專(zhuān)利名稱(chēng)：可冷凝氣體冷卻系統(tǒng)的制作方法
可冷凝氣體冷卻系統(tǒng)
背景技術(shù)：
離子植入機(jī)普遍用于半導(dǎo)體晶圓的制造。離子源用以產(chǎn)生離子束，且離子束接著被引導(dǎo)朝向晶圓。當(dāng)離子撞擊(Strike)晶圓時(shí)，其對(duì)晶圓的特定區(qū)域進(jìn)行摻雜。摻雜區(qū)的組態(tài)(configuration)界定其功能，且經(jīng)由導(dǎo)體內(nèi)連線(conductive interconnect)的使用，這些晶圓可以被轉(zhuǎn)變?yōu)閺?fù)雜的電路。圖1為典型的離子植入機(jī)100的方塊示意圖。離子源110產(chǎn)生所需的離子種類(lèi) (species)。在一些實(shí)施例中，這些種類(lèi)為原子離子(atomic ion)，其最適于高植入能量。在其他實(shí)施例中，這些種類(lèi)為分子離子(molecular ion)，其較適于低植入能量。這些離子形成束線(beam)，其接著通過(guò)源濾波器(source filter) 120。源濾波器較佳地位于離子源附近。離子束中的離子在圓柱體(column) 130中被加速/減速至想要的能階(energy level)。 使用具有開(kāi)孔(aperture) 145的質(zhì)量分析器磁鐵(mass analyzer magnet) 140以從離子束中移除不需要的成分，使得具有所需的能量與質(zhì)量特性的離子束150穿過(guò)解析孔145。在某些實(shí)施例中，離子束150是點(diǎn)束(spot beam)。在此例中，離子束穿過(guò)掃描器 160。掃描器160可以是靜電掃描器或磁掃描器。掃描器160使離子束150發(fā)生偏轉(zhuǎn)，以產(chǎn)生掃描束巧5 157。在某些實(shí)施例中，掃描器160包括與掃描產(chǎn)生器(scan generator) 進(jìn)行通訊(communication)的分離的掃描板(scan plate)。掃描產(chǎn)生器產(chǎn)生掃描電壓波形，諸如具有振幅與頻率分量的正弦波形、鋸齒波形或三角波形。這些掃描電壓波形被施加在掃描板上。在一較佳實(shí)施例中，掃描波形通常很接近三角波(固定斜率)，使得掃描束在每個(gè)位置上停留近乎相同的時(shí)間。從三角形的偏離可用來(lái)使離子束達(dá)到均勻。所產(chǎn)生的電場(chǎng)造成離子束分叉，如圖1所示。在另一實(shí)施例中，離子束150是帶狀束(ribbon beam)。在此實(shí)施例中，不需要掃描器，帶狀束已經(jīng)按照適當(dāng)?shù)姆绞匠尚?。角度修正?angle corrector) 170是用來(lái)將分叉的離子束155 157偏轉(zhuǎn)成一組具有實(shí)質(zhì)上平行軌道(trajectories)的離子束。較佳的是，角度修正器170包括磁線圈 (magnet coil)與多個(gè)磁極片(magnetic pole pieces)，這些磁線圈與磁極片相互之間隔開(kāi)以形成間隙，而離子束從間隙中穿過(guò)。磁線圈被賦予能量，以在間隙內(nèi)產(chǎn)生磁場(chǎng)，而離子束根據(jù)所施加的磁場(chǎng)的強(qiáng)度與方向來(lái)發(fā)生偏轉(zhuǎn)。透過(guò)改變流經(jīng)磁線圈的電流可調(diào)節(jié)磁場(chǎng)。 可選擇的是，諸如平行化透鏡(parallelizing lens)的其他結(jié)構(gòu)也可用來(lái)執(zhí)行此功能。經(jīng)過(guò)角度修正器170之后，掃描束對(duì)準(zhǔn)工件175。工件附著在工件支座上。工件支座提供多種移動(dòng)角度。工件支座用來(lái)將晶圓保持在適當(dāng)位置以及對(duì)晶圓進(jìn)行定向，以將離子束適當(dāng)?shù)刂踩刖A。