專利名稱：晶圓清洗裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體制造過(guò)程中的用于晶圓清洗的裝置，特別 涉及對(duì)半導(dǎo)體晶圓單面進(jìn)行清洗的裝置。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體清洗是制造工藝全部過(guò)程成中不可缺少的工藝流程，該道
工序利用次數(shù)約占全部工序利用次數(shù)的20%- 25%,使用頻度相當(dāng)高。 一般而言，晶圓清洗可以分為濕法清洗和干法清洗。濕法清洗時(shí)使用 液態(tài)化學(xué)品，例如溶劑、酸、接口活性劑及水，以噴灑、刷洗、氧化、 蝕刻等方法溶解污染物。在使用各種化學(xué)品以后還需要經(jīng)過(guò)超高純水 的潤(rùn)濕清洗。千法清洗則使用氣相化學(xué)物， 一般通過(guò)提供激發(fā)能量促 進(jìn)化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行晶圓清洗，其中能量可以以熱、等離子或是輻射等形 態(tài)提供。此外也可以由物理交互左右傳輸動(dòng)能以達(dá)到清洗目的。
大部分的集成電路的制程步驟之后以及每道高溫制程的操作之 前都必須對(duì)晶圓進(jìn)行清洗，例如初始清洗、擴(kuò)散前清洗、柵極氧化前 清洗，化學(xué)氣相沉淀前清洗等等。清洗的目的在于去除晶片表面的無(wú) 機(jī)殘留物、有機(jī)殘留物和微粒子，并控制表面的化學(xué)性生成超薄氧化 物。經(jīng)過(guò)濕式清洗法清洗的晶圓，在下一道制程前，還需要對(duì)表面進(jìn) 行干燥。
在現(xiàn)有半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)中，用于清洗晶圓表面污染物的裝置(例 如，在N型擴(kuò)散之后的去除晶圓表面殘余磷硅玻璃的裝置)包括以下 兩種
一種是使用清洗槽裝置進(jìn)行晶圓清洗。清洗時(shí)，先收集多片晶圓。 當(dāng)收集到預(yù)定數(shù)量的晶圓，就將這多片晶圓放入同一個(gè)容器中，然后 將裝有晶圓的晶圓盒浸入裝有清洗液的清洗槽一段時(shí)間以清除晶圓表面雜質(zhì)。例如，當(dāng)待去除雜質(zhì)為自然氧化物時(shí)，可以選擇做為強(qiáng)酸 的氫氟酸作為清洗液。但是使用該裝置進(jìn)行晶圓清洗也存在以下問
題為提高清洗效率，可能需要等待相當(dāng)時(shí)間以收集足量晶圓，而該 等待時(shí)間可能會(huì)對(duì)晶圓的質(zhì)量和可靠性形成影響，并降低流水線的生 產(chǎn)率。此外，在特定工藝流程中，可能僅需要對(duì)晶片單面進(jìn)行清洗。 如果使用清洗槽，則應(yīng)先在無(wú)需清洗的表面覆膜，再將晶圓放入清洗 液，當(dāng)晶圓去除后，還需要去除表面膜。毋庸置疑，覆膜和去膜增加 了生產(chǎn)成本并且可能會(huì)降低晶圓的良品率。
第二種是使用自動(dòng)化裝置對(duì)單個(gè)晶圓進(jìn)行清洗，這種清洗的優(yōu) 點(diǎn)在于降低交叉污染的可能性。 一般來(lái)說(shuō)，可以將被清洗晶圓固定在 基臺(tái)上，并在基臺(tái)上方設(shè)置噴嘴。在進(jìn)行清洗步驟時(shí)，噴嘴向基臺(tái)上 的晶圓噴出清洗液。優(yōu)選的，該基臺(tái)可以在旋轉(zhuǎn)的清洗過(guò)程中，則清 洗液可以利用離心力清洗被清洗晶圓表面。但是該裝置的 一個(gè)不足之 處在于，被清洗晶圓必須與基臺(tái)接觸，而該接觸過(guò)程可能損壞晶圓表 面電路，降低良品率。
因此，如何在確保晶圓清洗質(zhì)量的情況下，保證晶圓的質(zhì)量和可 靠性，并降低大規(guī)模半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)成本，是目前急需研究解決的問 題。

實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種新的晶圓 清洗裝置，從而解決晶圓清洗過(guò)程中，由于晶圓和基板接觸而引起晶 圓良品率降低的問題。
