專利名稱：一種釹鐵硼磁體的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種釹鐵硼磁體的制備方法，屬于磁性材料技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
釹鐵硼(NdFeB)永磁體具有體積小、重量輕和磁性強(qiáng)的特點，是迄今為止性能價 格比最佳的磁體，在磁學(xué)界被譽(yù)為磁王。釹鐵硼永磁材料以其優(yōu)異的性能廣泛用于計算機(jī)、 通訊、國防等高技術(shù)領(lǐng)域，并且新的應(yīng)用領(lǐng)域不斷出現(xiàn)，其發(fā)展和應(yīng)用水平已成為一個國家 國力與發(fā)達(dá)程度的標(biāo)志。電機(jī)是釹鐵硼永磁的主要應(yīng)用領(lǐng)域，其中，在混合動力汽車(HEV) 中的應(yīng)用尤其引人注目，驅(qū)動用電動機(jī)和發(fā)電機(jī)、電力操縱轉(zhuǎn)向(EPS)，已進(jìn)入實用階段。采 用高性能釹鐵硼磁體制備的永磁電機(jī)具有高效、高功率密度以及調(diào)速性能好等優(yōu)點，正逐 步成為混合動力汽車傳動的首選電機(jī)。用于汽車中的材料制品一般使用壽命應(yīng)超過10年， 故要求其材料具有長期穩(wěn)定可靠的性能。汽車中部件的使用環(huán)境溫度為-40 140°C，在發(fā) 動機(jī)附近更是高達(dá)180 220°C，為了實現(xiàn)電機(jī)的穩(wěn)定工作，要求汽車電機(jī)用釹鐵硼磁體有 充分高的矯頑力(矯頑力> 30K0e)，使其在使用溫度范圍內(nèi)不產(chǎn)生磁性能惡化。然而，現(xiàn)有 的釹鐵硼永磁雖然磁能積高，但存在致命的缺點居里溫度和工作溫度低、熱穩(wěn)定性差，溫 度高于150°C時其磁性能急劇惡化。為了解決釹鐵硼永磁的溫度穩(wěn)定性，國內(nèi)外開展了大量的研究工作。人們發(fā)現(xiàn)，通 過添加元素提高磁體的矯頑力是一種有效的方法，如在燒結(jié)NdFeB母合金中添加一定量的 重稀土元素Tb、Dy以及過渡族金屬Co、Cu、Zr、Ga、Al、Mn、Cr、Zn、Mo、V、Ti、Sn等，能有效 提高磁體的矯頑力，改善磁體的溫度穩(wěn)定性。通過添加重稀土元素Tb、Dy，顯著提高磁體的 矯頑力。然而，Tb、Dy的添加帶來了兩個嚴(yán)重的問題(1)大部分Tb、Dy進(jìn)入晶粒內(nèi)部與狗 和B元素形成Tbfe14B或DyJe14B化合物，這類化合物的磁化強(qiáng)度遠(yuǎn)低于釹鐵硼永磁的主 相Nd2Fe14B,會大幅降低材料的剩磁和磁能積；⑵Tb、Dy等重稀土元素價格昂貴，屬于稀缺 資源，其貯藏量僅為Nd的1/10 1/100，而且礦脈局限在幾個地方，產(chǎn)量十分有限。而高 矯頑力燒結(jié)釹鐵硼磁體的生產(chǎn)中通常添加5wt% 10wt%的重稀土元素，不僅生產(chǎn)成本很 高，而且需求量將遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過有限的資源。燒結(jié)NdFeB現(xiàn)有的制備方法包括鑄錠_磁體工藝和快冷厚帶(亦稱鑄片，薄片 等)_磁體工藝，兩者的區(qū)別在于前者的母合金以塊狀形式存在，晶粒粗大，適合制備普通 性能的磁體；而后者以片狀形式存在，晶粒細(xì)小均勻，適合制備高性能磁體。但是二者有一 個共同點即在制備高矯頑力燒結(jié)NdFeB磁體時，Tb、Dy等重稀土元素均預(yù)先添加在母合金 中，不僅浪費了重稀土資源，增加了生產(chǎn)成本，而且犧牲了磁體的部分剩磁和磁能積。