專(zhuān)利名稱(chēng)：：一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光器件領(lǐng)域，尤其涉及一種改進(jìn)陰極層的有機(jī)電致發(fā)光器件。
背景技術(shù)：
：早在五十年代，Bernanose.A等人就開(kāi)始了有機(jī)電致發(fā)光器件(0LED)的研究。最初研究的材料是蒽單晶片.由于存在單晶片厚度太厚的問(wèn)題(10-20ym)，所需的驅(qū)動(dòng)電壓高達(dá)幾百伏。1982年Vinceet用真空蒸鍍法制成了50nm厚的蒽薄膜，在30伏電壓下觀(guān)察到了藍(lán)色熒光，但其外量子效率只有0.03%。早期的有機(jī)電致發(fā)光徘徊在高電壓、低亮度、低效率的水平上。直到1987年美國(guó)EastmanKodak公司的鄧青云(C.W.Tang)和Vanslyke報(bào)道了結(jié)構(gòu)為ITO/Diamine/Alq3/Mg:Ag的有機(jī)小分子電致發(fā)光器件，器件在10伏的工作電壓下亮度達(dá)1000cd/m2，外量子效率達(dá)到1.0%，引起了科學(xué)家們的廣泛關(guān)注。緊接著1990年英國(guó)劍橋大學(xué)的J.H.Burroughes小組在Nature上首次報(bào)道了共軛聚合物PPV也能實(shí)現(xiàn)電致發(fā)光的消息，他們采用旋涂甩膜的方法成功的制備了結(jié)構(gòu)為IT0/PPV/Ca聚合物有機(jī)發(fā)光器件，獲得了0.05%的外量子效率。從以上報(bào)道中人們看到了有機(jī)電致發(fā)光器件應(yīng)用于顯示的可能性，從此揭開(kāi)了有機(jī)小分子及聚合物電致發(fā)光研究及產(chǎn)業(yè)化的序幕。普遍研究認(rèn)為，OLED器件的發(fā)光區(qū)域中，空穴和電子的含量是不夠匹配的，往往是空穴多于電子。所以，很多研究者都在致力于電子注入和傳輸?shù)母纳?。從早期的Mg:Ag陰極，到后來(lái)業(yè)界普遍采用的LiF/Al，電子的注入能力得到了有效的提升。但是，隨著有機(jī)發(fā)光材料體系的不斷發(fā)展和進(jìn)步，以及OLED應(yīng)用領(lǐng)域的新拓展，對(duì)于器件的亮度、效率和功耗有了新的要求，對(duì)于陰極電子注入的能力也有更高的要求，對(duì)于陰極結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)和材料的選擇也就需要研究者不斷投入開(kāi)發(fā)力量，找到更為高效穩(wěn)定的陰極。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種能夠有效提高器件電子注入能力，使得器件發(fā)光效率得到顯著提高的有機(jī)電致發(fā)光器件。本發(fā)明的目的是通過(guò)以下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn)的本發(fā)明之有機(jī)電致發(fā)光器件，包括基板，于基板上形成的陽(yáng)極層，于陽(yáng)極層上形成的有機(jī)功能層，于有機(jī)功能層上形成的陰極層，陰極層至少包括第一陰極層、第二陰極層和第三陰極層三層，第一陰極層至少包含一種堿金屬元素或其化合物，第二陰極層至少包含一種堿土金屬元素或含有此種元素的合金，第三陰極層為金屬層銀或鋁。上述第一陰極層形成于有機(jī)功能層之上。上述第一陰極層包含的堿金屬選自L(fǎng)i、Na、K、Cs、Rb。上述第一陰極層包含的堿金屬化合物選自堿金屬氮化物、堿金屬鹵化物、堿金屬氧化物或堿金屬鹽，具體選自L(fǎng)iF、Li3N、Li2Co02、LiBH、NaF、NaCl、KBH4、KF、CsC03、CsF、CsCl、Rb90。上述第一陰極層還包含一種堿土金屬元素。