基于此目的，本實(shí)用新型提供了一種用于半導(dǎo)體晶圓單面清洗的 清洗裝置，該清洗裝置包括基板，該基板用于無(wú)接觸地承載位于其 上方的被清洗晶圓；多個(gè)位于基板上的噴液裝置，多個(gè)噴液裝置用于 向基板上的被清洗晶圓的被清洗表面噴出清洗液，并使被清洗晶圓與 基板無(wú)接觸。
可選的，基板與水平面之間的傾角在0至30度之間?？蛇x的，多個(gè)噴液裝置的每一個(gè)與基板間形成確定夾角，噴嘴的
每一個(gè)與被清洗晶圓的水平移動(dòng)方向之間的夾角小于90度。優(yōu)選的， 基板上具有排液裝置，排液裝置用于接收從多個(gè)噴液裝置噴出的清洗 液。更優(yōu)選的，多個(gè)噴液裝置的每一個(gè)與基板間的夾角相同。進(jìn)一步 優(yōu)選的，多個(gè)噴液裝置在被清洗晶圓移動(dòng)方向上以及垂直方向均勻分 布。
可選的，清洗裝置還可以包括用于調(diào)節(jié)多個(gè)噴液裝置方向的調(diào)節(jié) 裝置。
可選的，排液裝置為多個(gè)排液孔。可選的，排液裝置也可以為一 個(gè)或多個(gè)排液槽。
優(yōu)選的，多個(gè)噴液裝置呈矩陣分布，矩陣中相鄰各行之間距離相 等，矩陣中相鄰各列之間距離也相等。
清洗裝置還可以包括一個(gè)放置所述清洗液的盒體，排液管，液體 泵和輸液管，其中，盒體清洗裝置的上板包括基板，排液裝置與排液 管相連，以使排液裝置接收的清洗液自基板上方流回盒體，液體泵用 于將盒體中的清洗液通過(guò)輸液管送達(dá)多個(gè)噴液裝置噴出。
優(yōu)選的，清洗裝置中的清洗液可以為氫氟酸。
可以理解，可以使用本實(shí)用新型的裝置可以實(shí)現(xiàn)將晶圓各片分開 清洗，且在清洗過(guò)程中，晶片被清洗液托起，無(wú)需與機(jī)臺(tái)接觸，另外 清洗液也可以均勻地噴涂在每一片晶圓上，保證了清洗的效果。與現(xiàn) 有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于被清洗晶圓無(wú)需在清洗過(guò)程中 不與基板接觸，因此提高了良品率。且對(duì)于僅需要清洗晶圓單面的制 程步驟，無(wú)需再進(jìn)行覆膜和去膜，大大降低了生產(chǎn)成本。


通過(guò)閱讀參照以下附圖所作的對(duì)非限制性實(shí)施例所作的詳細(xì)描 述，本實(shí)用新型的其它特征、目的和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更明顯
圖1為根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)具體實(shí)施例的清洗裝置的結(jié)構(gòu)圖;.圖3為根據(jù)本實(shí)用新型的 一 個(gè)具體實(shí)施例的清洗裝置的清洗液噴 出方向水平分量的示意圖4為根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)具體實(shí)施例的清洗裝置的側(cè)視圖； 圖5為根據(jù)圖4的清洗裝置的沿A-A'方向的俯視圖； 圖6為根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)具體實(shí)施例的清洗裝置的側(cè)視圖； 圖7為根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)具體實(shí)施例的清洗裝置的結(jié)構(gòu)圖。
具體實(shí)施方式
為了更好地理解本實(shí)用新型，
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的具體 實(shí)施例作進(jìn)一步詳細(xì)描述。實(shí)施例1
圖l為本實(shí)用新型的一個(gè)具體實(shí)施例的清洗裝置1的結(jié)構(gòu)圖。該 清洗裝置1包括基板10,以及多個(gè)噴液裝置l]O、 l]l、 112、 113等。 如圖1所示，多個(gè)噴液裝置11位于基板10上。在晶圓清洗過(guò)程中， 該多個(gè)噴液裝置11用于向基板IO上方的被清洗晶圓的被清洗表面噴 出清洗液?？梢岳斫猓?dāng)清洗液以一定速度噴出時(shí)具有向上沖量，因 此，清洗液的向上沖量可以支持被清洗晶圓。通過(guò)控制多個(gè)噴液裝置 11的位置、角度以及清洗液流速等參數(shù)，可以確保被清洗晶圓在整個(gè) 清洗過(guò)程中無(wú)需與基板IO接觸，從而避免基板與晶圓接觸所引起的 對(duì)晶圓的損害。
