電容器元件制造用夾具和電容器元件的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種電容器元件用夾具，其能夠處理的陽極體的數(shù)量多、生產(chǎn)效率優(yōu)異，并且可以以高精度控制處理液中的陽極體的浸漬位置。本發(fā)明的夾具(10)具備：基板(11)；并列配置于基板的至少一面的多個梁構(gòu)件(8)；和設(shè)置于梁構(gòu)件(8)的多個導(dǎo)電性插座(1)，多個插座(1)能夠與向電容器用陽極體供給電流的電源電連接，插座(1)具有插入口(37)，所述插入口(37)是將具有引線的電容器用陽極體的引線電連接時的該引線的插入口(37)，且所述插入口(37)向所述基板(11)的下方向打開。
【專利說明】電容器元件制造用夾具和電容器元件的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及制造例如固體電解電容器等所使用的電容器元件時采用的電容器元件制造用夾具和使用了該電容器元件制造用夾具的電容器元件的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]個人計(jì)算機(jī)等所使用的CPU (中央運(yùn)算處理裝置)周圍的電容器，為了抑制電壓變動、將高波紋(ripple)通過時的發(fā)熱抑制為較低，要求高容量且低ESR(等效串聯(lián)電阻)。作為這樣的電容器，使用鋁固體電解電容器、鉭固體電解電容器等。已知這些固體電解電容器，由一方的電極(陽極體)、形成于該電極的表面的電介質(zhì)層、和形成于該電介質(zhì)層上的另一方的電極(通常為半導(dǎo)體層)構(gòu)成，所述一方的電極(陽極體)包含將表面層具有細(xì)微細(xì)孔的鋁箔或內(nèi)部具有微小細(xì)孔的鉭粉進(jìn)行了燒結(jié)的燒結(jié)體。
[0003]作為上述固體電解電容器的制造方法，已知以下方法(參照專利文獻(xiàn)I):通過在陽極體的支持基板的下端部連接從陽極體延伸的引線的一端，將多枚該支持基板鉛直豎立地以等間隔配置，從而將多個陽極體在該基板的邊方向上整齊并列地固定，并且通過將該陽極體浸潰于化學(xué)轉(zhuǎn)化處理液中，以該陽極體一側(cè)為陽極并在其與配置于上述化學(xué)轉(zhuǎn)化處理液中的陰極之間施加電壓進(jìn)行通電，從而在陽極體的表面形成電介質(zhì)層，接著，將表面設(shè)置有電介質(zhì)層的上述陽極體浸潰于半導(dǎo)體層形成溶液中，在上述陽極體表面的電介質(zhì)層的表面進(jìn)一步形成半導(dǎo)體層。
[0004]上述支持基板在鉛直豎立的狀態(tài)下難以接受由重力導(dǎo)致的變形，但在保持為水平的狀態(tài)下容易接受由重力導(dǎo)致的變形而容易彎曲。
[0005]以往，為了對陽極體浸潰于化學(xué)轉(zhuǎn)化處理液等處理液時的浸潰位置(高度)進(jìn)行高精度地控制，在難以產(chǎn)生上述變形的影響的鉛直豎立的位置上使用支持基板。
[0006]再者，在不對陽極體浸潰于處理液時的浸潰位置(高度)進(jìn)行高精度地控制的情況下，例如，每個制品的形成于陽極體的半導(dǎo)體層的形成位置(特別是高度)變得不一致。半導(dǎo)體層超過在陽極體中規(guī)定的位置而形成了的電容器，成為不良品的概率高，使成品率大大下降。特別是小的陽極體，要求以更高精度對浸潰位置(高度)進(jìn)行控制。
[0007]在先技術(shù)文獻(xiàn)
[0008]專利文獻(xiàn)1:國際公開第2010/107011號手冊
【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]但是，如上所述，在并列固定于鉛直豎立地配置了的支持基板的下端部的多個陽極體上，形成電介質(zhì)層、半導(dǎo)體層的情況下，由于只能將陽極體與支持基板的下端部連接，因此存在I枚支持基板可以處理的陽極體的數(shù)量少、生產(chǎn)效率低的問題。
[0010]本發(fā)明鑒于該技術(shù)背景完成，目的是提供利用I枚基板可以處理的陽極體的數(shù)量多、生產(chǎn)效率優(yōu)異，并且可以對陽極體相對于處理液的浸潰位置(高度)以高精度進(jìn)行控制的電容器元件制造用夾具和電容器元件的制造方法。[0011]為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明提供以下手段。
[0012][I] 一種電容器元件制造用夾具，其特征在于，具備:
[0013]基板；
[0014]并列配置于上述基板的至少一面的多個梁構(gòu)件；和
[0015]設(shè)置于上述梁構(gòu)件的多個導(dǎo)電性插座，
[0016]上述多個插座能夠與向電容器用陽極體供給電流的電源電連接，
[0017]上述插座具有插入口，所述插入口是將具有引線的電容器用陽極體的引線電連接時的該引線的插入口，且上述插入口向上述基板的下方向打開。
[0018][2]根據(jù)前項(xiàng)I所述的電容器元件制造用夾具，上述梁構(gòu)件的寬度為1.6mm~5.1mm,高度為 2mm ~10mnin
[0019][3]根據(jù)前項(xiàng)I或2所述的電容器元件制造用夾具，上述梁構(gòu)件是含有硬質(zhì)樹脂而形成的。
[0020][4]根據(jù)前項(xiàng)I~3中任一項(xiàng)所述的電容器元件制造用夾具，上述電源包含形成于上述基板的至少一面的電路，
[0021]各個上述插座，分別與各個上述電源電連接，除了與上述電源連接以外相互電絕緣。
[0022][5]根據(jù)前項(xiàng)4所述的電容器元件制造用夾具，上述電路為恒流電路。
[0023][6]根據(jù)前項(xiàng)4或5所述的電容器元件制造用夾具，上述電路也是對各個上述插座的每一個限制電壓的電路。
[0024][7] 一種電容器元件的制造方法，其特征在于，包括電介質(zhì)層形成工序，
