專利名稱：制備金屬硅化物的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種制備金屬硅化物的方法。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體集成電路的集成度不斷提高，半導(dǎo)體器件的特征尺寸不斷縮小，金屬硅化物也在不斷地發(fā)展。金屬硅化物通常制備在源漏極以及柵極上，用于提高源漏極以及柵極與金屬之間的接觸。當(dāng)器件的特征尺寸縮小到45nm及以下時(shí)，由于線寬效應(yīng)的制約， 鎳鉬合金(NiPt)取代了金屬鎳(Ni)或金屬鈷(Co)，用于形成金屬硅化物?，F(xiàn)有的制備鎳鉬金屬硅化物的方法包括如下步驟提供半導(dǎo)體襯底，其中，所述半導(dǎo)體襯底上已形成MOS器件的柵極結(jié)構(gòu)以及源/漏極；其中，所述柵極結(jié)構(gòu)包括柵介質(zhì)層、多晶硅柵極以及柵極側(cè)墻；在所述半導(dǎo)體襯底上淀積鎳鉬合金膜，所述鎳鉬合金膜覆蓋所述柵極結(jié)構(gòu)以及源 /漏極；將所述淀積鎳鉬合金膜的半導(dǎo)體襯底進(jìn)行快速升溫退火(RTA，RapidThermal Anneal)，使所述鎳鉬合金與硅反應(yīng)，形成鎳鉬金屬硅化物；去除未反應(yīng)成鎳鉬金屬硅化物的鎳鉬合金膜。這是因?yàn)殒囥f合金只與硅反應(yīng)，不與氧化物反應(yīng)。目前通常采用溫度高于150°C的硫酸與雙氧水的混合溶液(SPM溶液)進(jìn)行濕法刻蝕去除所述未反應(yīng)成鎳鉬金屬硅化物的鎳鉬合金膜，具體的，將所述進(jìn)行快速升溫退火處理后的半導(dǎo)體襯底放入單晶片旋噴清洗機(jī)內(nèi)，用SPM溶液噴射去除所述未反應(yīng)成鎳鉬金屬硅化物的鎳鉬合金膜。然而在采用SPM溶液濕法刻蝕去除未反應(yīng)成鎳鉬金屬硅化物的鎳鉬合金膜的過(guò)程中，通常會(huì)在半導(dǎo)體襯底的表面形成顆粒(particle)，從而嚴(yán)重影響半導(dǎo)體器件的性能。這是因?yàn)樵诎雽?dǎo)體器件的制備過(guò)程中，通常會(huì)進(jìn)行多次物理氣相沉積(PVD，Physical Vapor Deposition)或化學(xué)氣相沉積(CVD，Chemical VaporD印osition)，便于后續(xù)步驟在膜層上形成所需圖案。當(dāng)半導(dǎo)體襯底上的光阻曝光完后，需將半導(dǎo)體襯底邊緣的光阻去除， 即晶片洗邊工藝(WEE，Wafer EdgeEngineering)，以避免邊緣光阻污染蝕刻機(jī)臺(tái)或離子植入機(jī)臺(tái)。由于半導(dǎo)體襯底的邊緣沒(méi)有光阻的保護(hù)，因此半導(dǎo)體襯底的邊緣沉積的薄膜會(huì)直接暴露出來(lái)，例如多晶硅及CVD氧化物，并且所述多晶硅及CVD氧化物很容易在刻蝕或離子注入的過(guò)程中被損壞，使得半導(dǎo)體襯底的邊緣不平整，從而在用SPM溶液進(jìn)行濕法刻蝕去除所述未反應(yīng)成鎳鉬金屬硅化物的鎳鉬合金膜的過(guò)程中，所述被損壞的多晶硅及CVD氧化物極有可能斷裂，進(jìn)一步在半導(dǎo)體襯底的表面引入顆粒。為了解決在去除未反應(yīng)成鎳鉬金屬硅化物的鎳鉬合金膜的過(guò)程中引入顆粒的問(wèn)題，目前提出了一種改進(jìn)的制備鎳鉬金屬硅化物的方法，請(qǐng)參考圖1以及圖2A至圖2E，其中圖1為現(xiàn)有的改進(jìn)的制備鎳鉬金屬硅化物的方法步驟流程圖，圖2A至圖2E為現(xiàn)有的改進(jìn)的制備鎳鉬金屬硅化物的方法各步驟對(duì)應(yīng)的器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1以及圖2A至圖2E所示，現(xiàn)有的改進(jìn)的制備鎳鉬金屬硅化物的方法包括如下步驟S101、提供半導(dǎo)體襯底110，其中，所述半導(dǎo)體襯底110上已形成圖案化的器件區(qū)域120，且所述半導(dǎo)體襯底110的邊緣淀積有多晶硅130及氧化物140，如圖2A所示；S102、將所述半導(dǎo)體襯底110置于刻蝕機(jī)臺(tái)中，在所述半導(dǎo)體襯底110上方設(shè)置阻擋罩150，所述阻擋罩150遮蓋所述器件區(qū)域120，露出所述半導(dǎo)體襯底110的邊緣，如圖2B 