基板IO被設(shè)置為水平，基板上的多個(gè)噴液裝置11呈豎直方向。 圖2為根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)具體實(shí)施例的清洗裝置的側(cè)視圖。如圖 2所示，多個(gè)噴嘴中的清洗液的噴出方向與10基4反方向垂直。
所述多個(gè)噴液裝置的每一個(gè)的清洗液的噴出方向在水平方向分 量的方向可以都指向被清洗晶片的圓心位置。圖3為根據(jù)本實(shí)用新型 的 一個(gè)具體實(shí)施例的清洗裝置的清洗液噴出方向水平分量的示意圖。 如圖3所示，基板10上設(shè)有9行9列噴出裝置，且噴出裝置各行之 間，以及各列之間的間距相等。各個(gè)噴出裝置噴出的清洗液方向指向 被清洗晶片的圓心，且各噴出裝置噴出清洗液的沖量大小和與其中心對(duì)稱的噴出裝置噴出清洗液的沖量大小相等，方向相反?？梢岳斫?， 通過(guò)這樣的噴液裝置設(shè)置，可以確保被清洗晶片平穩(wěn)地被噴出的清洗 液支持而與基板10無(wú)接觸。
當(dāng)利用本實(shí)用新型的清洗裝置進(jìn)行清洗步驟時(shí)，可以首先打開多 個(gè)噴液裝置，使各個(gè)噴液裝置中噴出的清洗液的大小和方向達(dá)到期望 值。在噴出的清洗液達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)后，將被清洗晶圓置于基板10上 方噴出的清洗液上。
一皮清洗晶圓被噴出的清洗液穩(wěn)定支持，并藉以流
動(dòng)的清洗液清洗被清洗晶圓朝向清洗液(即基板IO)—側(cè)表面的污物。 在經(jīng)過(guò)預(yù)定時(shí)間后完成上述清洗步驟，將被清洗晶圓移出基板10上 方?？梢栽賹⑾乱粔K被清洗晶圓置于基板IO上方噴出的清洗液上，
開始下一塊被清洗晶圓的清洗步驟。在完成所有被清洗晶圓的清洗過(guò)
程后，將最后一塊被清洗晶圓自基板10上方移開。最后，關(guān)閉多個(gè)
噴出裝置。
實(shí)施例2
本實(shí)施例中的清洗裝置]包括基板10，以及多個(gè)噴液裝置110、 111、 112、 1]3等。如圖]所示，多個(gè)噴液裝置11位于基板10上。 在晶圓清洗過(guò)程中，該多個(gè)噴液裝置11用于向基板10上方的被清洗 晶圓的被清洗表面噴出清洗液。通過(guò)控制多個(gè)噴液裝置11的位置、 角度以及清洗液流速等參數(shù)，可以確保被清洗晶圓在整個(gè)清洗過(guò)程中 無(wú)需與基板IO接觸，從而避免了基板與晶圓接觸而引起的對(duì)晶圓的 損害。其基本原理與實(shí)施例1相同，此處不再贅述。
圖4為根據(jù)本實(shí)施例的清洗裝置的側(cè)視圖。如圖4所示，基板IO 與水平面之間具有一定的夾角。具體的，該夾角可以在0至30度之 間?？蛇x的，基板IO上的多個(gè)噴液裝置11中噴出的清洗液的方向與 基板IO垂直。其中，多個(gè)噴液裝置在基板IO上均勻分布?？梢岳斫猓?被清洗晶圓主要受自身重力以及多個(gè)噴液裝置11中噴出的清洗液的 沖力的作用。其自身重力可以分解為垂直于基板10的分量以及平行 于基板10的分量。其中，垂直于基板10的分量與多個(gè)噴液裝置11中噴出的清洗液的沖力相互作用相抵，平行于基板10的分量可以帶
動(dòng)被清洗晶圓以一定速度沿平行于基板10的方向緩慢下滑，當(dāng)達(dá)到 一定速度的時(shí)候，被清洗晶圓重力平行于基板10的分量與清洗液作
用在被清洗晶圓的摩擦力相等，而使被清洗晶圓的速度保持在預(yù)定 值。