[0025]該工序在電容器用陽極體與前項(xiàng)I~6中任一項(xiàng)所述的電容器元件制造用夾具的插座連接，且
[0026]上述夾具的基板在上述梁構(gòu)件的長度方向的兩邊緣部被把持，處于保持為水平的狀態(tài)，并且，
[0027]上述陽極體浸潰于化學(xué)轉(zhuǎn)化處理液中的狀態(tài)下，
[0028]以上述陽極體為陽極進(jìn)行通電，從而在上述陽極體的表面形成電介質(zhì)層。
[0029][8] 一種電容器元件的制造方法，其特征在于，包括半導(dǎo)體層形成工序，
[0030]該工序在表面設(shè)置有電介質(zhì)層的陽極體與前項(xiàng)I~6中任一項(xiàng)所述的電容器元件制造用夾具的插座連接，且
[0031]上述夾具的基板在上述梁構(gòu)件的長度方向的兩邊緣部被把持，處于保持為水平的狀態(tài)，并且，
[0032]上述陽極體浸潰于半導(dǎo)體層形成用溶液中的狀態(tài)下，
[0033]以上述陽極體為陽極進(jìn)行通電，從而在上述陽極體表面的電介質(zhì)層的表面形成半導(dǎo)體層。
[0034][9] 一種電容器元件的制造方法，其特征在于，包括電介質(zhì)層形成工序和半導(dǎo)體層形成工序，
[0035]所述電介質(zhì)層形成工序在電容器用陽極體與前項(xiàng)I~6中任一項(xiàng)所述的電容器元件制造用夾具的插座連接，且
[0036]上述夾具的基板在所述梁構(gòu)件的長度方向的兩邊緣部被把持，處于保持為水平的狀態(tài)，并且，
[0037]上述陽極體浸潰于化學(xué)轉(zhuǎn)化處理液中的狀態(tài)下，
[0038]以上述陽極體為陽極進(jìn)行通電，從而在上述陽極體的表面形成電介質(zhì)層，
[0039]所述半導(dǎo)體層形成工序在上述電介質(zhì)層形成工序之后，在陽極體與插座連接的狀態(tài)的上述基板處于保持為水平的狀態(tài)，并且，
[0040]上述陽極體浸潰于半導(dǎo)體層形成用溶液中的狀態(tài)下，
[0041]以上述陽極體為陽極進(jìn)行通電，從而在上述陽極體表面的電介質(zhì)層的表面形成半導(dǎo)體層。
[0042][10] 一種電容器的制造方法，該方法在采用前項(xiàng)7~9中任一項(xiàng)所述的制造方法得到的電容器元件的陽極體和半導(dǎo)體層上，分別電連接電極端子，并殘留上述電極端子的一部分而進(jìn)行封裝。
[0043][I]的發(fā)明中，由于具備并列配置于基板的至少一面的多個梁構(gòu)件，例如，如果將基板中的梁構(gòu)件的長度方向的兩邊緣部把持并保持為水平狀態(tài)，則不僅變得難以產(chǎn)生基板彎曲等變形(應(yīng)變)，而且由于在其中特別難以彎曲的梁構(gòu)件上設(shè)置有插座，因此將與該保持水平狀態(tài)的電容器元件制造用夾具的基板的插座連接的陽極體浸潰于處理液中時，各陽極體的高度位置高精度地變得相同，據(jù)此可以將陽極體中的例如電介質(zhì)層和/或半導(dǎo)體層的形成聞度位置聞精度地控制為相同聞度，可以制造聞品質(zhì)的電容器兀件。 [0044]另外，由于裝配于基板的插座的插入口向基板的下方向開口，因此變得能夠例如在基板的許多區(qū)域(大致整個表面等)上裝配多個電容器陽極體，這樣地，I枚基板能夠處理的陽極體的數(shù)量多且生產(chǎn)性優(yōu)異。
[0045][2]和[3]的發(fā)明中，以容易處理的形狀，變得更難以產(chǎn)生基板彎曲等變形(應(yīng)變)，可以將陽極體中的例如電介質(zhì)層和/或半導(dǎo)體層的形成高度位置進(jìn)一步高精度地控制為相同高度。
[0046][4]的發(fā)明中，由于電源在基板上形成，因此作為電容器元件制造系統(tǒng)可以構(gòu)成節(jié)省空間的系統(tǒng)。并且，由于各個插座分別與各個電源電連接，因此可以對向各個電容器用陽極體個別地供給的電流進(jìn)行控制。
[0047][5]的發(fā)明中，由于電路為恒流電路，因此存在可以將得到的電容器元件的偏差減少的優(yōu)點(diǎn)。
[0048][6]的發(fā)明中，由于電路也是對各個上述插座的每一個限制電壓的電路，因此即使流通比較大的電流，施加于陽極體的最大的電壓值也被限制，據(jù)此存在可以縮短化學(xué)轉(zhuǎn)化和/或半導(dǎo)體形成的處理時間的優(yōu)點(diǎn)。
[0049][7]的發(fā)明中，由于電容器元件制造用夾具的基板即使保持為水平狀態(tài)也難以產(chǎn)生板彎曲等變形(應(yīng)變)，因此將與該保持水平狀態(tài)的基板的插座連接的陽極體浸潰于化學(xué)轉(zhuǎn)化處理液中時，各陽極體的高度位置高精度地變得相同，據(jù)此可以將陽極體中的電介質(zhì)層的形成聞度位置聞精度地控制為相同聞度，從而能夠制造聞品質(zhì)的電容器兀件。
[0050][8]的發(fā)明中，由于電容器元件制造用夾具的基板即使保持為水平狀態(tài)也難以產(chǎn)生板彎曲等變形(應(yīng)變)，因此將與該保持水平狀態(tài)的基板的插座連接的陽極體浸潰于半導(dǎo)體層形成用溶液中時，各陽極體的高度位置高精度地變得相同，據(jù)此可以將陽極體中的半導(dǎo)體層的形成高度位置高精度地控制為相同高度，從而能夠制造高品質(zhì)的電容器元件。[0051][9]的發(fā)明中，由于電容器元件制造用夾具的基板即使保持為水平狀態(tài)也難以產(chǎn)生板彎曲等變形(應(yīng)變)，因此將與該保持水平狀態(tài)的電容器元件制造用夾具的基板的插座連接的陽極體浸潰于處理液(化學(xué)轉(zhuǎn)化處理液、半導(dǎo)體層形成用溶液)中時，各陽極體的高度位置高精度地變得相同，據(jù)此可以將陽極體中的電介質(zhì)層的形成高度位置高精度地控制為相同高度，并且可以將半導(dǎo)體層的形成高度位置高精度地控制為相同高度，從而能夠制造聞品質(zhì)的電容器兀件。
