專(zhuān)利名稱(chēng)：相變存儲(chǔ)器的形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別涉及一種相變存儲(chǔ)器的形成方法。
背景技術(shù)：
閃速存儲(chǔ)器(flash memory)是當(dāng)前非易失性存儲(chǔ)器(non-volatile memory)的主流產(chǎn)品，但是目前對(duì)存儲(chǔ)器的容量需求越來(lái)越大，閃速存儲(chǔ)器由于在32nm以下的尺寸時(shí)存在諸多問(wèn)題，因此其集成度無(wú)法滿足容量的需求。相變存儲(chǔ)器(PCRAM，Phase Change Random Access Memory)是一種新型的非易失性存儲(chǔ)器，其主要原理是通過(guò)對(duì)相變材料施加電流，使其在非晶狀態(tài)與結(jié)晶狀態(tài)之間進(jìn)行轉(zhuǎn)換，由于相變材料在上述兩種狀態(tài)時(shí)的電阻不同，從而實(shí)現(xiàn)了存儲(chǔ)狀態(tài)“0”和“1”的改變。典型的電流相變存儲(chǔ)器中使用的相變材料一般是硫族化合物，如鍺-銻-碲合金 (GeSbTe，簡(jiǎn)寫(xiě)為GST)，由于GST在非晶和結(jié)晶狀態(tài)的電阻率相差加大，約相差三個(gè)數(shù)量級(jí)， 使得較容易識(shí)別和確定當(dāng)前存儲(chǔ)器的狀態(tài)，即容易區(qū)別狀態(tài)“0”和“1”。圖1至圖5示出了現(xiàn)有技術(shù)的一種PCRAM的形成方法。參考圖1，提供基底100，所述基底100上形成有介質(zhì)層101，介質(zhì)層101中形成有開(kāi)口 110。參考圖2，在所述開(kāi)口 110中填充電極材料，形成底電極102，所述底電極102填充了所述開(kāi)口 110的一部分，并未填滿，其材料一般為多晶硅。參考圖3，在所述底電極102上方、開(kāi)口 110的側(cè)壁上形成側(cè)墻103，所述側(cè)墻103 的材料一般為氮化硅。參考圖4，在所述開(kāi)口中填滿相變材料并進(jìn)行平坦化，使得填充的相變材料的表面與所述介質(zhì)層101的表面齊平，形成相變材料層104，所述相變材料層104 —般為GST。另外，在后續(xù)的過(guò)程中，還需在所述相變材料層104上方形成頂電極。在所述基底100中形成有與所述底電極102電連接的互連結(jié)構(gòu)，在實(shí)際應(yīng)用中，通過(guò)所述底電極102對(duì)所述相變材料層104施加電流以改變其結(jié)晶狀態(tài)進(jìn)行編程，或是檢測(cè)所述相變材料層104的電阻來(lái)實(shí)現(xiàn)讀取過(guò)程。參考圖3和圖5，所述側(cè)墻103的形成過(guò)程主要是在所述介質(zhì)層101和底電極102 表面形成氮化硅層106，之后再通過(guò)刻蝕將介質(zhì)層101表面和底電極102表面的氮化硅去除，使得在所述開(kāi)口 110的側(cè)壁上形成側(cè)墻103。目前所述氮化硅層106的形成方法一般為化學(xué)氣相沉積(CVD)或等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積(PECVD)，即在反應(yīng)腔中同時(shí)通入含氮和含硅的反應(yīng)源或其等離子體，經(jīng)過(guò)反應(yīng)后沉積形成氮化硅的膜層。當(dāng)器件的特征尺寸(critical dimension)不斷減小時(shí)，采用CVD或PECVD方法形成側(cè)墻時(shí)的臺(tái)階覆蓋率(step coverage)很低，會(huì)造成較多問(wèn)題。首先是由于器件的特征尺寸減小，使得基底100單位面積內(nèi)的開(kāi)口數(shù)目增多，使其表面積顯著增大，使得沉積過(guò)程中基底100表面的反應(yīng)氣體的濃度偏低，影響沉積形成的氮化硅層106的質(zhì)量，也使得為了在整個(gè)基底100表面形成氮化硅層106，需要消耗更多的反應(yīng)源，即負(fù)載效應(yīng)(loadingeffect)較明顯。