專利名稱：一種圓柱形電容器的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子技術(shù)領(lǐng)域，具體地說是一種圓柱形電容器的制造方法。
背景技術(shù)：
眾所周知，電容是表征電容器容納電荷本領(lǐng)的物理量，電容器是一種靜態(tài)電荷的 存儲介質(zhì)，它在工業(yè)生產(chǎn)和生活中的用途很廣，是電子、電力領(lǐng)域不可缺少的元器件，主要 用于電源濾波、信號濾波、信號耦合、諧振、隔直流等電路中。根據(jù)材料及構(gòu)造的不同，電容 器分為電解電容、固態(tài)電容、陶瓷電容、鉭電解電容、云母電容、玻璃釉電容、聚苯乙烯電容、 玻璃膜電容、合金電解電容、滌綸電容、聚丙烯電容等，其中薄膜電容是把薄膜導(dǎo)體放入電 極之間卷成素子做成的，并由于其主頻數(shù)特性良好而被廣泛應(yīng)用于音響電路的主要部位的 聯(lián)接器過濾器，特別是在小電容代替高價(jià)的大容量大電容的形勢下，大量的被使用。但是金 屬鍍膜電容與電解電容，陶瓷電容、組電容相比容量相對要大。大容量的產(chǎn)品制造起來相對 要難，特別是導(dǎo)電材質(zhì)的電容，因?yàn)橹圃旃こ毯头椒ǖ牟煌?，所制造出來的電容在噪音和質(zhì) 量質(zhì)量方面起浮較大。此類電容產(chǎn)品隨著制造方法不同，噪音及電氣特性會存在很大的差 別。首先通過卷取機(jī)依據(jù)卷取容量的中心值來設(shè)置回轉(zhuǎn)數(shù)、寬度。在卷取工程用卷取機(jī)把 產(chǎn)品卷成圓的素子，然后按作業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，把一定數(shù)量的素子放在熱壓縮板上，并放進(jìn)熱壓縮機(jī) 內(nèi)進(jìn)行加熱。這個(gè)過程是素子進(jìn)行熱處理的階段。熱處理后，進(jìn)行素子封裝作業(yè)。封裝作 業(yè)是為了防止在噴灑工程進(jìn)行噴灑作業(yè)時(shí)錫粉粘貼在素子的表面。而在素子周圍包了一層 紙膠帶，封裝后就是在素子兩端噴灑上錫粉的階段。接著是熔焊工程為了去除素子兩邊薄 膜的殘?jiān)谌酆腹こ踢M(jìn)行電壓處理，并且在素子兩邊熔焊上兩條引腳線，在熔焊的同時(shí)， 在引腳線部漆離型劑。熔焊完的產(chǎn)品用鋁條連成條。并把一條一條的產(chǎn)品以盤為單位再組 合。目的是為了方便下一工程的作業(yè)，下一工程是是引腳線加工，經(jīng)過這一連串的工程后， 一批薄膜電容就制造出來了。在上述制造過程中，由于機(jī)械制造過程中的振動，雖然對電容 的電氣性及壽命沒有影響，但振動音可能引發(fā)噪音，降低了鍍膜電容的品質(zhì)。引發(fā)噪音的原 因是，薄膜電容在卷取作業(yè)時(shí)，由于自動卷取機(jī)的彈性，使薄膜之間存在間隔。另外，卷取后 的素子在浸漬時(shí)，當(dāng)臘沒有完全浸漬的情況下，會使電容產(chǎn)生噪音。以及在電壓處理時(shí)，由 于電氣引起的振動也能引起噪音。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為了克服現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，提出一種結(jié)構(gòu)合理、使用方便、性能優(yōu)越的圓柱 形電容器的制造方法。本發(fā)明采用的技術(shù)措施是一種圓柱形電容器的制造方法，其特征在于包括以下步驟步驟A 卷制階段，將金屬薄膜卷制成圓柱形的素子，步驟B 熱處理階段，對圓柱形素子進(jìn)行熱處理，步驟C 封裝階段，為防止噴灑過程中將錫粉撒到素子表面，使用紙膠帶對素子進(jìn)行封裝，步驟D 在素子兩端噴灑錫粉，步驟E 熔焊階段，進(jìn)行焊接引腳線的操作，步驟F:浸漬階段，步驟G 上粉階段，進(jìn)行外部上粉，并使其硬化干燥，步驟H 檢查階段，進(jìn)行構(gòu)造檢查、自動選別、最終檢查一系列檢查操作，步驟I:引腳加工。本發(fā)明所述步驟A所述由金屬薄膜卷制成的素子，其卷心孔不連通。