[0052][10]的發(fā)明中，可以制造將陽極體中的例如電介質(zhì)層和/或半導(dǎo)體層的形成高度位置高精度地控制為規(guī)定高度的高品質(zhì)的電容器。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0053]圖1是表示本發(fā)明涉及的電容器元件制造用夾具的一實(shí)施方式的立體圖。
[0054]圖2是表示裝配狀態(tài)的基板的俯視圖。
[0055]圖3是表示裝配狀態(tài)的基板的仰視圖。
[0056]圖4是圖2中的X-X線的放大截面圖。
[0057]圖5是將圖2的俯視圖的電路的一部分放大來表示的模式圖。
[0058]圖6是將埋設(shè)有插座的梁構(gòu)件放大來表不的圖，(A)是主視圖，(B)是底視圖，(C)是(A)中的V-V線的截面圖。
[0059]圖7是表示使用了本發(fā)明的電容器元件制造用夾具的電容器元件的制造方法的示意性主視圖。
[0060]圖8是表示圖7中的插座與陽極體的連接方式的截面圖。
[0061]圖9是用電路表示本發(fā)明的電容器元件的制造方法的模式圖(電容器元件制造用夾具中的電路僅表示了兩個電路)。
[0062]圖10是表示電容器元件制造用夾具的基板中的電路的另一例的電路圖。
[0063]圖11是表示采用本發(fā)明涉及的制造方法制造的電容器元件的一實(shí)施方式的局部截面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0064]本發(fā)明涉及的電容器元件制造用夾具10的一實(shí)施方式示于圖1~6。上述電容器元件制造用夾具10具備基板11和梁構(gòu)件8。上述梁構(gòu)件8具備多個導(dǎo)電性插座1，裝配于上述基板11的下表面。
[0065]上述插座I具備:在下表面設(shè)置有引線插入口 37的導(dǎo)電性插座主體部2、將該插座主體部2的一部分以不堵塞上述插入口 37的方式覆蓋的絕緣部5 (梁構(gòu)件8的一部分)、和與上述插座主體部2電連接的導(dǎo)電性引線部4(參照圖4、6)。
[0066]本實(shí)施方式中，作為上述多個插座1，使用多個插座I等間隔并列埋設(shè)而成的梁構(gòu)件8(參照圖3、6)。
[0067]在上述基板11上，如圖2、5所不,形成具有一對電端子14、15的電路30。上述一對電端子14、15與電力供給源(以下稱為「電源」)32電連接(參照圖9)。 [0068]上述電路30,具有限制電流的電路(例如圖9、圖10的電路等)，通過插座I和與其連接的引線53，向各陽極體(導(dǎo)電體)52的每一個獨(dú)立地供給電流。即，上述電路30對各個上述插座I的每一個限制電流。
[0069]因此，流經(jīng)各陽極體(導(dǎo)電體)52的最大的電流值變?yōu)樯鲜鲭娐返碾娏飨拗浦?。作為限制電流的電路，為了將得到的電容器的偏差盡可能減少，優(yōu)選設(shè)為恒流電路(例如圖9)。
[0070]另外，更優(yōu)選上述電路30還是對各個插座I的每一個限制電壓的電路。即，更優(yōu)選上述電路30還是對施加于各陽極體(導(dǎo)電體)52的電壓進(jìn)行限制的電路。該情況下，SP使流通比較大的電流，施加于陽極體52的最大的電壓值也被限制，因此可以縮短化學(xué)轉(zhuǎn)化和/或半導(dǎo)體層形成的處理時間。
[0071]上述一對電端子14、15設(shè)置于上述電路基板11的寬度方向的一端部(參照圖1~3)。一方的電端子為電流限制端子14，根據(jù)向該端子14施加的電壓來設(shè)定電流的限制值。例如，圖9的電路的情況下，可以根據(jù)電流限制端子14與后述的電壓限制端子15的電位差，圖10的電路的情況下，可以根據(jù)電流限制端子14與陰極板51的電位差，分別進(jìn)行設(shè)定。 [0072]上述另一方的電端子為電壓限制端子15，根據(jù)向該端子15施加的電壓來限制施加于各陽極體(導(dǎo)電體)52的最大的電壓值。例如，圖9和圖10的電路的情況下，可以根據(jù)電壓限制端子15與陰極板51的電位差進(jìn)行設(shè)定。
[0073]對本實(shí)施方式中的形成于上述基本11的電路30的詳細(xì)情況進(jìn)行說明。如圖2~
5、9所示，在上述基板11的上表面裝配(安裝)有晶體管19和電阻器18，上述晶體管19的發(fā)射極E與電阻器18的一端電連接，上述電阻器18的另一端與電流限制端子14電連接，上述晶體管19的基極B與電壓限制端子15電連接，上述晶體管19的集電極C與插座I的引線部4電連接。上述引線部4的基端側(cè)的一部分配置于在上述基板11上設(shè)置的貫通孔49內(nèi)(參照圖4)。
[0074]對沿上述基板11的長度方向配置于一列(寬度方向的一端側(cè)的一列)的多個貫通孔49的每一個，分別從基板11的下表面?zhèn)炔逋ū宦裨O(shè)于上述一個梁構(gòu)件8的插座I的各引線部4，該引線部4的頂端與上述電路30電連接(參照圖4)。沿上述基板11的長度方向配置于第二列(從寬度方向的一端側(cè)起第二列)的多個貫通孔49的每一個，分別從基板11的下表面?zhèn)炔逋ū宦裨O(shè)于另一個梁構(gòu)件8的插座I的各引線部4，該引線部4的頂端與上述電路30電連接(參照圖4)。關(guān)于第三列及其以后的各列的多個貫通孔49也同樣地，從基板11的下表面?zhèn)炔逋ū宦裨O(shè)于梁構(gòu)件8的插座I的各引線部4，該引線部4的頂端與上述電路30電連接(參照圖4)。這樣地，通過上述引線部4與上述電路30電連接，使上述插座I與上述電路30電連接(參照圖4)。這樣上述多個插座I裝配于上述基板11的下表面(參照圖3、4)。本實(shí)施方式為上述基板11的長度方向與上述梁構(gòu)件8的長度方向大致一致(包含一致)的方式(參照圖3)。再者，上述引線部4的頂端與上述電路30的電連接通過焊料20來進(jìn)行(參照圖4、5)。