所示；其中，所述阻擋罩150為刻蝕機(jī)臺(tái)自帶的部件；S103、對(duì)所述半導(dǎo)體襯底110進(jìn)行第一次干法刻蝕，去除所述半導(dǎo)體襯底110邊緣的氧化物140 ；第一次干法刻蝕后的器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖如圖2C所示；S104、對(duì)所述半導(dǎo)體襯底110進(jìn)行第二次干法刻蝕，去除所述半導(dǎo)體襯底110邊緣的多晶硅130 ；第二次干法刻蝕后的器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖如圖2D所示；S105、將所述半導(dǎo)體襯底110移出所述刻蝕機(jī)臺(tái)，并對(duì)所述半導(dǎo)體襯底110進(jìn)行濕法清洗，去除表面殘留物，如圖2E所示；S106、在所述半導(dǎo)體襯底上淀積鎳鉬合金膜，所述鎳鉬合金膜覆蓋所述器件區(qū)域中的器件的柵極結(jié)構(gòu)以及源/漏極；S107、將所述淀積鎳鉬合金膜的半導(dǎo)體襯底進(jìn)行快速升溫退火(RTA， RapidThermal Anneal)處理，使所述鎳鉬合金與硅反應(yīng)，形成鎳鉬金屬硅化物；S108、用SPM溶液噴射去除所述未反應(yīng)成鎳鉬金屬硅化物的鎳鉬合金膜。上述改進(jìn)的制備鎳鉬金屬硅化物的方法雖然能有效地避免在去除未反應(yīng)成鎳鉬金屬硅化物的鎳鉬合金膜的過(guò)程中引入顆粒，從而提高半導(dǎo)體器件的性能。然而該方法存在以下的缺點(diǎn)和不足之處1)由于半導(dǎo)體襯底邊緣淀積的薄膜有多晶硅及氧化物，而干法刻蝕對(duì)不同的刻蝕物需采用不同的刻蝕氣體，因而必須通過(guò)兩部刻蝕步驟才能去除半導(dǎo)體襯底邊緣淀積的多晶硅及氧化物，從而增加了工藝復(fù)雜度，提高了成本；2)阻擋罩的尺寸及位置必須精準(zhǔn)地控制，使其剛好遮住半導(dǎo)體器件區(qū)域，而露出淀積有多晶硅及氧化物的半導(dǎo)體襯底邊緣；若阻擋罩的尺寸大于半導(dǎo)體器件區(qū)域的尺寸， 則多晶硅及氧化物不能被完全去除，若阻擋罩的尺寸小于半導(dǎo)體器件區(qū)域的尺寸，則對(duì)半導(dǎo)體器件區(qū)域中的器件造成損傷，影響器件性能；因而給實(shí)際操作帶來(lái)了難度。因此，有必要對(duì)現(xiàn)有的制備鎳鉬金屬硅化物的方法進(jìn)行改進(jìn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種制備金屬硅化物的方法，以避免在生成金屬硅化物后，去除未反應(yīng)的金屬的過(guò)程中引入顆粒，從而提高半導(dǎo)體器件的性能。為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提出一種制備金屬硅化物的方法，該方法包括如下步驟提供半導(dǎo)體襯底，其中，所述半導(dǎo)體襯底上已形成圖案化的器件區(qū)域，且所述半導(dǎo)體襯底的邊緣淀積有多晶硅及氧化物；在所述半導(dǎo)體襯底上涂上光阻，所述光阻覆蓋所述器件區(qū)域，未覆蓋所述淀積有多晶硅及氧化物的半導(dǎo)體襯底邊緣；用氫氟酸與硝酸的混合溶液對(duì)所述半導(dǎo)體襯底邊緣進(jìn)行旋轉(zhuǎn)噴射，對(duì)所述半導(dǎo)體