目前國內(nèi)有提高磁體矯頑力的相關(guān)專利報道，報道不外乎通過兩種方式添加Tb、 Dy，一是通過傳統(tǒng)的熔煉添加，二是通過制粉時混合添加，其中日本真空專利(Application number 2006-158500)采用真空蒸鍍方式進(jìn)行磁體鍍膜來達(dá)到磁體綜合性能的提高，其不 足有以下幾點(1)設(shè)備價格昂貴( 材料利用率低C3)膜均勻性難以控制，難以實現(xiàn)產(chǎn)業(yè) 化⑷R2元素僅僅說明了 Tb、Dy，未提及Gd、Ho。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，提出了一種制備低成本、高矯頑力燒結(jié)釹鐵硼磁體 的新技術(shù)，即在現(xiàn)有磁體制備技術(shù)的基礎(chǔ)上，在母合金中不加入Tb、Dy、Ho、Gd等重稀土元 素，而是在磁體初步制成后，通過電沉積法把Tb、Dy、Ho、Gd等重稀土元素鍍到磁體表面，然 后通過一級高溫?zé)崽幚硎顾兘饘贁U(kuò)散到磁體內(nèi)部，再通過二級低溫回火消除晶界的不平 衡組織及內(nèi)應(yīng)力。針對上述研究現(xiàn)狀，本發(fā)明提供一種低成本、高矯頑力燒結(jié)釹鐵硼磁體的制備方 法，其主要滿足以下特征1.在磁體RfeMB的表面上通過電沉積法鍍&薄膜，然后通過熱處理使&擴(kuò)散到 磁體R1FeMB內(nèi)部，得到成分為Ii1Ii2FeMB的磁體，其中隊選自Nd、Pr、La、Ce、Sm、Sc、Y和Eu 之中的至少一種元素，含量為23 35wt%，R2代表選自Tb、Dy、Gd和Ho之中的至少一種元 素，含量為0. 1 5wt%，B為單質(zhì)硼，含量為0.8 1.2襯％^代表除!^以外的過渡族金 屬，含量為0 5wt% ；余量為!^e及不可避免雜質(zhì)。2. R1優(yōu)選Nd和/或ft·，含量優(yōu)選為25 32wt %。3. R2優(yōu)選Tb和/或Dy，含量優(yōu)選為0. 5 3wt%。4. M 代表 Co、Cu、Zr、Ga、Al、Mn、Cr、Zn、Ge、k、Mo、V、Ti、h、Sn、Sb、Pb 和 Hf 所構(gòu) 成組中的一種或幾種，其中優(yōu)選Co、Cu、Zr、fei、Al、Mn、Cr、Zn、Mo、V、Ti和Sn中的一種或幾 種，含量優(yōu)選為0. 02 3wt%。5.其電沉積法為沉積液為有機(jī)熔鹽體系，是由電解質(zhì)和主鹽組成；其中，電解質(zhì) 為尿素30 !35wt %，NaX 12 16wt %，KX為1. 5 3wt %，X代表鹵族元素，余量為二甲基 亞砜(DMSO)或甲酰胺有機(jī)溶液中的一種；主鹽為1 ，其中&為Tb、Dy、Gd和Ho之中的至 少一種元素，X代表鹵族元素，主鹽相對于有機(jī)熔鹽體系的濃度為0. lmol/L 0. 5mol/L ；陽 級采用純金屬R2,陰級為R1FeMB基體，恒電位下電流密度為500 10000A ·πΓ2，電沉積時間 為 300s 10000s。陽級采用純金屬R2,陰級為R1FeMB基體，主鹽1 的濃度為0. lmol/L 0. 5mol/ L,優(yōu)選 0. 2mol/L 0. 3mol/L。恒電位下電流密度為500 10000A · πΓ2，優(yōu)選3500 6000Α · πΓ2，電沉積時間為 300s 10000s，優(yōu)選 600s 3000s。6.熱處理過程包括一級高溫?zé)崽幚砗投壍蜏鼗鼗?，一級高溫?zé)崽幚硎顾兘饘?擴(kuò)散到磁體內(nèi)部，二級低溫回火消除晶界的不平衡組織及內(nèi)應(yīng)力。7. 一級高溫?zé)崽幚淼臏囟葹?00-1020°C，處理時間為Ι-lOOh，后以100°C /h IOOO0C /h的速度冷卻到室溫。8. 二級低溫回火的溫度為200-655°C，處理時間為l_10h，處理后冷卻，冷卻方