[0075]如圖4所示，裝配于上述基板11的多個插座I的引線插入口 37在該基板11的下表面?zhèn)认蛳路较蜷_口。在上述插座I的下表面的插入口 37電連接具有引線53的電容器用陽極體53的該引線53時,該引線53的插入方向?yàn)橄鄬τ谏鲜龌?1的下表面垂直的方向(參照圖7、8)。
[0076]本發(fā)明中，電容器元件制造用夾具10中的電路30，并不特別限定于圖9所示的結(jié)構(gòu)，也可以是例如圖10所示的電路結(jié)構(gòu)。圖10中，31為二極管。
[0077]本發(fā)明中，上述基板11可以是由I枚板構(gòu)成，也可以是多枚板層疊而成的疊層板。作為上述基板11采用疊層板的情況下，例如，可以是相鄰的板彼此不粘結(jié)而簡單重合狀態(tài)的疊層板，也可以是相鄰的板粘結(jié)的疊層板。
[0078]作為上述基板11，使用絕緣性基板。作為上述絕緣性基板的材質(zhì)，并沒有特別限定，例如，可舉出酚醛樹脂、玻璃環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂等絕緣材料。
[0079]本實(shí)施方式中使用的插座I示于圖6。該插座I具備導(dǎo)電性的插座主體部2和導(dǎo)電性的引線部4。在本實(shí)施方式中，成為多個插座I并列埋設(shè)于梁構(gòu)件8的結(jié)構(gòu)(參照圖6)。
[0080]上述插座主體部2，是作為與陽極體(導(dǎo)電體)52等電連接的電連接端子發(fā)揮作用的構(gòu)件，為了得到電導(dǎo)通，由金屬材料等導(dǎo)電性材料構(gòu)成。作為構(gòu)成上述插座主體部2的金屬，并沒有特別限定，優(yōu)選使用以選自銅、鐵、銀和鋁中的至少I種金屬為主要成分(含有50質(zhì)量％以上)的金屬(包含合金)。在上述插座主體部2的表面，可以施加至少一層錫鍍層、釬焊鍍層、鎳鍍層、金鍍層、銀鍍層、銅鍍層等以往公知的鍍層。
[0081]本實(shí)施方式中，上述插座主體部2包括圓柱部21和從該圓柱部21的底面的周緣部朝向下方向外側(cè)擴(kuò)延的傾斜面部22(參照圖6)，這些圓柱部21和傾斜面部22由金屬材料等導(dǎo)電性材料構(gòu)成。通過由上述傾斜面22圍繞來形成引線插入口 37(參照圖6)。在上述圓柱部21的內(nèi)部設(shè)置有其底面有開口的空洞部23。該空洞部23與上述引線插入口 37的空間連通。在上述空洞部23的內(nèi)周面連接有金屬制彈簧構(gòu)件24，由該金屬制彈簧構(gòu)件24圍繞形成引線插通孔38。上述引線插通孔38與上述引線插入口 37的空間連通。通過在上述引線插通孔38上，以接觸狀態(tài)插通配置陽極體(導(dǎo)電體)52的引線53等，使上述插座主體部2與上述陽極體(導(dǎo)電體)52電連接。
[0082]從上述插座主體部2的上表面(圓柱部21的上表面)的中央延伸設(shè)置有引線部4(參照圖6)。上述引線部4由金屬材料等導(dǎo)電性材料構(gòu)成。即，上述引線部4與上述插座主體部2形成一體并與該插座主體部2電連接。作為構(gòu)成上述引線部4的金屬，可舉出與作為構(gòu)成上述插座主體部2的金屬例示的同樣的金屬。上述引線部4通常由與構(gòu)成上述插座主體部2的金屬相同的金屬構(gòu)成。
[0083]上述插座主體部2的一部分在不堵塞上述引線插入口 37的方式，由上述樹脂制絕緣部5被覆。本實(shí)施方式中，上述插座主體部2的全部周側(cè)面由樹脂絕緣部5被覆(參照圖6)。
[0084]進(jìn)而，對設(shè)置于上述基板11的貫通孔49的每一個，分別從基板11的下表面?zhèn)炔逋ㄉ鲜霾遄鵌的各引線部4，在基板11的下表面用粘結(jié)劑粘結(jié)上述梁構(gòu)件8的上表面。這樣地，通過上述梁構(gòu)件8 (多個插座I)的上表面以與上述基板11的下表面抵接的方式被固定于該基板11的下表面，使上述插座I裝配于上述基板11的下表面(參照圖3、4)。
[0085]上述梁構(gòu)件8為了將各插座I間電絕緣，至少在插座I的周圍具備絕緣部5。梁構(gòu)件8包含絕緣材料,可以兼作絕緣部。作為構(gòu)成上述梁構(gòu)件8或上述絕緣部5的材料,并沒有特別限定，優(yōu)選為容易進(jìn)行用于設(shè)置插座I的加工、剛性較高的絕緣材料。例如，可舉出環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚酰胺樹脂、聚酰胺-酰亞胺樹脂、聚酯樹脂、聚苯硫醚樹脂等硬質(zhì)樹脂等。[0086]接著，對使用了上述電容器元件制造用夾具10的電容器元件的制造方法進(jìn)行說明。圖7中將電容器元件的制造方法的一例用示意圖表示。圖9是用電路表示該電容器元件的制造方法的模式圖。
[0087]首先，準(zhǔn)備其中被投入了處理液59的處理容器50。作為上述處理液59，可舉出用于形成電介質(zhì)層54的化學(xué)轉(zhuǎn)化處理液、用于形成半導(dǎo)體層55的半導(dǎo)體層形成用溶液等。
[0088]另一方面，如圖7所示，通過將上述固體電解電容器元件制造用夾具10的基板11的長度方向的兩邊緣部，用機(jī)械搬送裝置(沒有圖示)的把持部40把持，來將基板11保持為水平。
[0089]接著，對裝配于上述電容器元件制造用夾具10的基板11的下表面的各插座I的每一個，分別連接具有引線53的陽極體(導(dǎo)電體)52(參照圖8)。由于上述引線53的頂端側(cè)與上述插座主體部2的空洞部23內(nèi)的金屬制彈簧構(gòu)件24變?yōu)榻佑|狀態(tài)，因此插座I與陽極體(導(dǎo)電體)52電連接(參照圖8)。據(jù)此，上述陽極體52與基板11的電路30電連接(參照圖7、9)。上述引線53向插座I的插入方向?yàn)橄鄬τ诨?1垂直的方向(參照圖7、8)。
[0090]接著，將安置有上述陽極體(導(dǎo)電體)52的電容器元件制造用夾具10，在上述處理容器50的上方位置水平地配置，一邊保持該制造用夾具10的水平狀態(tài)(基板11的下表面水平的狀態(tài))，一邊使夾具10下降直到上述陽極體(導(dǎo)電體)52的至少一部分(通常為全部)浸潰于上述處理液59中的狀態(tài)并在該高度位置固定夾具10(參照圖7)。