5襯底邊緣進(jìn)行濕法刻蝕，去除所述多晶硅及氧化物；去除所述光阻；在所述半導(dǎo)體襯底上淀積金屬膜，所述金屬膜覆蓋所述器件區(qū)域中的器件的柵極結(jié)構(gòu)以及源/漏極；將所述淀積金屬膜的半導(dǎo)體襯底進(jìn)行快速升溫退火處理，使所述金屬膜與硅反應(yīng)，形成金屬硅化物；用硫酸與雙氧水混合溶液噴射去除所述未反應(yīng)成金屬硅化物的金屬膜?？蛇x的，所述濕法刻蝕的條件為氫氟酸與硝酸的比例，1 20 1 100;刻蝕時(shí)間，20 40秒；溫度，室溫?？蛇x的，所述濕法刻蝕的條件為氫氟酸與硝酸的比例，1 50;刻蝕時(shí)間，30秒；溫度，室溫。可選的，所述濕法刻蝕去除所述氧化物的刻蝕速率為2000埃/分鐘?？蛇x的，所述濕法刻蝕去除所述多晶硅的刻蝕速率為1微米/分鐘。可選的，所述旋轉(zhuǎn)噴射是通過(guò)單晶片旋噴清洗機(jī)實(shí)現(xiàn)的?？蛇x的，所述光阻的形狀與未曝光的硅化物阻擋(SAB，Salicide Block)光阻的形狀相同。可選的，所述去除光阻的步驟是將所述濕法刻蝕后的半導(dǎo)體襯底置于裝有硫酸與雙氧水混合溶液的酸槽中，在第一條件下進(jìn)行濕法清洗實(shí)現(xiàn)的?？蛇x的，所述第一條件為硫酸與雙氧水的比例，2 1 5 1 ；清洗時(shí)間，20 40秒；溫度，120°C 130°C?？蛇x的，所述第一條件為硫酸與雙氧水的比例，2 1 ；清洗時(shí)間，30秒；溫度，120°C 130°C?？蛇x的，所述去除光阻的步驟是利用單晶片旋噴清洗機(jī)對(duì)所述濕法刻蝕后的半導(dǎo)體襯底旋轉(zhuǎn)噴射硫酸與雙氧水混合溶液，在第二條件下進(jìn)行濕法清洗實(shí)現(xiàn)的?？蛇x的，所述第二條件為硫酸與雙氧水的比例，4 1 6 1;清洗時(shí)間，5 20分鐘；溫度，120°C 130°C?？蛇x的，所述第二條件為硫酸與雙氧水的比例，5 1 ；清洗時(shí)間，10分鐘；
溫度，120°C 130°C?？蛇x的，所述金屬膜為NiPt膜或Co膜或Ni膜?？蛇x的，所述金屬硅化物為NiPt金屬硅化物或Co金屬硅化物或Ni金屬硅化物。本發(fā)明由于采用以上的技術(shù)方案，使之與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下的優(yōu)點(diǎn)和積極效果1)所述光阻的形狀與未曝光的SAB光阻的形狀相同，而所述未曝光的SAB光阻的形狀與器件區(qū)域的形狀完全一致，因而可以精確地覆蓋所述器件區(qū)域，而露出所述淀積有多晶硅及氧化物的半導(dǎo)體襯底邊緣，從而可確保所述多晶硅及氧化物完全去除，并且不損壞器件區(qū)域；2)由于濕法刻蝕采用的是氫氟酸與硝酸的混合溶液，因此可以同時(shí)去除氧化物和多晶硅，從而簡(jiǎn)化了工藝。


圖1為現(xiàn)有的改進(jìn)的制備鎳鉬金屬硅化物的方法步驟流程圖；圖2A至圖2E為現(xiàn)有的改進(jìn)的制備鎳鉬金屬硅化物的方法各步驟對(duì)應(yīng)的器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的制備金屬硅化物的方法步驟流程圖；圖4A至圖4D為本發(fā)明實(shí)施例提供的制備金屬硅化物的方法各步驟對(duì)應(yīng)的器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明提出的制備金屬硅化物的方法作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。