式采用室溫自然冷卻。9.通過電沉積法所鍍&薄膜的厚度在1-15 μ m,優(yōu)選3 10 μ m。10. R2在邊界相的濃度高于在主相內(nèi)部的濃度。11. 一種器件，應(yīng)用了 1 10所述方法制備的釹鐵硼磁體，所述器件可以是電動機(jī) 或發(fā)電機(jī)。具體來說，所說的器件可以是所有需要永磁體的電機(jī)，應(yīng)用本發(fā)明的釹鐵硼磁體制備的電機(jī)將廣泛應(yīng)用到風(fēng)力發(fā)電、混合動力電動車、磁懸浮列車、核磁共振、硬盤驅(qū)動器 等各種設(shè)備。測試結(jié)果表明本發(fā)明磁體的性能比傳統(tǒng)添加Tb、Dy、Gd和Ho的制作方法，磁體矯 頑力提高幅度可以到30%以上，且不會像傳統(tǒng)制作方法在提高矯頑力的同時造成剩磁和最 大磁能積的下降。本發(fā)明的優(yōu)點為大大提高矯頑力的同時保持其它性能不下降，且大大節(jié) 約重稀土元素Tb、Dy、Gd和Ho使用量，最大可以節(jié)省70 %以上，至少可以保證節(jié)約30 %以 上，其制備方法容易控制膜厚以及膜的均勻性，容易實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。本發(fā)明的主要特點有以下幾點(1)將低溫熔鹽電沉積法(有機(jī)熔鹽體系)應(yīng)用于磁體鍍膜，能夠達(dá)到膜厚均勻性 好、膜厚易控制、采用低溫熔鹽電沉積法，其操作簡單、成本低廉、能夠?qū)崿F(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。(2)將低溫熔鹽電沉積法(有機(jī)熔鹽體系)應(yīng)用于磁體鍍膜，室溫下由于稀土金屬 的標(biāo)準(zhǔn)平衡電極電位在-2. 52 -2. 25V之間，因此，溶液中電沉積稀土金屬是很困難的，本 發(fā)明采用有機(jī)熔鹽體系，選用合適的配體、及穩(wěn)定劑使稀土元素的析出電位正移的方法達(dá) 到部分或完全抑制氫析出而有利于稀土金屬的電沉積。(3)將低溫熔鹽電沉積法(有機(jī)熔鹽體系)應(yīng)用于磁體鍍膜，通過有效的控制Tb、 Dy、Ho、Gd在磁體主相的比例，成功的得到了最佳比例及最佳磁體性能，在大幅提高矯頑力 的同時且提高了磁能積及剩磁。(4)本發(fā)明克服了傳統(tǒng)認(rèn)為只有添加Tb、Dy才能提高磁體的矯頑力的偏見，證明 添加Gd、Ho也可以達(dá)到提高磁體的矯頑力的作用，從而拓寬了 &元素的范圍，為緩解戰(zhàn)略 金屬Tb、Dy稀缺的壓力做出貢獻(xiàn)。(5)節(jié)約了重稀土元素Tb、Dy、Ho和Gd，有效利用了稀土金屬，且通過大幅提高矯 頑力的同時也可有效降低磁體的使用量，從而達(dá)到節(jié)約稀土金屬的目的。本發(fā)明的優(yōu)點在于本發(fā)明的方法不同于傳統(tǒng)方法添加Tb、Dy、Ho、Gd等重稀土元 素，傳統(tǒng)方法有兩種，一種是在母合金熔煉的時候加，另一種是在制粉的過程中加入，這兩 種方法都會帶來Tb、Dy、Ho和Gd等重稀土元素的浪費及在提高矯頑力的同時帶來其它磁性 能指標(biāo)的下降。采用本發(fā)明的方法制備的磁體，附在磁體表面膜層中的Tb、Dy、Ho和Gd等 重稀土元素通過晶界擴(kuò)散的方式進(jìn)入磁體，位于晶界處，沒有進(jìn)入晶粒與狗和B元素形成 Rfe14B化合物，這樣不僅提高了磁體的矯頑力，避免了剩磁和磁能積的降低，而且節(jié)約了重 稀土金屬。