圖5為根據(jù)圖4的清洗裝置的沿A-A，方向的俯視圖。為便于說(shuō) 明，如圖5所示，將基板10分為A、 B、 C三個(gè)區(qū)域。假設(shè)A區(qū)域處 于較高位置，而C區(qū)域處于較低位置。當(dāng)利用本實(shí)用新型的清洗裝置 進(jìn)行清洗步驟時(shí)，可以首先打開多個(gè)噴液裝置，使各個(gè)噴液裝置中噴 出的清洗液的大小和方向達(dá)到期望值。在噴出的清洗液達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài) 后，將被清洗晶圓置于基板10的A區(qū)域上方噴出的清洗液上。被清 洗晶圓被噴出的清洗液支持而不與基板IO接觸，由于基板IO與水平 面間夾角的存在，被清洗晶圓沿圖5中箭頭所示的方向向區(qū)域B方向 移動(dòng)并達(dá)到勻速，同時(shí)藉以流動(dòng)的清洗液清洗被清洗晶圓朝向清洗液 (即基板IO)—側(cè)表面的污物。碎皮清洗晶圓勻速移動(dòng)時(shí)的速度可以通 過(guò)調(diào)解噴液裝置控制，且本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知被清洗晶圓所需的清洗 時(shí)間。通過(guò)將上述速7復(fù)和時(shí)間相乘可以得到所需的區(qū)域B的基本長(zhǎng) 度。優(yōu)選的，區(qū)域B的長(zhǎng)度應(yīng)大于或等于該計(jì)算得到的基本長(zhǎng)度。在 被清洗晶圓經(jīng)過(guò)區(qū)域B進(jìn)入?yún)^(qū)域C后，可以將被清洗晶圓從基板10 上方取下。再將下一塊被清洗晶圓置于基板IO上方噴出的清洗液上， 開始下 一 塊被清洗晶圓的清洗步驟。在完成所有被清洗晶圓的清洗過(guò) 程后，將最后一塊被清洗晶圓自基板10上方移開。最后，關(guān)閉多個(gè) 噴出裝置。在本實(shí)施例中，可以將區(qū)域A理解為被清洗晶圓的裝載區(qū)， 將區(qū)域B理解為被清洗晶圓的主要清洗區(qū)，將區(qū)域C理解為被清洗 晶圓的卸載區(qū)。
考慮到在被清洗晶圓移動(dòng)速度較慢時(shí)比較容易將其移出清洗裝 置，可選的，區(qū)域C中的多個(gè)噴出裝置所噴出的清洗液可以具有與區(qū) 域B中噴液裝置不同的方向或者噴出速度，以向被清洗晶圓提供與其 移動(dòng)方向相反的力卩速度而使其運(yùn)動(dòng)速度逐漸減慢，甚至4吏4皮清洗晶圓達(dá)到靜止。例如，區(qū)域C中噴液裝置在平行基板10方向的分量方向
與被清洗晶圓的移動(dòng)方向相反，且與基板間的夾角小于60度。本領(lǐng) 域技術(shù)人員理解，此種區(qū)域C中噴液裝置方向的設(shè)定僅為本實(shí)用新型 的一種實(shí)施方式，而不對(duì)本實(shí)用新型的保護(hù)范圍構(gòu)成限定。采用此種 設(shè)計(jì)的基板10,可以使被清洗晶圓在到達(dá)區(qū)域C速度降低，可以在 被清洗晶圓速度降低到一定范圍后，將其從被清洗裝置移出，以減少 移除過(guò)程對(duì)被清洗晶圓的損傷。
實(shí)施例3
本實(shí)施例為實(shí)施例2的變化例。其中，清洗裝置1包括基板10， 以及多個(gè)噴液裝置110、 111、 112、 113等。如圖1所示，多個(gè)噴液 裝置11位于基板10上。在晶圓清洗過(guò)程中，該多個(gè)噴液裝置U用 于向基板10上方的被清洗晶圓的被清洗表面噴出清洗液。通過(guò)控制 多個(gè)噴液裝置1的位置、角度以及清洗液流速等參數(shù)，可以確保被 清洗晶圓在整個(gè)清洗過(guò)程中無(wú)需與基板IO接觸，從而避免了基板與 晶圓接觸而引起的對(duì)晶圓的損害。其基本原理與實(shí)施例2相同，此處
圖6為根據(jù)本實(shí)用新型的 一 個(gè)具體實(shí)施例的清洗裝置的側(cè)視圖。 如圖6所示，基板10包括區(qū)域A、 B和C。可以將區(qū)域A理解為被 清洗晶圓的裝載區(qū)，將區(qū)域B理解為被清洗晶圓的主要清洗區(qū)，將區(qū) 域C理解為被清洗晶圓的卸載區(qū)?；?0呈水平設(shè)置，其上的多個(gè) 噴液裝置的每 一 個(gè)與基板之間形成確定夾角，每 一 個(gè)噴嘴與被清洗晶 圓的移動(dòng)方向之間的夾角小于90度?？梢岳斫?，此種設(shè)計(jì)的目的在 于通過(guò)噴液裝置中噴出的清洗液推動(dòng)被清洗晶圓而控制其移動(dòng)方向 和速度，而非通過(guò)被清洗晶圓本身的重力。優(yōu)選的，多個(gè)噴液裝置中 的每一個(gè)與基板]0之間可以具有相同的夾角。進(jìn)一步優(yōu)選的，多個(gè) 噴液裝置可以在被清洗晶圓移動(dòng)方向上均勻分布?？蛇x的，區(qū)域C中 的多個(gè)噴液裝置中的噴液裝置所噴出清洗液的水平分量方向可以與 被清洗晶圓的移動(dòng)方向相反，以實(shí)現(xiàn)降低lt清洗晶圓在區(qū)域C內(nèi)速度的目的，而便于將被清洗晶圓從清洗裝置移出。
