專利名稱：再循環(huán)用于沉積半導(dǎo)體層的氣體的系統(tǒng)和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及再循環(huán)系統(tǒng)和方法，更具體地講，涉及用于再循環(huán)一種或多種氣體的系統(tǒng)和方法。
背景技術(shù)：
一些已知的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)使用化學(xué)氣相沉積(“CVD”)或等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(“PECVD”)沉積半導(dǎo)體層。這些系統(tǒng)使得沉積氣體流過處理室從而沉積或以其它方式生長(zhǎng)半導(dǎo)體層。沉積氣體包括用于沉積半導(dǎo)體層的一種或多種化學(xué)物種。例如，已知系統(tǒng)使用硅烷(SiH4)和氫氣(H2)沉積半導(dǎo)體層。用于這些系統(tǒng)的沉積氣體的大量部分未經(jīng)使用。例如，在利用硅烷生長(zhǎng)半導(dǎo)體層的已知系統(tǒng)中，近似5 %到10 %的硅烷被消耗并且用于沉積半導(dǎo)體層而剩余的90 %到95 % 的硅烷作為廢氣進(jìn)行排放。通常通過燃燒或者以其它方式處置硅烷消除這種廢氣。由于用于沉積半導(dǎo)體膜的氣體的成本相對(duì)較高，所以需要減少在半導(dǎo)體層的沉積期間浪費(fèi)的氣體的量。

發(fā)明內(nèi)容
在一個(gè)實(shí)施例中，一種再循環(huán)系統(tǒng)包括處理室、回收貯藏器和混合貯藏器。處理室被構(gòu)造為接收沉積在半導(dǎo)體層上的沉積氣體。處理室具有排出沉積氣體的未用部分作為排泄氣體的排氣裝置?；厥召A藏器與處理室流體連通?；厥召A藏器被構(gòu)造為接收并存儲(chǔ)來自處理室的排泄氣體?；旌腺A藏器與回收貯藏器和處理室流體連通?；旌腺A藏器被構(gòu)造為將排泄氣體與原料氣體進(jìn)行混合以形成再循環(huán)沉積氣體?；旌腺A藏器可以向處理室提供再循環(huán)沉積氣體以沉積半導(dǎo)體層的附加部分。在另一個(gè)實(shí)施例中，一種對(duì)用于沉積半導(dǎo)體層的沉積氣體的至少一部分進(jìn)行再循環(huán)的方法包括從沉積半導(dǎo)體層的處理室排出排泄氣體。排泄氣體包括沉積氣體的未用部分。該方法還包括確定排泄氣體的污染物濃度并且當(dāng)污染物濃度低于最大污染物濃度時(shí)向混合貯藏器傳送排泄氣體。該方法還包括在混合貯藏器內(nèi)將排泄氣體與原料氣體進(jìn)行混合以形成再循環(huán)沉積氣體，以及向處理室傳送再循環(huán)沉積氣體以利用再循環(huán)沉積氣體沉積半導(dǎo)體層的附加部分。在另一個(gè)實(shí)施例中，一種對(duì)用于在處理室內(nèi)沉積半導(dǎo)體層的氣體進(jìn)行再循環(huán)的系統(tǒng)包括回收貯藏器、氣體成分分析器和混合貯藏器?；厥召A藏器被構(gòu)造為在半導(dǎo)體層的沉積期間接收從處理室排出的排泄氣體并且存儲(chǔ)從處理室排出的排泄氣體。氣體成分分析器被構(gòu)造為確定回收貯藏器中的排泄氣體的成分和純度中的至少一個(gè)?；旌腺A藏器被構(gòu)造為當(dāng)排泄氣體的成分和純度中的至少一個(gè)超過最小閾值時(shí)從回收貯藏器接收排泄氣體。排泄氣體在混合貯藏器內(nèi)與原料氣體進(jìn)行混合以形成再循環(huán)沉積氣體。再循環(huán)沉積氣體用于沉積半導(dǎo)體層的附加部分。


圖1是根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的氣體再循環(huán)系統(tǒng)的示意圖。圖2是根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的氣體處理系統(tǒng)中的部件和流體流動(dòng)通道的示意圖。圖3是圖2所示的氣體處理系統(tǒng)中的部件和通信通道的示意圖。圖4是根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的處理系統(tǒng)中的再循環(huán)排出氣體的方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式當(dāng)結(jié)合附圖時(shí)能夠更好理解上述發(fā)明內(nèi)容以及下面的本發(fā)明的某些實(shí)施方式的詳細(xì)描述。如本文所用，以單數(shù)形式敘述和前面具有詞“一個(gè)”或“單個(gè)”的元件或步驟應(yīng)該被理解為不排除多于一個(gè)所述元件或步驟，除非明確陳述這種排除。另外，引用本發(fā)明的 “一個(gè)實(shí)施例”并非意圖被解釋為排除還包括敘述的特征的另外的實(shí)施例的存在。此外，除非相反進(jìn)行明確指示，“包括”或“具有”具有特定屬性的一個(gè)元件或多個(gè)元件的實(shí)施例可以包括不具有這種屬性的另外的這樣的元件。應(yīng)該注意，盡管可以結(jié)合用于對(duì)用于硅層沉積過程的硅烷氣體進(jìn)行再循環(huán)的系統(tǒng)描述一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例，但是本文所述的實(shí)施例不限于再循環(huán)硅烷氣體或者硅層沉積工藝。具體地講，可以結(jié)合不同類型的流體再循環(huán)系統(tǒng)(例如包括用于用于其它半導(dǎo)體工藝的其它氣體的再循環(huán)系統(tǒng))實(shí)現(xiàn)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例。此外，盡管一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例可以被描述為使用一個(gè)或多個(gè)計(jì)算機(jī)裝置或系統(tǒng)進(jìn)行實(shí)現(xiàn)，但是本文所述的實(shí)施例不限于基于計(jì)算機(jī)的系統(tǒng)和方法。具體地講，可以結(jié)合非基于計(jì)算機(jī)的裝置和方法實(shí)現(xiàn)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例。圖1是根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的氣體再循環(huán)系統(tǒng)100的示意圖。氣體再循環(huán)系統(tǒng)100對(duì)從沉積半導(dǎo)體層留下的化學(xué)物種進(jìn)行再循環(huán)以用于沉積另外的半導(dǎo)體層。例如，硅烷是用于生長(zhǎng)例如硅的半導(dǎo)體層的化學(xué)物種。硅烷用于沉積摻雜層和本征硅層。在一個(gè)實(shí)施例中， 氣體再循環(huán)系統(tǒng)100對(duì)用于沉積硅層的至少一些硅烷進(jìn)行再循環(huán)以用于沉積另一個(gè)硅層。 硅可以是本征硅或者η或P型硅。氣體再循環(huán)系統(tǒng)100包括處理室102，在處理室102中生長(zhǎng)或者以其它方式沉積半導(dǎo)體層(未示出)。例如，處理室102可以包括真空沉積室，用于通過化學(xué)氣相沉積(“CVD”) 或者等離子體增強(qiáng)CVD(“PECVD”)沉積本征硅層。處理室102接收一種或多種處理或沉積氣體作為再循環(huán)沉積氣體104。沉積氣體例如可以包括氫載氣(H2)和由載氣運(yùn)載的硅烷。 如下文更加詳細(xì)描述，在一個(gè)實(shí)施例中，接收作為再循環(huán)沉積氣體104的沉積氣體包括部分再循環(huán)的沉積氣體。經(jīng)由排氣口 130從氣體再循環(huán)系統(tǒng)100排出排泄氣體(effluentgaS)106。排泄氣體106包括至少一些處理或沉積氣體和/或由這些氣體運(yùn)載的一種或多種化學(xué)物種(chemical species)。例如，排泄氣體106可以包括在處理室102中沉積半導(dǎo)體層期間沒有被消耗的一些氫載氣和硅烷。排泄氣體106可以包括從處理室102排出的多種氣體和/ 或化學(xué)物種。在所示的實(shí)施例中，在沉積半導(dǎo)體層期間沒有被消耗的沉積氣體以及由這些氣體運(yùn)載的化學(xué)物種的至少一部分從處理室102排出作為排泄氣體106。在處理室102與多個(gè)貯藏器108之間設(shè)置泵124。泵124包括朝多個(gè)貯藏器108 移動(dòng)排泄氣體106的泵。在一個(gè)實(shí)施例中，泵IM增加在處理室102與多個(gè)貯藏器108之間提供流體流動(dòng)通道的導(dǎo)管或管線中的壓力。每個(gè)貯藏器108包括被構(gòu)造為接收并且存儲(chǔ)排泄氣體的存儲(chǔ)容器。例如，每個(gè)貯藏器108可以包括高壓器皿或氣缸。