專利名稱：半導(dǎo)體裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有溝構(gòu)造的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
圖12表示現(xiàn)有的具有溝構(gòu)造的縱型絕緣柵型半導(dǎo)體裝置的剖面之一例。該半導(dǎo) 體裝置9A具備第一 η型半導(dǎo)體層911、第二 η型半導(dǎo)體層912、ρ型半導(dǎo)體層913、η型半導(dǎo) 體層914、溝93、柵極電極94和柵極絕緣層95。第一 η型半導(dǎo)體層911成為半導(dǎo)體裝置9Α的基臺(tái)。第二 η型半導(dǎo)體層912形成 于第一 η型半導(dǎo)體層911上。P型半導(dǎo)體層913形成于第二 η型半導(dǎo)體層912上。η型半 導(dǎo)體區(qū)域914形成于ρ型半導(dǎo)體層913上。溝93以貫通η型半導(dǎo)體區(qū)域914和ρ型半導(dǎo)體層913到達(dá)第二 η型半導(dǎo)體層912 的方式形成。在溝93的內(nèi)部形成有柵極電極94和柵極絕緣層95。柵極絕緣層95將柵極 電極94與第二 η型半導(dǎo)體層912、ρ型半導(dǎo)體層913和η型半導(dǎo)體區(qū)域914絕緣。柵極絕 緣層95沿溝93的內(nèi)面形成。在這種半導(dǎo)體裝置9Α中，在逆偏壓時(shí)，在柵極絕緣層95的底部引起電場集中。當(dāng) 引起這樣的電場集中時(shí)，可能引起柵極絕緣層95的絕緣破壞。專利文獻(xiàn)1 (日本)特開平01-192174號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述的問題而完成的，其課題在于，提供可以使絕緣層的絕緣破壞 難以發(fā)生的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。本發(fā)明第一方面提供一種半導(dǎo)體裝置，其具備具有形成有溝的第一面和與該第 一面為相反側(cè)的第二面的半導(dǎo)體層；設(shè)置于上述溝內(nèi)的柵極電極；和設(shè)置于上述溝內(nèi)、并 將上述半導(dǎo)體層和上述柵極電極相互絕緣的絕緣層，上述半導(dǎo)體層包括具有第一導(dǎo)電型 的第一半導(dǎo)體層；和具有與上述第一導(dǎo)電型相反的第二導(dǎo)電型的第二半導(dǎo)體層，上述溝貫 通上述第二半導(dǎo)體層到達(dá)上述第一半導(dǎo)體層，上述第二半導(dǎo)體層具有比上述溝更接近上述 半導(dǎo)體層的上述第二面的接近部。本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方式中，上述第二半導(dǎo)體層具有沿著上述溝設(shè)置且與上述第一 半導(dǎo)體層相接的溝道區(qū)域，上述溝道區(qū)域的雜質(zhì)濃度比上述接近部的雜質(zhì)濃度小。本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方式中，上述半導(dǎo)體層還包括形成于上述溝的周圍的半導(dǎo)體區(qū) 域，在上述第一半導(dǎo)體層、上述第二半導(dǎo)體層、或上述半導(dǎo)體區(qū)域形成有凹部，上述接近部 和上述凹部在與上述溝的深度方向垂直的寬度方向上重疊。本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方式中，上述半導(dǎo)體層還具備具有上述第二導(dǎo)電型的追加半導(dǎo) 體區(qū)域，上述追加半導(dǎo)體區(qū)域形成于上述第一半導(dǎo)體層內(nèi)、并且與上述第二半導(dǎo)體層分離。本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方式中，上述追加半導(dǎo)體區(qū)域與上述溝的底部相接。本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方式中，上述追加半導(dǎo)體區(qū)域以從上述溝的底部遍及到上述溝的側(cè)面地與上述溝相接的方式形成。