為了將晶圓有效地保持在適當(dāng)位置，大部分的工件支座(亦稱(chēng)為平臺(tái))通常使用旋轉(zhuǎn)力(circular force)而使工件靜止于工件支座上。通常，平臺(tái)使用靜電力來(lái)將工件保持在適當(dāng)位置。藉由在平臺(tái)上產(chǎn)生強(qiáng)靜電力(亦稱(chēng)為靜電吸盤(pán)(chuck))，無(wú)需任何機(jī)械固定裝置就能將工件或晶圓保持在適當(dāng)位置。如此一來(lái)，污染被降到最低，而且循環(huán)時(shí)間(cycle time)得以改善，因?yàn)橥瓿芍踩胫缶A無(wú)需拆卸。這些吸盤(pán)通常使用兩種力之一來(lái)將晶圓保持在適當(dāng)位置庫(kù)侖引力(coulombic force)或詹森-拉貝克力(Johnson-Rahbeck force)ο工件支座一般可在一個(gè)或多個(gè)方向上移動(dòng)工件。舉例來(lái)說(shuō)，在離子植入中，離子束一般為掃描束或帶狀束，其具有大于高度的寬度。假設(shè)離子束的寬度定義為X軸，而離子束的高度定義為y軸，且離子束的移動(dòng)路徑定義為Z軸。離子束的寬度一般寬于工件，使得工件不需在χ方向移動(dòng)。然而，沿著y軸移動(dòng)工件以將整個(gè)工件暴露于離子束則是常見(jiàn)的。工件支座的另一個(gè)重要功能為對(duì)工件提供散熱(heat sink)。舉例來(lái)說(shuō)，在離子植入的過(guò)程中，大量的能量(以熱的形式)被傳送至工件。雜亂無(wú)序的熱可能對(duì)待植入工件的特性造成影響。因此，較佳是將熱傳送離開(kāi)工件且傳送至工件支座。然后，工件支座將熱排除。在某些實(shí)施例中，流體流經(jīng)工件支座中的導(dǎo)管，這些導(dǎo)管使得熱被轉(zhuǎn)移至流體且離開(kāi)工件支座。其它冷卻工件支座的方法也為本領(lǐng)域所熟知。在某些實(shí)施例中，熱簡(jiǎn)單地經(jīng)由兩個(gè)元件之間的物理接觸而自工件傳送至工件支座。然而，測(cè)試顯示，由于鄰接表面的瑕疵與粗糙，即使工件與工件支座物理接觸，在微觀程度上，兩個(gè)元件之間僅有相對(duì)少的實(shí)際接觸。上述的離子植入系統(tǒng)較佳裝置于接近真空狀態(tài)的環(huán)境中。實(shí)際上，此環(huán)境中的壓力一般小于10-5Torr。由于周遭環(huán)境接近絕對(duì)真空，因此沒(méi)有其他可傳送熱的媒介。因此， 熱傳送遠(yuǎn)少于所預(yù)期的。改善從工件至工件支座的熱傳送的一種技術(shù)為使用“后端(back side)氣體”。圖 2為此技術(shù)的示意圖。簡(jiǎn)單地說(shuō)，工件200使用機(jī)械或靜電裝置而固定于工件支座。然后， 工件支座210中的導(dǎo)管220將氣體250傳送至工件200與工件支座210之間的空間，亦即
晶圓/平臺(tái)界面。圖3為熱傳送機(jī)制的示意圖。當(dāng)氣體分子碰撞工件200時(shí)發(fā)生熱傳送，以吸收來(lái)自工件200的熱。接著，氣體分子碰撞工件支座210，以將熱傳送至工件支座。工件支座做為散熱器且維持可接受的溫度。在一些實(shí)施例中，工件支座藉由使流經(jīng)冷卻導(dǎo)管230的流體通過(guò)來(lái)冷卻。后端氣體的流動(dòng)可藉由質(zhì)流控制器(mass flow controller，MFC) 250來(lái)控制。由于這些傳送熱的氣體分子數(shù)量的增加(例如藉由增加壓力)，因此改善了熱傳送。然而，后端氣體的壓力具有上限值，且隨著后端氣體壓力的增加，其開(kāi)始克服固定力 (clamping forces)，因此使得工件被推離工件支座。此減少了兩個(gè)表面之間的實(shí)際物理接觸，且明顯降低了熱傳送。此減少的現(xiàn)象發(fā)生在非常低的壓力下，例如離子植入環(huán)境中的壓力小于50ΤΟΠ·。過(guò)大的壓力也會(huì)導(dǎo)致對(duì)工件造成損害。