上述第一陰極層為L(zhǎng)i與Mg、Li與Ca、Cs與Mg或Cs與Ca的合金，其中堿土金屬元素所占質(zhì)量百分比為5%50%。上述第一陰極層的厚度為0.150nm，優(yōu)選厚度為0.520nm。第二陰極層形成于第一陰極層之上。上述第二陰極層包含的堿土金屬選自Mg、Ca、Sr。上述第二陰極層包含的含堿土金屬的合金選自Mg與Ag、Ca與Ag、Sr與Ag、Mg與Li、Mg與Al或Ca與Li的合金，其中堿土金屬元素在該層中所占質(zhì)量百分比為50X95X。上述第二陰極層厚度為10300nm。第三陰極層形成于第二陰極層之上。第三陰極層的厚度為20300nm。本發(fā)明技術(shù)方案機(jī)理解釋本發(fā)明技術(shù)方案在有機(jī)功能層之上制備復(fù)合陰極層，即ITO/有機(jī)功能層/第一陰極層/第二陰極層/第三陰極層。其中，第一陰極層至少包含一種堿金屬元素或其化合物，覆蓋在有機(jī)功能層表面，并與后續(xù)的第二陰極層充分接觸，發(fā)生協(xié)同作用。第二陰極層至少包含一種堿土金屬元素或含有此種元素的合金，堿土金屬能夠與第一陰極層的堿金屬發(fā)生作用，形成堿金屬和堿土金屬的合金。堿金屬和堿土金屬屬于低功函的活潑金屬，二者的電子云在所形成的合金體系中能夠互相作用，使得電子態(tài)的分布發(fā)生相應(yīng)改變，能夠降低電子從陰極注入有機(jī)層的勢(shì)壘，同時(shí)，在第二陰極層的優(yōu)選方案中，選擇功函較大的金屬，利用此種金屬較高的熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性，在薄膜沉積過(guò)程中提供足夠高的熱量，以幫助堿土金屬與第一陰極層反應(yīng)，增強(qiáng)整個(gè)陰極的成膜能力和空氣穩(wěn)定性。第一陰極層和第二陰極層的相互作用形成合金，有效提高電子注入能力，降低驅(qū)動(dòng)電壓，從而有利于調(diào)控OLED器件中載流子平衡，提高器件發(fā)光效率。第三陰極層選用了成膜性較好、穩(wěn)定性較高的Ag或Al，可以隔離微量水氧對(duì)堿金屬和堿土金屬的負(fù)面影響，增加本發(fā)明陰極結(jié)構(gòu)的化學(xué)和物理穩(wěn)定性，起到保護(hù)的作用，從而保證器件的壽命。圖1為本發(fā)明器件結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明對(duì)比例器件結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為不同器件對(duì)比之亮度_電壓關(guān)系圖；圖4為不同器件對(duì)比之電流效率_電流密度關(guān)系圖；圖中10、210-基板，20、220-陽(yáng)極層，30、230-空穴傳輸層，40、240-發(fā)光層，50、250-第一陰極層，60、260-第二陰極層，70-第三陰極層。具體實(shí)施例方式以下結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步說(shuō)明。實(shí)施例1圖1為本實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)剖面圖，包括基板10，陽(yáng)極層20，空穴傳輸層30，發(fā)光層40，第一陰極層50、第二陰極層60與第三陰極層70。本實(shí)施例中有機(jī)電致發(fā)光器件的器件結(jié)構(gòu)如下4玻璃基板/IT0/NPB(50nm)/Alq3(50nm)/Li3N(lnm)/Mg:Ag(100nm，10%)/Ag(80nm)制備步驟(1)有機(jī)發(fā)光層的制備玻璃基板上制備有ITO(氧化銦錫)膜做陽(yáng)極，IT0膜的方塊電阻為50Q，膜厚為150nm。將制備好陽(yáng)極的玻璃基板置于真空腔內(nèi)，抽真空至1X10—卞a，蒸鍍空穴傳輸材料NPB，材料薄膜的蒸鍍速率為O.lnm/s，膜厚為50nm;在空穴傳輸層之上，蒸鍍50nm厚的Alq3做器件的發(fā)光層和電子傳輸層。