本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方式中，上述追加半導(dǎo)體區(qū)域與上述溝相接，上述追加半導(dǎo)體 區(qū)域和上述溝的邊界在上述溝的深度方向上看僅存在于上述溝的開口部的內(nèi)側(cè)。本發(fā)明第二方面提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其具有下述各工序在半導(dǎo)體 基板的表面形成溝和凹部；在上述溝內(nèi)形成絕緣層；在上述溝內(nèi)形成層疊于上述絕緣層的 柵極電極；通過對上述凹部照射離子，形成與上述凹部的底面相鄰且導(dǎo)電型與上述半導(dǎo)體 基板不同的第一半導(dǎo)體區(qū)域；和通過對上述半導(dǎo)體基板的上述表面照射離子，形成導(dǎo)電型 與上述半導(dǎo)體基板不同的第二半導(dǎo)體區(qū)域，上述第一半導(dǎo)體區(qū)域和第二半導(dǎo)體區(qū)域相連， 上述溝貫通上述第二半導(dǎo)體區(qū)域。通過參照附圖進(jìn)行以下的詳細(xì)說明，本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將更明了。


圖1是表示基于本發(fā)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的主要部分剖面圖。圖2是表示圖1所示的半導(dǎo)體裝置的制造工序的一部分的主要部分剖面圖。圖3是表示接著圖2之后的工序的主要部分剖面圖。圖4是表示基于本發(fā)明第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的主要部分剖面圖。圖5A是表示圖4所示的半導(dǎo)體裝置的制造工序的一部分的主要部分剖面圖，是表 示之后繼續(xù)的工序的主要部分剖面圖。圖5B是表示接著圖5A之后的工序的主要部分剖面圖。圖6是表示基于本發(fā)明第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的主要部分剖面圖。圖7是表示基于本發(fā)明第四實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的主要部分剖面圖。圖8A是表示圖7所示的半導(dǎo)體裝置的制造工序的一部分的主要部分剖面圖。圖8B是表示接著圖8A之后的工序的主要部分剖面圖。圖9A是表示接著圖8B之后的工序的主要部分剖面圖。圖9B是表示接著圖9A之后的工序的主要部分剖面圖。圖10是表示接著圖9B之后的工序的主要部分剖面圖。圖11是表示基于本發(fā)明第五實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的主要部分剖面圖。圖12是表示現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置之一例的主要部分剖面圖。
具體實(shí)施例方式下面，參照附圖對本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方式進(jìn)行具體說明。圖1表示基于本發(fā)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的第一實(shí)施方式。本實(shí)施方式的 半導(dǎo)體裝置Al具備第一 η型半導(dǎo)體層11、第二 η型半導(dǎo)體層12、ρ型半導(dǎo)體層13、η型半 導(dǎo)體區(qū)域14、高濃度ρ型半導(dǎo)體區(qū)域13a、溝3、柵極電極41、柵極絕緣層5、源極電極42、漏 極電極43和層間絕緣膜6。第一 η型半導(dǎo)體層11是由在碳化硅中添加有高濃度的雜質(zhì)而形成的材質(zhì)構(gòu)成的 基板。第二 η型半導(dǎo)體層12形成于第一 η型半導(dǎo)體層11上。第二 η型半導(dǎo)體層12由在 碳化硅中添加有低濃度的雜質(zhì)而形成的材質(zhì)構(gòu)成。P型半導(dǎo)體層13具有第一 ρ型半導(dǎo)體層131和第二 ρ型半導(dǎo)體層132。第一 ρ型半導(dǎo)體層131形成于第二 η型半導(dǎo)體層12上。