泵124可以將泵124與貯藏器108之間的管線中的壓力從泵124上游的負(fù)壓 (sub-atmospheric pressure)增加至泵1 下游的高于大氣壓的壓力。在一個(gè)實(shí)施例中， 大氣壓近似是100千帕。術(shù)語“下游”指示一個(gè)部件與另外部件相比沿氣體在氣體再循環(huán)系統(tǒng)100中流動(dòng)的通道位于更遠(yuǎn)。相反，術(shù)語“上游”指示在氣體在氣體再循環(huán)系統(tǒng)100進(jìn)行流動(dòng)的通道中一個(gè)部件位于另一個(gè)部件之前。例如，由于在所示的實(shí)施例中排泄氣體從處理室102流向貯藏器108，所以貯藏器108位于泵124的下游，而處理室102位于泵124的上游。在一個(gè)實(shí)施例中，泵1 對(duì)一個(gè)或多個(gè)貯藏器108中的排泄氣體106進(jìn)行增壓。例如，每個(gè)貯藏器108可以包括增壓箱，增壓箱被構(gòu)造為容納由泵IM進(jìn)行泵抽的增壓的排泄氣體106。對(duì)一個(gè)或多個(gè)貯藏器108中的排泄氣體106進(jìn)行增壓能夠減小系統(tǒng)100使用的總空間和/或體積。在一個(gè)實(shí)施例中，設(shè)置了多個(gè)泵124。例如，每個(gè)貯藏器108可以與位于貯藏器108的上游而位于另一個(gè)貯藏器108的下游的泵IM關(guān)聯(lián)。僅僅舉例來講，泵124 可以設(shè)置在每個(gè)貯藏器108之間以及多個(gè)貯藏器108與處理室102之間。貯藏器108與處理室102和氣源貯藏器116進(jìn)行流體耦合并且互相進(jìn)行流體連通。多個(gè)貯藏器108的每一個(gè)是被構(gòu)造為接收并存儲(chǔ)排泄氣體106的存儲(chǔ)容器。例如，每個(gè)貯藏器108可以包括高壓器皿或氣缸。多個(gè)貯藏器108包括至少一個(gè)回收貯藏器110和至少一個(gè)混合貯藏器112。另外的回收貯藏器110和/或混合貯藏器112可以包括在多個(gè)貯藏器108內(nèi)。回收貯藏器110接收至少一部分的排泄氣體106。在一個(gè)實(shí)施例中，回收貯藏器 110以高于大氣壓的壓力接收并存儲(chǔ)排泄氣體106。氣源貯藏器116是存儲(chǔ)并提供用于在處理室102中沉積半導(dǎo)體層的氣體和/或化學(xué)物種的器皿或室。例如，氣源貯藏器116可以是用于處理室102內(nèi)并且由系統(tǒng)100進(jìn)行再循環(huán)的硅烷源。在一個(gè)實(shí)施例中，在混合貯藏器112內(nèi)排泄氣體106與來自氣源貯藏器116的原料氣體118進(jìn)行混合以形成排泄氣體104與原料氣體118的混合物。原料氣體118包括用于在處理室102內(nèi)沉積半導(dǎo)體層并且先前還沒有穿過處理室102的氣體。例如，原料氣體 118可以進(jìn)入處理室102以沉積半導(dǎo)體層，原料氣體118的未用部分被抽出處理室作為排泄氣體106。在一個(gè)方式中，原料氣體118是在沉積半導(dǎo)體層之前的純凈氣體而排泄氣體106 是在沉積半導(dǎo)體層以后留下的氣體。排泄氣體106與原料氣體108的混合物是再循環(huán)沉積氣體104，該再循環(huán)沉積氣體104從混合貯藏器112傳送至處理室102，用于沉積另一個(gè)半導(dǎo)體層。例如，從回收貯藏器110傳送的排泄氣體106中的用于沉積半導(dǎo)體層的化學(xué)物種的濃度可能不夠。在混合貯藏器112內(nèi)加到排泄氣體106的原料氣體118可以包括相對(duì)較高濃度的該化學(xué)物種?；旌腺A藏器112中的排泄氣體106與原料氣體118的混合物將化學(xué)物種的濃度增加至沉積半導(dǎo)體層所需的最小水平。例如，可以向混合貯藏器112添加原料氣體118直到混合貯藏器112 中的排泄氣體106中的例如硅烷的化學(xué)物種的濃度至少等于預(yù)定閾值。再循環(huán)沉積氣體104從混合貯藏器112傳送至處理室102。處理室102接收再循環(huán)沉積氣體104并且利用再循環(huán)沉積氣體104沉積另一個(gè)半導(dǎo)體層。例如，系統(tǒng)100可以收集來自第一半導(dǎo)體層的沉積的排泄氣體106，對(duì)排泄氣體106進(jìn)行再循環(huán)，然后使用從排泄氣體106重構(gòu)的再循環(huán)沉積氣體104沉積第二半導(dǎo)體層。替代地，系統(tǒng)100可以再循環(huán)來自半導(dǎo)體層的沉積的排泄氣體106從而對(duì)同一半導(dǎo)體層進(jìn)行繼續(xù)沉積。例如，當(dāng)沉積半導(dǎo)體層時(shí)，排泄氣體106可以同時(shí)由系統(tǒng)100進(jìn)行再循環(huán)和重構(gòu)并且被再引入到處理室102 從而繼續(xù)沉積半導(dǎo)體層。在一個(gè)實(shí)施例中，氣體成分分析器114和120可操作地連接到一個(gè)或多個(gè)貯藏器 108。氣體成分分析器114和120的每一個(gè)確定或者測(cè)量排泄氣體中的一種或多種污染物 (確定排泄氣體的純度)和/或化學(xué)物種(確定排泄氣體的成分)的濃度。例如，氣體成分分析器114可以包括殘留氣體分析器，其用于測(cè)量回收貯藏器110中的排泄氣體106中的污染物和/或化學(xué)物種濃度，并且氣體成分分析器120可以包括殘留氣體分析器，其用于測(cè)量混合貯藏器112中的排泄氣體106和/或再循環(huán)沉積氣體104中的污染物和/或化學(xué)物種。在一個(gè)實(shí)施例中，回收貯藏器110接收并且存儲(chǔ)在半導(dǎo)體層的沉積期間的排泄氣體106，但不向混合貯藏器112傳送排泄氣體106，直到半導(dǎo)體層的沉積基本完成。例如，回收貯藏器110可以不向混合貯藏器112傳送排泄氣體106，直到半導(dǎo)體層已經(jīng)完成沉積和/ 或回收貯藏器110變滿。一旦在混合貯藏器112中存儲(chǔ)并收集了排泄氣體，在半導(dǎo)體膜的沉積完成以后的任何時(shí)間可由氣體成分分析器114和120測(cè)量排泄氣體的成分和/或濃度?；厥召A藏器110中的排泄氣體106可能受到污染。污染物的例子可以是在允許污染物到達(dá)處理室102的情況下將干擾或損害處理室102內(nèi)半導(dǎo)體層的沉積或生長(zhǎng)的化學(xué)物種。污染物的另一個(gè)例子可以是不期望類型的摻雜劑。例如，如果先前處理室102用于生長(zhǎng) P型硅層但現(xiàn)在用于生長(zhǎng)本征或η型硅層，則處理室102中以及任何貯藏器108中的排泄氣體106中的用于產(chǎn)生ρ型硅的化學(xué)物種(例如，硼)的存在可能是污染。為了避免處理室 102的污染，可以使得回收貯藏器110不與混合貯藏器112和處理室102進(jìn)行流體連通。例如，旁路流動(dòng)通道122可以在回收貯藏器110附近延伸從而流動(dòng)式耦合處理室102和混合貯藏器112并且同時(shí)阻止排泄氣體106流入或流出回收貯藏器110。一個(gè)或多個(gè)閥132可以使得排泄氣體106轉(zhuǎn)移流入旁路流動(dòng)通道122而非回收貯藏器110。旁路流動(dòng)通道122 引導(dǎo)排泄氣體106進(jìn)入混合貯藏器112并且由此避免通過回收貯藏器110。旁路流動(dòng)通道 122可以包括用于沿通道122移動(dòng)氣體106的泵134。在一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)回收貯藏器110 變滿時(shí)，旁路流動(dòng)通道122可用于轉(zhuǎn)移排泄氣體106從而繞開回收貯藏器110而流入混合貯藏器112。例如，回收貯藏器110可能充滿排泄氣體106并且不能夠安全存儲(chǔ)另外的排泄氣體106。然后，旁路流動(dòng)通道122可用于避免更多排泄氣體106流入回收貯藏器110。在一個(gè)實(shí)施例中，閥1 設(shè)置在混合貯藏器112與處理室102之間，閥1 設(shè)置在氣源貯藏器116與處理室102之間。閥1 允許或禁止再循環(huán)沉積氣體104從混合貯藏器 112流入處理室102。例如，在一個(gè)位置，閥1 不允許再循環(huán)沉積氣體104從混合貯藏器112流入處理室102，而在另一個(gè)位置，閥1 允許再循環(huán)沉積氣體104從混合貯藏器112流入處理室102。閥1 允許或禁止原料氣體118從氣源貯藏器116流入處理室102。例如， 在一個(gè)位置，閥1 不允許原料氣體118從氣源貯藏器116流入處理室102，而在另一個(gè)位置，閥1 允許原料氣體118從氣源貯藏器116流入處理室102。在一個(gè)實(shí)施例中，閥1 和1 禁止再循環(huán)沉積氣體104從混合貯藏器112流入處理室102而允許原料氣體118從氣源貯藏器116流入處理室102。例如，如果混合貯藏器112受到污染、損害等等或者混合貯藏器112中的再循環(huán)沉積氣體104沒有用于處理室112中，則閥1 能夠關(guān)閉而閥1 開啟。