覆第一導(dǎo)通孔金屬層102，且如圖5 所示，于第一導(dǎo)通孔金屬層102的第一上端部102-2上方具有第二開(kāi)口。第二導(dǎo)通孔金屬層104形成于第二開(kāi)口及第二介電層204上。第二導(dǎo)通孔金屬層104具有第二底部104-1、 第二上端部104-2及第二斜孔壁104-3。第二底部104-1形成于第二開(kāi)口的位置。第二上端部104-2則形成于第二介電層204上。第二斜孔壁104-3具有第二頂端及第二底端。第二頂端與第二上端部104-2接合。第二底端與第二底部104-1接合。第一導(dǎo)通孔金屬層102具有的第一上端部102-2預(yù)定于后形成第二導(dǎo)通孔金屬層 104的位置，是較向外延伸，以準(zhǔn)備與第二底部104-1接合。即所謂交錯(cuò)式多層導(dǎo)通孔疊層結(jié)構(gòu)。然而與現(xiàn)有技術(shù)最大不同處在于，第二導(dǎo)通孔金屬層104的第二頂端最接近第一底部102-1所具有的幾何中心110的一點(diǎn)所具有相對(duì)金屬層100的垂直線112是落于第一斜孔壁102-3上的。也就是說(shuō)，若從俯視的角度來(lái)看，第一導(dǎo)通孔金屬層102與第二導(dǎo)通孔金屬層104有一部分重疊。請(qǐng)參考附圖6所示，是本發(fā)明第二實(shí)施例的多層導(dǎo)通孔疊層結(jié)構(gòu)。本發(fā)明第二實(shí)施例與前述本發(fā)明的第一實(shí)施例結(jié)構(gòu)相似，但第二介電層204具有的第二開(kāi)口是如圖6所示，位于第一導(dǎo)通孔金屬層102的第一上端部102-2及第一斜孔壁102-3上方，會(huì)露出部份的第一上端部102-2與部份的第一斜孔壁102-3。因此，第二導(dǎo)通孔金屬層104所具有的第二底部104-1的第二底端最接近第一底部102-1所具有的幾何中心110的一點(diǎn)所具有相對(duì)于金屬層100的一垂直線114是落于第一斜孔壁102-3上的。也就是說(shuō)，若從俯視的角度來(lái)看，第一導(dǎo)通孔金屬層102與第二導(dǎo)通孔金屬層104重疊的部分，相較于第一實(shí)施例重疊的部分更多。請(qǐng)參考附圖7所示，是本發(fā)明比較例的多層導(dǎo)通孔疊層結(jié)構(gòu)。此比較例與前述本發(fā)明的第一實(shí)施例、第二實(shí)施例相似，只是相異處在于第二導(dǎo)通孔金屬層104所具有的第二底部104-1的第二底端最接近金屬層100所具有的幾何中心110的一點(diǎn)所具有相對(duì)金屬層100的一垂直線114已落于第一導(dǎo)通孔金屬層102的第一底部102-1上。也就是說(shuō)，若從俯視的角度來(lái)看，此比較例第一導(dǎo)通孔金屬層102與第二導(dǎo)通孔金屬層104重疊的部分，
6相較于本發(fā)明第一實(shí)施例、第二實(shí)施例重疊的部分已更多，已如附圖2、附圖3所示現(xiàn)有技術(shù)的堆棧式導(dǎo)通孔，可撓性已不佳。比較前述附圖5、附圖6以及附圖7所示，本發(fā)明的實(shí)施例及比較例可知，依據(jù)本發(fā)明，多層導(dǎo)通孔疊層結(jié)構(gòu)不僅可保有交錯(cuò)式導(dǎo)通孔疊層結(jié)構(gòu)適用于柔性集成電路以及柔性多層基板可撓性的需求，能使集成電路以及多層基板的厚度制作得更薄，同時(shí)能更進(jìn)一步提高集成電路及多層基板的繞線密度。并且，又不會(huì)如現(xiàn)有技術(shù)的堆棧式導(dǎo)通孔疊層結(jié)構(gòu)， 為單方面追求繞線密度提高，卻因其堆棧特性，大量金屬材料設(shè)置于一密集的區(qū)域內(nèi)，致使其幾不具可撓性，而不適用于柔性集成電路以及柔性多層基板。請(qǐng)參考附圖8a至附圖他所示，是本發(fā)明第二實(shí)施例的多層導(dǎo)通孔疊層結(jié)構(gòu)的制作方法。如附圖8a所示，在一柔性集成電路或一柔性多層基板的一介電層200上形成一金屬層100。如附圖8b所示，在金屬層100上形成一第一介電層202，披覆金屬層100。如附圖8c所示，在金屬層100上方形成一第一開(kāi)口。形成第一開(kāi)口的方式，則能夠采用光刻工藝或光學(xué)激光鉆孔的工藝。本發(fā)明并未對(duì)光刻工藝或光學(xué)激光鉆孔的工藝作任何限定，僅要對(duì)于開(kāi)口的精確度能夠掌握，如前述光學(xué)顯微分辨率、景深足夠定義開(kāi)口， 光學(xué)激光鉆孔的能量、分辨率足夠在不平坦的位置進(jìn)行精確開(kāi)口即可。如附圖8d所示，例如以金屬剝離制程(Metal Lift Off)選用負(fù)型光刻膠為例，在介電層202表面涂布至少一光刻膠層203。涂布光刻膠層203后，對(duì)第一導(dǎo)通孔金屬層102 預(yù)定位置的光刻膠層203-1以外的光刻膠層203進(jìn)行曝光后，即可以顯影劑(Developer) 去除位于預(yù)定位置的光刻膠層203-1。接著，如附圖8e所示，去除光阻層203及其上方與第一導(dǎo)通孔金屬層102同時(shí)形成的金屬層后，即完成第一開(kāi)口及周邊先決的區(qū)域范圍內(nèi)，形成具有第一底部、第一上端部及第一斜孔壁的第一導(dǎo)通孔金屬層102的制作。但本發(fā)明并未對(duì)形成第一導(dǎo)通孔金屬層 102的方法做任何限定，只有經(jīng)本發(fā)明者進(jìn)行實(shí)際實(shí)驗(yàn)而得出，若欲形成位置精準(zhǔn)、形狀精確且厚度均勻的金屬層，以金屬剝離工藝為較佳。