圖1為本發(fā)明電沉積示意圖。圖1中，1為坩堝，2為沉積液，該沉積液為甲酰胺或二甲基亞砜(DMSO)溶劑的一 種+尿素+NaX+KX+R2)(3 (R2代表選自Tb、Dy、Gd和Ho之中的至少一種元素)，3為陰極，采用 RfeMB陰極磁體，4為陽級，采用金屬&片( 代表選自Tb、Dy、Gd和Ho之中的至少一種元素)。圖2為本發(fā)明所鍍&膜的SEM圖。圖2中，5為&膜，6為磁體I^eMB (也稱基體)。
具體實施例方式以下用實例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明。本發(fā)明保護(hù)范圍不受這些實例的限制，本發(fā) 明保護(hù)范圍由權(quán)利要求書決定。本發(fā)明的磁體的成分通式為=R1RfeMBJ1選自NcUPr、La、Ce、Sm、Sc、Y和Eu之中 的至少一種元素，優(yōu)選Nd和/或Pr，含量為23 35wt %，優(yōu)選為25 32wt %，R2代表選 自Tb、Dy、Gd和Ho之中的至少一種元素，優(yōu)選Tb和/或Dy，含量為0. 1 5wt%，優(yōu)選含量 為0. 5 3wt%，B為單質(zhì)硼，含量為0. 8 1. 2wt%，M代表除！^以外的過渡族金屬，含量 為0 5wt%，優(yōu)選為0. 02 3wt%，余量為！^及不可避免雜質(zhì)。如圖1所示，在坩堝1中裝有沉積液2，沉積液2為有機(jī)熔鹽體系(見附圖1)，具 體為尿素-NaX-KX(其中X代表鹵族元素)_ 二甲基亞砜(DMSO)，或尿素-NaX-KX(其中 X代表鹵族元素)-甲酰胺，主鹽為1 (其中X代表鹵族元素)；其中電解質(zhì)為尿素30 !35wt%，NaX12 16wt%，KX為1.5 3wt%，余量為二甲基亞砜(DMSO)或甲酰胺有機(jī)溶液 中的一種；電沉積法所采用的陽級4采用純金屬民，電沉積法所采用的陰級3為Iy^eMB基 體。沉積液2中的主鹽Iyc3的濃度為0. lmol/L 0. 5mol/L,優(yōu)選0. 2mol/L 0. 3mol/ L0恒電位下電流密度為500 10000A ·πΓ2，優(yōu)選3500 6000Α ·πΓ2，電沉積時間為300s 10000s,優(yōu)選600s 3000s。通過電沉積法鍍到磁體表面的&薄膜的厚度在1_15 μ m,優(yōu) 選3 10 μ m。優(yōu)選理由=R1優(yōu)選25 32wt%是因為在這個成分范圍內(nèi)磁體性能最佳，R2 優(yōu)選含量為0. 5 3wt%，通過理論計算，我們發(fā)現(xiàn)本發(fā)明僅僅使用3wt%的量就可以達(dá)到 傳統(tǒng)方法添加10wt%的性能；可以在保持高性能的同時大幅減少重稀土元民的使用量，其 中優(yōu)選Tb、Dy的理由是因為Tb、Dy所形成的化合物具有更高的矯頑力；膜厚優(yōu)選3_10 μ m 是因為過厚會造成原材料使用的浪費，過薄性能達(dá)不到最優(yōu)，有機(jī)熔液主鹽的濃度為優(yōu)選 0. 2mol/L 0. 3mol/L,恒電位下電流密度優(yōu)選3500 6000A · πΓ2，電沉積優(yōu)選600s 3000s。通過試驗我們發(fā)現(xiàn)低濃度和高濃度都將使Dy膜變得疏松、粗糙、且膜的組成不純， 只有通過調(diào)整合適的主鹽濃度、電流密度、電沉積時間才能使膜均勻、且單一。本發(fā)明的磁體將適用于所有需要永磁體的電機(jī)中，眾所周知，電機(jī)需要高溫工作 溫度穩(wěn)定性好的磁體來保證其工作的穩(wěn)定性，本發(fā)明的磁體具有高矯頑力、可以滿足磁體 在高溫工作的穩(wěn)定性，這樣可以保證電機(jī)工作的穩(wěn)定性，從而延長其使用壽命，應(yīng)用本磁體 制備的電機(jī)將廣泛應(yīng)用到風(fēng)力發(fā)電、混合動力電動車、磁懸浮列車、核磁共振、硬盤驅(qū)動器 等各種設(shè)備。