專(zhuān)利名稱(chēng)：相變存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種相變存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元及其制作方法。
背景技術(shù)：
目前，相變存儲(chǔ)器(Wiase-Change RAM, PC RAM)由于具有非易失性、循環(huán)壽命長(zhǎng)、 元件尺寸小、功耗低、可多級(jí)存儲(chǔ)、高效讀取、抗輻照、耐高低溫、抗振動(dòng)、抗電子干擾和制造工藝簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)，被認(rèn)為最有可能取代目前的閃存(Flash)、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM) 和靜態(tài)存儲(chǔ)器(SRAM)而成為未來(lái)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器主流產(chǎn)品。PC RAM存儲(chǔ)單元呈矩陣排列，其單個(gè)存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)示意圖如圖1所示，其包括位于絕緣層100中的相變層102，以及與相變層接觸的底電極101和頂電極103。相變層 102、底電極101和頂電極103都為柱狀。絕緣層100可以是氧化硅；底電極101可以是摻雜的多晶硅、摻雜的非晶硅、金屬鎢的硅化物、鈦和氮化鈦的疊層等導(dǎo)電材質(zhì)；頂電極103 可以是金屬銅、金等。PC RAM存儲(chǔ)單元的相變層，是相變存儲(chǔ)器最核心的區(qū)域，用于相變材料發(fā)生相變，實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)功能。目前相變層有多種合金材料，一般為硫族化物，而鍺銻碲(GST， GeSbTe)合金是公認(rèn)的研究最多的最為成熟的相變材料。相變層要實(shí)現(xiàn)相變需要較高的溫度，一般使用底電極對(duì)相變層進(jìn)行加熱，而頂電極僅起到互連作用。底電極對(duì)相變的加熱效果好壞將直接影響相變存儲(chǔ)器的讀寫(xiě)速率。為了獲得良好的加熱效果，相變存儲(chǔ)器一般采用大驅(qū)動(dòng)電流，因此其寫(xiě)操作電流要達(dá)到1毫安(mA)左右，然而驅(qū)動(dòng)電流并不能無(wú)限制地上升，大驅(qū)動(dòng)電流會(huì)造成外圍驅(qū)動(dòng)電路以及邏輯器件的小尺寸化困難?，F(xiàn)有一種提高加熱效果的方法是，縮小底電極與相變層的接觸面積，提高接觸電阻。因此，如何縮小底電極與相變層的接觸面積，成為相變存儲(chǔ)器制作過(guò)程中比較關(guān)注的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明解決的技術(shù)問(wèn)題是縮小底電極與相變層的接觸面積。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的技術(shù)方案具體是這樣實(shí)現(xiàn)的本發(fā)明公開(kāi)了一種相變存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元，包括至下而上依次排列的底電極、相變層和頂電極，所述底電極為線(xiàn)狀，與其下的導(dǎo)電拴橫截面相交，所述底電極和相變層相交叉排列。所述底電極和相變層呈“ + ”狀交叉垂直排列。本發(fā)明還公開(kāi)了一種相變存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的制作方法，該方法包括提供一半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有第一絕緣層，所述第一絕緣層內(nèi)形成有多個(gè)導(dǎo)電拴，所述導(dǎo)電拴呈矩陣排列，每個(gè)導(dǎo)電拴定義一個(gè)存儲(chǔ)單元的位置；在第一絕緣層的表面依次沉積第二絕緣層和研磨終止層，在所述研磨終止層的表面涂布第一光阻膠層，并曝光顯影圖案化所述第一光阻膠層，所述圖案化的第一光阻膠層具有矩形開(kāi)口；