如附圖8f所示，形成一第二介電層204，披覆第一導(dǎo)通孔金屬層102。由于第一導(dǎo)通孔金屬層102呈凹陷的形狀外觀，因此，形成的第二介電層204亦形成相似的凹陷形狀外觀。如附圖8g所示，于第一導(dǎo)通孔金屬層102的第一上端部及第一斜孔壁上方形成一第二開(kāi)口。形成第二開(kāi)口的方式，則能夠采用光刻工藝或光學(xué)激光鉆孔的工藝。本發(fā)明并未對(duì)光刻工藝或光學(xué)激光鉆孔的工藝作任何限定，僅要對(duì)于開(kāi)口的精確度能夠掌握，如前述光學(xué)顯微分辨率、景深足夠定義開(kāi)口，光學(xué)激光鉆孔的能量、分辨率足夠在不平坦的位置進(jìn)行精確開(kāi)口即可。如第他圖所示，于第二開(kāi)口及周邊先決的區(qū)域范圍內(nèi)，形成具有第二底部、第二上端部及第二斜孔壁的第二導(dǎo)通孔金屬層104。則第二導(dǎo)通孔金屬層104的第二底端最接近第一底部102-1所具有的幾何中心的一點(diǎn)所具有相對(duì)金屬層100的垂直線114是落于第一斜孔壁上的。并且，形成第二導(dǎo)通孔金屬層104的方法則可與前述形成第一導(dǎo)通孔金屬層102相同，可為金屬剝離工藝(Metal Lift Off)。但本發(fā)明并未對(duì)形成第二導(dǎo)通孔金屬層104的方法做任何限定，只有經(jīng)本發(fā)明者進(jìn)行實(shí)際實(shí)驗(yàn)而得出，形成金屬層的各種工藝， 以金屬剝離制程為較佳。特別是第二開(kāi)口的底部是如附圖8g所示，非一平整的底面，能于非平整底面，形成位置精準(zhǔn)、形狀精確且厚度均勻的第二導(dǎo)通孔金屬層104，應(yīng)采用金屬剝離工藝為較佳。上述雖以制作本發(fā)明的第二實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明，本發(fā)明的第一實(shí)施例也能以同樣的方法制作，要注意的是決定第二開(kāi)口的位置不同?？傃缘?，根據(jù)本發(fā)明的多層導(dǎo)通孔疊層結(jié)構(gòu)，不僅能適用于柔性半導(dǎo)體或柔性多層基板的多層導(dǎo)通孔疊層結(jié)構(gòu)更薄、更具可撓性的需求，同時(shí)能更進(jìn)一步提高柔性集成電路及柔性多層基板的繞線密度。綜上所述，雖然本發(fā)明已用較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的申請(qǐng)專利范圍所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種多層導(dǎo)通孔疊層結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括一金屬層；一第一介電層，披覆所述金屬層，且于所述金屬層上方具有一第一開(kāi)口 ；一第一導(dǎo)通孔金屬層，形成于所述第一開(kāi)口及所述第一介電層上，具有一第一底部、位于所述第一介電層上的一第一上端部以及一第一斜孔壁，所述第一斜孔壁具有與所述第一上端部接合的一第一頂端及與所述第一底部接合的一第一底端，且所述第一底部具有一幾何對(duì)稱中心；一第二介電層，披覆所述第一導(dǎo)通孔金屬層，且于所述第一導(dǎo)通孔金屬層的所述第一上端部及所述第一斜孔壁上方具有一第二開(kāi)口；以及一第二導(dǎo)通孔金屬層，形成于所述第二開(kāi)口及所述第二介電層上，具有一第二底部、位于所述第二介電層上的一第二上端部以及一第二斜孔壁，所述第二斜孔壁具有與所述第二上端部接合的一第二頂端及與所述第二底部接合的一第二底端，其中所述第二頂端最接近所述幾何對(duì)稱中心的一點(diǎn)所具有的相對(duì)所述金屬層的一垂直線是落于所述第一斜孔壁上的。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層導(dǎo)通孔疊層結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二導(dǎo)通孔金屬層采用金屬剝離工藝形成，并同時(shí)形成所述第二底部、所述第二上端部以及所述第二斜孔壁。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層導(dǎo)通孔疊層結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二開(kāi)口是采用光刻工藝形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層導(dǎo)通孔疊層結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二開(kāi)口是采用光學(xué)激光鉆孔工藝形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層導(dǎo)通孔疊層結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一導(dǎo)通孔金屬層采用金屬剝離工藝形成，并同時(shí)形成所述第一底部、所述第一上端部以及所述第一斜孔壁。