(2)陰極層的制備在發(fā)光層上蒸鍍lnm厚的Li3N作為器件的第一陰極層，其蒸鍍速率為0.Olnm/s;在制備完成第一陰極層后，采用蒸鍍方式制備第二陰極層，將Mg與Ag的混合物以9:1比例混合共蒸形成100nm厚的第二陰極層。第三陰極層由80nm厚的Ag薄膜組成，Ag層蒸鍍速率為1.Onm/s。(3)用玻璃封裝片將上述器件封裝。實(shí)施例2本實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)剖面圖如圖1所示，其中基板10，陽(yáng)極層20，空穴傳輸層30，發(fā)光層40，第一陰極層50、第二陰極層60與第三陰極層70。本發(fā)明實(shí)施例中有機(jī)電致發(fā)光器件的器件結(jié)構(gòu)如下玻璃基板/IT0/NPB(50nm)/Alq3(50nm)/CsC03(2nm)/Mg:Al(300nm，20%)/Al(50nm)制備步驟(1)有機(jī)發(fā)光層的制備同實(shí)施例1制備步驟(1)。[OO41](2)陰極層的制備在發(fā)光層上蒸鍍2nm的CsC03作為器件的第一陰極層，其蒸鍍速率為0.05nm/s;在制備完成第一陰極層后，采用蒸鍍方式制備第二陰極層，將Mg與Al的混合物以8:2比例混合共蒸形成300nm厚的第二陰極層。第三陰極層由50nm厚的Al薄膜組成，Al層蒸鍍速率為1012nm/s。(3)用玻璃封裝片將上述器件封裝。實(shí)施例3本實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)剖面圖如圖1所示，其中基板10，陽(yáng)極層20，空穴傳輸層30，發(fā)光層40，第一陰極層50、第二陰極層60與第三陰極層70。本發(fā)明實(shí)施例中有機(jī)電致發(fā)光器件的器件結(jié)構(gòu)如下玻璃基板/IT0/NPB(50nm)/Alq3(50nm)/KBH4(0.5nm)/Mg:Ag(50nm，5%)/Ag(150nm)制備步驟(1)有機(jī)發(fā)光層的制備同實(shí)施例1制備步驟(1)。[OO51](2)陰極層的制備在發(fā)光層上蒸鍍0.5nm的KBH4作為器件的第一陰極層，其蒸鍍速率為0.05nm/s;在制備完成第一陰極層后，采用蒸鍍方式制備第二陰極層，將Mg與Ag的混合物以519:1比例混合共蒸形成50nm厚的第二陰極層。第三陰極層由150nm厚的Ag薄膜組成，Ag層蒸鍍速率為1.Onm/s。(3)用玻璃封裝片將上述器件封裝。實(shí)施例4本實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)剖面圖如圖1所示，其中基板10，陽(yáng)極層20，空穴傳輸層30，發(fā)光層40，第一陰極層50、第二陰極層60與第三陰極層70。本發(fā)明實(shí)施例中有機(jī)電致發(fā)光器件的器件結(jié)構(gòu)如下玻璃基板/IT0/NPB(50nm)/Alq3(50nm)/CsCl(4nm)/Ca:Ag(100nm，50%)/Ag(150nm)制備步驟(1)有機(jī)發(fā)光層的制備同實(shí)施例1制備步驟(1)。[OO61](2)陰極層的制備在發(fā)光層上蒸鍍4nm的CsCl作為器件的第一陰極層，其蒸鍍速率為0.02nm/s;在制備完成第一陰極層后，采用蒸鍍方式制備第二陰極層，將Ca與Ag的混合物以1:1比例混合共蒸形成100nm厚的第二陰極層。第三陰極層由150nm厚的Ag薄膜組成，Ag層蒸鍍速率為1.Onm/s。(3)用玻璃封裝片將上述器件封裝。實(shí)施例5本實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)剖面圖如圖1所示，其中基板10，陽(yáng)極層20，空穴傳輸層30，發(fā)光層40，第一陰極層50、第二陰極層60與第三陰極層70。