以圖案化的第一光阻膠層為掩膜，依次刻蝕所述研磨終止層和第二絕緣層，至顯露出導(dǎo)電拴，形成與所述矩形開(kāi)口相對(duì)應(yīng)的溝槽；去除圖案化的第一光阻膠層后，沉積底電極層，所述底電極層覆蓋溝槽的底部、側(cè)壁和外部；各向異性刻蝕所述底電極層，保留位于溝槽側(cè)壁的底電極層，所述位于溝槽側(cè)壁的底電極層具有4個(gè)矩形邊，刻蝕去除在半導(dǎo)體襯底上的投影與第一絕緣層相交的所述矩形邊上的底電極層；沉積第三絕緣層，所述第三絕緣層覆蓋所述溝槽；依次研磨去除第三絕緣層和研磨終止層，至顯露出第二絕緣層，所述底電極層同
時(shí)被研磨，形成與第二絕緣層高度相同的底電極；所述底電極為線(xiàn)狀，與導(dǎo)電拴的橫截面相 、-
父；在第二絕緣層的表面沉積第四絕緣層后，涂布第二光阻膠層，并圖案化所述第二光阻膠層，圖案化的第二光阻膠層具有線(xiàn)狀開(kāi)口，所述線(xiàn)狀開(kāi)口的開(kāi)口方向與所述底電極相交叉；以圖案化的第二光阻膠層為掩膜，刻蝕第四絕緣層，形成第四絕緣層的線(xiàn)狀開(kāi)口， 并在所述第四絕緣層的線(xiàn)狀開(kāi)口內(nèi)填充相變層材料，經(jīng)研磨后得到相變層。所述矩形開(kāi)口的其中一對(duì)邊在半導(dǎo)體襯底上的投影分別與相鄰兩個(gè)導(dǎo)電拴的橫截面相交，另一對(duì)邊在半導(dǎo)體襯底上的投影與第一絕緣層相交；或者矩形開(kāi)口的三邊在半導(dǎo)體襯底上的投影與第一絕緣層相交，一邊在半導(dǎo)體襯底上的投影與一個(gè)導(dǎo)電拴的橫截面相交；所述刻蝕去除在半導(dǎo)體襯底上的投影與第一絕緣層相交的所述矩形邊上的底電極層為刻蝕去除在半導(dǎo)體襯底上的投影與第一絕緣層相交的矩形對(duì)邊上的底電極層；或者刻蝕去除在半導(dǎo)體襯底上的投影與第一絕緣層相交的矩形三邊上的底電極層。圖案化的第二光阻膠層具有線(xiàn)狀開(kāi)口，所述線(xiàn)狀開(kāi)口的開(kāi)口方向與所述底電極相交叉垂直排列。 所述第一絕緣層、第二絕緣層、第三絕緣層、或第四絕緣層為氧化層。由上述的技術(shù)方案可見(jiàn)，本發(fā)明為實(shí)現(xiàn)底電極與相變層有較小的接觸面積，將底電極和相變層都設(shè)置為線(xiàn)狀，兩者只在交叉點(diǎn)有接觸，大大提高了底電極對(duì)相變層的加熱效果。


圖1為PC RAM存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例制作相變存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的方法流程示意圖。圖加至圖2i為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例制作相變存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的具體剖面示意圖。圖2b_l為與圖2b相對(duì)應(yīng)的俯視圖。圖3為本發(fā)明存儲(chǔ)單元的俯視示意圖。圖4為本發(fā)明另一實(shí)施例圖案化第一光阻膠層之后的俯視圖。
具體實(shí)施方式