根據(jù)下面說(shuō)明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說(shuō)明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比率，僅用于方便、明晰地輔助說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的目的。本發(fā)明的核心思想在于，提供一種制備金屬硅化物的方法，該方法在制備金屬硅化物前，在所述器件區(qū)域上覆蓋光阻，并利用氫氟酸與硝酸的混合溶液對(duì)所述半導(dǎo)體襯底邊緣的氧化物及多晶硅進(jìn)行濕法刻蝕，去除所述氧化物及多晶硅；之后再利用SPM溶液濕法清洗，去除所述光阻；接著在所述器件區(qū)域中的半導(dǎo)體器件上制備金屬膜，并進(jìn)行快速升溫退火處理，形成金屬硅化物；最后去除所述未反應(yīng)成金屬硅化物的金屬膜。由于所述光阻的形狀與未曝光的SAB光阻的形狀一致，因而可在不損壞所述器件區(qū)域的同時(shí)，完全去除所述氧化物及多晶硅，從而避免了在去除所述未反應(yīng)成金屬硅化物的金屬膜的過(guò)程中引入顆粒，提高了器件的性能。請(qǐng)參考圖3以及圖4A至圖4D，其中圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的制備金屬硅化物的方法步驟流程圖，圖4A至圖4D為本發(fā)明實(shí)施例提供的制備金屬硅化物的方法各步驟對(duì)應(yīng)的器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖，如圖3以及圖4A至圖4D所示，本發(fā)明實(shí)施例提供的制備金屬硅化物的方法包括如下步驟S201、提供半導(dǎo)體襯底210，其中，所述半導(dǎo)體襯底210上已形成圖案化的器件區(qū)域220，且所述半導(dǎo)體襯底210的邊緣淀積有多晶硅230及氧化物M0，如圖4A所示；
S202、在所述半導(dǎo)體襯底210上涂上光阻250，所述光阻250覆蓋所述器件區(qū)域 220，未覆蓋所述淀積有多晶硅230及氧化物240的半導(dǎo)體襯底邊緣，如圖4B所示；S203、用氫氟酸與硝酸的混合溶液對(duì)所述半導(dǎo)體襯底邊緣進(jìn)行旋轉(zhuǎn)噴射，對(duì)所述半導(dǎo)體襯底邊緣進(jìn)行濕法刻蝕，去除所述多晶硅230及氧化物MO ；該步驟完成后的器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖如圖4C所示；S204、去除所述光阻250 ；該步驟完成后的器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖如圖4D所示；S205、在所述半導(dǎo)體襯底上淀積金屬膜，所述金屬膜覆蓋所述器件區(qū)域中的器件的柵極結(jié)構(gòu)以及源/漏極；具體地，所述柵極結(jié)構(gòu)包括柵介質(zhì)層、多晶硅柵極以及柵極側(cè)
掉工回；S206、將所述淀積金屬膜的半導(dǎo)體襯底進(jìn)行快速升溫退火處理，使所述金屬膜與硅反應(yīng)，形成金屬硅化物；S207、用硫酸與雙氧水混合溶液噴射去除所述未反應(yīng)成金屬硅化物的金屬膜。進(jìn)一步地，所述濕法刻蝕的條件為氫氟酸與硝酸的比例，1 20 1 100;刻蝕時(shí)間，20 40秒；溫度，室溫。優(yōu)選地，所述濕法刻蝕的條件為氫氟酸與硝酸的比例，1 50;刻蝕時(shí)間，30秒；溫度，室溫。進(jìn)一步地，所述濕法刻蝕去除所述氧化物的刻蝕速率為2000埃/分鐘。進(jìn)一步地，所述濕法刻蝕去除所述多晶硅的刻蝕速率為1微米/分鐘。進(jìn)一步地，所述旋轉(zhuǎn)噴射是通過(guò)單晶片旋噴清洗機(jī)實(shí)現(xiàn)的，從而可防止光阻脫落， 避免損壞器件區(qū)域。