原料氣體118然后可以流入處理室102以替代再循環(huán)沉積氣體104。替代地，閥126 和128改變進(jìn)入處理室102的再循環(huán)沉積氣體104和原料氣體118的流速。例如，根據(jù)在處理室102內(nèi)沉積半導(dǎo)體層所需的再循環(huán)沉積氣體104和原料氣體118的相對(duì)量，可以對(duì)閥1 和128的每一個(gè)進(jìn)行調(diào)整以允許更多或更少的再循環(huán)沉積氣體104和原料氣體118 進(jìn)入處理室102。處理室102接收再循環(huán)沉積氣體104并且利用至少一些再循環(huán)沉積氣體104沉積半導(dǎo)體層。再循環(huán)沉積氣體104的一個(gè)或多個(gè)未用部分可以從處理室102排出作為排泄氣體106。該排泄氣體106然后能夠被再循環(huán)用于沉積另一個(gè)半導(dǎo)體層。例如，系統(tǒng)100能夠以再循環(huán)方式進(jìn)行操作從而重復(fù)再循環(huán)沒有完全用于在處理室102內(nèi)沉積或生長(zhǎng)半導(dǎo)體層的排泄氣體106。圖2是根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的氣體處理系統(tǒng)200中的部件和流體流動(dòng)通道的示意圖。氣體處理系統(tǒng)200對(duì)用于沉積或生長(zhǎng)半導(dǎo)體層的未用氣體的至少一部分進(jìn)行再循環(huán)， 其方式與圖1所示的氣體處理系統(tǒng)100類似。氣體再循環(huán)系統(tǒng)200包括處理室202，它與處理室102 (圖1所示)類似。例如，處理室202可以包括通過CVD或PECVD沉積本征硅層的真空沉積室。處理室202接收一種或多種原料沉積氣體和再循環(huán)沉積氣體。處理室202利用原料和/或再循環(huán)沉積氣體沉積半導(dǎo)體層。例如，處理室202可以接收原料或純凈硅烷氣體、原料或純凈氫氣、再循環(huán)硅烷氣體和再循環(huán)氫氣中的一種或多種以沉積本征硅層。排泄氣體沿排泄流動(dòng)通道204從處理室202排出。排泄氣體包括在半導(dǎo)體層沉積過程期間剩下未用并且至少部分由系統(tǒng)200進(jìn)行再循環(huán)的一種或多種氣體和化學(xué)物種。例如，排泄氣體可以與排泄氣體106(圖1所示)類似。排泄流動(dòng)通道204包括排泄氣體能夠流過的流體通道。例如，排泄流動(dòng)通道204可以包括導(dǎo)管或包括能夠處理和引導(dǎo)排泄氣體的材料的其它通道。在所示實(shí)施例中，消除閥206設(shè)置在處理室202的下游。消除閥206包括能夠引導(dǎo)排泄氣體沿消除流動(dòng)通道208和貯藏器流動(dòng)通道210中的至少一個(gè)進(jìn)行流動(dòng)的閥。貯藏器流動(dòng)通道210包括排泄氣體能夠流過的流體通道。例如，貯藏器流動(dòng)通道210可以包括導(dǎo)管或包括能夠處理并引導(dǎo)排泄氣體的材料的其它通道。在一個(gè)實(shí)施例中，消除閥206包括三向閥。在第一位置，消除閥206允許排泄氣體沿消除流動(dòng)通道208進(jìn)行流動(dòng)并且基本上阻止所有排泄氣體沿貯藏器流動(dòng)通道210進(jìn)行流動(dòng)。在第二位置，消除閥206允許排泄氣體沿貯藏器流動(dòng)通道210進(jìn)行流動(dòng)并且基本阻止所有排泄氣體沿消除流動(dòng)通道208進(jìn)行流動(dòng)。替代地，消除閥206允許排泄氣體的一部分沿消除流動(dòng)通道208進(jìn)行流動(dòng)并且排泄氣體的另一部分沿貯藏器流動(dòng)通道210進(jìn)行流動(dòng)。例如，通過增加和/或限制沿消除流動(dòng)通道208和貯藏器流動(dòng)通道210的一個(gè)或多個(gè)的排泄氣體的流速，消除閥206可以調(diào)節(jié)排泄氣體沿消除流動(dòng)通道208和貯藏器流動(dòng)通道210的流動(dòng)。消除流動(dòng)通道208在消除閥206與消除裝置212之間進(jìn)行延伸。消除裝置212包括在將排泄氣體排入環(huán)境大氣作為廢氣214之前去除、轉(zhuǎn)換或破壞排泄氣體中的一種或多種化學(xué)物種的裝置或系統(tǒng)。例如，可以以等離子體消除裝置、焚化裝置、熱解裝置等等中的一種或多種實(shí)現(xiàn)消除裝置212。在所示實(shí)施例中，消除泵216設(shè)置在消除閥206與消除裝置 212之間。消除泵216包括能夠泵抽排泄氣體通過消除流動(dòng)通道208到達(dá)消除裝置212的泵。沿消除流動(dòng)通道208流入消除裝置212的排泄氣體受到處置或者以其它方式轉(zhuǎn)換成廢氣214并且散布到環(huán)境大氣或者外圍容器、室、空間等等。貯藏器流動(dòng)通道210在消除閥206與多個(gè)貯藏器216之間延伸。在所示實(shí)施例中， 貯藏器216包括多個(gè)回收貯藏器218和220以及混合貯藏器222。替代地，系統(tǒng)200可以包括不同數(shù)目的回收貯藏器218和220以及混合貯藏器222。貯藏器216可與圖1所示的貯藏器108類似。例如，回收貯藏器218和220的每一個(gè)可與圖1所示的回收貯藏器110類似，混合貯藏器222可與圖1所示的混合貯藏器112類似?；厥召A藏器218和220從貯藏器流動(dòng)通道210接收排泄氣體的至少一部分。回收貯藏器218和220中的一個(gè)或多個(gè)將排泄氣體傳送至混合貯藏器222。在一個(gè)實(shí)施例中，混合貯藏器222將排泄氣體與原料氣體進(jìn)行混合以形成再循環(huán)沉積氣體。再循環(huán)沉積氣體然后從混合貯藏器222進(jìn)入處理室202從而處理室202能夠利用再循環(huán)沉積氣體的至少一部分以沉積另一個(gè)半導(dǎo)體層。在所示的實(shí)施例中，過濾器2 設(shè)置在消除泵206與第一回收貯藏器218之間。在一個(gè)例子中，過濾器2 是粒子過濾器。過濾器2 可以包括當(dāng)排泄氣體流過過濾器2 時(shí)從排泄氣體去除一種或多種粒子的裝置。作為非限制性例子，過濾器2M可以包括機(jī)械網(wǎng)格過濾器。在所示實(shí)施例中，每個(gè)貯藏器216彼此互連并且流體連通以及與處理室202互連并且流體連通?；ミB貯藏器216使得排泄氣體能夠在包括處理室202、貯藏器流動(dòng)通道210 和貯藏器216的環(huán)中進(jìn)行流動(dòng)。在一個(gè)實(shí)施例中，貯藏器218和220是彼此可交換的。在另一個(gè)實(shí)施例中，排泄氣體的流動(dòng)可以繞過回收貯藏器218和220中的一個(gè)或多個(gè)并且流入混合貯藏器222。在所示的實(shí)施例中，串行設(shè)置回收貯藏器218和220。替代地，可以并行設(shè)置回收貯藏器218和220。例如，貯藏器流動(dòng)通道210可以分成兩個(gè)貯藏器流動(dòng)通道210，每個(gè)流入并行回收貯藏器218和220然后流入混合貯藏器222。每個(gè)并行貯藏器流動(dòng)通道210可以包括彼此流體耦合的一系列回收貯藏器218和220。在一個(gè)實(shí)施例中，可以獨(dú)立地從貯藏器流動(dòng)通道210去除回收貯藏器218和220 而排泄氣體繼續(xù)流入一個(gè)或多個(gè)剩余貯藏器216。例如，第一回收貯藏器218可以從貯藏器流動(dòng)通道210斷開和去除。在第一回收貯藏器218去除以后，貯藏器流動(dòng)通道210可以繼續(xù)流體連接剩余貯藏器216。例如，即使在從系統(tǒng)200去除回收貯藏器216和218之一以后，排泄氣體也能夠繼續(xù)在貯藏器216內(nèi)進(jìn)行收集并且進(jìn)行再循環(huán)。例如，當(dāng)回收貯藏器 216和218變得充滿排泄氣體或者受到污染時(shí)，可以去除回收貯藏器216和218。如圖2所示，回收貯藏器218和220的每個(gè)位于泵224、226，過濾器228、230以及閥232、234的下游并且與它們關(guān)聯(lián)。泵2 和2 包括通過貯藏器流動(dòng)通道210將排泄氣體移至貯藏器216以及沿貯藏器流動(dòng)通道210在貯藏器216之間移動(dòng)排泄氣體的泵。過濾器2 和230包括當(dāng)排泄氣體流過貯藏器流動(dòng)通道210時(shí)從排泄氣體去除一種或多種污染物的裝置。例如，過濾器2 和230可以通過機(jī)械方式和/或化學(xué)方式從排泄氣體過濾一種或多種污染物。在貯藏器216之間安置過濾器2 和230有助于對(duì)通過貯藏器流動(dòng)通道 210中位于過濾器2 和230的上游的貯藏器216引入到排泄氣體中的污染物進(jìn)行過濾。 在一個(gè)實(shí)施例中，過濾器2 和230包括用于從排泄氣體去除微粒的一個(gè)或多個(gè)機(jī)械網(wǎng)格過濾器。