為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案、及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下參照附圖并舉實(shí)施例， 對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例制作相變存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的方法流程示意圖如圖2所示，其包括以下步驟，下面結(jié)合圖加至圖2i進(jìn)行說(shuō)明。步驟21、請(qǐng)參閱圖2a，提供一半導(dǎo)體襯底200，所述半導(dǎo)體襯底上形成有第一絕緣層201，所述第一絕緣層201內(nèi)形成有多個(gè)導(dǎo)電拴202，所述導(dǎo)電拴呈矩陣排列，每個(gè)導(dǎo)電拴 202定義一個(gè)存儲(chǔ)單元的位置。導(dǎo)電拴的下端與半導(dǎo)體襯底上的晶體管(圖中未示)等相連接，其上端與存儲(chǔ)單元的底電極相連接。其中，導(dǎo)電拴可以為金屬鎢等。為清楚說(shuō)明本發(fā)明，本實(shí)施例中只示意出兩個(gè)導(dǎo)電拴。步驟22、請(qǐng)參閱圖2b，在第一絕緣層201的表面依次沉積第二絕緣層203和研磨終止層204 ；在研磨終止層204的表面涂布第一光阻膠層205，并曝光顯影圖案化所述第一光阻膠層205，所述圖案化的第一光阻膠層205具有矩形開(kāi)口 205’，矩形開(kāi)口 205’的其中一對(duì)邊在半導(dǎo)體襯底200上的投影分別與相鄰兩個(gè)導(dǎo)電拴的橫截面相交，另一對(duì)邊在半導(dǎo)體襯底200上的投影與第一絕緣層201相交。與圖2b相對(duì)應(yīng)的俯視圖如圖2b-l所示。從圖2b-l中可以看出，半導(dǎo)體襯底200上，導(dǎo)電拴202呈矩陣排列，每?jī)蓚€(gè)相鄰的導(dǎo)電拴與一個(gè)矩形狀的第一光阻膠層205的開(kāi)口(矩形開(kāi)口 205’)相對(duì)，且該矩形開(kāi)口 205’的其中一對(duì)邊分別與該兩個(gè)導(dǎo)電拴的橫截面相交。其中，第一絕緣層201和第二絕緣層203的材料可以相同，也可以不同，但都為氧化層等絕緣介電層；研磨終止層204可以為氮化層、摻氮的碳化硅(NDC)等。步驟23、請(qǐng)參閱圖2c，以圖案化的第一光阻膠層205為掩膜，依次刻蝕所述研磨終止層204和第二絕緣層203，至顯露出導(dǎo)電拴202，形成與所述矩形開(kāi)口相對(duì)應(yīng)的溝槽。步驟M、請(qǐng)參閱圖2d，去除圖案化的第一光阻膠層205后，沉積底電極層206，所述底電極層覆蓋溝槽的底部、側(cè)壁和外部。步驟25、請(qǐng)參閱圖2e，各向異性刻蝕所述底電極層206，保留位于溝槽側(cè)壁的底電極層，所述位于溝槽側(cè)壁的底電極層具有4個(gè)矩形邊，刻蝕去除在半導(dǎo)體襯底上的投影與第一絕緣層相交的矩形對(duì)邊上的底電極層。根據(jù)各向異性刻蝕的特性，各向異性刻蝕只會(huì)將水平方向的沉積層去除，而保留垂直方向上的沉積層。經(jīng)過(guò)各向異性刻蝕之后，底電極層位于溝槽的四個(gè)側(cè)壁上，其中只有兩個(gè)對(duì)邊側(cè)壁上的底電極層分別與導(dǎo)電拴電性連接，另外兩個(gè)對(duì)邊側(cè)壁上的底電極層直接與第一絕緣層接觸，由于本發(fā)明實(shí)施例只在與導(dǎo)電拴相對(duì)的位置上形成線(xiàn)狀底電極，所以就需要將另外兩個(gè)對(duì)邊側(cè)壁上與第一絕緣層接觸的底電極層刻蝕去除，即刻蝕去除在半導(dǎo)體襯底上的投影與第一絕緣層相交的矩形對(duì)邊上的底電極層。步驟沈、請(qǐng)參閱圖2f，在對(duì)邊側(cè)壁具有底電極層的溝槽內(nèi)沉積第三絕緣層207。步驟27、請(qǐng)參閱圖2g，依次研磨去除第三絕緣層207和研磨終止層204，至顯露出第二絕緣層203，所述底電極層206同時(shí)被研磨，形成與第二絕緣層203高度相同的底電極 206’。所述底電極206’為線(xiàn)狀，與導(dǎo)電拴的橫截面相交。此時(shí)底電極層206’在各向異性刻蝕過(guò)程中形成的尖角已經(jīng)在研磨過(guò)程中被去除掉，形成規(guī)則形狀的底電極。