技術(shù)編號(hào)：7209647
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明一般涉及再循環(huán)系統(tǒng)和方法，更具體地講，涉及用于再循環(huán)一種或多種氣體的系統(tǒng)和方法。背景技術(shù)一些已知的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)使用化學(xué)氣相沉積(“CVD”)或等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(“PECVD”)沉積半導(dǎo)體層。這些系統(tǒng)使得沉積氣體流過處理室從而沉積或以其它方式生長(zhǎng)半導(dǎo)體層。沉積氣體包括用于沉積半導(dǎo)體層的一種或多種化學(xué)物種。例如，已知系統(tǒng)使用硅烷(SiH4)和氫氣(H2)沉積半導(dǎo)體層。用于這些系統(tǒng)的沉積氣體的大量部分未經(jīng)使用。例如，在利用硅烷生長(zhǎng)半導(dǎo)體層的已知系...
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