本實(shí)施例中清洗裝置的其它設(shè)計(jì)都可以與實(shí)施例2相同，此處不 再贅述。
本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，根據(jù)上述任 一 實(shí)施例所描述的清洗裝 置都可以進(jìn)一步具有以下附加技術(shù)特征中的 一項(xiàng)或多項(xiàng)。
可選的，噴液裝置是可調(diào)的，可以通過(guò)機(jī)械調(diào)解方式調(diào)節(jié)噴液裝 置的方向和其中噴出的清洗液的速度；也可以在清洗步驟進(jìn)行之前先 對(duì)噴液裝置進(jìn)行預(yù)調(diào)解，在被清洗晶圓的清洗過(guò)程中通過(guò)安裝在基板 上的傳感器對(duì)被清洗晶圓的速度和軌跡進(jìn)行檢測(cè)，并基于得到的數(shù)據(jù) 根據(jù)預(yù)定程序?qū)Χ鄠€(gè)噴液裝置的方向和其中噴出的清洗液的速度進(jìn) 行調(diào)解，形成閉環(huán)控制回路。上述閉環(huán)控制回路可以由微電腦系統(tǒng)控
可選的，基板IO上還具有排液裝置，排液裝置用于將清洗液從 基板上方排出。排液裝置可以是一條或多條垂直于被清洗晶圓移動(dòng)方 向的排液槽，也可以是多個(gè)與噴液裝置對(duì)應(yīng)的排液孔。
優(yōu)選的，基板10上的多個(gè)噴液裝置可以呈矩陣狀分布。矩陣中
相鄰各行之間距離相等，矩陣中相鄰各列之間距離也相等。且矩陣中 的噴液裝置方向以及噴出的清洗液的速度都相同。這種設(shè)計(jì)可以使得 被清洗晶圓受力均勻，便于穩(wěn)定的控制整個(gè)清洗流程。
實(shí)施例4
圖7為根據(jù)本實(shí)用新型的具體實(shí)施例4的清洗裝置的結(jié)構(gòu)圖。如 圖7所示，清洗裝置包括基板]0、放置所述清洗液的盒體20,排液 管30,液體泵40和輸液管50。其中，清洗裝置的上板包括基板10， 基板10可以使用上述實(shí)施例中的任一種基板以及其上的噴嘴裝置； 基板上的排液裝置與排液管30相連。在清洗過(guò)程中，清洗液自基板 上的噴嘴裝置噴出后，被基板上的排液裝置接收后重新通過(guò)排液管30 流回盒體20，液體泵40用于將盒體20中的清洗液通過(guò)輸液管50送 達(dá)基板上的多個(gè)噴液裝置，再由多個(gè)噴液裝置噴出。通過(guò)使用本實(shí)施例的清洗裝置，可以將使用過(guò)的清洗液重新收集 回清洗裝置的盒體，并再次循環(huán)噴出，大大提高了清洗液的反復(fù)利用 率。
本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，上述任 一 實(shí)施例所描述的清洗裝置都可以 應(yīng)用于半導(dǎo)體晶圓的清洗。例如，使用氫氟酸作為清洗劑清洗太陽(yáng)能 電池芯片表面的磷硅玻璃殘余物。
此外，需要強(qiáng)調(diào)的一點(diǎn)是，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，在實(shí)施例2-4 中，硅片受到來(lái)自噴液裝置的壓力，因此，該硅片在清洗裝置上移動(dòng)的時(shí) 間也直接受到來(lái)自噴液裝置的壓力的影響。換而言之，硅片的被清洗時(shí)間 可以通過(guò)調(diào)節(jié)噴液裝置的角度，以及來(lái)自噴液裝置的壓力被控制。其調(diào)節(jié) 方式為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的技術(shù)手段，此處不再贅述。