第一 ρ型半導(dǎo)體層131和第二 η型半導(dǎo)體 層12的邊界中沿著溝3的深度方向χ、寬度方向y的部分分別是邊界側(cè)部K1、邊界底部K2。 在本實(shí)施方式中，邊界底部K2從η型半導(dǎo)體區(qū)域14與源極電極42的邊界離開約1 μ m。第 一 P型半導(dǎo)體層131的雜質(zhì)濃度例如為1 X IO17CnT3 1 X 102°cm_3。第二 ρ型半導(dǎo)體層132 形成于第一 P型半導(dǎo)體層131和第二 η型半導(dǎo)體層12上。第二 ρ型半導(dǎo)體層132和第二 η型半導(dǎo)體層12的邊界中沿著寬度方向y的部分為邊界底部K3。第二 ρ型半導(dǎo)體層132 的雜質(zhì)濃度例如為1 X IO16CnT3 1 X IO19Cm-30 η型半導(dǎo)體區(qū)域14形成于ρ型半導(dǎo)體層13 上。高濃度P型半導(dǎo)體區(qū)域13a形成于第一 ρ型半導(dǎo)體層131上。溝3以貫通η型半導(dǎo)體區(qū)域14和第二 ρ型半導(dǎo)體層132到達(dá)第二 η型半導(dǎo)體層 12的方式形成。溝3和第一 ρ型半導(dǎo)體層131在寬度方向y上分開0. 3 μ m左右。在溝3的內(nèi)部形成有柵極電極41和柵極絕緣層5。柵極電極41例如由多晶硅構(gòu) 成。當(dāng)然，柵極電極41也可以使用Al等金屬。柵極絕緣層5例如由二氧化硅構(gòu)成，將柵極 電極41與第二 η型半導(dǎo)體層12、ρ型半導(dǎo)體層13和η型半導(dǎo)體區(qū)域14絕緣。柵極絕緣層 5沿溝3的內(nèi)面形成于溝3的底部和側(cè)部。在深度方向X，朝向圖中下方依次存在有邊界底部Κ3、柵極電極41的底部、溝3的 底部、和邊界底部Κ2。源極電極42例如由Al構(gòu)成，與η型半導(dǎo)體區(qū)域14和高濃度ρ型半導(dǎo)體區(qū)域13a 相接。漏極電極43例如也由Al構(gòu)成，與第一 η型半導(dǎo)體層11相接。漏極電極43在夾著 第一 η型半導(dǎo)體層11與形成有第二 η型半導(dǎo)體層12的一側(cè)相反的一側(cè)。層間絕緣膜6以 覆蓋柵極電極41的方式形成。其次，參照圖2、圖3對半導(dǎo)體裝置Al的制造方法之一例做如下說明。首先，如圖2所示，準(zhǔn)備作為第一 η型半導(dǎo)體層11的半導(dǎo)體基板。其次，在該基板 的表面?zhèn)韧ㄟ^外延結(jié)晶成長法形成第二 η型半導(dǎo)體層12。接下來，在第二 η型半導(dǎo)體層12 的表面制作槽Tl。然后，如圖3所示，在槽Tl的內(nèi)部通過外延結(jié)晶成長法形成第一 ρ型半導(dǎo)體層 131。然后，將該基板表面平坦化。其次，在該基板上通過外延結(jié)晶成長法形成第二 P型半 導(dǎo)體層132。接著，對該第二ρ型半導(dǎo)體層132的上面實(shí)施規(guī)定形狀的掩模，且注入雜質(zhì)離子(η 型或P型)。由此，形成η型半導(dǎo)體區(qū)域14和高濃度P型半導(dǎo)體區(qū)域13a。接著，形成圖1所示的溝3、柵極絕緣層5和柵極電極41。并且，形成層間絕緣膜 6、源極電極42和漏極電極43。通過如上所述的工序完成半導(dǎo)體裝置Al。其次，對半導(dǎo)體裝置Al的作用進(jìn)行說明。在本實(shí)施方式中，邊界底部K2位于比溝 3的底部更靠圖下方。因此，電場容易集中在第一 P型半導(dǎo)體層131和第二 η型半導(dǎo)體層 12的邊界。其結(jié)果是，溝3的底部的電場集中被緩解。通過緩解電場集中，使得不易于引起 柵極絕緣層5的絕緣破壞。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)半導(dǎo)體裝置Al的絕緣耐壓的提高。根據(jù)本實(shí)施方式，可將第二 ρ型半導(dǎo)體層132的雜質(zhì)濃度抑制為較小。其結(jié)果是 能夠抑制半導(dǎo)體裝置Al的閾值電壓。另一方面，通過增大第一 P型半導(dǎo)體層131的雜質(zhì)濃 度，能夠抑制耗盡層向第一 P型半導(dǎo)體層131擴(kuò)展，能夠抑制穿通。圖4和圖5表示本發(fā)明第二實(shí)施方式。