閥232和234的每個(gè)包括允許或限制排泄氣體流過貯藏器流動(dòng)通道210的一種或多種閥。例如，閥232和234可以包括允許或禁止排泄氣體流過貯藏器流動(dòng)通道210的止回閥。在一個(gè)實(shí)施例中，閥232和234改動(dòng)或以其它方式改變排泄氣體通過貯藏器流動(dòng)通道210的流速而同時(shí)允許至少一些排泄氣體通過對(duì)應(yīng)的閥232和234。在所示實(shí)施例中，泵224、226，過濾器2觀、230和閥232、2；34沿貯藏器流動(dòng)通道 210進(jìn)行定位從而使得每個(gè)回收貯藏器218和220位于泵224、226，過濾器2觀、230和閥 232和234中每一個(gè)的對(duì)應(yīng)一個(gè)的下游。例如，關(guān)于第一回收貯藏器218，過濾器2 位于泵2 與閥232之間從而沿貯藏器流動(dòng)通道210第一回收貯藏器218位于閥232的下游，閥 232位于過濾器228的下游，過濾器2 位于泵224的下游。存儲(chǔ)貯藏器218、220，泵224、 226，過濾器228、230和閥232、234的其它布置是可能的。例如，關(guān)于第二回收貯藏器220， 第二存儲(chǔ)貯藏器220位于過濾器230的下游，濾波器230位于泵2M的下游，泵2M位于閥 234的下游。盡管在圖2中沒有示出，但是與閥232和234之一類似的閥可以設(shè)置在混合貯藏器222的上游，其方式與閥232、234以及回收貯藏器218、220類似。與過濾器2 和230 之一類似的過濾器可以設(shè)置在混合貯藏器222的上游，其方式與過濾器228、230以及回收貯藏器218、220類似。與泵224、2沈之一類似的泵可以設(shè)置在混合貯藏器222的上游，其方式與泵224、226以及回收貯藏器218、220類似。在一個(gè)實(shí)施例中，回收貯藏器218和220在高于大氣壓的壓力下接收排泄氣體并且以高于大氣壓的壓力存儲(chǔ)排泄氣體，直到回收貯藏器218和220基本上充滿排泄氣體。 例如，回收貯藏器218和220可以繼續(xù)存儲(chǔ)排泄氣體直到回收貯藏器218和/或220中的排泄氣體的壓力超過預(yù)定壓力限制。然后位于基本滿的回收貯藏器218和220的下游的閥 (例如，閥234)可以開啟以允許排泄氣體順序流入回收貯藏器218和220系列中的下一個(gè)回收貯藏器218和220。每個(gè)貯藏器216與返回流動(dòng)通道236流體連通。例如，每個(gè)貯藏器216通過至少一個(gè)閥238、M0、242與返回流動(dòng)通道236流體耦合。返回流動(dòng)通道236在每個(gè)貯藏器216 與消除裝置212之間提供流體連通通道。例如，一個(gè)或多個(gè)貯藏器216中的排泄氣體能夠通過閥238、240和M2的對(duì)應(yīng)開啟的閥從對(duì)應(yīng)貯藏器216流入返回流動(dòng)通道236。返回流動(dòng)通道236包括排泄氣體能夠流過的流體通道。例如，返回流動(dòng)通道236可以包括導(dǎo)管或包括能夠處理和引導(dǎo)排泄氣體的材料的其它通道。閥238、M0、242包括當(dāng)閥238、M0、242處于一個(gè)位置時(shí)禁止或限制排泄氣體從對(duì)應(yīng)貯藏器216流入返回流動(dòng)通道236以及當(dāng)閥238、M0、242處于另一位置時(shí)允許排泄氣體從對(duì)應(yīng)貯藏器216流入返回流動(dòng)通道236的一種或多種閥。例如，閥238、M0、242可以包括一個(gè)或多個(gè)止回閥。返回流動(dòng)通道236在接口 244處與消除流動(dòng)通道208進(jìn)行流體耦合。 接口 244代表排泄氣體可以流過的位于返回流動(dòng)通道236與消除流動(dòng)通道208之間的結(jié)點(diǎn)或接口。排泄氣體能夠通過返回流動(dòng)通道236和消除流動(dòng)通道208從貯藏器216流入消除裝置212。每個(gè)貯藏器216與清洗流動(dòng)通道246進(jìn)行流體連通。例如，每個(gè)貯藏器216通過閥248、250、252中的至少一個(gè)與清洗流動(dòng)通道246進(jìn)行互連。清洗流動(dòng)通道246在每個(gè)貯藏器216與清洗氣源2M之間提供流體連通通道。清洗流動(dòng)通道246包括排泄氣體能夠流過的流體通道。例如，清洗流動(dòng)通道246可以包括導(dǎo)管或包括能夠處理并引導(dǎo)排泄氣體的材料的其它通道。清洗氣源邪4包括清洗氣體的源。例如，純凈氣源邪4能夠包括氮?dú)饣蚱渌栊詺怏w的加壓器皿或加壓罐。貯藏器216、清洗氣源2M和消除裝置212與返回流動(dòng)通道236、清洗流動(dòng)通道M6、消除流動(dòng)通道208流體連通從而使得獨(dú)立地對(duì)貯藏器216的排泄氣體進(jìn)行清洗。例如，一個(gè)或多個(gè)貯藏器216中的排泄氣體可能受到污染并且貯藏器 216可能需要對(duì)受到污染的排泄氣體進(jìn)行清洗。污染物的例子可以是在污染物可以到達(dá)處理室202的情況下會(huì)干擾或損害處理室202內(nèi)半導(dǎo)體層的沉積或生長(zhǎng)的化學(xué)物種。污染物的另一個(gè)例子可以是不期望的摻雜劑。如果處理室202先前用于生長(zhǎng)ρ型硅層但現(xiàn)在用于生長(zhǎng)本征或η型硅層，則在處理室202內(nèi)以及任何貯藏器216中的排泄氣體中用于產(chǎn)生ρ 型硅的化學(xué)物種(例如，硼)的存在可能是污染。從貯藏器216中的排泄氣體沖刷硼的存在以避免硼污染η型或本征硅。舉例來講，為了清洗第一回收貯藏器218，例如，可以關(guān)閉閥232以限制額外排泄氣體流入第一回收貯藏器218。開啟閥Μ8以在清洗氣源254與第一回收貯藏器218之間提供流體連通通道。開啟閥238以在第一回收貯藏器218與返回流動(dòng)通道236之間提供流體連通通道。然后清洗氣源2Μ用清洗氣體對(duì)清洗流動(dòng)通道246和第一回收貯藏器218的至少一部分進(jìn)行沖刷。清洗氣體對(duì)第一回收貯藏器218中的受污染的排泄氣體進(jìn)行沖刷并且使得排泄氣體經(jīng)由返回流動(dòng)通道236和消除流動(dòng)通道208從第一回收貯藏器218進(jìn)入消除裝置212。一旦從第一回收貯藏器218去除了受污染的排泄氣體，則閥248和238可以關(guān)閉并且閥232可以開啟從而允許額外排泄氣體從貯藏器流動(dòng)通道210流入第一回收貯藏器 216。在所示實(shí)施例中，每個(gè)貯藏器216可操作地與氣體成分分析器256、258、260進(jìn)行耦合。氣體成分分析器256、258和260可與圖1所示的氣體成分分析器114、120類似。例如，氣體成分分析器256、258J60中的每一個(gè)可以確定或測(cè)量對(duì)應(yīng)一個(gè)貯藏器216中的排泄氣體中的一種或多種污染物和化學(xué)物種的濃度。在一個(gè)實(shí)施例中，氣體成分分析器256、 258和260是測(cè)量對(duì)應(yīng)貯藏器216中的硅烷的濃度的殘留氣體分析器。一個(gè)或多個(gè)回收貯藏器218、220中的排泄氣體經(jīng)由貯藏器流動(dòng)通道210流入混合貯藏器222。例如，排泄氣體可以從回收貯藏器218、220傳送至混合貯藏器222，其方式與圖1所示的回收貯藏器110和混合貯藏器112類似。如上所述，在一個(gè)實(shí)施例中，回收貯藏器218和220中的每一個(gè)可以接收并存儲(chǔ)排泄氣體直到處理室202內(nèi)半導(dǎo)體層的沉積基本完成和/或回收貯藏器218和220基本充滿排泄氣體。例如，一旦半導(dǎo)體層的沉積完成和/ 或第一回收貯藏器218充滿排泄氣體，排泄氣體可以從第一回收貯藏器218傳送至第二回收貯藏器220和/或混合貯藏器222。以類似方式，在一個(gè)實(shí)施例中，第二回收貯藏器220 繼續(xù)接收排泄氣體直到第二回收貯藏器220基本充滿和/或處理室202內(nèi)半導(dǎo)體膜的沉積基本完成。然后排泄氣體可以從第二回收貯藏器220傳送至混合貯藏器222。在一個(gè)實(shí)施例中，排泄氣體可以不在回收貯藏器218與220之間互相傳送和/或從回收貯藏器220傳送至混合貯藏器222直到已經(jīng)針對(duì)成分和/或純度對(duì)回收貯藏器220 進(jìn)行了測(cè)試。例如，第一回收貯藏器218可以收集和存儲(chǔ)來自處理室202內(nèi)第一半導(dǎo)體層的沉積的排泄氣體。當(dāng)?shù)谝换厥召A藏器218基本充滿時(shí)和/或當(dāng)?shù)谝换厥召A藏器218中的排泄氣體的純度被確定并發(fā)現(xiàn)是大于最小純度閾值時(shí)，第一回收貯藏器218可以僅向第二回收貯藏器218傳送排泄氣體。然后排泄氣體可以傳送至第二回收貯藏器220。