底電極206’同時(shí)被第三絕緣層207和第二絕緣層203包圍，即第三絕緣層207和第二絕緣層203位于同一半導(dǎo)體器件層，所以第三絕緣層107和第二絕緣層103的材料一般相同，為氧化層等絕緣介電層。步驟觀(guān)、請(qǐng)參閱圖池，在第二絕緣層203的表面沉積第四絕緣層208后，涂布第二光阻膠層209，并圖案化所述第二光阻膠層209，圖案化的第二光阻膠層209具有線(xiàn)狀開(kāi)口， 所述線(xiàn)狀開(kāi)口的開(kāi)口方向與形成的線(xiàn)狀底電極206’相垂直。其中，第四絕緣層208也可以為氧化層等絕緣介電層。步驟四、請(qǐng)參閱圖2i，以圖案化的第二光阻膠層為掩膜，刻蝕第四絕緣層208，形成第四絕緣層208的線(xiàn)狀開(kāi)口，并在所述第四絕緣層的線(xiàn)狀開(kāi)口內(nèi)填充相變層材料210，經(jīng)研磨后得到相變層。至此，本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例包括底電極和相變層的存儲(chǔ)單元形成。根據(jù)上述說(shuō)明，本發(fā)明實(shí)施例存儲(chǔ)單元的俯視示意圖如3所示。導(dǎo)電拴202上形成有“ + ”狀的底電極206’和相變層210，底電極206’為線(xiàn)狀，與其下的導(dǎo)電拴202橫截面相交，具有線(xiàn)狀的底電極206’和相變層210只在“ + ”狀的垂直交叉點(diǎn)有接觸，所以接觸面積與現(xiàn)有技術(shù)相比明顯減小，從而大大提高了底電極對(duì)相變層的加熱效果。從圖3可以看出，如果定義線(xiàn)狀底電極與Y方向平行，則形成的線(xiàn)狀相變層與X方向平行，反之也可以，只要底電極和相變層呈交叉垂直排列即可。需要說(shuō)明的是，如果底電極和相變層只是交叉排列，而不是如本實(shí)施例中的相交叉且垂直排列，也可實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的，與現(xiàn)有技術(shù)相比，已經(jīng)大大減少了底電極與相變層之間的接觸面積。但是，如果底電極和相變層只是交叉排列，其相互接觸的面積為平行四邊形的面積，交叉且垂直排列的底電極與相變層之間的接觸面積為矩形的面積，在相同底電極和相變層的情況下，平行四邊形的面積大于矩形面積，因此本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例為底電極和相變層相交叉垂直排列。綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例的相變存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元，為實(shí)現(xiàn)底電極與相變層有較小的接觸面積，將底電極和相變層都設(shè)置為線(xiàn)狀，兩者只在交叉點(diǎn)有接觸。參照?qǐng)D2b-l，本發(fā)明實(shí)施例刻蝕一個(gè)溝槽同時(shí)形成兩個(gè)存儲(chǔ)單元。如果上述刻蝕的溝槽的三個(gè)側(cè)壁在半導(dǎo)體襯底上的投影都與第一絕緣層相交，只有一個(gè)溝槽的側(cè)壁在半導(dǎo)體襯底上的投影與導(dǎo)電拴的橫截面相交，如圖4所示，則刻蝕一個(gè)溝槽只能形成一個(gè)存儲(chǔ)單元，而且需要刻蝕本發(fā)明實(shí)施例2倍的溝槽，進(jìn)而需要更為細(xì)密的掩膜板，因此會(huì)光刻技術(shù)的要求更高，而帶來(lái)不必要的麻煩，因此本發(fā)明優(yōu)選為刻蝕一個(gè)溝槽同時(shí)形成兩個(gè)存儲(chǔ)單元。圖4為本發(fā)明另一實(shí)施例圖案化第一光阻膠層之后的俯視圖。圖案化的第一光阻膠層具有矩形開(kāi)口，矩形開(kāi)口的三個(gè)邊在半導(dǎo)體襯底上的投影與第一絕緣層相交，只有一個(gè)邊在半導(dǎo)體襯底上的投影與導(dǎo)電拴的橫截面相交。