本發(fā)明實(shí)施例中有機(jī)電致發(fā)光器件的器件結(jié)構(gòu)如下玻璃基板/IT0/NPB(50nm)/Alq3(50nm)/Rb20(0.lnm)/Sr:Ag(100nm，50%)/Al(50nm)制備步驟(1)有機(jī)發(fā)光層的制備同實(shí)施例1制備步驟(1)。[OO川(2)陰極層的制備在發(fā)光層上蒸鍍0.lnm的Rb20作為器件的第一陰極層，其蒸鍍速率為0.05nm/s;在制備完成第一陰極層后，采用蒸鍍方式制備第二陰極層，將Sr與Ag的混合物以1:1比例混合共蒸形成100nm厚的第二陰極層。第三陰極層由50nm厚的Al薄膜組成，Al層蒸鍍速率為1012nm/s。(3)用玻璃封裝片將上述器件封裝。實(shí)施例6本實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)剖面圖如圖1所示，其中基板10，陽(yáng)極層20，空穴傳輸層30，發(fā)光層40，第一陰極層50、第二陰極層60與第三陰極層70。本發(fā)明實(shí)施例中有機(jī)電致發(fā)光器件的器件結(jié)構(gòu)如下玻璃基板/IT0/NPB(50nm)/Alq3(50nm)/LiF(0.5nm)/Cs:Ca(200nm，50%)/Al(20nm)制備步驟(1)有機(jī)發(fā)光層的制備同實(shí)施例1制備步驟(1)。6(2)陰極層的制備在發(fā)光層上蒸鍍0.5nm的LiF作為器件的第一陰極層，其蒸鍍速率為0.05nm/s;在制備完成第一陰極層后，采用蒸鍍方式制備第二陰極層，將Cs與Ca的混合物以1:1比例混合共蒸形成200nm厚的第二陰極層。第三陰極層由20nm厚的Al薄膜組成，Al層蒸鍍速率為1012nm/s。(3)用玻璃封裝片將上述器件封裝。實(shí)施例7本實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)剖面圖如圖1所示，其中基板10，陽(yáng)極層20，空穴傳輸層30，發(fā)光層40，第一陰極層50、第二陰極層60與第三陰極層70。本發(fā)明實(shí)施例中有機(jī)電致發(fā)光器件的器件結(jié)構(gòu)如下玻璃基板/IT0/NPB(50nm)/Alq3(50nm)/Li2Co02(10nm)/Sr:Ag(200nm，50%)/Al(50nm)制備步驟(1)有機(jī)發(fā)光層的制備同實(shí)施例1制備步驟(1)。[OO91](2)陰極層的制備在發(fā)光層上蒸鍍10nm的Li2Co02作為器件的第一陰極層，其蒸鍍速率為0.05nm/s在制備完成第一陰極層后，采用蒸鍍方式制備第二陰極層，將Sr與Ag的混合物以1:1比例混合共蒸形成200nm厚的第二陰極層。第三陰極層由50nm厚的Al薄膜組成，Al層蒸鍍速率為1012nm/s。(3)用玻璃封裝片將上述器件封裝。實(shí)施例8本實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)剖面圖如圖1所示，其中基板10，陽(yáng)極層20，空穴傳輸層30，發(fā)光層40，第一陰極層50、第二陰極層60與第三陰極層70。本發(fā)明實(shí)施例中有機(jī)電致發(fā)光器件的器件結(jié)構(gòu)如下玻璃基板/IT0/NPB(50nm)/Alq3(50nm)/LiBH4(20nm)/Li:Ca(10nm，50%)/Al(300nm)制備步驟(1)有機(jī)發(fā)光層的制備同實(shí)施例1制備步驟(1)。(2)陰極層的制備在發(fā)光層上蒸鍍20nm的LiBH4作為器件的第一陰極層，其蒸鍍速率為0.05nm/s;在制備完成第一陰極層后，采用蒸鍍方式制備第二陰極層，將Li與Ca的混合物以1:1比例混合共蒸形成10nm厚的第二陰極層。第三陰極層由300nm厚的Al薄膜組成，Al層蒸鍍速率為1012nm/s。(3)用玻璃封裝片將上述器件封裝。實(shí)施例9本實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)剖面圖如圖1所示，其中基板10，陽(yáng)極層20，空穴傳輸層30，發(fā)光層40，第一陰極層50、第二陰極層60與第三陰極層70。