本實施例的對比例是通過傳統(tǒng)的方法添加&金屬制作磁體的，傳統(tǒng)方法添加&金 屬是在熔煉母合金時添加的，而本發(fā)明是在磁體制備完成后，通過電化學(xué)的方法進(jìn)行鍍膜， 后通過二級熱處理來使民金屬擴(kuò)散到磁體內(nèi)部的。通過本發(fā)明的制作的磁體，其磁性能得 到了顯著提高，且大大節(jié)約了重稀土元素的使用量。同時我們發(fā)現(xiàn)Ho、Gd的添加也可以達(dá) 到矯頑力的提高，其優(yōu)點為可以利用添加Ho、Gd來代替添加Tb、Dy的一部分磁體，為緩解戰(zhàn) 略金屬Tb、Dy稀缺的壓力作出貢獻(xiàn)。實施例1本實施例的其制備方法為通過快冷厚帶(SC)-氫爆(HD)-氣流磨(JM)-取向成 型-等靜壓-燒結(jié)-線切割加工成IOX IOXSmmR1FeMB磁體。&通過本發(fā)明鍍到磁體表面，RfeMB作為陰極，R2作為陽極，其中電沉積法采用的具體參數(shù)為電解質(zhì)為尿素35wt %， NaC113wt%, KBr為2wt%，余量為甲酰胺有機(jī)溶液，主鹽DyCl3的濃度為0. 2mol/L，恒電位 下電流密度為6000A ·πΓ2，鍍膜2000s后，停止鍍膜，膜厚為3. 0 μ m，本發(fā)明所鍍&膜的SEM 圖如圖2所示，在圖2中，在磁體RfeMB (也稱基體)6的表面上通過電沉積法鍍民膜5，熱 處理工藝為800°C，保溫4h后冷卻，冷卻速度為500°C /h，然后300°C保溫lh，室溫自然冷 卻，對樣品進(jìn)行磁性能測試，為比較，我們采用傳統(tǒng)熔煉的方法添加Dy制作磁體，磁體性能 見表1-1，ICP分析此磁體的組成成分，見表1-2。對應(yīng)相應(yīng)組成按傳統(tǒng)方法制作磁體。
表1-1磁體性能
權(quán)利要求
1.一種釹鐵硼磁體制造方法，其特征在于在磁體RfeMB的表面上通過電沉積法鍍&薄膜，然后通過熱處理使&擴(kuò)散到磁體 R1FeMB內(nèi)部，得到成分為Ii1Ii2FeMB的磁體，其中隊選自Nd、ft·、La、Ce、Sm、Sc、Y和Eu之中 的至少一種元素，含量為23 35wt%泯代表選自Tb、Dy、Gd和Ho之中的至少一種元素， 含量為0. 1 5wt% ；B為單質(zhì)硼，含量為0. 8 1. 2wt% ；M代表除！^以外的過渡族金屬， 含量為0 5wt% ；余量為!^e及不可避免雜質(zhì)。
2.如權(quán)利要求1所述的一種釹鐵硼磁體制造方法，其特征在于=R1為Nd和/或ft·，含 量為25 32wt%。
3.如權(quán)利要求1所述的一種釹鐵硼磁體制造方法，其特征在于=R2為Tb和/或Dy，含 量為0. 5 3wt%。
4.如權(quán)利要求1所述的一種釹鐵硼磁體制造方法，其特征在于M代表C0、CU、Zr、(ia、 Al、Mn、Cr、Zn、Ge、Se、Mo、V、Ti、In、Sn、Sb、Pb 和 Hf 所構(gòu)成組中的一種或幾種。
5.如權(quán)利要求4所述的一種釹鐵硼磁體制造方法，其特征在于M代表C0、CU、Zr、(ia、 Al、Mn、Cr、Zn、Mo、V、Ti和Sn中的一種或幾種，含量為0. 02 3wt%0