根據(jù)上述兩個(gè)實(shí)施例，本發(fā)明相變存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的制作方法包括以下步驟提供一半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有第一絕緣層，所述第一絕緣層內(nèi)形成有多個(gè)導(dǎo)電拴，所述導(dǎo)電拴呈矩陣排列，每個(gè)導(dǎo)電拴定義一個(gè)存儲(chǔ)單元的位置；在第一絕緣層的表面依次沉積第二絕緣層和研磨終止層，在所述研磨終止層的表面涂布第一光阻膠層，并曝光顯影圖案化所述第一光阻膠層，所述圖案化的第一光阻膠層具有矩形開(kāi)口；以圖案化的第一光阻膠層為掩膜，依次刻蝕所述研磨終止層和第二絕緣層，至顯露出導(dǎo)電拴，形成與所述矩形開(kāi)口相對(duì)應(yīng)的溝槽；
去除圖案化的第一光阻膠層后，沉積底電極層，所述底電極層覆蓋溝槽的底部、側(cè)壁和外部；各向異性刻蝕所述底電極層，保留位于溝槽側(cè)壁的底電極層，所述位于溝槽側(cè)壁的底電極層具有4個(gè)矩形邊，刻蝕去除在半導(dǎo)體襯底上的投影與第一絕緣層相交的所述矩形邊上的底電極層；沉積第三絕緣層，所述第三絕緣層覆蓋所述溝槽；依次研磨去除第三絕緣層和研磨終止層，至顯露出第二絕緣層，所述底電極層同
時(shí)被研磨，形成與第二絕緣層高度相同的底電極；所述底電極為線(xiàn)狀，與導(dǎo)電拴的橫截面相 、-
父；在第二絕緣層的表面沉積第四絕緣層后，涂布第二光阻膠層，并圖案化所述第二光阻膠層，圖案化的第二光阻膠層具有線(xiàn)狀開(kāi)口，所述線(xiàn)狀開(kāi)口的開(kāi)口方向與所述底電極相交叉；以圖案化的第二光阻膠層為掩膜，刻蝕第四絕緣層，形成第四絕緣層的線(xiàn)狀開(kāi)口， 并在所述第四絕緣層的線(xiàn)狀開(kāi)口內(nèi)填充相變層材料，經(jīng)研磨后得到相變層。其中，所述矩形開(kāi)口的其中一對(duì)邊在半導(dǎo)體襯底上的投影分別與相鄰兩個(gè)導(dǎo)電拴的橫截面相交，另一對(duì)邊在半導(dǎo)體襯底上的投影與第一絕緣層相交；或者矩形開(kāi)口的三邊在半導(dǎo)體襯底上的投影與第一絕緣層相交，一邊在半導(dǎo)體襯底上的投影與一個(gè)導(dǎo)電拴的橫截面相交；所述刻蝕去除在半導(dǎo)體襯底上的投影與第一絕緣層相交的所述矩形邊上的底電極層為刻蝕去除在半導(dǎo)體襯底上的投影與第一絕緣層相交的矩形對(duì)邊上的底電極層；或者刻蝕去除在半導(dǎo)體襯底上的投影與第一絕緣層相交的矩形三邊上的底電極層。為進(jìn)一步縮小底電極和相變層之間的接觸面積，優(yōu)選地，將底電極和相變層相交叉垂直排列。即在圖案化第二光阻膠層后，圖案化的第二光阻膠層具有線(xiàn)狀開(kāi)口，所述線(xiàn)狀開(kāi)口的開(kāi)口方向與所述底電極相交叉垂直排列。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明保護(hù)的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種相變存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元，包括至下而上依次排列的底電極、相變層和頂電極，其特征在于，所述底電極為線(xiàn)狀，與其下的導(dǎo)電拴橫截面相交，所述底電極和相變層相交叉排列。
2.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)單元，其特征在于，所述底電極和相變層呈“+ ”狀交叉垂直排列。