[0091]并且，在上述陽極體(導(dǎo)電體)52的浸潰狀態(tài)下，將上述陽極體52作為陽極，將配置于上述處理液59中的陰極板51作為陰極進(jìn)行通電(參照圖7、9)。如果使用化學(xué)轉(zhuǎn)化處理液作為第1次的處理液59,則可以通過上述通電在導(dǎo)電體52的表面形成電介質(zhì)層54(參照圖11)(電介質(zhì)層形成工序)。
[0092]接著，根據(jù)需要將表面具備有上述電介質(zhì)層54的陽極體52進(jìn)行水洗、使其干燥后，向與上述不同的另一處理容器50內(nèi)新投入半導(dǎo)體層形成用溶液59，與上述同樣地一邊將夾具10保持水平狀態(tài)(基板11的下表面為水平的狀態(tài))，一邊使其下降直到上述陽極體52的至少一部分(通常為全部)浸潰于上述半導(dǎo)體層形成用溶液59中的狀態(tài)并在該高度位置固定夾具10，如果將上述陽極體52作為陽極，將配置于上述半導(dǎo)體層形成用溶液59中的陰極板51作為陰極進(jìn)行通電，即如果使用半導(dǎo)體層形成用溶液作為第2次的處理液59進(jìn)行通電，則可以在陽極體52表面的電介質(zhì)層54的表面形成半導(dǎo)體層55 (半導(dǎo)體層形成工序)，這樣可以制造電介質(zhì)層在陽極體52的表面層疊、半導(dǎo)體層55在該電介質(zhì)層54的表面進(jìn)一步層疊而成的電容器元件56(參照圖11)。
[0093]并且，在本發(fā)明涉及的電容器元件的制造方法中，例如，可以在上述電介質(zhì)層形成工序和上述半導(dǎo)體層形成工序之間、和/或半導(dǎo)體層形成工序之后，對陽極體52進(jìn)行熱處理。
[0094]上述梁構(gòu)件8的大小沒有特別限制，設(shè)為與浸潰于處理液59時的電容器元件的配置相適合的大小等即可。梁構(gòu)件8的寬度W優(yōu)選為1.6mm~5.1mm,更優(yōu)選為2mm~3mm。梁構(gòu)件8的高度H優(yōu)選為2mm~IOmm,更優(yōu)選為3mm~5mm。梁構(gòu)件8的長度L優(yōu)選為比至少可以收納需要的插座I的數(shù)量的長度長、且不從基板11伸出的范圍，更優(yōu)選在該范圍內(nèi)較長。只要在這樣的尺寸范圍內(nèi)，則容易得到易于機(jī)械運(yùn)輸、剛性較高的夾具10。[0095]作為上述陽極體52，并沒有特別限定，例如，可例示選自閥作用金屬和閥作用金屬的導(dǎo)電性氧化物中的陽極體的至少I種。作為這些的具體例，可舉出鋁、鉭、鈮、鈦、鋯、一氧
化鈮、一氧化鋯等。
[0096]作為上述陽極體52的形狀，沒有特別限定，例如，可舉出箔狀、板狀、棒狀、長方體狀等。
[0097]作為上述化學(xué)轉(zhuǎn)化處理液59，并沒有特別限定，例如可舉出有機(jī)酸或其鹽類(例如，己二酸、醋酸、己二酸銨、苯甲酸等)、無機(jī)酸或其鹽類(例如，磷酸、硅酸、磷酸銨、硫酸、硫酸銨等)等以往公知的電解質(zhì)溶解或懸浮的液體等。通過使用這樣的化學(xué)轉(zhuǎn)化處理液進(jìn)行上述通電可以在陽極體52的表面形成含有Ta205、Al203、Zr203、Nb205等絕緣性金屬氧化物的電介質(zhì)層54。
[0098]再者，可以將使用了這樣的化學(xué)轉(zhuǎn)化處理液的電介質(zhì)層形成工序省略，將表面已經(jīng)設(shè)置有電介質(zhì)層54的陽極體52向上述半導(dǎo)體層形成工序提供。作為這樣的表面的電介質(zhì)層54，可舉出以選自絕緣性氧化物中的至少I種為主要成分的電介質(zhì)層、陶瓷電容器和/或薄膜電容器的領(lǐng)域中以往公知的電介質(zhì)層。
[0099]作為上述半導(dǎo)體層形成用溶液59，只要是通過通電可形成半導(dǎo)體的溶液則沒有特別限定，例如，可舉出含有苯胺、噻吩、吡咯、甲基吡咯、它們的取代衍生物(例如，3，4_亞乙二氧基噻吩等)等的溶液 等?？梢韵蛏鲜霭雽?dǎo)體層形成用溶液59中進(jìn)一步添加摻雜劑。作為上述摻雜劑，并沒有特別限定，例如，可舉出芳基磺酸或其鹽類、烷基磺酸或其鹽類、各種高分子磺酸或其鹽類等公知的摻雜劑等。通過使用這樣的半導(dǎo)體層形成用溶液59進(jìn)行上述通電可以在上述陽極體52表面的電介質(zhì)層54的表面上形成包含例如導(dǎo)電性聚合物(例如聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯、聚甲基吡咯等)的半導(dǎo)體層55。
[0100]本發(fā)明中，在采用上述制造方法得到的電容器元件56的半導(dǎo)體層55上，為了使與用于伸出電容器的外部的電極端子(例如，引線框架)的電接觸良好，可以設(shè)置電極層。
[0101]上述電極層，可以通過例如導(dǎo)電漿的固化、鍍敷、金屬沉積、耐熱性的導(dǎo)電樹脂模的形成等來形成。作為導(dǎo)電漿，優(yōu)選銀漿、銅漿、鋁漿、碳漿、鎳漿等。
[0102]通過在這樣得到的電容器元件56的陽極體52和半導(dǎo)體層55上，分別與電極端子電連接(例如，將引線53與一方的電極端子焊接，將電極層(半導(dǎo)體層)55用銀漿等與另一方的電極端子粘結(jié))，殘留上述電極端子的一部分而進(jìn)行封裝來得到電容器。
[0103]封裝方法沒有特別限定，例如，有樹脂模具包裝、樹脂外殼包裝、金屬制外殼包裝、浸潰樹脂的包裝、層壓薄膜的包裝等。其中，由于小型化和低成本化可以簡單地進(jìn)行，因此優(yōu)選樹脂模具包裝。
[0104]實(shí)施例
[0105]接著，對本發(fā)明的具體實(shí)施例進(jìn)行說明，但本發(fā)明并不特別限定于這些實(shí)施例。
[0106]〈實(shí)施例1>
[0107][陽極體(導(dǎo)電體)52的制作]