進(jìn)一步地，所述光阻的形狀與未曝光的SAB光阻的形狀相同，從而可直接采用未曝光的SAB光阻，并且由于所述未曝光的SAB光阻的形狀與器件區(qū)域的形狀完全一致，因而可以精確地覆蓋所述器件區(qū)域，而露出所述淀積有多晶硅及氧化物的半導(dǎo)體襯底邊緣，從而可確保所述多晶硅及氧化物完全去除，同時(shí)不損壞器件區(qū)域；進(jìn)一步地，所述去除光阻的步驟是將所述濕法刻蝕后的半導(dǎo)體襯底置于裝有硫酸與雙氧水混合溶液的酸槽中，在第一條件下進(jìn)行濕法清洗實(shí)現(xiàn)的。進(jìn)一步地，所述第一條件為硫酸與雙氧水的比例，2 1 5 1 ；清洗時(shí)間，20 40秒；溫度，120°C 130°C。優(yōu)選地，所述第一條件為硫酸與雙氧水的比例，2 1 ；清洗時(shí)間，30秒；溫度，120°C 130°C。進(jìn)一步地，所述去除光阻的步驟是利用單晶片旋噴清洗機(jī)對(duì)所述濕法刻蝕后的半導(dǎo)體襯底旋轉(zhuǎn)噴射硫酸與雙氧水混合溶液，在第二條件下進(jìn)行濕法清洗實(shí)現(xiàn)的。進(jìn)一步地，所述第二條件為硫酸與雙氧水的比例，4 1 6 1;清洗時(shí)間，5 20分鐘；溫度，120°C 130°C。優(yōu)選地，所述第二條件為硫酸與雙氧水的比例，5 1 ；清洗時(shí)間，10分鐘；溫度，120°C 130°C。進(jìn)一步地，所述金屬膜為NiPt膜或Co膜或Ni膜。進(jìn)一步地，所述金屬硅化物為NiPt金屬硅化物或Co金屬硅化物或Ni金屬硅化物。其中，所述各化學(xué)溶液的濃度與現(xiàn)有技術(shù)中的濃度一致，例如所述氫氟酸的濃度為49%，所述硝酸的濃度為70%，所述硫酸的濃度為98%，所述雙氧水的濃度為31%。綜上所述，本發(fā)明提供了一種制備金屬硅化物的方法，該方法在制備金屬硅化物前，在所述器件區(qū)域上覆蓋光阻，并利用氫氟酸與硝酸的混合溶液對(duì)所述半導(dǎo)體襯底邊緣的氧化物及多晶硅進(jìn)行濕法刻蝕，去除所述氧化物及多晶硅；之后再利用SPM溶液濕法清洗，去除所述光阻；接著在所述器件區(qū)域中的半導(dǎo)體器件上制備金屬膜，并進(jìn)行快速升溫退火處理，形成金屬硅化物；最后去除所述未反應(yīng)成金屬硅化物的金屬膜。由于所述光阻的形狀與未曝光的SAB光阻的形狀一致，因而可在不損壞所述器件區(qū)域的同時(shí)，完全去除所述氧化物及多晶硅，從而避免了在去除所述未反應(yīng)成金屬硅化物的金屬膜的過(guò)程中引入顆粒，提高了器件的性能。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種制備金屬硅化物的方法，其特征在于，包括如下步驟提供半導(dǎo)體襯底，其中，所述半導(dǎo)體襯底上已形成圖案化的器件區(qū)域，且所述半導(dǎo)體襯底的邊緣淀積有多晶硅及氧化物；在所述半導(dǎo)體襯底上涂上光阻，所述光阻覆蓋所述器件區(qū)域，未覆蓋所述淀積有多晶硅及氧化物的半導(dǎo)體襯底邊緣；用氫氟酸與硝酸的混合溶液對(duì)所述半導(dǎo)體襯底邊緣進(jìn)行旋轉(zhuǎn)噴射，對(duì)所述半導(dǎo)體襯底邊緣進(jìn)行濕法刻蝕，去除所述多晶硅及氧化物； 去除所述光阻；在所述半導(dǎo)體襯底上淀積金屬膜，所述金屬膜覆蓋所述器件區(qū)域中的器件的柵極結(jié)構(gòu)以及源/漏極；將所述淀積金屬膜的半導(dǎo)體襯底進(jìn)行快速升溫退火處理，使所述金屬膜與硅反應(yīng)，形成金屬硅化物；用硫酸與雙氧水混合溶液噴射去除所述未反應(yīng)成金屬硅化物的金屬膜。
2.如權(quán)利要求1所述的制備金屬硅化物的方法，其特征在于，所述濕法刻蝕的條件為 氫氟酸與硝酸的比例，1 20 1 100 ；刻蝕時(shí)間，20 40秒；溫度？室溫ο