3.一種相變存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的制作方法，該方法包括提供一半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有第一絕緣層，所述第一絕緣層內(nèi)形成有多個(gè)導(dǎo)電拴，所述導(dǎo)電拴呈矩陣排列，每個(gè)導(dǎo)電拴定義一個(gè)存儲(chǔ)單元的位置；在第一絕緣層的表面依次沉積第二絕緣層和研磨終止層，在所述研磨終止層的表面涂布第一光阻膠層，并曝光顯影圖案化所述第一光阻膠層，所述圖案化的第一光阻膠層具有矩形開(kāi)口 ；以圖案化的第一光阻膠層為掩膜，依次刻蝕所述研磨終止層和第二絕緣層，至顯露出導(dǎo)電拴，形成與所述矩形開(kāi)口相對(duì)應(yīng)的溝槽；去除圖案化的第一光阻膠層后，沉積底電極層，所述底電極層覆蓋溝槽的底部、側(cè)壁和外部；各向異性刻蝕所述底電極層，保留位于溝槽側(cè)壁的底電極層，所述位于溝槽側(cè)壁的底電極層具有4個(gè)矩形邊，刻蝕去除在半導(dǎo)體襯底上的投影與第一絕緣層相交的所述矩形邊上的底電極層；沉積第三絕緣層，所述第三絕緣層覆蓋所述溝槽；依次研磨去除第三絕緣層和研磨終止層，至顯露出第二絕緣層，所述底電極層同時(shí)被研磨，形成與第二絕緣層高度相同的底電極；所述底電極為線(xiàn)狀，與導(dǎo)電拴的橫截面相交；在第二絕緣層的表面沉積第四絕緣層后，涂布第二光阻膠層，并圖案化所述第二光阻膠層，圖案化的第二光阻膠層具有線(xiàn)狀開(kāi)口，所述線(xiàn)狀開(kāi)口的開(kāi)口方向與所述底電極相交叉；以圖案化的第二光阻膠層為掩膜，刻蝕第四絕緣層，形成第四絕緣層的線(xiàn)狀開(kāi)口，并在所述第四絕緣層的線(xiàn)狀開(kāi)口內(nèi)填充相變層材料，經(jīng)研磨后得到相變層。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述矩形開(kāi)口的其中一對(duì)邊在半導(dǎo)體襯底上的投影分別與相鄰兩個(gè)導(dǎo)電拴的橫截面相交，另一對(duì)邊在半導(dǎo)體襯底上的投影與第一絕緣層相交；或者矩形開(kāi)口的三邊在半導(dǎo)體襯底上的投影與第一絕緣層相交，一邊在半導(dǎo)體襯底上的投影與一個(gè)導(dǎo)電拴的橫截面相交；所述刻蝕去除在半導(dǎo)體襯底上的投影與第一絕緣層相交的所述矩形邊上的底電極層為刻蝕去除在半導(dǎo)體襯底上的投影與第一絕緣層相交的矩形對(duì)邊上的底電極層；或者刻蝕去除在半導(dǎo)體襯底上的投影與第一絕緣層相交的矩形三邊上的底電極層。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，圖案化的第二光阻膠層具有線(xiàn)狀開(kāi)口，所述線(xiàn)狀開(kāi)口的開(kāi)口方向與所述底電極相交叉垂直排列。
6.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一絕緣層、第二絕緣層、第三絕緣層、 或第四絕緣層為氧化層。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種相變存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元，包括至下而上依次排列的底電極、相變層和頂電極，所述底電極為線(xiàn)狀，與其下的導(dǎo)電拴橫截面相交，所述底電極和相變層相交叉排列。本發(fā)明還提供了一種相變存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的制作方法。本發(fā)明形成了更小的底電極與相變層的接觸面積。
文檔編號(hào)H01L45/00GK102376880SQ20101025359
公開(kāi)日2012年3月14日 申請(qǐng)日期2010年8月10日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月10日
發(fā)明者周俊卿, 張海洋, 胡敏達(dá) 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司