此外，由于PECVD方法本身的局限，參考圖5，所述氮化硅層106在開(kāi)口 110的側(cè)壁的厚度較薄，在介質(zhì)層101和底電極102的表面部分較厚，而開(kāi)口 110的側(cè)壁部分的氮化硅層106的厚度決定了形成的側(cè)墻的尺寸和形貌，因此進(jìn)一步加重了負(fù)載效應(yīng)。專(zhuān)利號(hào)為7569844的美國(guó)專(zhuān)利中公開(kāi)了一種相變存儲(chǔ)器的形成方法，但是該方法同樣沒(méi)有解決上述問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問(wèn)題是提供一種相變存儲(chǔ)器的形成方法，提高形成側(cè)墻時(shí)的臺(tái)階覆蓋率。為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種相變存儲(chǔ)器的形成方法，包括提供基底，所述基底上形成有介質(zhì)層，所述介質(zhì)層中形成有開(kāi)口，所述開(kāi)口底部形成有底電極；使用原子層沉積(ALD)方法，在所述介質(zhì)層和底電極表面形成氮化硅層；刻蝕所述氮化硅層，在所述開(kāi)口的側(cè)壁上形成側(cè)墻?？蛇x的，所述原子層沉積方法包括通入含硅的第一反應(yīng)源的等離子體，使部分第一反應(yīng)源的等離子體吸附于所述基底表面；排出未吸附的含硅的第一反應(yīng)源；通入含氮的第二反應(yīng)源，使部分第二反應(yīng)源吸附于所述基底表面；排出未吸附的含氮的第二反應(yīng)源；重復(fù)上述各步驟至少一次，形成所述氮化硅層?？蛇x的，所述含硅的第一反應(yīng)源為二氯二氫硅(SiH2Cl2,簡(jiǎn)寫(xiě)為DCS)或硅烷 (SiH4),流量為0. Islm(升每分鐘)至1.5slm，通入時(shí)間為Is至40s。可選的，所述含氮的第二反應(yīng)源為氨氣(NH3)，流量為0. 5slm至lOslm，通入時(shí)間為Is至40s。可選的，所述原子層沉積方法的反應(yīng)溫度為350°C至550°C，壓強(qiáng)為20 至800Pa?？蛇x的，在排出所述含硅的第一反應(yīng)源或含氮的第二反應(yīng)源的同時(shí)，通入氮?dú)?(N2)、氬氣(Ar)、氦氣(He)中的一種?？蛇x的，所述相變存儲(chǔ)器的形成方法還包括，在所述開(kāi)口中填滿相變材料并平坦化，形成相變材料層；在所述相變材料層上形成頂電極?？蛇x的，所述底電極的材料為多晶硅或摻雜的多晶硅。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案有如下優(yōu)點(diǎn)本技術(shù)方案使用原子層沉積的方法來(lái)形成側(cè)墻，改善了臺(tái)階覆蓋率，降低了負(fù)載效應(yīng)。進(jìn)一步的，本技術(shù)方案中采用原子層沉積的方法來(lái)形成側(cè)墻，首先通入含硅的第一反應(yīng)源的等離子體，在底電極的表面形成硅薄膜，防止了底電極在刻蝕形成側(cè)墻過(guò)程中受到損傷。


圖1至圖5是現(xiàn)有技術(shù)的相變存儲(chǔ)器的一種形成方法的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖6是本發(fā)明實(shí)施例的相變存儲(chǔ)器的形成方法的流程示意圖；圖7是圖6中步驟S22的詳細(xì)流程示意圖；圖8至圖9是本發(fā)明實(shí)施例的相變存儲(chǔ)器的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖10至圖14是圖9中區(qū)域211形成過(guò)程中的局部放大示意圖；圖15至圖17是本發(fā)明實(shí)施例的相變存儲(chǔ)器的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說(shuō)明。在以下描述中闡述了具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以多種不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類(lèi)似推廣。因此本發(fā)明不受下面公開(kāi)的具體實(shí)施方式