當(dāng)?shù)诙厥召A藏器220基本充滿時(shí)和/或當(dāng)?shù)诙厥召A藏器220中的排泄氣體的純度被確定和發(fā)現(xiàn)是大于最小純度閾值時(shí)，第二回收貯藏器220可以僅向混合貯藏器222傳送排泄氣體。然后排泄氣體可以傳送至混合貯藏器222。通過在多個(gè)回收貯藏器218、220的一個(gè)或多個(gè)中存儲(chǔ)并測(cè)試排泄氣體，系統(tǒng)200可以不需要在半導(dǎo)體層的沉積期間實(shí)時(shí)測(cè)試排泄氣體的純度和/或成分。作為替代，可以在一個(gè)或多個(gè)回收貯藏器218、220中收集來自半導(dǎo)體層的沉積的排泄氣體，在以后的時(shí)間點(diǎn)確定的污染物和/或化學(xué)物種的濃度然后傳送至混合貯藏器222。替代地，排泄氣體可以不在回收貯藏器218、220之間進(jìn)行傳送和/或從回收貯藏器220傳送至混合貯藏器222直到處理室202內(nèi)半導(dǎo)體層的沉積基本完成。替代地，當(dāng)從處理室202和/或一個(gè)或多個(gè)上游回收貯藏器218、220接收排泄氣體時(shí)，一個(gè)或多個(gè)回收貯藏器218、220中的排泄氣體可以傳送至混合貯藏器222。例如，排泄氣體可以經(jīng)由回收貯藏器218和220傳送至混合貯藏器222從而在半導(dǎo)體層的沉積的同時(shí)進(jìn)行再循環(huán)。在一個(gè)實(shí)施例中，排泄氣體在混合貯藏器222中進(jìn)行再循環(huán)(如下所述) 并且在繼續(xù)沉積半導(dǎo)體層的同時(shí)傳送至處理室202。在一個(gè)實(shí)施例中，排泄氣體在混合貯藏器222內(nèi)與來自一個(gè)或多個(gè)氣源貯藏器的一種或多種原料氣體進(jìn)行混合以形成排泄氣體和原料氣體的混合物。例如，原料氫氣(H2) 和/或原料硅烷氣體(SiH4)可以提供給混合貯藏器222并且與排泄氣體進(jìn)行混合以形成再循環(huán)沉積氣體?；旌腺A藏器222中的排泄氣體中的用于沉積半導(dǎo)體層的化學(xué)物種的濃度可能不夠。例如，混合貯藏器222中的排泄氣體可以包括濃度太低而不能夠在處理室202內(nèi)沉積硅層的硅烷量?；旌腺A藏器222中的排泄氣體中的化學(xué)物種的濃度可以由氣體成分分析器260進(jìn)行確定。原料氣體或純凈氣體包括相對(duì)較高濃度的該化學(xué)物種。例如，可以向混合貯藏器222中的排泄氣體添加原料硅烷氣體以增加排泄氣體中硅烷的濃度?；旌腺A藏器 222中排泄氣體與原料氣體的混合物將化學(xué)物種的濃度增加至沉積半導(dǎo)體層所需的最小水平。例如，可以向混合貯藏器222添加原料氣體直到混合貯藏器222中的排泄氣體中的例如硅烷的化學(xué)物種的濃度至少等于預(yù)定閾值?；旌腺A藏器222中的氣體中的化學(xué)物種的濃度可以由氣體成分分析器260進(jìn)行確定。系統(tǒng)200可以阻止混合貯藏器222中的再循環(huán)沉積氣體流入處理室202直到一種或多種化學(xué)物種的濃度超過一個(gè)或多個(gè)預(yù)定閾值。多個(gè)氣源貯藏器沈2、沈4可以經(jīng)由多個(gè)原料氣體流動(dòng)通道沈6、268與混合貯藏器 222流體耦合。氣源貯藏器沈2、264存儲(chǔ)相同或不同的原料氣體。例如，氣源貯藏器262可以存儲(chǔ)原料或純凈的硅烷氣體(SiH4)而氣源貯藏器264存儲(chǔ)原料或純凈的氫氣(H2)。多個(gè)閥270、272和質(zhì)流控制器274、276用于控制在混合貯藏器內(nèi)與排泄氣體進(jìn)行混合的原料氣體量以形成再循環(huán)沉積氣體。例如，氣源貯藏器沈2、264與混合貯藏器222之間的原料氣體流動(dòng)通道沈6、268的每個(gè)中的閥270、272操作以允許和禁止原料氣體從氣源貯藏器沈2、 264的每個(gè)流入混合貯藏器222。氣源貯藏器262、264與混合貯藏器222之間的原料氣體流動(dòng)通道266、268的每個(gè)中的質(zhì)流控制器274、276操作以控制原料氣體從各個(gè)氣源貯藏器262,264流入混合貯藏器222。例如，質(zhì)流控制器274允許在給定時(shí)間段內(nèi)流入混合貯藏器 222的氣源貯藏器沈2中的原料氣體量大于質(zhì)流控制器276允許從氣源貯藏器264流入的原料氣體量。混合貯藏器222通過再循環(huán)氣體流動(dòng)通道278與處理室202流體耦合。再循環(huán)氣體流動(dòng)通道278包括再循環(huán)沉積氣體能夠流過的流體通道。例如，再循環(huán)氣源流動(dòng)通道278 可以包括導(dǎo)管或包括能夠處理和引導(dǎo)再循環(huán)沉積氣體的材料的其它通道?；旌腺A藏器222 中的至少一些的再循環(huán)沉積氣體從混合貯藏器222流入處理室202。然后該再循環(huán)沉積氣體用于在處理室202內(nèi)沉積半導(dǎo)體層。一個(gè)或多個(gè)閥洲0、四4以及質(zhì)流控制器282設(shè)置在混合貯藏器222與處理室202之間的再循環(huán)氣體流動(dòng)通道278中以調(diào)整流入處理室202的再循環(huán)沉積氣體的量。例如，閥觀0、四4中的一個(gè)或多個(gè)可以關(guān)閉和開啟再循環(huán)氣體流動(dòng)通道278從而相應(yīng)地禁止和允許再循環(huán)沉積氣體從混合貯藏器222流入處理室202。質(zhì)流控制器282可以改變通過再循環(huán)氣體流動(dòng)通道278進(jìn)入處理室202的再循環(huán)沉積氣體的流速。在所示的實(shí)施例中，多個(gè)源氣流動(dòng)通道284和286將氣源貯藏器沈2、沈4的每一個(gè)與再循環(huán)氣體流動(dòng)通道278流體耦合。源氣流動(dòng)通道觀4、286的每一個(gè)包括原料氣體能夠從對(duì)應(yīng)氣源貯藏器262、264流過的流體通道。例如，源氣流動(dòng)通道觀4、286可以包括導(dǎo)管或包括能夠處理并引導(dǎo)一種或多種原料氣體的材料的其它通道。源氣流動(dòng)通道觀4、觀6 通過接口 288與再循環(huán)氣體流動(dòng)通道278連接并且提供流體連通通道。接口 288代表源氣流動(dòng)通道觀4、286與再循環(huán)氣體流動(dòng)通道278之間的來自氣源貯藏器沈2、264的再循環(huán)沉積氣體和一種或多種原料氣體可流過的結(jié)點(diǎn)或接口。源氣流動(dòng)通道觀4、286經(jīng)由至少一部分的再循環(huán)氣體流動(dòng)通道278在氣源貯藏器262、264與處理室202之間提供流體連通，從而存儲(chǔ)在氣源貯藏器沈2、264中的原料氣體能夠提供給處理室202。在一個(gè)實(shí)施例中，來自一個(gè)或多個(gè)氣源貯藏器262、264的至少一些原料氣體與來自混合貯藏器222的再循環(huán)沉積氣體一起提供給處理室202，從而在處理室202內(nèi)沉積半導(dǎo)體層。例如，處理室202可以使用來自混合貯藏器222的再循環(huán)沉積氣體、來自氣源貯藏器沈4的氫氣(H2)和來自氣源貯藏器沈2的硅烷氣體(SiH4)沉積半導(dǎo)體層。在一個(gè)實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)閥觀0、294可以關(guān)閉以禁止再循環(huán)沉積氣體流入處理室202，一個(gè)或多個(gè)閥四0、292可以開啟以允許一個(gè)或多個(gè)原料氣體流入處理室202。例如，如果再循環(huán)沉積氣體的污染物濃度太大而不能夠用于沉積半導(dǎo)體膜，則混合貯藏器222可以與處理室202密封隔離而氣源貯藏器262和/或 264被允許向處理室202提供原料氣體。在所示的實(shí)施例中，沿源氣流動(dòng)通道觀4、觀6的每一個(gè)在氣源貯藏器沈2、264與處理室202之間提供閥四0、四2以及質(zhì)流控制器四4、四6。閥四0、四2以及質(zhì)流控制器 294,296中的一個(gè)或多個(gè)調(diào)節(jié)從對(duì)應(yīng)氣源貯藏器262、264流入處理室202的原料氣體量。 例如，閥四0、292可以關(guān)閉和開啟源氣流動(dòng)通道觀6、284從而相應(yīng)地禁止和允許原料氣體從氣源貯藏器沈4、262流入處理室202。質(zhì)流控制器290、292可以改變通過源氣流動(dòng)通道 286,284并且進(jìn)入處理室202的原料氣體的流速。如上所述，處理室202接收再循環(huán)沉積氣體和原料氣體中的一種或多種以沉積或生長(zhǎng)半導(dǎo)體層。再循環(huán)沉積氣體和原料氣體的一個(gè)或更多未用部分從處理室202輸出到排泄流動(dòng)通道204作為排泄氣體。然后該排泄氣體可以進(jìn)行再循環(huán)并且至少一部分的排泄氣