此外，為了增加分子之間的碰撞而增加分子的數(shù)量也會(huì)導(dǎo)致固體之間的熱傳送減少。如上所述，隨著氣體分子接受來(lái)自工件的熱且將熱傳送至工件支座，后端氣體有助于熱傳送。如所熟知的，在氣體-固體界面具有熱傳送的效果，其依據(jù)氣體分子的類(lèi)型與固體的類(lèi)型。此效果由調(diào)節(jié)系數(shù)(accommodation coefficient)表示，其值界于0(無(wú)熱傳送)與1 (最佳熱傳送)之間。調(diào)節(jié)系數(shù)(α ) 一般定義為α = (Tr-Ti) / (Ts-Ti)Tr為反射分子(即，反射離開(kāi)固體表面后的氣體分子)的溫度；Ti為入射分子(即，撞擊固體表面前的氣體分子)的溫度；
Ts為固體表面的溫度。與較重的氣體(例如氮?dú)?、氬氣和空?相比，較輕的氣體(例如氦氣與氫氣)一般具有較低的調(diào)節(jié)系數(shù)。此外，由于一些固體與其他相比提供較佳的熱傳送，固體表面有利于調(diào)節(jié)系數(shù)。請(qǐng)參照?qǐng)D3，假設(shè)在氣體分子與工件200之間的調(diào)節(jié)系數(shù)為Ci1，而在氣體與工件支座210之間的調(diào)節(jié)系數(shù)為α2。當(dāng)分子碰撞工件時(shí)，這些分子吸收來(lái)自工件的熱(與調(diào)節(jié)系數(shù)Q1成比例)。之后，這些分子碰撞工件支座210，以傳送熱(與調(diào)節(jié)系數(shù)Ci2成比例)。因此，工件與工件支座之間的實(shí)際熱傳送與、乂^成比例。舉例來(lái)說(shuō)，若調(diào)節(jié)系數(shù)在與特定氣體的一個(gè)界面為0. 9，且調(diào)節(jié)系數(shù)在與此氣體的另一個(gè)界面為0. 7，則在二個(gè)界面之間的熱傳送僅為63%的功效。較重的氣體可以增加這些系數(shù)，然而，較輕的氣體分子移動(dòng)較快，且因此較迅速地傳送熱。此可能導(dǎo)致偏向使用較輕的氣體而非較重的氣體，而不管調(diào)節(jié)系數(shù)的差異。在許多環(huán)境中，將工件保持在預(yù)定溫度范圍是非常重要的。因此，有效地將熱從工件傳送至工件支座是不可或缺的。因此，發(fā)展用以增進(jìn)工件(特別是離子植入系統(tǒng)中的半導(dǎo)體晶圓)冷卻的系統(tǒng)與方法是有利的。

發(fā)明內(nèi)容
現(xiàn)有技術(shù)的問(wèn)題可藉由本申請(qǐng)中的工件冷卻系統(tǒng)與方法來(lái)克服。典型地，熱被傳送至工件支座或平臺(tái)。在一實(shí)施例中，所需的操作溫度被決定?；诖?，選擇具有在所需范圍中的蒸汽壓(例如IOtorr至50torr)的氣體。此范圍必須足夠低，以致低于固定力。 此可冷凝氣體用以填入工件與工件支座之間的空間?；谖?adsorption)與去吸附 (desorption)，發(fā)生熱傳送，與傳統(tǒng)使用的氣體(例如氦氣、氫氣、氮?dú)?、氬氣和空?相比， 藉此來(lái)提供改進(jìn)的傳送特性。


圖1為傳統(tǒng)的離子植入機(jī)的示意圖。圖2為依照一實(shí)施例所繪示的工件與工件支座的剖面圖。圖3為現(xiàn)有技術(shù)的熱傳送機(jī)制的示意圖。圖4為本發(fā)明所述的熱傳送機(jī)制的示意圖。圖5為依照一實(shí)施例所使用的制程步驟的流程圖。