6.如權(quán)利要求1所述的一種釹鐵硼磁體制造方法，其電沉積法為在下述沉積液中進(jìn)行電沉積法，沉積液為有機(jī)熔鹽體系，是由電解質(zhì)和主鹽組成；其 中，電解質(zhì)為尿素30 !35wt%，NaX12 16wt%，KX為1.5 3wt%，X代表鹵族元素，余 量為二甲基亞砜(DMSO)或甲酰胺有機(jī)溶液中的一種；主鹽為R2X3，其中&為Tb、Dy、Gd和 Ho之中的至少一種元素，X代表鹵族元素，主鹽相對于有機(jī)熔鹽體系的濃度為0. lmol/L 0. 5mol/L ；陽級采用純金屬R2,陰級為I^eMB基體，恒電位下電流密度為500 10000A ·πΓ2， 電沉積時間為300s 10000s。
7.如權(quán)利要求6所述的一種釹鐵硼磁體制造方法，其特征在于所述主鹽I^C3的濃度 為 0. 2mol/L 0. 3mol/L。
8.如權(quán)利要求6所述的一種釹鐵硼磁體制造方法，其特征在于沉積液體系恒電位下 電流密度為3500 6000A · πΓ2，電沉積時間為600s 3000s。
9.如權(quán)利要求1所述的一種釹鐵硼磁體制造方法，其特征在于熱處理過程包括一級高 溫?zé)崽幚砗投壍蜏鼗鼗稹?br> 10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種釹鐵硼磁體制造方法，其特征在于所述的一級高溫?zé)?處理的溫度為300-1020°C，處理時間為l-100h，后以100°C /h 1000°C /h的速度冷卻到 室溫。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種釹鐵硼磁體制造方法，其特征在于所述的二級低溫回 火的溫度為200-655°C，處理時間為l_10h，處理后冷卻，冷卻方式采用室溫自然冷卻。
12.如權(quán)利要求1所述的一種釹鐵硼磁體制造方法，通過電沉積法鍍到磁體表面的& 薄膜的厚度為1-15 μ m。
13.如權(quán)利要求12所述的一種釹鐵硼磁體制造方法，磁體表面的&薄膜的厚度為3 10 μ m。
14.如權(quán)利要求1所述的一種釹鐵硼磁體制造方法，其特征在于通過熱處理使民擴(kuò)散 到磁體RfeMB內(nèi)部，其中，&在晶粒邊界相的濃度高于在主相內(nèi)部的濃度。
15.權(quán)利要求1 14中的任意一項的方法所制備的釹鐵硼磁體。
16.一種器件，其特征在于包含權(quán)利要求15釹鐵硼磁體。
17.如權(quán)利要求16所述的器件，其特征在于，可以是電動機(jī)或發(fā)電機(jī)。
全文摘要
一種釹鐵硼磁體的制造方法，本發(fā)明磁體的成分通式為R1R2FeMB，R1代表選自Nd、Pr、La、Ce、Sm、Sc、Y和Eu之中的至少一種元素，含量為23～35wt％；R2代表選自Tb、Dy、Gd、Ho之中的至少一種元素，含量為0.1～5wt％；M代表除Fe以外的過渡族金屬，含量為0.01～5wt％；B為單質(zhì)硼，含量為0.8～1.2wt％；余量為Fe及不可避免雜質(zhì)。其制備步驟為把金屬R2中的一種或幾種元素鍍到磁體表面，然后通過一級高溫?zé)崽幚硎顾兘饘賀2擴(kuò)散到磁體內(nèi)部，再通過二級低溫回火消除高溫處理帶來的不平衡組織及內(nèi)應(yīng)力。其中鍍膜所采用的方法為低溫熔鹽電沉積法。本發(fā)明的優(yōu)點是可以大大提高生產(chǎn)效率，降低磁體制備過程中重稀土用量，節(jié)約稀土資源，同時在不降低磁體剩磁和磁能積的情況下獲得高矯頑力。
文檔編號H01F41/02GK102103916SQ20091024194
公開日2011年6月22日 申請日期2009年12月17日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月17日
發(fā)明者于敦波, 龐思明, 李宗安, 李紅衛(wèi), 王祥生, 袁永強(qiáng), 閆文龍, 陳德宏, 顏世宏 申請人:北京有色金屬研究總院, 有研稀土新材料股份有限公司