14體用于形成再循環(huán)沉積氣體。這樣做，系統(tǒng)200減少了在已知半導(dǎo)體層生長(zhǎng)過程內(nèi)浪費(fèi)的氣體和化學(xué)物種的量。在一個(gè)實(shí)施例中，系統(tǒng)200包括控制器四6，控制器296用于控制閥206、232、238、 248、234、240、250、252、242、270、272、290、292、294 和質(zhì)流控制器 274、276、282、294、296 中的一個(gè)或多個(gè)。例如，控制器296可以開啟和關(guān)閉閥206、232、238、248、2；34、240、250、252、 對(duì)2、270、272、四0、四2、四4中的一個(gè)或多個(gè)并且調(diào)整通過質(zhì)流控制器274、276、沘2、四4、 四6中的一個(gè)或多個(gè)的氣體的流速。如圖3所示，在一個(gè)實(shí)施例中，控制器四6與閥206、 232、238、248、234、240、250、252、242、270、272、290、292、294 以及質(zhì)流控制器 274、276、 282,294,296進(jìn)行通信耦合。控制器296可以實(shí)現(xiàn)為計(jì)算裝置，例如，任何一個(gè)或多個(gè)具有單個(gè)處理器或多個(gè)處理器的現(xiàn)成PC，功能性操作被分布在這些處理器之間。替代地，可利用專用硬件板、DSP、處理器等等的任何組合實(shí)現(xiàn)控制器四6?？刂破?96接收關(guān)于系統(tǒng)200 的輸入298并且傳送輸出信號(hào)作為輸出300，如下所述。在一個(gè)實(shí)施例中，輸入四8向控制器296傳送系統(tǒng)200的度量和/或指令，而輸出300向系統(tǒng)200的一個(gè)或多個(gè)部件傳送指示并且基于輸入四8。圖3是根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的氣體處理系統(tǒng)200中的部件和通信通道的示意圖。如圖3所示，在一個(gè)實(shí)施例中，控制器296通信連接閥206、232、238、248、2；34、240、250、252、 242,270,272,290,292,294和質(zhì)流控制器274、276、沘2、四4、四6中的每一個(gè)。在一個(gè)實(shí)施例中，控制器296接收的輸入298可以來自輸入裝置(未示出)或者閥206、232、238、對(duì)8、 234、240、250、252、242、270、272、290、292、294 和質(zhì)流控制器 274、276、282、294、296 中的一個(gè)或多個(gè)。例如，系統(tǒng)200的用戶可以使用輸入裝置(例如，鍵盤、鼠標(biāo)、麥克風(fēng)、智能電話、 等等)輸入輸入四8。作為另一個(gè)例子，氣體成分分析器256、258、260中的一個(gè)或多個(gè)可以將輸入298傳送至控制器四6?？刂破?96包括處理器302和計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)304。表示處理器302和存儲(chǔ)介質(zhì)304的功能塊不需要表示硬件電路之間的劃分。因此，例如，可以在單個(gè)硬件(例如， 通用信號(hào)處理器或者隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器、硬盤、等等)中實(shí)現(xiàn)一個(gè)或多個(gè)功能塊(例如，處理器或存儲(chǔ)器)。類似的是，程序可以是孤立程序，可以作為子例程包括在操作系統(tǒng)內(nèi)，可以是安裝的軟件套裝中的函數(shù)、等等。應(yīng)該明白，各種實(shí)施例不限于圖3所示的布置和手段。可以在一個(gè)或多個(gè)處理器、專用硬件板、DSP等等中實(shí)現(xiàn)處理器302?？梢栽谝粋€(gè)或多個(gè)計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)器(例如，硬盤驅(qū)動(dòng)器、ROM驅(qū)動(dòng)器、RAM驅(qū)動(dòng)器、閃存驅(qū)動(dòng)器、等等)中實(shí)現(xiàn)計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)304?；谳斎胨?，控制器296確定一個(gè)或多個(gè)指示或指令并且將它們傳送至閥206、 232、238、248、234、240、250、252、242、270、272、290、292、294 和質(zhì)流控制器 274、276、282、 294,296中的一個(gè)或多個(gè)作為輸出300。例如，控制器296可以從用戶接收指引控制器四6 啟動(dòng)消除閥206的輸入298從而更多或更少排泄氣體沿消除流動(dòng)通道208進(jìn)行轉(zhuǎn)移。在另一個(gè)例子中，控制器296可以從用戶接收指示回收貯藏器218中的排泄氣體受到污染的輸入四8。作為響應(yīng)，處理器302產(chǎn)生傳送至系統(tǒng)200的恰當(dāng)部件的信號(hào)。例如，處理器302 可以產(chǎn)生和傳送信號(hào)作為至少關(guān)閉閥232、234并且開啟閥238、248從而能夠?qū)厥召A藏器 218中的受污染排泄氣體進(jìn)行沖刷或清洗的輸出四8?？刂破?96可以接收被引入處理室 202的再循環(huán)沉積氣體和原料氣體的指示或相對(duì)量。作為響應(yīng)，處理器302可以產(chǎn)生并傳送信號(hào)作為輸出四8以開啟和/或關(guān)閉閥觀0、四0、292中的一個(gè)或多個(gè)以對(duì)應(yīng)地調(diào)整被引入處理室202的再循環(huán)沉積氣體和原料氣體的相對(duì)量。在一個(gè)實(shí)施例中，控制器296接收輸入四8并且啟動(dòng)質(zhì)流控制器274、276、觀2、四4、四6中的一個(gè)或多個(gè)。例如，控制器296可以從用戶接收指引控制器296啟動(dòng)質(zhì)流控制器觀2、四4、四6中的一個(gè)或多個(gè)的輸入四8。 作為響應(yīng)，處理器302產(chǎn)生并且傳送信號(hào)作為調(diào)整對(duì)應(yīng)質(zhì)流控制器觀2、四4、四6的一個(gè)或多個(gè)設(shè)置以調(diào)整被引入處理室202的再循環(huán)沉積氣體和原料氣體的相對(duì)量的輸出四8。在一個(gè)實(shí)施例中，系統(tǒng)200以閉環(huán)方式進(jìn)行操作從而阻止污染物流入處理室202 和/或控制進(jìn)入處理室202的一種或多種化學(xué)物種的濃度。例如，氣體成分分析器256、258、 260可以確定貯藏器216中的一種或多種污染物和化學(xué)物種的濃度。這些濃度被傳送至控制器296作為輸入四8。處理器302將這些濃度中的一個(gè)或多個(gè)與存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)304上的一個(gè)或多個(gè)預(yù)定閾值進(jìn)行比較。如果濃度超過或低于一個(gè)或多個(gè)閾值，則處理器302產(chǎn)生一個(gè)或多個(gè)信號(hào)并且將這些信號(hào)作為輸出300傳送至閥206、232、238、對(duì)8、 234、240、250、252、242、270、272、290、292、294 和質(zhì)流控制器 274、276、282、294、296 中的至少一個(gè)。輸出 300 可以指引閥 206、232、238、對(duì)8、234、對(duì)0、250、252、對(duì)2、270、272、四0、四2、 294和質(zhì)流控制器274、276、觀2、四4、296中的一個(gè)或多個(gè)開啟，關(guān)閉和/或以其它方式調(diào)整排泄和/或原料氣體的流速?gòu)亩鴾p小污染物的濃度，化學(xué)物種的濃度近似保持不變、增大或減小，和/或氣體流入系統(tǒng)200的部件和/或氣體從系統(tǒng)200的部件流出被中斷。氣體成分分析器256、258、260可以繼續(xù)監(jiān)視貯藏器216中的污染物和/或化學(xué)物種的濃度以及將這些濃度傳送至控制器四6。通過控制閥206、232、238、M8、234、M0、250、252、M2、270、 272、四0、四2、四4和質(zhì)流控制器274、276、沘2、四4、296中的一個(gè)或多個(gè)，控制器四6可以繼續(xù)改變流入處理室202的再循環(huán)沉積氣體和原料氣體的流動(dòng)。例如，基于由氣體成分分析器256、258、260測(cè)量的污染濃度水平，控制器296通過指引位于對(duì)應(yīng)一個(gè)貯藏器216上游的一個(gè)或多個(gè)閥關(guān)閉可以阻止受污染排泄氣體流入一個(gè)或多個(gè)回收貯藏器218、220和/或混合貯藏器222。在另一個(gè)例子中，控制器296能夠基于混合貯藏器222和/或處理室202中的化學(xué)物種的濃度增加或減小原料氣體流入混合貯藏器222和/或處理室202以增加或減小化學(xué)物種的濃度。