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層導(dǎo)通孔疊層結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一開(kāi)口采用光刻工藝形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層導(dǎo)通孔疊層結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一開(kāi)口是采用光學(xué)激光鉆孔工藝形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層導(dǎo)通孔疊層結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述多層導(dǎo)通孔疊層結(jié)構(gòu)應(yīng)用于一柔性多層基板或一柔性半導(dǎo)體電路。
9.一種多層導(dǎo)通孔疊層結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括一金屬層；一第一介電層，披覆所述金屬層，且于所述金屬層上方具有一第一開(kāi)口 ；一第一導(dǎo)通孔金屬層，形成于所述第一開(kāi)口及所述第一介電層上，具有一第一底部、位于所述第一介電層上的一第一上端部以及一第一斜孔壁，所述第一斜孔壁具有與所述第一上端部接合的一第一頂端及與所述第一底部接合的一第一底端，且所述第一底部具有一幾何對(duì)稱中心；一第二介電層，披覆所述第一導(dǎo)通孔金屬層，且于所述第一導(dǎo)通孔金屬層的所述第一上端部及所述第一斜孔壁上方具有一第二開(kāi)口；以及一第二導(dǎo)通孔金屬層，形成于所述第二開(kāi)口及所述第二介電層上，具有一第二底部、位于所述第二介電層上的一第二上端部以及一第二斜孔壁，所述第二斜孔壁具有與所述第二上端部接合的一第二頂端及與所述第二底部接合的一第二底端，其中所述第二底端最接近所述幾何對(duì)稱中心的一點(diǎn)所具有的相對(duì)所述金屬層的一垂直線是落于所述第一斜孔壁上的。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的多層導(dǎo)通孔疊層結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二導(dǎo)通孔金屬層采用金屬剝離工藝形成，并同時(shí)形成所述第二底部、所述第二上端部以及所述第二斜孔壁。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的多層導(dǎo)通孔疊層結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二開(kāi)口是采用光刻工藝形成。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的多層導(dǎo)通孔疊層結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二開(kāi)口是采用光學(xué)激光鉆孔工藝形成。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的多層導(dǎo)通孔疊層結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一導(dǎo)通孔金屬層采用金屬剝離工藝形成，并同時(shí)形成所述第一底部、所述第一上端部以及所述第一斜孔壁。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的多層導(dǎo)通孔疊層結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一開(kāi)口采用光刻工藝形成。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的多層導(dǎo)通孔疊層結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一開(kāi)口是采用光學(xué)激光鉆孔工藝形成。
16.根據(jù)權(quán)利要求9所述的多層導(dǎo)通孔疊層結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述多層導(dǎo)通孔疊層結(jié)構(gòu)應(yīng)用于一柔性多層基板或一柔性半導(dǎo)體電路。
全文摘要
一種多層導(dǎo)通孔疊層結(jié)構(gòu)，具有金屬層、第一介電層的第一開(kāi)口上形成第一導(dǎo)通孔金屬層、第二介電層及第二介電層的第二開(kāi)口上形成的第二導(dǎo)通孔金屬層。第一、第二導(dǎo)通孔金屬層皆分別具有第一、第二底部，第一、第二上端部及第一、第二斜孔壁。第一、第二斜孔壁分別具有第一、第二頂端及底端。第二斜孔壁的第二頂端最接近第一底部幾何對(duì)稱中心的一點(diǎn)所具有的相對(duì)金屬層的垂直線是落于第一斜孔壁上的?；蛘?，第二斜孔壁的第二底端最接近第一底部幾何對(duì)稱中心的一點(diǎn)所具有的相對(duì)金屬層的垂直線是落于第一斜孔壁上的。
文檔編號(hào)H01L23/498GK102404935SQ20101028908
公開(kāi)日2012年4月4日 申請(qǐng)日期2010年9月13日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月13日
發(fā)明者楊之光 申請(qǐng)人:巨擘科技股份有限公司