具體實(shí)施例方式如上所述，維持工件(例如離子植入制程中的半導(dǎo)體晶圓)的溫度是必要的。用以維持工件溫度的目前技術(shù)依賴(lài)將來(lái)自工件(例如平臺(tái))的熱傳送至工件支座(其為物理性地接觸工件)。一些實(shí)施例藉由在工件與工件支座之間的空間中傳送“后端氣體”來(lái)增加熱傳送機(jī)制。這些氣體分子用以傳送來(lái)自工件的熱(或一部分的熱)至工件支座。然而， 如上所述，此熱傳送機(jī)制并不如想象的有效。請(qǐng)參照?qǐng)D2，其顯示工件支座210與工件200的剖面。工件支座可以具有二種導(dǎo)管。導(dǎo)管220將氣體250導(dǎo)引至工件的后端，工件與工件支座之間的空間。氣體250較佳儲(chǔ)存在中央存儲(chǔ)器(central reservoir)，例如儲(chǔ)存槽(tank)，且可以穿過(guò)質(zhì)流控制器或壓力調(diào)節(jié)器MO以調(diào)節(jié)其穿過(guò)導(dǎo)管220的流動(dòng)。在某些實(shí)施例中，小溝槽260提供于工件支座210的上表面中，以提供無(wú)障礙路徑而使氣體250近入空間。MFC或壓力調(diào)節(jié)器240控制氣體的流動(dòng)以達(dá)成所需的氣體壓力。如上所述，由于過(guò)大的壓力可能使工件離開(kāi)工件支座或可能損害工件，因此謹(jǐn)慎地控制壓力為較佳。在一些實(shí)施例中，第二導(dǎo)管230用以循環(huán)用來(lái)冷卻工件支座的流體。舉例來(lái)說(shuō)， 水、空氣或合適的冷卻劑(coolant)可被循環(huán)穿過(guò)工件內(nèi)部的導(dǎo)管230，以將熱引導(dǎo)離開(kāi)平臺(tái)。每一個(gè)離子植入制程具有預(yù)定的操作溫度范圍。舉例來(lái)說(shuō)，許多離子植入在0°C至 50°C的溫度范圍中進(jìn)行，且更普遍在室溫(15°C至30°C)下進(jìn)行。其他還可以在低溫下進(jìn)行，例如在低于-50°C下。其他還可以在高溫下進(jìn)行，例如在高于10(TC下。一但決定所需的操作范圍，則選擇合適的氣體。氣體應(yīng)在所需的操作溫度下具有足夠低的蒸汽壓。舉例來(lái)說(shuō)，在室溫下，水具有約20Τοπ·的蒸汽壓。對(duì)于在-100°C的低溫植入，丙烷具有相似的蒸汽壓。氨氣(ammonia，NH3)也適于低溫植入。在_80°C，氨氣的蒸汽壓約為3(yTorr。對(duì)于高溫植入，可以使用例如丙三醇(glycerine)的物質(zhì)，其蒸汽壓在200°C約為40Torr。如上所述，工作區(qū)域中的氣體的蒸汽壓必須低于施加于工件上的固定力，以使工件不會(huì)遭受損壞且維持與工件支座接觸。換句話說(shuō)，氣體所施加的壓力(乘上工件的面積) 決定在離開(kāi)工件支座的方向上施加至工件的力。與此力相反的是固定力。為了維持工件與工件支座接觸，固定力必須大于氣體壓力(乘上工件的面積)。由于工件的面積固定，因此氣體壓力必須經(jīng)控制以確保滿(mǎn)足上述條件。在許多實(shí)施例中，所需的蒸汽壓界于ITorr至50Torr之間，雖然其他范圍也是可能的且在本申請(qǐng)的范圍中。所選擇的氣體被傳送穿過(guò)導(dǎo)管220。舉例來(lái)說(shuō)，如上所述，在室溫下，水具有界于IOTorr至20Τοπ·的蒸汽壓。對(duì)于發(fā)生在室溫的離子植入，水蒸汽被傳送至工件與工件支座之間的空間。此可由使用圖2中的導(dǎo)管220來(lái)達(dá)成。使用MFC或壓力調(diào)節(jié)器240對(duì)水蒸汽加壓，以使蒸汽相與液相達(dá)成平衡。當(dāng)此現(xiàn)象發(fā)生時(shí)，水蒸氣的薄膜205 吸附在晶圓200的背面上。薄膜215也吸附在工件支座210的頂面上。藉由在每一個(gè)表面上產(chǎn)生氣體蒸汽的膜，熱傳送機(jī)制可被改變。圖4為熱傳送機(jī)制的示意圖。在此方案中，氣體蒸汽分子吸附至工件表面上的薄膜205。不同的水蒸汽分子(已在高溫)從薄膜205移開(kāi)(displaced)和去吸附。移開(kāi)的分子接著吸附至工件支座210的頂面上的薄膜215。再來(lái)，在降低的工件支座溫度下，不同的分子接著被移開(kāi)。由于被去吸附的分子在固體的溫度下或在接近固體的溫度下，(即 ； 大約等于Ts)，因此可實(shí)現(xiàn)接近1的調(diào)節(jié)系數(shù)。圖5為前述制程步驟的流程圖。如上所述，首先，決定所需的操作溫度(方塊400)。 