另外，在這些圖中，對于與上述實(shí)施方式相同或類似的要素標(biāo)注與上述實(shí)施方式相同的符號(hào)。本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置A2，在形成有 凹部T2這一方面與第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置Al不同。圖4所示的半導(dǎo)體裝置A2與第一實(shí)施方式所示的半導(dǎo)體裝置相同，第一 ρ型半導(dǎo) 體層131的雜質(zhì)濃度比第二 ρ型半導(dǎo)體層132的雜質(zhì)濃度高。另外，在第一 ρ型半導(dǎo)體層131的圖中上方形成有凹部T2。在本實(shí)施方式中，寬 度方向y的凹部T2的開口部的大小為比寬度方向y的第一 ρ型半導(dǎo)體層131的大小稍小 的程度。凹部T2的底部位于比邊界底部K2更靠圖中上方。另外，在該圖中，凹部T2的底 部位于比邊界底部K3更靠上方。高濃度ρ型半導(dǎo)體區(qū)域13a形成于凹部T2的下方。凹部 T2的底部不需要位于比邊界底部K3更靠上方。例如，凹部T2的底部也可以位于比溝3的 底部更靠下方。凹部T2的底部的位置可以與邊界底部K3、溝3的底部的位置無關(guān)地決定。接下來，參照圖5對半導(dǎo)體裝置A2的制造方法之一例做如下說明。首先，如圖5A所示，準(zhǔn)備成為第一 η型半導(dǎo)體層11的半導(dǎo)體基板。接下來，在該 基板的表面?zhèn)韧ㄟ^外延結(jié)晶成長法形成第二 η型半導(dǎo)體層12。在第二 η型半導(dǎo)體層12的 表面制作深度約0. 5 μ m的凹部Τ2。其次，如圖5B所示，形成第一 ρ型半導(dǎo)體層131。第一 ρ型半導(dǎo)體層131的形成 如下進(jìn)行，即，在基板上表面實(shí)施掩模(省略圖示)，從圖中上方用約400KeV的能量對凹部 T2照射雜質(zhì)離子(ρ型)。在第二 η型半導(dǎo)體層12的表面中未形成凹部Τ2的部分用與上 述大致相同的能量照射雜質(zhì)離子(P型)。由此，形成第二 P型半導(dǎo)體層132。另外，為調(diào)節(jié) 第一 P型半導(dǎo)體層131和第二 ρ型半導(dǎo)體層132的濃度，只要改變離子的照射時(shí)間即可。另外，也可以不在基板上面實(shí)施掩模，而從圖中上方向第二 η型半導(dǎo)體層12的整 個(gè)表面照射雜質(zhì)離子。通過進(jìn)行該雜質(zhì)離子的照射，能夠形成距第二 η型半導(dǎo)體層12的表 面的深度不同的第一 P型半導(dǎo)體層131和第二 ρ型半導(dǎo)體層132。該方法在不需要調(diào)節(jié)第 一 P型半導(dǎo)體層131和第二 ρ型半導(dǎo)體層132的雜質(zhì)濃度的情況下特別有用。其次，形成圖4所示的η型半導(dǎo)體區(qū)域14和高濃度ρ型半導(dǎo)體區(qū)域13a。這也通 過向第二 η型半導(dǎo)體層12中注入雜質(zhì)離子(η型或ρ型)而進(jìn)行。另外，在形成有第二 ρ 型半導(dǎo)體層132的區(qū)域中形成溝3。在溝3內(nèi)部形成柵極絕緣層5和柵極電極41。并且， 形成層間絕緣膜6、源極電極42和漏極電極43。通過以上的工序，完成半導(dǎo)體裝置Α2。根據(jù)本實(shí)施方式，通過設(shè)置凹部Τ2，即使在形成第一ρ型半導(dǎo)體層131的深的部分 的情況下，也能夠以更低的能量注入離子。圖6表示本發(fā)明第三實(shí)施方式。與上述相同，對與上述實(shí)施方式相同或類似的要 素標(biāo)注與上述實(shí)施方式相同的符號(hào)。本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置A3與第二實(shí)施方式的半導(dǎo) 體裝置Α2相比，不同之處在于在凹部Τ2的下方也形成有η型半導(dǎo)體區(qū)域14這一點(diǎn)。根據(jù) 這樣的結(jié)構(gòu)，源極電極42和η型半導(dǎo)體區(qū)域14的接觸面積增大。因此，能夠減小半導(dǎo)體裝 置A3中的源極電極42和η型半導(dǎo)體區(qū)域14的接觸電阻。圖7 圖10表示本發(fā)明第四實(shí)施方式。