的限制。仍然參考圖3，現(xiàn)有技術(shù)的相變存儲(chǔ)器形成過(guò)程中，一般使用CVD或PECVD的方法來(lái)形成氮化硅層，再經(jīng)過(guò)刻蝕形成側(cè)墻103，其臺(tái)階覆蓋率較低，而且發(fā)明人經(jīng)過(guò)研究發(fā)現(xiàn)， 在形成側(cè)墻103的刻蝕過(guò)程中會(huì)對(duì)底電極102造成損傷，由于底電極102為導(dǎo)電材料，受到損傷會(huì)導(dǎo)致其電阻率增大，使得底電極102與后續(xù)形成的相變材料的接觸電阻增大，例如多晶硅材料受到損傷會(huì)產(chǎn)生非晶化，轉(zhuǎn)化成電阻率較大的非晶硅，增大了底電極102與相變材料層的接觸電阻，影響器件性能。 本發(fā)明的技術(shù)方案采用ALD的方法來(lái)形成氮化硅層，提高了臺(tái)階覆蓋率。并對(duì)ALD 的具體工藝過(guò)程進(jìn)行優(yōu)化，首先通入含硅的第一反應(yīng)源的等離子體，再通入含氮的第二反應(yīng)源(非等離子體)，使得在底電極的表面生成硅薄膜，相當(dāng)于底電極的保護(hù)層，有效的避免了后續(xù)刻蝕形成側(cè)墻的過(guò)程對(duì)底電極的表面造成的損傷。圖6示出了本發(fā)明實(shí)施方式的相變存儲(chǔ)器的形成方法的流程示意圖，如圖6所示， 包括執(zhí)行步驟S21，提供基底，所述基底上形成有介質(zhì)層，所述介質(zhì)層中形成有開(kāi)口，所述開(kāi)口底部形成有底電極；執(zhí)行步驟S22，使用原子層沉積方法，在所述介質(zhì)層和底電極表面形成氮化硅層；執(zhí)行步驟S23，刻蝕所述氮化硅層，在所述開(kāi)口的側(cè)壁上形成側(cè)墻。圖7示出了圖6中所述步驟S22的詳細(xì)流程示意圖，包括執(zhí)行步驟S221，通入含硅的第一反應(yīng)源的等離子體，使部分第一反應(yīng)源的等離子體吸附于所述基底表面；執(zhí)行步驟S222，排出未吸附的含硅的第一反應(yīng)源；執(zhí)行步驟S223，通入含氮的第二反應(yīng)源，使部分第二反應(yīng)源吸附于所述基底表面；執(zhí)行步驟S2M，排出未吸附的含氮的第二反應(yīng)源；執(zhí)行步驟S225，重復(fù)上述各步驟至少一次，形成所述氮化硅層。下面結(jié)合圖6至圖17對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的相變存儲(chǔ)器的形成方法進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。參考圖6和圖8，執(zhí)行步驟S21，提供基底，所述基底上形成有介質(zhì)層，所述介質(zhì)層中形成有開(kāi)口，所述開(kāi)口底部形成有底電極。本實(shí)施例中具體為提供基底200，所述基底 200的材質(zhì)可以是單晶硅、多晶硅、非晶硅中的一種，所述基底200的材質(zhì)也可以是硅鍺化合物，所述基底200還可以是絕緣體上硅(SOI，Silicon On Insulator)結(jié)構(gòu)或硅上外延層結(jié)構(gòu)。在所述基底200中形成有半導(dǎo)體器件以及互連結(jié)構(gòu)(圖中未示出)。所述基底200 上形成有介質(zhì)層201，所述介質(zhì)層201的材料可以為正硅酸乙酯(TEOS)、氟硅玻璃(FSG)或是其他低介電常數(shù)(low K)材料。