然后，基于此操作溫度，選擇合適的氣體(方塊410)。此氣體的蒸汽壓在所需的溫度下較佳是足夠低而不會(huì)損害工件或克服固定力。如上所述，若有需要，可以使用MFC或壓力調(diào)節(jié)器240來(lái)降低在工作流體的蒸汽壓下的工作壓力。接著，將所選擇的氣體傳送至工件與工件支座之間的空間(方塊420)。較佳地是，提供足夠的時(shí)間以允許氣體在空間中達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)條件(steady-state conditions)(方塊430)。當(dāng)氣體壓力等于蒸汽壓時(shí)，則符合穩(wěn)定狀態(tài)條件。此允許氣體吸附在工件的背面上以及吸附在工件支座的頂面上。一旦達(dá)成穩(wěn)定狀態(tài)條件，則可開(kāi)始進(jìn)行離子植入制程(方塊440)。
如方塊430所示，較佳是在離子植入制程之前使蒸汽達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)條件。此可由多種方法來(lái)實(shí)現(xiàn)。在一實(shí)施例中，制程循環(huán)時(shí)間(process cycle time)被降低，以允許達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)條件。換言之，一旦新的工件或晶圓置于平臺(tái)上，則開(kāi)始蒸汽的流動(dòng)。在離子植入制程開(kāi)始之前，消耗大量的時(shí)間。此時(shí)間允許蒸汽壓與所吸附的薄膜達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)值。此方法簡(jiǎn)單，但可能影響生產(chǎn)率，其取決于達(dá)成平衡所需的時(shí)間?？梢允褂闷渌椒▉?lái)減少蒸汽壓達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)條件所需的時(shí)間。舉例來(lái)說(shuō)，工件支座上所吸附的蒸汽膜可以藉由降低工件支座的溫度而在晶圓交換期間被維持。較低的溫度將使薄膜液化或結(jié)凍。此外，蒸汽可以導(dǎo)引穿過(guò)多孔媒介(其為工件支座的一部分)。最后，在工件置于工件支座之前，將工件披覆所選擇的氣體、液體或材料，可以減少所需的時(shí)間。舉例來(lái)說(shuō)，工件可以在置于工件支座之前暴露于水蒸汽，且接著被冷凍(chilled)以保留水，直到置于工件支座上。在一實(shí)施例中，使用晶圓定位站(wafer orient station)以同時(shí)披覆水蒸汽以及冷凍晶圓(在定位過(guò)程中)。在此完成之后，將晶圓置于工件支座上， 且隨著晶圓與工件支座溫度而建立的穩(wěn)定狀態(tài)蒸汽壓被建立。雖然本申請(qǐng)揭示了離子植入，但本申請(qǐng)并不限于此實(shí)施例。此處描述的方法與系統(tǒng)可以使用于任何使用工件與工件支座的應(yīng)用，特別是在真空環(huán)境中。
權(quán)利要求
1.一種處理工件時(shí)自工件將熱傳送離開(kāi)的方法，所述工件裝設(shè)于工件支座上，所述方法包括a.決定用以進(jìn)行處理的操作溫度范圍；b.選擇氣體，在所述操作溫度范圍下所述氣體具有在所需范圍中的蒸汽壓；c.傳送所述氣體至所述工件的背面與所述工件支座的頂面之間的空間中；以及d.處理所述工件。
2.如權(quán)利要求1所述的處理工件時(shí)自工件將熱傳送離開(kāi)的方法，還包括在處理所述工件之前等待所述氣體在所述空間中達(dá)到平衡的步驟。
3.如權(quán)利要求2所述的處理工件時(shí)自工件將熱傳送離開(kāi)的方法，其中液體膜產(chǎn)生于所述工件的所述背面與所述工件支座的所述頂面。
4.如權(quán)利要求1所述的處理工件時(shí)自工件將熱傳送離開(kāi)的方法，其中施加力以將所述工件保持在所述工件支座上，且所述所需范圍的所述蒸汽壓產(chǎn)生小于保持所述工件的所述力的相反力。