當(dāng)然，本實(shí)用新型還可以有其他多種實(shí)施例，在不背離本實(shí)用新 型精神及其實(shí)質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本實(shí)用新 型作出各種相應(yīng)的改變，^旦這些相應(yīng)的改變都應(yīng)屬于本實(shí)用新型權(quán)利 要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種用于半導(dǎo)體晶圓單面清洗的清洗裝置，其特征在于，包括基板，所述基板用于無(wú)接觸地承載位于其上方的被清洗晶圓；多個(gè)位于所述基板上的噴液裝置，所述多個(gè)噴液裝置用于向所述基板上的所述被清洗晶圓的被清洗表面噴出清洗液，并使所述被清洗晶圓與所述基板無(wú)接觸。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的清洗裝置，其特征在于，所述基板與 水平面之間的傾角在0至30度之間。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的清洗裝置，其特征在于，所述多個(gè)噴 液裝置的每一個(gè)與所述基板間形成確定夾角，所述噴嘴的每一個(gè)與所 述被清洗晶圓的水平移動(dòng)方向之間的夾角小于90度。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的清洗裝置，其特征在于，所述基板上 具有排液裝置，所述排液裝置用于接收從所述多個(gè)噴液裝置噴出的清 洗液。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的清洗裝置，其特征在于，所述多個(gè)噴 液裝置的每一個(gè)與所述基板間的夾角相同。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的清洗裝置，其特征在于，所述多個(gè)噴 液裝置在所述:i皮清洗晶圓移動(dòng)方向上以及垂直方向均勻分布。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的清洗裝置，其特征在于，還包括用于 調(diào)節(jié)所述多個(gè)噴液裝置方向的調(diào)節(jié)裝置。
8. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的清洗裝置，其特征在于，所述排液裝置為多個(gè)排液孔。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的清洗裝置，其特征在于，所述多個(gè)噴相鄰各列之間距離也相等。
10. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的清洗裝置，其特征在于，所述排液裝置為一個(gè)或多個(gè)排液槽。
11. 根據(jù)權(quán)利要求4至10中任一項(xiàng)所述的清洗裝置，其特征在 于，所述清洗裝置包括一個(gè)放置所述清洗液的盒體，排液管，液體泵 和輸液管，.所述盒體清洗裝置的上板包括所述基板， 所述排液裝置與所述排液管相連，以使所述排液裝置接收的所 述清洗液自所述基板上方流回所述盒體，所述液體泵用于將所述盒體中的所述清洗液通過(guò)所述輸液管送 達(dá)所述多個(gè)噴液裝置噴出。
12. 根據(jù)權(quán)利要求3至10中任一項(xiàng)所述的清洗裝置，其特征在 于，所述清洗液為氫氟酸。
專利摘要本實(shí)用新型提供一種用于半導(dǎo)體表面清洗的裝置，其包括用于無(wú)接觸地承載位于其上方的被清洗晶圓的基板；多個(gè)位于所述基板上的噴液裝置，多個(gè)噴液裝置用于向基板上的被清洗晶圓的被清洗表面噴出清洗液，并使所述被清洗晶圓與所述基板無(wú)接觸。由于在整個(gè)晶圓清洗過(guò)程中，晶圓無(wú)需與基板表面接觸，從而避免了清洗過(guò)程中對(duì)晶圓本身的損害。此外，本裝置特別適用于只需要對(duì)晶圓單面進(jìn)行清洗的情形。
文檔編號(hào)H01L21/00GK201369318SQ20092006823
公開日2009年12月23日 申請(qǐng)日期2009年2月27日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月27日
發(fā)明者彤 江, 蘇曉平 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司