[0108]準(zhǔn)備了 640個在長度0.80mmX寬度0.53mmX厚度0.43mm的長方體形狀的鉭燒結(jié)體(陽極體)52的0.53mmX0.43mm的面(上表面)上，豎立有長度10.4±0.3mm、直徑
0.15mm的鉭絲(引線)53的陽極體。并且,將外徑0.40mm、內(nèi)徑0.10mm、厚度0.1Omm的聚四氟乙烯環(huán)狀墊片進(jìn)行了安裝(包裝)直到引線53的根部。[0109][本發(fā)明的固體電解電容器元件制造用夾具10的制作]
[0110](裝配有電子部件的基板)
[0111]準(zhǔn)備了長度180_X寬度96_X厚度1.6mm的玻璃環(huán)氧基板。在該玻璃環(huán)氧基板上，沿該基板的長度方向以2.54mm間距形成64個貫通孔49，這些延伸為一列的64個貫通孔49的群，沿基板11的寬度方向以8mm間距合計(jì)形成10列(再者，附圖中，由于制圖方面的原因僅記載了 9列)。即，在上述玻璃環(huán)氧基板11上，合計(jì)形成了 640個貫通孔49。
[0112]在上述基板11上，如前項(xiàng)中詳細(xì)描述的圖2、5所示，形成有成為用于向陽極體供給電流的電源的電路30等。在上述基板11的上表面的長度方向上延伸的一對邊緣部中的一方的邊緣部的該長度方向的中間部設(shè)置有電流限制端子14和電壓限制端子15(參照圖
1、2)。
[0113]另外，以如前項(xiàng)中詳細(xì)描述的圖2~5、9所示的結(jié)構(gòu)將各種電子部件(晶體管19和電阻器18)裝配于上述基板11。將各晶體管19的集電極C作為電源的輸出。作為上述電阻器18，使用了 1ΚΩ (誤差±0.5%以內(nèi))，作為上述晶體管19，使用了東芝制的「晶體管2SA2154」。
[0114]準(zhǔn)備了聚苯硫醚樹脂制的梁構(gòu)件8(長度L為165.1mm、寬度W為2.54mm、高度H為4.5mm)。在該梁構(gòu)件8上，以2.54mm間距并列埋設(shè)有64個插座1，從梁構(gòu)件8的上表面引出插座I的各引線部4(參照圖6)。
[0115]對設(shè)置于上述基板 11的640個貫通孔49的每一個，分別從基板11的下表面?zhèn)炔逋ㄉ鲜隽簶?gòu)件8的各引線部4，在基板11的下表面粘結(jié)上述梁構(gòu)件8的上表面。另外，上述引線部4與上述電源的輸出電連接(參照圖4、5)。從而，10個上述梁構(gòu)件8并列裝配于上述基板11的下表面(參照圖3、4、7、8)。
[0116]這樣得到了具備基板11、裝配于該基板11的電子部件、和裝配于上述基板11的下表面的多個插座I的固體電解電容器元件制造用夾具10 (參照圖1~6)。
[0117][電容器元件的制造]
[0118]如圖7所示，通過將上述固體電解電容器元件制造用夾具10的梁構(gòu)件8的長度方向的兩邊緣部(圖7的基板11的長度方向的兩邊緣部)，用機(jī)械運(yùn)輸裝置(沒有圖示)的把持部40把持，來將基板11保持為水平。
[0119]接著，對裝配于上述電容器元件制造用夾具10的基板11的下表面的多個插座I的每一個，分別連接具有引線53的陽極體(導(dǎo)電體)52。上述引線53向插座I的插入方向?yàn)橄鄬τ诨?1垂直的方向(參照圖7、8)。
[0120]接著，使安置有上述陽極體(導(dǎo)電體)52的電容器元件制造用夾具10，在其中加入了 2質(zhì)量％磷酸水溶液(處理液)59的金屬(不銹鋼)制的處理容器50的上方位置以水平狀態(tài)配置。上述金屬制處理容器50也兼顧陰極板51的作用。
[0121]操作上述機(jī)械運(yùn)輸裝置，一邊保持上述夾具10的水平狀態(tài)一邊使其下降并在該高度位置進(jìn)行了固定(參照圖7)，使得上述陽極體52的全部和引線53的下端5_部分浸潰于上述處理液59中。在該浸潰狀態(tài)下，在電壓限制端子15與陰極板(包含金屬制處理容器50)51之間施加電壓使得電壓限制值(化學(xué)轉(zhuǎn)化電壓)變?yōu)?.3V，在電流限制端子14與電壓限制端子15之間施加電壓使得各陽極體每一個的電流限制值變?yōu)?.1mA，進(jìn)行了通電。通過在將上述化學(xué)轉(zhuǎn)化處理液59的溫度維持為65°C的狀態(tài)下進(jìn)行8小時陽極氧化，從而在上述導(dǎo)電性燒結(jié)體52的細(xì)孔和外表面以及引線的一部分(5_部分)的表面形成了電介質(zhì)層54。再者，上述陽極氧化中，從經(jīng)過4小時后到經(jīng)過8小時的后半的4小時，使電流限制值以每I小時0.5mA的比例連續(xù)減少(電介質(zhì)層形成工序)。
[0122]將表面具備上述電介質(zhì)層54的陽極體52進(jìn)行水洗、使其干燥后，浸潰于20質(zhì)量％的亞乙二氧基噻吩乙醇溶液中，另一方面向與上述處理容器50不同的另一處理容器50內(nèi)投入半導(dǎo)體層形成用溶液59 (在包含70質(zhì)量份的水和30質(zhì)量份的乙二醇的混合溶劑中，含有0.4質(zhì)量％的亞乙二氧噻吩和0.6質(zhì)量％的蒽醌磺酸的溶液)后，一邊保持上述夾具10水平狀態(tài)，一邊使其下降并在該高度位置固定，使得表面具備上述電介質(zhì)層54的陽極體52的全部和引線53的下端5mm部分浸潰于上述半導(dǎo)體層形成用溶液59中。在該浸潰狀態(tài)下，以20°C、每I個陽極體5 μ A的恒流進(jìn)行了 50分鐘電解聚合。然后，將表面具備上述電介質(zhì)層54的陽極體52從溶液59中提起，進(jìn)行了水洗、醇洗凈、干燥。通過進(jìn)一步進(jìn)行6次這樣的包括電解聚合(以每I個陽極體5 μ A的恒流的50分鐘電解聚合)、水洗、醇洗凈、干燥的操作，從而在表面形成有電介質(zhì)層54的陽極體52的該電介質(zhì)層54的表面形成了包含導(dǎo)電性聚合物的半導(dǎo)體層55 (半導(dǎo)體層形成工序)。