5.如權(quán)利要求1所述的處理工件時(shí)自工件將熱傳送離開(kāi)的方法，其中所述氣體在等于所述蒸汽壓的壓力下被傳送。
6.如權(quán)利要求1所述的處理工件時(shí)自工件將熱傳送離開(kāi)的方法，還包括在移動(dòng)經(jīng)處理的所述工件之前冷卻所述工件支座的步驟。
7.如權(quán)利要求1所述的處理工件時(shí)自工件將熱傳送離開(kāi)的方法，其中所述操作溫度范圍界于0°c至50°C之間，且所選擇的所述氣體包括水蒸汽。
8.如權(quán)利要求7所述的處理工件時(shí)自工件將熱傳送離開(kāi)的方法，其中所述蒸汽壓界于 IOtorr 至 50torr。
9.如權(quán)利要求1所述的處理工件時(shí)自工件將熱傳送離開(kāi)的方法，其中所述操作溫度范圍低于_50°C，且所選擇的所述氣體包括氨氣。
10.如權(quán)利要求1所述的處理工件時(shí)自工件將熱傳送離開(kāi)的方法，其中所述操作溫度范圍高于100°c，且所選擇的所述氣體包括丙三醇。
11.如權(quán)利要求1所述的處理工件時(shí)自工件將熱傳送離開(kāi)的方法，其中所述處理包括離子植入。
12.—種用以自工件將熱傳送離開(kāi)的系統(tǒng)，所述工件在預(yù)定的操作溫度范圍下被處理， 所述系統(tǒng)包括a.工件支座，所述工件位于所述工件支座上，以使所述工件支座的頂面與所述工件的背面接觸；b.用于將所述工件保持于所述工件支座上的裝置，所述裝置施加力于所述工件；c.導(dǎo)管，用以提供氣體至由所述工件的所述背面與所述工件支座的所述頂面所定義出的空間；以及d.存儲(chǔ)器，用以保持所述氣體，其中在所述操作溫度范圍下所述氣體具有蒸汽壓，其中產(chǎn)生施加于所述工件的相反力的所述蒸汽壓小于由所述裝置施加來(lái)保持所述工件的所述力。
13.如權(quán)利要求12所述的用以自工件將熱傳送離開(kāi)的系統(tǒng)，其中所述操作溫度范圍界于O°C至50°C之間，且所述氣體包括水蒸汽。
14.如權(quán)利要求12所述的用以自工件將熱傳送離開(kāi)的系統(tǒng)，其中所述操作溫度范圍低于-50°C，且所述氣體包括氨氣。
15.如權(quán)利要求12所述的用以自工件將熱傳送離開(kāi)的系統(tǒng)，其中所述操作溫度范圍高于100°C，且所述氣體包括丙三醇。
16.如權(quán)利要求12所述的用以自工件將熱傳送離開(kāi)的系統(tǒng)，其中所述導(dǎo)管位于所述工件支座中，且所述氣體穿過(guò)所述工件支座至所述空間。
17.如權(quán)利要求12所述的用以自工件將熱傳送離開(kāi)的系統(tǒng)，還包括位于所述存儲(chǔ)器與所述空間之間的質(zhì)流控制器或壓力調(diào)節(jié)器。
18.如權(quán)利要求17所述的用以自工件將熱傳送離開(kāi)的系統(tǒng)，其中所述質(zhì)流控制器在等于所述蒸汽壓的壓力下傳送所述氣體。
全文摘要
一種工件冷卻系統(tǒng)與方法。將熱自工件(離子植入過(guò)程中的半導(dǎo)體晶圓)傳送離開(kāi)是不可或缺的。典型地，熱被傳送至工件支座或平臺(tái)。在一實(shí)施例中，所需的操作溫度被決定?；诖?，選擇具有在所需范圍中的蒸汽壓(例如10torr至50torr)的氣體。此范圍必須足夠低，以致低于固定力。此可冷凝氣體用以填入工件與工件支座之間的空間?；谖脚c去吸附，發(fā)生熱傳送，與傳統(tǒng)使用的氣體(例如氦氣、氫氣、氮?dú)?、氬氣和空?相比，藉此來(lái)提供改進(jìn)的傳送特性。
文檔編號(hào)H01L21/687GK102246276SQ200980149410
公開(kāi)日2011年11月16日 申請(qǐng)日期2009年12月15日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月19日
發(fā)明者史帝文·R·沃特 申請(qǐng)人:瓦里安半導(dǎo)體設(shè)備公司