所述介質(zhì)層201中形成有開(kāi)口 210，所述開(kāi)口 210底部形成有底電極202，所述底電極202的材料可以為多晶硅或摻雜的多晶硅。參考圖6和圖9，執(zhí)行步驟S22，使用原子層沉積方法，在所述介質(zhì)層和底電極表面形成氮化硅層。本實(shí)施例中具體為使用原子層沉積方法，在所述底電極202和介質(zhì)層201 的表面上形成氮化硅層20北。本實(shí)施例中，所述原子層沉積方法的反應(yīng)參數(shù)以及反應(yīng)源的通入次序都經(jīng)過(guò)優(yōu)化調(diào)整，具體包括首先通入含硅的第一反應(yīng)源的等離子體，使其中的一部分含硅的第一反應(yīng)源的等離子體吸附于基底200表面，之后排出未吸附的部分，并通入含氮的第二反應(yīng)源，之后排出未吸附的含氮的第二反應(yīng)源并重復(fù)上述各步驟，且整個(gè)原子層沉積過(guò)程中，使用的反應(yīng)腔中的反應(yīng)溫度控制在350°C至550°C范圍內(nèi)，壓強(qiáng)控制在20 至800 范圍內(nèi)。在上述反應(yīng)參數(shù)下，首先通入的含硅的第一反應(yīng)源的等離子體會(huì)在所述基底200表面生成硅薄膜203a，所述硅薄膜203a覆蓋于底電極202和介質(zhì)層201的表面， 形成了底電極202的保護(hù)層，而且由于本實(shí)施例中的原子層沉積的反應(yīng)溫度比較低，因此反應(yīng)的過(guò)程是由含硅的第一反應(yīng)源的等離子體觸發(fā)的，含氮的第二反應(yīng)源并不會(huì)觸發(fā)反應(yīng)過(guò)程，使得首次通入硅的第一反應(yīng)源的等離子體生成的硅薄膜203a并不會(huì)在含氮的第二反應(yīng)源通入后反應(yīng)破壞掉。圖10至圖14為圖9中區(qū)域211的局部放大圖，下面結(jié)合圖7、圖10至圖14對(duì)本實(shí)施例中的原子層沉積方法進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。參考圖7和圖10，執(zhí)行步驟S221，通入含硅的第一反應(yīng)源的等離子體，使部分第一反應(yīng)源的等離子體吸附于所述基底表面。所述含硅的第一反應(yīng)源可以為DCS或SiH4。本實(shí)施例中優(yōu)選為DCS，其流量為0. Islm至1. 5slm，通入時(shí)間為Is至40s。DCS的等離子體通入反應(yīng)腔后，其中的硅原子300吸附于底電極202表面，形成硅薄膜(即圖9中的硅薄膜 203a)。需要說(shuō)明的是，吸附于底電極202表面的硅原子300為一層或數(shù)層原子，圖10僅為不意。參考圖7，執(zhí)行步驟S222，排出未吸附的含硅的第一反應(yīng)源。本實(shí)施例中，在排出所述含硅的第一反應(yīng)源的過(guò)程中，還在反應(yīng)腔中通入氮?dú)?、氬氣、氦氣中的一種，以加速所述含硅的第一反應(yīng)源的排出過(guò)程，對(duì)反應(yīng)腔進(jìn)行凈化。參考圖7和圖11，執(zhí)行步驟S223，通入含氮的第二反應(yīng)源，使部分第二反應(yīng)源吸附于所述基底表面。所述含氮的第二反應(yīng)源可以為NH3，其流量為0. klm至IOslm，通入時(shí)間為Is至40s。與所述含硅的第一反應(yīng)源不同，所述含氮的第二反應(yīng)源并非等離子體，而是未經(jīng)等離子化的常規(guī)氣體，本實(shí)施例中，NH3分子301吸附于底電極202表面，堆疊于硅原子 300之上，由于本實(shí)施例中原子層沉積方法的反應(yīng)溫度為350°C至550°C，溫度較低，因此， NH3分子301與硅原子300并不會(huì)發(fā)生反應(yīng)，使得所述硅原子300構(gòu)成的硅薄膜得以保留下來(lái)，覆蓋于底電極202的表面之上。參考圖7，執(zhí)行步驟S2M，排出未吸附的含氮的第二反應(yīng)源。