本發(fā)明步驟B中所述的熱處理，是指將卷制好的圓柱形素子直接進(jìn)行熱處理操 作，而不必進(jìn)行壓縮處理。本發(fā)明所述步驟D中采用大顆粒錫粉噴灑在素子兩端側(cè)面上，使卷心孔保持不連 通的狀態(tài)。本發(fā)明所述步驟E中引腳線熔焊在卷心孔上。本發(fā)明所述步驟E中對引腳線的焊接，應(yīng)焊接到素子端面直徑的三分之二處，從 而有效地防止卷心孔處空氣流通的情況，提高電容器品質(zhì)。本發(fā)明所述步驟F中的浸漬階段，采用上蠟或者灌膠浸漬處理。本發(fā)明所帶來的效果是與普通壓縮電容相比，可以減少30-40%的噪音及增大 10%的可用電流。本發(fā)明具有結(jié)構(gòu)合理、使用方便、性能優(yōu)越等顯著的優(yōu)點(diǎn)。


圖1為方便說明電容器制造方法的流程圖。圖2為本發(fā)明該電容產(chǎn)品的構(gòu)成圖。圖3為說明各工程詳細(xì)步驟的各制造階段的順序圖。圖4a和圖4b為說明壓縮型電容與圓型電容不同點(diǎn)的熱處理工程圖。圖5是本發(fā)明的噴灑顆粒的不同情況下，噴灑的效果圖。圖6a，圖6b是噴灑時(shí)顆粒大小的說明圖。圖7a，圖7b是引腳線熔焊時(shí)壓縮型電容與圓型電容的比較8是壓縮電容和圓形電容的噪音比較數(shù)據(jù)。圖9是壓縮型電容和圓型電容的可用電流比較數(shù)據(jù)。圖10a，圖IOb是壓縮型電容和圓型電容的電氣性特征的比較數(shù)據(jù)。附圖標(biāo)記金屬鍍膜電容器100、電容的素子110、卷心孔130、引腳線140。
具體實(shí)施例方式一種圓柱形電容器的制造方法，其特征在于包括以下步驟步驟A 卷制階段，將金屬薄膜卷制成圓柱形的素子，步驟B 熱處理階段，對圓柱形素子進(jìn)行熱處理，步驟C:封裝階段，為防止噴灑過程中將錫粉撒到素子表面，使用紙膠帶對素子進(jìn) 行封裝，步驟D 在素子兩端噴灑錫粉，
步驟E 熔焊階段，進(jìn)行焊接引腳線的操作，步驟F:浸漬階段，步驟G 上粉階段，進(jìn)行外部上粉，并使其硬化干燥，步驟H 檢查階段，進(jìn)行構(gòu)造檢查、自動選別、最終檢查一系列檢查操作，步驟I:引腳加工。本發(fā)明所述步驟A所述由金屬薄膜卷制成的素子，其卷心孔不連通。本發(fā)明步驟B中所述的熱處理，是指將卷制好的圓柱形素子直接進(jìn)行熱處理操 作，而不必進(jìn)行壓縮處理。本發(fā)明所述步驟D中采用大顆粒錫粉噴灑在素子兩端側(cè)面上，使卷心孔保持不連 通的狀態(tài)。本發(fā)明所述步驟E中引腳線熔焊在卷心孔上。本發(fā)明所述步驟E中對引腳線的焊接，應(yīng)焊接到素子端面直徑的三分之二處，從 而有效地防止卷心孔處空氣流通的情況，提高電容器品質(zhì)。本發(fā)明所述步驟F中的浸漬階段，采用上蠟或者灌膠浸漬處理。本發(fā)明與傳統(tǒng)的電容器制造工藝相比，如附圖2所示，一般的壓縮電容在素子的 卷取過程中，使用的卷心也即中軸的直徑2-7mm，而本發(fā)明所采用的中軸直徑為l_3mm，從 而使卷心處的小孔保持不連通的狀態(tài)。同時(shí)如附圖4a、b所示，傳統(tǒng)的壓縮型電容受到了物理性的壓力作業(yè)，導(dǎo)致電氣 方面的特性如耐電壓、絕緣電阻等特性受到影響，導(dǎo)致電容器質(zhì)量不穩(wěn)定，而與傳統(tǒng)的壓縮 電容相比，本發(fā)明熱處理階段保持素子本身的圓柱形，對產(chǎn)品不施加壓力，單一的進(jìn)行熱處理。此外如附圖5所示，本發(fā)明所述步驟D中噴灑的金屬顆粒采用比一般壓縮電容噴 灑顆粒大的材料，從而在噴灑時(shí)蓋住素子兩側(cè)的孔，使中空的小孔不至于造成聯(lián)通，進(jìn)而避 免了因其導(dǎo)致的短路現(xiàn)象。圖6a是一般壓縮電容的噴灑顆粒放大50倍時(shí)的相片，每個(gè)小 顆粒約3MM左右，圖6b為本發(fā)明所采用的噴灑顆粒放大50倍的示意圖，每個(gè)顆粒約7MM左 右，本測試結(jié)果由韓國產(chǎn)業(yè)技術(shù)測試中心(KTL)進(jìn)行權(quán)威放大測試的結(jié)果，該結(jié)果證明，本 發(fā)明所采用的噴灑顆粒比一般噴灑顆粒的尺寸大二倍以上。