3.如權(quán)利要求2所述的制備金屬硅化物的方法，其特征在于，所述濕法刻蝕的條件為 氫氟酸與硝酸的比例，1 50;刻蝕時(shí)間，30秒；溫度？室溫ο
4.如權(quán)利要求3所述的制備金屬硅化物的方法，其特征在于，所述濕法刻蝕去除所述氧化物的刻蝕速率為2000埃/分鐘。
5.如權(quán)利要求3所述的制備金屬硅化物的方法，其特征在于，所述濕法刻蝕去除所述多晶硅的刻蝕速率為1微米/分鐘。
6.如權(quán)利要求1所述的制備金屬硅化物的方法，其特征在于，所述旋轉(zhuǎn)噴射是通過(guò)單晶片旋噴清洗機(jī)實(shí)現(xiàn)的。
7.如權(quán)利要求1所述的制備金屬硅化物的方法，其特征在于，所述光阻的形狀與未曝光的硅化物阻擋光阻的形狀相同。
8.如權(quán)利要求1所述的制備金屬硅化物的方法，其特征在于，所述去除光阻的步驟是將所述濕法刻蝕后的半導(dǎo)體襯底置于裝有硫酸與雙氧水混合溶液的酸槽中，在第一條件下進(jìn)行濕法清洗實(shí)現(xiàn)的。
9.如權(quán)利要求8所述的制備金屬硅化物的方法，其特征在于，所述第一條件為 硫酸與雙氧水的比例，2 1 5 1;清洗時(shí)間，20 40秒； 溫度，120°C 130°C。
10.如權(quán)利要求9所述的制備金屬硅化物的方法，其特征在于，所述第一條件為 硫酸與雙氧水的比例，2 1 ；清洗時(shí)間，30秒；溫度，120°C 130°C。
11.如權(quán)利要求1所述的制備金屬硅化物的方法，其特征在于，所述去除光阻的步驟是利用單晶片旋噴清洗機(jī)對(duì)所述濕法刻蝕后的半導(dǎo)體襯底旋轉(zhuǎn)噴射硫酸與雙氧水混合溶液， 在第二條件下進(jìn)行濕法清洗實(shí)現(xiàn)的。
12.如權(quán)利要求11所述的制備金屬硅化物的方法，其特征在于，所述第二條件為 硫酸與雙氧水的比例，4 1 6 1;清洗時(shí)間，5 20分鐘； 溫度，120°C 130°C。
13.如權(quán)利要求12所述的制備金屬硅化物的方法，其特征在于，所述第二條件為 硫酸與雙氧水的比例，5 1 ；清洗時(shí)間，10分鐘； 溫度，120°C 130°C。
14.如權(quán)利要求1所述的制備金屬硅化物的方法，其特征在于，所述金屬膜為MPt膜或 Co膜或Ni膜。
15.如權(quán)利要求14所述的制備金屬硅化物的方法，其特征在于，所述金屬硅化物為 NiPt金屬硅化物或Co金屬硅化物或Ni金屬硅化物。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種制備金屬硅化物的方法，該方法在制備金屬硅化物前，在所述器件區(qū)域上覆蓋光阻，并利用氫氟酸與硝酸的混合溶液對(duì)所述半導(dǎo)體襯底邊緣的氧化物及多晶硅進(jìn)行濕法刻蝕，去除所述氧化物及多晶硅；之后再利用SPM溶液濕法清洗，去除所述光阻；接著在所述器件區(qū)域中的半導(dǎo)體器件上制備金屬膜，并進(jìn)行快速升溫退火處理，形成金屬硅化物；最后去除所述未反應(yīng)成金屬硅化物的金屬膜。由于所述光阻的形狀與未曝光的SAB光阻的形狀一致，因而可在不損壞所述器件區(qū)域的同時(shí)，完全去除所述氧化物及多晶硅，從而避免了在去除所述未反應(yīng)成金屬硅化物的金屬膜的過(guò)程中引入顆粒，提高了器件的性能。
文檔編號(hào)H01L21/285GK102403211SQ201010285178
公開(kāi)日2012年4月4日 申請(qǐng)日期2010年9月17日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月17日
發(fā)明者劉煥新 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司