另外，在這些圖中，對于與上述實(shí)施方式 相同或類似的要素標(biāo)注與上述實(shí)施方式相同的符號(hào)。本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置Α4與第一 實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置Al相比，不同之處在于具有ρ型半導(dǎo)體區(qū)域15這一點(diǎn)。如圖7所示，ρ型半導(dǎo)體區(qū)域15與溝3的底部相接。P型半導(dǎo)體區(qū)域15的雜質(zhì)濃 度例如為1 X IO16CnT3 1 X IO21cnT3。P型半導(dǎo)體區(qū)域15和溝3的邊界的在寬度方向y上的大小為比柵極電極41的在寬度方向y上的大小稍小的程度。另外，ρ型半導(dǎo)體區(qū)域15的 圖中最下部比邊界底部K2位于在深度方向χ上更深的位置。雖然圖中未圖示，但也可以與 之相反，邊界底部K2可以位于比ρ型半導(dǎo)體區(qū)域15的最下部更深的位置。其次，參照圖8 圖10對半導(dǎo)體裝置A4的制造方法之一例做如下說明。半導(dǎo)體裝置A4的制造工序直至制造圖3所示的半導(dǎo)體裝置為止與制造基于第一 實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置Al的工序相同。因此，省略圖3之前的工序的記載。如圖8A所示， 在圖3所示的部件的上面通過等離子體CVD法形成二氧化硅層7。二氧化硅層7作為用于 形成后述的溝3和形成ρ型半導(dǎo)體區(qū)域15的掩模使用。接下來，如圖8B所示，形成也貫通 二氧化硅層7、n型半導(dǎo)體區(qū)域14、和ρ型半導(dǎo)體層13的任一個(gè)的溝3’。溝3’為圖7所示 的溝3。接下來，將溝3’的內(nèi)面熱氧化(圖示略)。接下來，如圖9A所示，遍及溝3’的內(nèi)面和二氧化硅層7的整個(gè)上表面形成多晶硅 層ps。接著，如圖9B、圖10所示，保留多晶硅層ps2，除去多晶硅層psl和多晶硅層ps3。然 后，如圖10所示，在溝3’的底部注入雜質(zhì)離子(ρ型)。由此形成ρ型半導(dǎo)體區(qū)域15。之 后，將二氧化硅層7和多晶硅層ps2全部除去。之后的工序與實(shí)施方式1中記載的工序同 樣地進(jìn)行。然后，完成圖7所示的半導(dǎo)體裝置A4。接下來，對半導(dǎo)體裝置A4的作用進(jìn)行說明。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，能夠進(jìn)一步緩解在溝3的底部的電場集中。因此，能夠進(jìn)一步提 高半導(dǎo)體裝置A4的絕緣耐壓。另外，當(dāng)減小寬度方向y的ρ型半導(dǎo)體區(qū)域15的大小時(shí)，能 夠防止導(dǎo)通電阻的增加。圖11表示本發(fā)明第五實(shí)施方式。另外，在這些圖中，對于與上述實(shí)施方式相同或 類似的要素標(biāo)注與上述實(shí)施方式相同的符號(hào)。本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置A5與第四實(shí)施方 式的半導(dǎo)體裝置A4相比，溝3的形狀不同。如圖11所示，追加的ρ型半導(dǎo)體層15以覆蓋溝3的前端的方式形成。由此，可進(jìn) 一步增大絕緣耐壓。另外，溝3的前端形成梯形。其結(jié)果是能夠在寬度方向y上與溝3重 疊的范圍內(nèi)形成追加的P型半導(dǎo)體層15。通過這種構(gòu)造，能夠防止半導(dǎo)體裝置A5中的電子 的流動(dòng)被遮斷。由此，能夠抑制導(dǎo)通電阻的增加。即，能夠進(jìn)一步增大絕緣破壞電場，并且 能夠抑制導(dǎo)通電阻的增加。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置及其制造方法不限于上述的實(shí)施方式。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置 及其制造方法的各部分的具體結(jié)構(gòu)能夠分別自由地進(jìn)行各種設(shè)計(jì)變更。
權(quán)利要求