在一個(gè)實(shí)施例中，控制器296基于相同或不同調(diào)度指引氣體成分分析器256、258、 260中的一個(gè)或多個(gè)確定排泄氣體和再循環(huán)沉積氣體中的污染物和/或化學(xué)物種的濃度。 例如，在處理室202內(nèi)沉積半導(dǎo)體層期間控制器296可以使得氣體成分分析器260多次確定混合貯藏器222中的再循環(huán)沉積氣體中的化學(xué)物種的濃度，而在這個(gè)相同時(shí)間段內(nèi)氣體成分分析器256、258以較少次數(shù)確定回收貯藏器218、220中的污染物的濃度。替代地，氣體成分分析器256、258、260基于近似相同調(diào)度確定污染物和/或化學(xué)物種濃度。圖4是根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的用于在處理系統(tǒng)中再循環(huán)排泄氣體的方法400的流程圖。方法400按照一個(gè)順序呈現(xiàn)某些步驟，根據(jù)一個(gè)實(shí)施例示出和描述方法400。在一個(gè)或多個(gè)其它實(shí)施例中，可以改變方法400的步驟以及步驟的順序，以及添加和去除一個(gè)或多個(gè)步驟。關(guān)于方法400，在402從處理室接收排泄氣體。例如，可以至少在回收貯藏器218、 220(圖2所示)之一內(nèi)接收來自處理室202的排泄氣體(圖2所示)。在404，確定一種或多種污染物的濃度。例如，氣體成分分析器256、258(圖2所示)可以測(cè)量容納在回收貯藏器218、220中的排泄氣體中的污染物的濃度。在406，確定排泄氣體的純度是否足夠高。例如，在測(cè)量的污染物濃度與預(yù)定最大污染物濃度之間進(jìn)行比較。如果污染物濃度超過最大污染物濃度，則方法400進(jìn)入406與408之間。在408，阻止排泄氣體被傳送至混合貯藏器。例如，位于混合貯藏器222上游的一個(gè)或多個(gè)閥可以關(guān)閉以阻止受污染的排泄氣體流入混合貯藏器222。另一方面，在406，如果在404確定的污染物濃度沒有超過最大污染物濃度，則方法400進(jìn)入406與410之間。在410，排泄氣體被傳送至混合貯藏器。例如，回收貯藏器 218,220的一個(gè)或多個(gè)中的排泄氣體被傳送至混合貯藏器222。在412，確定容納在混合貯藏器中的排泄氣體中的一種或多種污染物和/或化學(xué)物種的濃度。例如，氣體成分分析器沈0(圖2所示)可以測(cè)量混合貯藏器222中的污染物和/或化學(xué)物種的濃度。在414，確定混合貯藏器中的排泄氣體的純度是否足夠高。例如，在混合貯藏器222中測(cè)量的污染物濃度與預(yù)定最大污染物濃度之間進(jìn)行比較。如果污染物濃度超過最大污染物濃度，則方法 400進(jìn)入414與416之間。在416，阻止排泄氣體從混合貯藏器傳送至處理室作為再循環(huán)沉積氣體。例如，位于混合貯藏器222與處理室202之間的一個(gè)或多個(gè)閥可以關(guān)閉以阻止受污染的排泄氣體從混合貯藏器222流入處理室202。在一個(gè)實(shí)施例中，在406和414使用的最大污染物濃度或閾值是相同的。替代地，在406和414使用的最大污染物濃度不同。在414，如果在412確定的污染物濃度沒有超過最大污染物濃度，則方法400進(jìn)入 414與418之間。在418，確定混合貯藏器中的排泄氣體是否具有要被傳送至處理室的足夠成分。例如，確定用于在處理室內(nèi)沉積半導(dǎo)體層所需的一種或多種化學(xué)物種的濃度是否超過最小閾值。氣體成分分析器260可以測(cè)量容納在混合貯藏器222中的氣體中例如硅烷的化學(xué)物種的濃度。如果化學(xué)物種的濃度沒有超過最小閾值，則方法400進(jìn)入418與420之間。在420，增加流入混合貯藏器的一種或多種原料氣體。例如，原料硅烷和/或氫氣可以被傳送至混合貯藏器222以增加容納在混合貯藏器222中的氣體中的硅烷和/或氫氣的濃度。方法400進(jìn)入420與412之間，如上所述，再次確定一種或多種污染物和/或化學(xué)物種的濃度。例如，方法400進(jìn)入再循環(huán)，由此通過混合貯藏器容納的氣體中的污染物和化學(xué)物種的濃度被確定并且化學(xué)物種的濃度被增加直到化學(xué)物種的濃度超過閾值。如果在418確定化學(xué)物種的濃度超過最小閾值，則方法400進(jìn)入418與422之間。 在422，容納在混合貯藏器中的氣體被提供給處理室。例如，容納在混合貯藏器222中的再循環(huán)沉積氣體可以被傳送至處理室202從而用于沉積半導(dǎo)體層。方法400進(jìn)入422與402 之間。例如，方法400進(jìn)入再循環(huán)，由此來自沉積一個(gè)半導(dǎo)體層的排泄氣體的至少一些被再循環(huán)并且重新用于沉積同一半導(dǎo)體層的更多部分或者另一個(gè)半導(dǎo)體層。本文所述的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例提供用于對(duì)沉積半導(dǎo)體層剩下未用的氣體的至少一部分進(jìn)行再循環(huán)的系統(tǒng)和方法。這些系統(tǒng)和方法可以提供閉環(huán)系統(tǒng)，由此排泄氣體的成分和純度被監(jiān)視，并且當(dāng)污染物濃度太高時(shí)能夠阻止排泄氣體到達(dá)混合貯藏器和/或處理室。在沉積半導(dǎo)體層期間消耗的化學(xué)物種的濃度可以被監(jiān)視并且通過向混合貯藏器和/或處理室流入原料氣體可以增加化學(xué)物種的濃度。這些系統(tǒng)和方法可以是全自動(dòng)或部分自動(dòng)的。在一個(gè)實(shí)施例中，在處理室內(nèi)沉積半導(dǎo)體層的同時(shí)，可以測(cè)量排泄氣體的污染物和/或化學(xué)物種濃度并且將排泄氣體重構(gòu)成再循環(huán)沉積氣體。應(yīng)該明白，以上描述是示意性的而非限制性的。例如，上述的實(shí)施例(和/或它的方面)可以用于進(jìn)行彼此組合。此外，在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下，可以進(jìn)行多種變動(dòng)以適應(yīng)本發(fā)明的教導(dǎo)的特定情況或材料。本文所述的材料的尺寸、類型、各種部件的方向以及各種部件的數(shù)目和位置意圖定義某些實(shí)施例的參數(shù)并且絕非進(jìn)行限制并且僅僅是實(shí)例實(shí)施例。當(dāng)回顧以上描述時(shí)，本領(lǐng)域技術(shù)人員將清楚權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)的許多其它實(shí)施例和變型。因此，應(yīng)當(dāng)參照所附權(quán)利要求及其等同物的全范圍確定本發(fā)明的范圍。在所附權(quán)利要求中，術(shù)語“包括”和“在其中”用作對(duì)應(yīng)術(shù)語“包含”和“其中”的普通英文等同物。此外，在下面的權(quán)利要求中，術(shù)語“第一”、“第二”和“第三”等等僅僅用作標(biāo)記，并非意圖對(duì)它們對(duì)象施加數(shù)字要求。另外，下面權(quán)利要求的限制沒有按照裝置加功能形式進(jìn)行書寫并且并非基于35U. S. C. ξ 112第六段進(jìn)行解釋，除非以及直到這些權(quán)利要求限定清楚地使用在功能描述后的短語“......的裝置”，而缺乏進(jìn)一步的結(jié)構(gòu)。
權(quán)利要求
1.一種再循環(huán)系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括處理室，用于接收沉積在半導(dǎo)體層上的沉積氣體，所述處理室具有排出沉積氣體的未用部分作為排泄氣體的排氣裝置；回收貯藏器，與處理室流體連通，所述回收貯藏器用于接收并存儲(chǔ)來自處理室的排泄氣體；以及混合貯藏器，與回收貯藏器和處理室流體連通，所述混合貯藏器用于將排泄氣體與原料氣體進(jìn)行混合以形成再循環(huán)沉積氣體，所述混合貯藏器向處理室提供再循環(huán)沉積氣體以沉積半導(dǎo)體層的附加部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的系統(tǒng)，其中，所述回收貯藏器存儲(chǔ)來自半導(dǎo)體層的沉積的排泄氣體并且當(dāng)排泄氣體的純度超過最小純度閾值時(shí)將排泄氣體傳送至混合貯藏器。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的系統(tǒng)，還包括操作地與回收貯藏器進(jìn)行耦合的氣體成分分析器， 所述氣體成分分析器用于測(cè)量回收貯藏器中的排泄氣體中的污染物的濃度，其中，僅僅當(dāng)污染物的濃度低于預(yù)定污染物閾值時(shí)，排泄氣體從回收貯藏器傳送至混合C藏器。