[0123]接著，通過再化學(xué)轉(zhuǎn)化來進(jìn)行了上述電介質(zhì)層54的修復(fù)。該再化學(xué)轉(zhuǎn)化，使用與上述陽極氧化時相同的溶液，以限制電壓6.3V、各陽極體每一個的限制電流0.1mA進(jìn)行了15分鐘(再化學(xué)轉(zhuǎn)化處理工序)。
[0124]接著，在陽極體上 的半導(dǎo)體層55的表面涂布碳漿{了午” > 公司制「二 > ^卜口夕' 〃 fT PR-406J)后，通過將陽極體52連接于插座I的狀態(tài)的基板11在150°C的氣氛中放置3小時來進(jìn)行了干燥(碳層形成工序)。
[0125]接著，將電介質(zhì)層54、半導(dǎo)體層55和碳層層疊而成的陽極體52進(jìn)行水洗、干燥后，在碳層的表面涂布銀漿，接著通過將陽極體52連接于插座I的狀態(tài)的基板11在150°C的氣氛中放置4小時來進(jìn)行了干燥(銀漿層疊工序)。這樣得到了電容器元件56。
[0126]經(jīng)過上述一系列工序可以制作640個電容器元件56，通過對其進(jìn)一步實(shí)施3次(即全部進(jìn)行4次)，從而制作了合計(jì)2560個電容器元件56。
[0127]對這2560個電容器元件，通過目測調(diào)查了在引線53的根部(基端)的聚四氟乙烯制墊片(厚度0.1Omm)之上的位置是否伸出形成有半導(dǎo)體層的結(jié)果，半導(dǎo)體層伸出的電容器元件為O個。
[0128]<比較例1>
[0129]不使用梁構(gòu)件，并且，不將插座I埋設(shè)于梁構(gòu)件而將640個插座I分別個別地直接裝配于基板11，除此以外與實(shí)施例1同樣地得到了電容器元件制造用夾具。即，在基板11的貫通孔49 (成為上述插座I的圓柱部21進(jìn)入的孔徑)內(nèi)，插通插座I使得插座I的上表面與基板上表面成為一面，將插座個別地(以獨(dú)立的狀態(tài))以引線插入口向基板11的下表面方向的狀態(tài)用填充材料進(jìn)行了固定。另外，各插座I與實(shí)施例1同樣地分別與基板11所構(gòu)成的電源的輸出電連接。
[0130]接著，裝配于上述基板的下表面的多個插座I的每一個，分別與實(shí)施例1同樣地連接具有引線53的陽極體(導(dǎo)電體)52。
[0131]并且，這以后的工序(電介質(zhì)層形成工序等)與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行，制作了電容器兀件56。[0132]經(jīng)過上述一系列工序可以制作640個電容器元件56，通過對其進(jìn)一步實(shí)施3次(即全部進(jìn)行4次)，從而制作了合計(jì)2560個電容器元件56。
[0133]在引線53的根部(基端)的聚四氟乙烯制墊片(厚度0.1Omm)上的位置半導(dǎo)體層伸出形成了的元件的數(shù)量為1352個。該比較例I中，從第3次的實(shí)施開始，保持水平的玻璃環(huán)氧基板比較明顯地發(fā)生彎曲變形，在第3次實(shí)施以后，在墊片之上的位置半導(dǎo)體層伸出形成了的元件的數(shù)量明顯增多了。
[0134]本申請享有2011年12月28日提出的日本國專利申請的專利申請2011-288070號的優(yōu)先權(quán)，將其公開內(nèi)容原樣構(gòu)成本申請的一部分。
[0135]必須認(rèn)識到在此使用的用語和表現(xiàn)，是為了說明而使用的，并不是為了進(jìn)行限定性地解釋而使用的，也并不排除在此表示且描述的特征事項(xiàng)的任何等價物，也允許在本發(fā)明的請求保護(hù)的范圍內(nèi)的各種變形。
[0136]本發(fā)明可以以許多不同方式來體現(xiàn)，本公開應(yīng)被視為提供本發(fā)明的原理的實(shí)施例的公開，那些實(shí)施例并不意圖將本發(fā)明限定于在此記載且/或圖示的優(yōu)選實(shí)施方式，在上述認(rèn)識的基礎(chǔ)上，在此記載了許多圖示實(shí)施方式。
[0137]在此記載了一些本發(fā)明的圖示實(shí)施方式，但本發(fā)明并不限定于在此記載的各種優(yōu)選實(shí)施方式，而是包含基于本公開由所謂本領(lǐng)域技術(shù)人員可認(rèn)識的、具有均等的要素、修正、消除、組合(例如，跨各種實(shí)施方式的特征的組合)、改良和/或變更的所有實(shí)施方式。權(quán)利要求的限定事項(xiàng)應(yīng)基于該權(quán)利要求中使用的用語寬泛地解釋，不應(yīng)限定于本說明書或本申請的審查中所記載的實(shí)施例，這樣的實(shí)施例應(yīng)解釋為非排他性的。例如，在本公開中，「preferably (優(yōu)選 )」這樣的用語是非排他性的,意味著「優(yōu)選但并不限定于此」。在本公開和本申請的審查中，手段加功能或步驟加功能的限定事項(xiàng)，對于特定權(quán)利要求的限定事項(xiàng)，
僅適用于以下條件全部存在于該限定事項(xiàng)中的情況:a)明確記載為「means for (用于......的手段)」或「stepfor(用于……的步驟)」，并且b)明確記載與其對應(yīng)的功能，并且c)未提及證實(shí)該結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)、材料或行為。在本公開和本申請的審查中，「present invention(本發(fā)明)」或「invention(發(fā)明)」這樣的用語，有時作為提及本公開范圍內(nèi)的I個或多個側(cè)面的用語使用。該present invention或invention這樣的用語,不應(yīng)作為識別臨界的用語進(jìn)行不適當(dāng)?shù)亟忉專粦?yīng)作為適用于所有側(cè)面即所有實(shí)施方式的用語進(jìn)行不適當(dāng)?shù)亟忉?即，必須理解為本發(fā)明具有許多側(cè)面和實(shí)施方式)、不應(yīng)以限定本申請乃至權(quán)利要求的范圍進(jìn)行不適當(dāng)?shù)亟忉?。在本公開和本申請的審查中，「embodiment (實(shí)施方式)」這樣的用語，在記載任意的側(cè)面、特征、程序或步驟、這些的任意的組合、和/或這些的任意的部分等的情況下被使用。在一些實(shí)施例中，有時各種實(shí)施方式包含重復(fù)的特征。在本公開和本申請的審查中，有時使用「e.g.，」、「NB」這樣的縮寫，分別意味著「例如」、「注意」。