本實(shí)施例中，在排出所述含氮的第二反應(yīng)源的過(guò)程中，還在反應(yīng)腔中通入氮?dú)?、氬氣、氦氣中的一種，以加速所述含氮的第二反應(yīng)源的排出過(guò)程，對(duì)反應(yīng)腔進(jìn)行凈化。參考圖7、圖12至圖14，執(zhí)行步驟S2M，重復(fù)上述各步驟至少一次，形成所述氮化硅層。首先再次通入DCS的等離子體，參考圖12，在之前所述的反應(yīng)參數(shù)范圍內(nèi)，通入的DCS的等離子體與之前吸附在底電極202表面的NH3分子發(fā)生反應(yīng)，生成氮化硅分子302。 在反應(yīng)過(guò)程中，能夠發(fā)生反應(yīng)的DCS等離子體受之前吸附于底電極202表面的NH3分子的數(shù)量限制，其反應(yīng)過(guò)程非常緩和，形成的氮化硅分子302為一層或數(shù)層分子，使得在各個(gè)方向上形成的氮化硅分子302的厚度比較均勻，在介質(zhì)層中的開(kāi)口側(cè)壁、底部以及介質(zhì)層表面形成的氮化硅層厚度一致，臺(tái)階覆蓋率也非常高，另一方面也降低了 DCS和NH3的消耗量， 減輕了負(fù)載效應(yīng)。參考圖13，在排出未吸附反應(yīng)的DCS之后，通入NH3,相應(yīng)的NH3分子301吸附于所述氮化硅分子302表面。之后參考圖14，在排出未吸附的冊(cè)3之后，再次通入DCS的等離子體，與之前吸附的NH3分子反應(yīng)，產(chǎn)生氮化硅分子302，層疊于之前形成的氮化硅分子302之上。上述步驟不斷重復(fù)，使得多層的氮化硅分子302層疊在一起，構(gòu)成了圖9中所示的氮化硅層20北，具體重復(fù)的次數(shù)可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用中需要形成的氮化硅層的厚度來(lái)確定。本實(shí)施例為一優(yōu)選的實(shí)施例，其反應(yīng)參數(shù)經(jīng)過(guò)優(yōu)化，參考圖9，能夠生成保護(hù)底電極202的硅薄膜203a。當(dāng)然，在本技術(shù)方案的其他實(shí)施例中，所述原子層沉積的方法還可以為常規(guī)的原子層沉積，以提高臺(tái)階覆蓋率，例如分別通入含硅的反應(yīng)源的等離子體和含氮的反應(yīng)源的等離子體，或是在較高反應(yīng)溫度下分別通入含硅的反應(yīng)源(非等離子體)和含氮的反應(yīng)源(非等離子體)。參考圖6和圖15，執(zhí)行步驟S23，刻蝕所述氮化硅層，在所述開(kāi)口的側(cè)壁上形成側(cè)墻。具體的，將所述介質(zhì)層201和底電極202表面的氮化硅層刻蝕去除，刻蝕之后，開(kāi)口 210 側(cè)壁上的氮化硅層保留下來(lái)形成側(cè)墻203c。由于所述硅薄膜203a的保護(hù)作用，防止了底電極202在刻蝕過(guò)程中受到損傷，并避免了由此造成的接觸電阻增大的問(wèn)題。參考圖16，本實(shí)施例中還包括在所述開(kāi)口中填滿相變材料并平坦化，形成相變材料層204。所述相變材料為硫族化合物或摻氮硫族化合物，本實(shí)施例中優(yōu)選為鍺-銻-碲合金(GST)或摻氮的鍺-銻-碲合金(N-GST)，其形成方法可以為物理氣相沉積或化學(xué)氣相沉積，所述平坦化的方法可以為化學(xué)機(jī)械拋光，在平坦化的過(guò)程中，同時(shí)將介質(zhì)層201表面的部分硅薄膜203a去除。參考圖17，在所述相變材料層204上形成頂電極205，其形成方法可以為在所述介質(zhì)層201和相變材料層205上形成導(dǎo)電材料，如多晶硅、鋁等，之后再經(jīng)過(guò)刻蝕等圖形化方法后形成所述頂電極205。綜上，本技術(shù)方案采用原子層沉積的方法形成側(cè)墻，提高了臺(tái)階覆蓋率，改善了負(fù)載效應(yīng)。另外，本技術(shù)方案采用原子層沉積方法來(lái)形成側(cè)墻，首先通入含硅的第一反應(yīng)源的等離子體，之后再通入含氮的第二反應(yīng)源，在底電極表面形成硅薄膜的薄層，避免了在底電極在刻蝕過(guò)程中受到損傷，防止了由此造成的接觸電阻增大的問(wèn)題。