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的系統(tǒng)，還包括操作地與混合貯藏器進(jìn)行耦合的氣體成分分析器， 所述氣體成分分析器用于測(cè)量混合貯藏器中的再循環(huán)沉積氣體中的污染物的濃度，其中， 當(dāng)污染物的濃度低于預(yù)定污染物閾值時(shí)，再循環(huán)沉積氣體從混合貯藏器傳送至處理室。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的系統(tǒng)，還包括操作地與混合貯藏器耦合的氣體成分分析器，所述氣體成分分析器用于測(cè)量混合貯藏器中的再循環(huán)沉積氣體中的化學(xué)物種的濃度，所述化學(xué)物種在半導(dǎo)體層的附加部分和另一個(gè)半導(dǎo)體層的至少一個(gè)的沉積過程中至少部分被消耗， 其中，當(dāng)化學(xué)物種的濃度超過預(yù)定化學(xué)物種閾值時(shí)，再循環(huán)沉積氣體從混合貯藏器傳送至處理室。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的系統(tǒng)，還包括與混合貯藏器流體連通的氣源貯藏器，所述氣源貯藏器被構(gòu)造為向混合貯藏器提供原料氣體以便增加再循環(huán)沉積氣體中的化學(xué)物種的濃度， 所述化學(xué)物種在半導(dǎo)體層的附加部分和另一個(gè)半導(dǎo)體層的至少一個(gè)的沉積過程中至少部分被消耗。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的系統(tǒng)，其中，所述回收貯藏器以高于大氣壓的壓力存儲(chǔ)排泄氣體。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的系統(tǒng)，其中，所述回收貯藏器被構(gòu)造為從與處理室和混合貯藏器的流體連通中去除并且被另一個(gè)回收貯藏器替代。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的系統(tǒng)，還包括位于處理室與回收和混合貯藏器中的至少一個(gè)之間的加壓泵，所述加壓泵以負(fù)壓從處理室抽取排泄氣體并且以高于大氣壓的壓力將排泄氣體排入回收和混合貯藏器中的至少一個(gè)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的系統(tǒng)，其中，所述回收貯藏器收集并存儲(chǔ)來自半導(dǎo)體層的沉積的排泄氣體直到沉積基本完成。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的系統(tǒng)，其中，在半導(dǎo)體層的沉積基本完成并且回收貯藏器中的排泄氣體的純度超過最小閾值以后，排泄氣體從回收貯藏器傳送至混合貯藏器。
12.根據(jù)權(quán)利要求1的系統(tǒng)，其中，所述系統(tǒng)包括一系列彼此流體耦合的多個(gè)回收貯藏器，該系列的回收貯藏器與處理室和混合貯藏器流體耦合。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的系統(tǒng)，其中，當(dāng)回收貯藏器的純度超過最小閾值時(shí)，該系列中的一個(gè)回收貯藏器中的排泄氣體被傳送至下游回收貯藏器。
14.一種對(duì)用于沉積半導(dǎo)體層的沉積氣體的至少一部分進(jìn)行再循環(huán)的方法，所述方法包括從沉積半導(dǎo)體層的處理室排出排泄氣體，所述排泄氣體包括沉積氣體的未用部分； 確定排泄氣體的污染物濃度；當(dāng)污染物濃度低于最大污染物濃度時(shí)，向混合貯藏器傳送排泄氣體； 在混合貯藏器內(nèi)將排泄氣體與原料氣體進(jìn)行混合以形成再循環(huán)沉積氣體；以及向處理室傳送再循環(huán)沉積氣體以利用再循環(huán)沉積氣體沉積半導(dǎo)體層的附加部分。
15.根據(jù)權(quán)利要求14的方法，還包括在傳送再循環(huán)沉積氣體之前確定再循環(huán)沉積氣體中的化學(xué)物種濃度，其中，與排泄氣體進(jìn)行混合的原料氣體的量基于化學(xué)物種濃度。
16.根據(jù)權(quán)利要求14的方法，其中，當(dāng)再循環(huán)沉積氣體中的化學(xué)物種的濃度超過最小閾值時(shí)，傳送再循環(huán)沉積氣體。
17.根據(jù)權(quán)利要求14的方法，其中，排出排泄氣體包括將排泄氣體排入與處理室和混合貯藏器流體連通的回收貯藏器，還包括將排泄氣體存儲(chǔ)在回收貯藏器內(nèi)。
18.根據(jù)權(quán)利要求17的方法，其中，存儲(chǔ)排泄氣體包括存儲(chǔ)排泄氣體，直到回收貯藏器基本充滿排泄氣體以及半導(dǎo)體層的沉積基本完成中的至少一種情況發(fā)生。
19.根據(jù)權(quán)利要求14的方法，其中，排出排泄氣體包括從處理室以負(fù)壓抽取排泄氣體并且以高于大氣壓的壓力將排泄氣體存儲(chǔ)在回收貯藏器和混合貯藏器的至少一個(gè)中。
20.根據(jù)權(quán)利要求14的方法，其中，當(dāng)混合貯藏器中的污染物濃度低于最大閾值以及混合貯藏器中的化學(xué)物種濃度超過最小閾值中的至少一種情況發(fā)生時(shí)，混合排泄氣體與原料氣體。
21.一種對(duì)用于在處理室內(nèi)沉積半導(dǎo)體層的氣體進(jìn)行再循環(huán)的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括 回收貯藏器，用于在半導(dǎo)體層的沉積期間接收從處理室排出的排泄氣體并且存儲(chǔ)從處理室排出的排泄氣體；氣體成分分析器，用于確定回收貯藏器中的排泄氣體的成分和純度中的至少一個(gè)；以及混合貯藏器，當(dāng)排泄氣體的成分和純度中的至少一個(gè)超過最小閾值時(shí)從回收貯藏器接收排泄氣體，其中，在混合貯藏器內(nèi)排泄氣體與原料氣體進(jìn)行混合以形成再循環(huán)沉積氣體， 所述再循環(huán)沉積氣體用于沉積半導(dǎo)體層的附加部分。
22.根據(jù)權(quán)利要求21的系統(tǒng)，其中，所述系統(tǒng)包括彼此流體連通、以及與處理室和混合貯藏器流體連通的多個(gè)回收貯藏器。
23.根據(jù)權(quán)利要求22的系統(tǒng)，其中，回收貯藏器中的至少一個(gè)被構(gòu)造為從與其它回收貯藏器的流體連通中去除，而至少一個(gè)其它回收貯藏器繼續(xù)接收排泄氣體。
24.根據(jù)權(quán)利要求22的系統(tǒng)，其中，當(dāng)?shù)谝换厥召A藏器中的排泄氣體的純度超過預(yù)定最小值時(shí)，多個(gè)回收貯藏器中的第一回收貯藏器向第二回收貯藏器和混合貯藏器中的至少一個(gè)傳送排泄氣體。
25.根據(jù)權(quán)利要求22的系統(tǒng)，其中，當(dāng)半導(dǎo)體層的沉積基本完成時(shí)，多個(gè)回收貯藏器中的第一回收貯藏器向第二回收貯藏器和混合貯藏器中的至少一個(gè)傳送排泄氣體。
26.根據(jù)權(quán)利要求21的系統(tǒng)，其中，當(dāng)沉積基本完成時(shí)，回收貯藏器接收并存儲(chǔ)來自半導(dǎo)體層的沉積的排泄氣體并且將排泄氣體傳送至混合貯藏器。
27.根據(jù)權(quán)利要求21的系統(tǒng)，還包括位于處理室與回收貯藏器之間的泵，所述泵以負(fù)壓從處理室抽取排泄氣體并且以高于大氣壓的氣壓將排泄氣體泵入回收貯藏器。
28.根據(jù)權(quán)利要求21的系統(tǒng)，還包括用于向混合貯藏器和處理室傳送原料氣體的氣源貯藏器，其中，當(dāng)回收貯藏器中的排泄氣體的純度低于預(yù)定閾值時(shí)，阻止再循環(huán)沉積氣體流入處理室并且允許原料氣體從氣源貯藏器流入處理室。
29.根據(jù)權(quán)利要求21的系統(tǒng)，其中，半導(dǎo)體層包括本征硅。
全文摘要
一種再循環(huán)系統(tǒng)包括處理室、回收貯藏器和混合貯藏器。處理室被構(gòu)造為接收沉積在半導(dǎo)體層上的沉積氣體。處理室具有排出沉積氣體的未用部分作為排泄氣體的排氣裝置?；厥召A藏器與處理室流體連通?；厥召A藏器被構(gòu)造為接收并存儲(chǔ)來自處理室的排泄氣體?；旌腺A藏器與回收貯藏器和處理室流體連通。混合貯藏器被構(gòu)造為將排泄氣體與原料氣體進(jìn)行混合以形成再循環(huán)沉積氣體。混合貯藏器向處理室提供再循環(huán)沉積氣體以沉積半導(dǎo)體層的附加部分。
文檔編號(hào)H01L21/02GK102246272SQ200980149214
公開日2011年11月16日 申請(qǐng)日期2009年12月10日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月10日
發(fā)明者B·O·斯蒂姆森, G·N·侯塞因, J·M·斯特芬斯 申請(qǐng)人:薄膜硅公司