[0138]產(chǎn)業(yè)可利用性
[0139]本發(fā)明涉及的電容器元件制造用夾具，作為電解電容器元件制造用夾具很好地被使用，但并不特別限定于這樣的用途。另外，采用本發(fā)明的制造方法得到的電容器，例如，能夠利用于個人計(jì)算機(jī)、相機(jī)、游戲機(jī)、AV設(shè)備、便攜電話等數(shù)碼設(shè)備和各種電源等電子設(shè)備。
[0140]附圖標(biāo)記說明
[0141]I…插座
[0142]2…插座主體部[0143]4…引線部
[0144]5…絕緣部
[0145]8…梁構(gòu)件
[0146]10…電容器元件制造用夾具
[0147]11…基板
[0148]14…電流限制端子
[0149]15…電壓限制 端子
[0150]18…電阻器
[0151]19…晶體管
[0152]30…電路
[0153]32…電源
[0154]37…引線插入口
[0155]49…貫通孔
[0156]51…陰極板
[0157]52…陽極體(導(dǎo)電體)
[0158]53…引線
[0159]54…電介質(zhì)層
[0160]55…半導(dǎo)體層
[0161]56…電容器兀件
[0162]59…處理液(化學(xué)轉(zhuǎn)化處理液、半導(dǎo)體層形成用處理液)
【權(quán)利要求】
1.一種電容器元件制造用夾具，其特征在于，具備: 基板； 并列配置于所述基板的至少一面的多個梁構(gòu)件；和 設(shè)置于所述梁構(gòu)件的多個導(dǎo)電性插座， 所述多個插座能夠與向電容器用陽極體供給電流的電源電連接， 所述插座具有插入口，所述插入口是將具有引線的電容器用陽極體的引線電連接時的該引線的插入口，且所述插入口向所述基板的下方向打開。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器元件制造用夾具，所述梁構(gòu)件的寬度為1.6mm~5.1mm,高度為 2mm ~10mnin
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電容器元件制造用夾具，所述梁構(gòu)件是含有硬質(zhì)樹脂而形成的。
4.根據(jù)權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的電容器元件制造用夾具，所述電源包含形成于所述基板的至少一面的電路， 各個所述插座，分別與各個所述電源電連接，除了與所述電源連接以外相互電絕緣。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電容器元件制造用夾具，所述電路為恒流電路。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的電容器元件制造用夾具，所述電路也是對各個所述插座的每一個限制電壓的電路。
7.一種電容器元件的制造方法，其特征在于，包括電介質(zhì)層形成工序， 該工序在電容器用陽極體與權(quán)利要求1~6中任一項(xiàng)所述的電容器元件制造用夾具的插座連接，且 所述夾具的基板在所述梁構(gòu)件的長度方向的兩邊緣部被把持，處于保持為水平的狀態(tài),并且， 所述陽極體浸潰于化學(xué)轉(zhuǎn)化處理液中的狀態(tài)下， 以所述陽極體為陽極進(jìn)行通電，從而在所述陽極體的表面形成電介質(zhì)層。
8.一種電容器元件的制造方法，其特征在于，包括半導(dǎo)體層形成工序， 該工序在表面設(shè)置有電介質(zhì)層的陽極體與權(quán)利要求1~6中任一項(xiàng)所述的電容器元件制造用夾具的插座連接，且 所述夾具的基板在所述梁構(gòu)件的長度方向的兩邊緣部被把持，處于保持為水平的狀態(tài),并且， 所述陽極體浸潰于半導(dǎo)體層形成用溶液中的狀態(tài)下， 以所述陽極體為陽極進(jìn)行通電，從而在所述陽極體表面的電介質(zhì)層的表面形成半導(dǎo)體層。
9.一種電容器元件的制造方法，其特征在于，包括電介質(zhì)層形成工序和半導(dǎo)體層形成工序， 所述電介質(zhì)層形成工序在電容器用陽極體與權(quán)利要求1~6中任一項(xiàng)所述的電容器元件制造用夾具的插座連接，且 所述夾具的基板在所述梁構(gòu)件的長度方向的兩邊緣部被把持，處于保持為水平的狀態(tài),并且， 所述陽極體浸潰于化學(xué)轉(zhuǎn)化處理液中的狀態(tài)下，以所述陽極體為陽極進(jìn)行通電，從而在所述陽極體的表面形成電介質(zhì)層， 所述半導(dǎo)體層形成工序在所述電介質(zhì)層形成工序之后，在陽極體與插座連接的狀態(tài)的所述基板處于保持為水平的狀態(tài)，并且， 所述陽極體浸潰于半導(dǎo)體層形成用溶液中的狀態(tài)下， 以所述陽極體為陽極進(jìn)行通電，從而在所述陽極體表面的電介質(zhì)層的表面形成半導(dǎo)體層。
10.一種電容器的制造方法，在采用權(quán)利要求7~9中任一項(xiàng)所述的制造方法得到的電容器元件的陽極體和半導(dǎo)體層上，分別電連接電極端子，并殘留所述電極端子的一部分而進(jìn)行封 裝。
【文檔編號】H01G9/00GK104025226SQ201280064402
【公開日】2014年9月3日 申請日期:2012年9月5日 優(yōu)先權(quán)日:2011年12月28日
【發(fā)明者】內(nèi)藤一美, 鈴木雅博, 田村克俊 申請人:昭和電工株式會社