本發(fā)明實(shí)施例中有機(jī)電致發(fā)光器件的器件結(jié)構(gòu)如下玻璃基板/IT0/NPB(50nm)/Alq3(50nm)/NaF(15nm)/Mg:Ag(10nm，50%)/Ag(100nm)制備步驟(1)有機(jī)發(fā)光層的制備同實(shí)施例1制備步驟(1)。[O111](2)陰極層的制備在發(fā)光層上蒸鍍15nm的NaF作為器件的第一陰極層，其蒸鍍速率為0.Olnm/s;在制備完成第一陰極層后，采用蒸鍍方式制備第二陰極層，將Mg與Ag的混合物以1:1比例混合共蒸形成10nm厚的第二陰極層。第三陰極層由lOOnm厚的Ag薄膜組成，Ag層蒸鍍速率為1.Onm/s。(3)用玻璃封裝片將上述器件封裝。實(shí)施例10本實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)剖面圖如圖1所示，其中基板10，陽(yáng)極層20，空穴傳輸層30，發(fā)光層40，第一陰極層50、第二陰極層60與第三陰極層70。本發(fā)明實(shí)施例中有機(jī)電致發(fā)光器件的器件結(jié)構(gòu)如下玻璃基板/ITO/NPB(50nm)/Alq3(50nm)/KF(30nm)/Ca:Ag(50nm，50%)/Al(200nm)制備步驟(1)有機(jī)發(fā)光層的制備同實(shí)施例1制備步驟(1)。(2)陰極層的制備在發(fā)光層上蒸鍍30nm的KF作為器件的第一陰極層，其蒸鍍速率為0.02nm/s;在制備完成第一陰極層后，采用蒸鍍方式制備第二陰極層，將Ca與Ag的混合物以1:1比例混合共蒸形成50nm厚的第二陰極層。第三陰極層由200nm厚的Al薄膜組成，Al層蒸鍍速率為1012nm/s。(3)用玻璃封裝片將上述器件封裝。實(shí)施例11本實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)剖面圖如圖1所示，其中基板10，陽(yáng)極層20，空穴傳輸層30，發(fā)光層40，第一陰極層50、第二陰極層60與第三陰極層70。本發(fā)明實(shí)施例中有機(jī)電致發(fā)光器件的器件結(jié)構(gòu)如下玻璃基板/ITO/NPB(50nm)/Alq3(50nm)/Li:Mg(40nm，20%)/Li:Mg(60nm，80%)/Ag(50nm)制備步驟(1)有機(jī)發(fā)光層的制備同實(shí)施例1制備步驟(1)。(2)陰極層的制備在發(fā)光層上采用蒸鍍方式制備第一陰極層，將Li與Mg的混合物以4:1比例混合共蒸形成40nm厚的第一陰極層。在制備完成第一陰極層后，采用蒸鍍方式制備第二陰極層，將Li與Mg的混合物以1:4比例混合共蒸形成60nm厚的第二陰極層。第三陰極層由50nm厚的Ag薄膜組成，Ag層蒸鍍速率為1.Onm/s。(3)用玻璃封裝片將上述器件封裝。實(shí)施例12本實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)剖面圖如圖1所示，其中基板10，陽(yáng)極層20，空穴傳輸層30，發(fā)光層40，第一陰極層50、第二陰極層60與第三陰極層70。本發(fā)明實(shí)施例中有機(jī)電致發(fā)光器件的器件結(jié)構(gòu)如下玻璃基板/ITO/NPB(50nm)/Alq3(50nm)/Cs:Mg(20nm，50%)/Li:Ca(80nm，95%)/Al(200nm)制備步驟(1)有機(jī)發(fā)光層的制備同實(shí)施例1制備步驟(1)。(2)陰極層的制備在發(fā)光層上采用蒸鍍方式制備第一陰極層，將Cs與Mg的混合物以1:1比例混合共蒸形成20nm厚的第一陰極層。在制備完成第一陰極層后，采用蒸鍍方式制備第二陰極層，將Li與Ca的混合物以1:19比例混合共蒸形成80nm厚的第二陰極層。第三陰極層由200nm厚的Al薄膜組成，Al層蒸鍍速率為1012nm/s。