一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備具有形成有溝的第一面和與該第一面為相反側(cè)的第二面的半導(dǎo)體層；設(shè)置于所述溝內(nèi)的柵極電極；和設(shè)置于所述溝內(nèi)、并將所述半導(dǎo)體層和所述柵極電極相互絕緣的絕緣層，所述半導(dǎo)體層包括具有第一導(dǎo)電型的第一半導(dǎo)體層；和具有與所述第一導(dǎo)電型相反的第二導(dǎo)電型的第二半導(dǎo)體層，所述溝貫通所述第二半導(dǎo)體層到達(dá)所述第一半導(dǎo)體層，所述第二半導(dǎo)體層具有比所述溝更接近所述半導(dǎo)體層的所述第二面的接近部。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第二半導(dǎo)體層具有沿著所述溝設(shè)置且與所述第一半導(dǎo)體層相接的溝道區(qū)域， 所述溝道區(qū)域的雜質(zhì)濃度比所述接近部的雜質(zhì)濃度小。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體層還包括形成于所述溝的周圍的半導(dǎo)體區(qū)域，在所述第一半導(dǎo)體層、所述第二半導(dǎo)體層、或所述半導(dǎo)體區(qū)域形成有凹部，所述接近部和所述凹部在與所述溝的深度方向垂直的寬度方向上重疊。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體層還具備具有所述第二導(dǎo)電型的追加半導(dǎo)體區(qū)域，所述追加半導(dǎo)體區(qū)域形成于所述第一半導(dǎo)體層內(nèi)、并且與所述第二半導(dǎo)體層分離。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述追加半導(dǎo)體區(qū)域與所述溝的底部相接。
6.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述追加半導(dǎo)體區(qū)域以從所述溝的底部遍及到所述溝的側(cè)面地與所述溝相接的方式 形成。
7.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述追加半導(dǎo)體區(qū)域與所述溝相接，所述追加半導(dǎo)體區(qū)域和所述溝的邊界在所述溝的深度方向上看僅存在于所述溝的開 口部的內(nèi)側(cè)。
8.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具有下述各工序 在半導(dǎo)體基板的表面形成溝和凹部；在所述溝內(nèi)形成絕緣層；在所述溝內(nèi)形成層疊于所述絕緣層的柵極電極；通過對所述凹部照射離子，形成與所述凹部的底面相鄰且導(dǎo)電型與所述半導(dǎo)體基板不 同的第一半導(dǎo)體區(qū)域；和通過對所述半導(dǎo)體基板的所述表面照射離子，形成導(dǎo)電型與所述半導(dǎo)體基板不同的第 二半導(dǎo)體區(qū)域，所述第一半導(dǎo)體區(qū)域和第二半導(dǎo)體區(qū)域相連， 所述溝貫通所述第二半導(dǎo)體區(qū)域。
全文摘要
本發(fā)明提供半導(dǎo)體裝置及其制造方法，半導(dǎo)體裝置(A1)包括具有形成有溝(3)的第一面和與該第一面為相反側(cè)的第二面的半導(dǎo)體層；柵極電極(41)；和柵極絕緣層(5)。上述半導(dǎo)體層包括第一n型半導(dǎo)體層(11)、第二n型半導(dǎo)體層(12)、p型半導(dǎo)體層(13)、和n型半導(dǎo)體區(qū)域(14)。溝(3)貫通p型半導(dǎo)體層(13)到達(dá)第二n型半導(dǎo)體層(12)。P型半導(dǎo)體層(13)具有比溝(3)更接近上述半導(dǎo)體層的上述第二面的第一p型半導(dǎo)體層(131)。由此，可以使柵極絕緣層(5)的絕緣破壞難以產(chǎn)生。
文檔編號(hào)H01L21/336GK101981701SQ200980110489
公開日2011年2月23日 申請日期2009年3月26日 優(yōu)先權(quán)日2008年3月26日
發(fā)明者中野佑紀(jì) 申請人:羅姆股份有限公司