如附圖7中a、b圖所示，傳統(tǒng)壓縮電容的引腳熔焊過程中，引腳線焊接部位是素 子側(cè)面直徑三分之一處，而本發(fā)明將引腳線熔焊到素子端面的直徑的三分之二的支點(diǎn)上， 為了防止在上粉的干燥階段，卷心部發(fā)生氣孔不良現(xiàn)象，在熔焊的過程中，利用引腳線再次 蓋住卷心孔，有效地防止空氣經(jīng)卷心孔流通，來達(dá)到降低噪聲、提高電容器品質(zhì)的目的，如 圖8所示，壓縮型電容的噪音平均為72，最小值與最大值分別是69和75，而本發(fā)明的產(chǎn) 品的平均噪音值是51，最小值與最大值分別是50和52，本發(fā)明比傳統(tǒng)壓縮型電容減少了 30% -40%的噪音效果。如圖9所示，就各種溫度下的可用電流值而言，本發(fā)明所提供的圓柱形電容與一 般的壓縮電容相比，不僅可以減少噪音效果，而且可以增大10%以上的可用電流，同時(shí)如圖 10所示，本發(fā)明所提供的圓柱形電容器比壓縮型電容具有更優(yōu)良的電氣特性。
權(quán)利要求
一種圓柱形電容器的制造方法，其特征在于包括以下步驟步驟A卷制階段，將金屬薄膜卷制成圓柱形的素子，步驟B熱處理階段，對圓柱形素子進(jìn)行熱處理，步驟C封裝階段，為防止噴灑過程中將錫粉撒到素子表面，使用紙膠帶對素子進(jìn)行封裝，步驟D在素子兩端噴灑錫粉，步驟E熔焊階段，進(jìn)行焊接引腳線的操作，步驟F浸漬階段，步驟G上粉階段，進(jìn)行外部上粉，并使其硬化干燥，步驟H檢查階段，進(jìn)行構(gòu)造檢查、自動選別、最終檢查一系列檢查操作，步驟I引腳加工。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種圓柱形電容器的制造方法，其特征在于步驟A中所述由 金屬薄膜卷制成的素子，其卷心孔不連通。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種圓柱形電容器的制造方法，其特征在于步驟B中所述的 熱處理，是指將卷制好的圓柱形素子直接進(jìn)行熱處理操作，而不必進(jìn)行壓縮處理。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種圓柱形電容器的制造方法，其特征在于所述步驟D中采 用大顆粒錫粉噴灑在素子兩端側(cè)面上，使卷心孔保持不連通的狀態(tài)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種圓柱形電容器的制造方法，其特征在于述步驟E中引腳 線熔焊在卷心孔上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種圓柱形電容器的制造方法，其特征在于所述步驟E中引 腳線的焊接，應(yīng)焊接到素子端面直徑的三分之二處。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種圓柱形電容器的制造方法，其特征在于所述步驟F中的 浸漬階段，采用上蠟或者灌膠浸漬處理。
全文摘要
本發(fā)明涉及電子技術(shù)領(lǐng)域，具體地說是一種圓柱形電容器的制造方法，包括卷制階段，熱處理階段，封裝階段，即為防止噴灑過程中將錫粉撒到素子表面，使用紙膠帶對素子進(jìn)行封裝，并在素子兩端噴灑錫粉，熔焊階段，進(jìn)行焊接引腳線的操作，浸漬階段，上粉階段，進(jìn)行外部上粉，并使其硬化干燥，檢查階段，進(jìn)行構(gòu)造檢查、自動選別、最終檢查一系列檢查操作，引腳加工，本發(fā)明與普通壓縮電容相比，可以減少30-40％的噪音及增大10％的可用電流，具有結(jié)構(gòu)合理、使用方便、性能優(yōu)越等顯著的優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號H01G4/00GK101930845SQ200910310330
公開日2010年12月29日 申請日期2009年11月24日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月24日
發(fā)明者鄭乙吉 申請人:威海漢城成鎬電子有限公司