(3)用玻璃封裝片將上述器件封裝。實(shí)施例13本實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)剖面圖如圖1所示，其中基板10，陽(yáng)極層20，空穴傳輸層30，發(fā)光層40，第一陰極層50、第二陰極層60與第三陰極層70。本發(fā)明實(shí)施例中有機(jī)電致發(fā)光器件的器件結(jié)構(gòu)如下玻璃基板/ITO/NPB(50nm)/Alq3(50nm)/Li:Ca(lOnm，20%)/Li:Mg(lOOnm，80%)/Ag(50nm)制備步驟(1)有機(jī)發(fā)光層的制備同實(shí)施例1制備步驟(1)。(2)陰極層的制備在發(fā)光層上采用蒸鍍方式制備第一陰極層，將Li與Ca的混合物以4:1比例混合共蒸形成lOnm厚的第一陰極層。在制備完成第一陰極層后，采用蒸鍍方式制備第二陰極層，將Li與Mg的混合物以1:4比例混合共蒸形成100nm厚的第二陰極層。第三陰極層由50nm厚的Ag薄膜組成，Ag層蒸鍍速率為1.Onm/s。(3)用玻璃封裝片將上述器件封裝。實(shí)施例14本實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)剖面圖如圖1所示，其中基板10，陽(yáng)極層20，空穴傳輸層30，發(fā)光層40，第一陰極層50、第二陰極層60與第三陰極層70。本發(fā)明實(shí)施例中有機(jī)電致發(fā)光器件的器件結(jié)構(gòu)如下ITO/NPB(50nm)/Alq3(50nm)/Cs:Ca(50nm，20%)/Li:Mg(200nm，80%)/Ag(100nm)制備步驟(1)有機(jī)發(fā)光層的制備同實(shí)施例1制備步驟(1)。(2)陰極層的制備在發(fā)光層上采用蒸鍍方式制備第一陰極層，將Cs與Ca的混合物以4:1比例混合共蒸形成50nm厚的第一陰極層。在制備完成第一陰極層后，采用蒸鍍方式制備第二陰極層，將Li與Mg的混合物以1:4比例混合共蒸形成200nm厚的第二陰極層。第三陰極層由100nm厚的Ag薄膜組成，Ag層蒸鍍速率為1.Onm/s。(3)用玻璃封裝片將上述器件封裝。對(duì)比例1圖2為本對(duì)比例有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)剖面圖，其中基板210，陽(yáng)極層220，空穴傳輸層230，發(fā)光層240，第一陰極層250與第二陰極層260。本對(duì)比例中有機(jī)電致發(fā)光器件的器件結(jié)構(gòu)如下玻璃基板/ITO/NPB(50nm)/Alq3(50nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)制備步驟(1)有機(jī)發(fā)光層的制備同實(shí)施例1制備步驟(1)。(2)陰極層的制備在發(fā)光層上蒸鍍0.5nm的LiF作為器件的第一陰極層，其蒸鍍速率為0.05nm/s;第二陰極層由150nm厚的Al薄膜組成，Al層蒸鍍速率為1012nm/s。(3)用玻璃封裝片將上述器件封裝。對(duì)比例2本對(duì)比例有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)剖面圖如圖2所示，其中基板210，陽(yáng)極層220，空穴傳輸層230，發(fā)光層240，第一陰極層250與第二陰極層260。本對(duì)比例中有機(jī)電致發(fā)光器件的器件結(jié)構(gòu)如下玻璃基板/ITO/NPB(50nm)/Alq3(50nm)/Mg:Ag(lOOnm，10%)/Ag(50nm)制備步驟(1)有機(jī)發(fā)光層的制備同實(shí)施例1制備步驟(1)。[O^O](2)陰極層的制備在發(fā)光層上制備第一陰極層，將Mg與Ag的混合物以9:l比例混合共蒸形成lOOnm厚的第一陰極層。第二陰極層由50nm厚的Ag薄膜組成，Ag層蒸鍍速率為1.Onm/s。