本發(fā)明雖然已以較佳實(shí)施例公開(kāi)如上，但其并不是用來(lái)限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案做出可能的變動(dòng)和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種相變存儲(chǔ)器的形成方法，其特征在于，包括提供基底，所述基底上形成有介質(zhì)層，所述介質(zhì)層中形成有開(kāi)口，所述開(kāi)口底部形成有底電極；使用原子層沉積方法，在所述介質(zhì)層和底電極表面形成氮化硅層； 刻蝕所述氮化硅層，在所述開(kāi)口的側(cè)壁上形成側(cè)墻。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相變存儲(chǔ)器的形成方法，其特征在于，所述原子層沉積方法包括通入含硅的第一反應(yīng)源的等離子體，使部分第一反應(yīng)源的等離子體吸附于所述基底表排出未吸附的含硅的第一反應(yīng)源；通入含氮的第二反應(yīng)源，使部分第二反應(yīng)源吸附于所述基底表面；排出未吸附的含氮的第二反應(yīng)源；重復(fù)上述各步驟至少一次，形成所述氮化硅層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的相變存儲(chǔ)器的形成方法，其特征在于，所述含硅的第一反應(yīng)源為二氯二氫硅或硅烷，流量為0. Islm至1. 5slm，通入時(shí)間為Is至40s。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的相變存儲(chǔ)器的形成方法，其特征在于，所述含氮的第二反應(yīng)源為氨氣，流量為0.5slm至IOslm，通入時(shí)間為Is至40s。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的相變存儲(chǔ)器的形成方法，其特征在于，所述原子層沉積方法的反應(yīng)溫度為350°C至550°C，壓強(qiáng)為201 至800Pa。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的相變存儲(chǔ)器的形成方法，其特征在于，在排出所述含硅的第一反應(yīng)源或含氮的第二反應(yīng)源的同時(shí)，通入氮?dú)狻鍤?、氦氣中的一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相變存儲(chǔ)器的形成方法，其特征在于，還包括，在所述開(kāi)口中填滿相變材料并平坦化，形成相變材料層；在所述相變材料層上形成頂電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相變存儲(chǔ)器的形成方法，其特征在于，所述底電極的材料為多晶硅或摻雜的多晶硅。
全文摘要
一種相變存儲(chǔ)器的形成方法，包括提供基底，所述基底上形成有介質(zhì)層，所述介質(zhì)層中形成有開(kāi)口，所述開(kāi)口底部形成有底電極；使用原子層沉積方法，在所述介質(zhì)層和底電極表面形成氮化硅層；刻蝕所述氮化硅層，在所述開(kāi)口的側(cè)壁上形成側(cè)墻。本發(fā)明提高了側(cè)墻形成過(guò)程中的臺(tái)階覆蓋率，避免了底電極在刻蝕形成側(cè)墻的過(guò)程中受到損傷。
文檔編號(hào)H01L45/00GK102376879SQ201010253558
公開(kāi)日2012年3月14日 申請(qǐng)日期2010年8月10日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月10日
發(fā)明者三重野文健, 沈憶華, 涂火金 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司