(3)用玻璃封裝片將上述器件封裝。實(shí)施例1-14及對(duì)比例1、2的性能如表1所示表l器件陰極結(jié)構(gòu)亮度(cd/m2)@8V效率(cd/A)@8V實(shí)施例1Li3N(Iran)/Mg:Ag(IOO咖，10%)/Ag(80nm)65003.2實(shí)施例2CsC03(2nm)/Mg:Al(300，20%)/Al(50nm)157903.4實(shí)施例3KBH4(0.5)/Mg:Ag(50nm，5%)/Ag(150咖)161003.410<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>通過(guò)上表實(shí)施例與對(duì)比例的性能參數(shù)比較可知，實(shí)施例1-10的第一陰極層為堿金屬化合物，第二陰極層為含有堿土金屬的合金層，所得器件在相同電壓下，亮度和效率均比對(duì)比例的高很多。實(shí)施例11-14的第一陰極層和第二陰極層都是堿金屬和堿土金屬合金，從實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)結(jié)果來(lái)看，實(shí)施例11-14的效率都遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)了傳統(tǒng)的陰極結(jié)構(gòu)的器件效率，且同樣電壓下亮度普遍較高，說(shuō)明驅(qū)動(dòng)電壓得到明顯的改善。以上實(shí)驗(yàn)說(shuō)明，本發(fā)明的堿金屬和堿土金屬合金層對(duì)于改善電子注入效率有很明顯的作用，本發(fā)明的復(fù)合陰極利用堿金屬和堿土金屬的合金來(lái)降低電子注入勢(shì)壘的思想是行之有效的。雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而其并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉此技術(shù)人士，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以申請(qǐng)的專(zhuān)利范圍所界定為準(zhǔn)。權(quán)利要求一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括基板，于基板上形成的陽(yáng)極層，于陽(yáng)極層上形成的有機(jī)功能層，于有機(jī)功能層上形成的陰極層，其特征在于，所述陰極層至少包括第一陰極層、第二陰極層和第三陰極層三層，所述第一陰極層至少包含一種堿金屬元素或其化合物，所述第二陰極層至少包含一種堿土金屬元素或含有此種元素的合金，所述第三陰極層為金屬層銀或鋁。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一陰極層形成于有機(jī)功能層之上。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一陰極層包含的堿金屬選自L(fǎng)i、Na、K、Cs、Rb。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一陰極層包含的堿金屬化合物選自堿金屬氮化物、堿金屬卣化物、堿金屬氧化物或堿金屬鹽。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一陰極層包含的堿金屬化合物為選自L(fǎng)iF、Li3N、Li2Co02、LiBH4、NaF、NaCl、KBH4、KF、CsC03、CsF、CsCl、Rb20。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一陰極層還包含一種堿土金屬元素。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一陰極層為L(zhǎng)i與Mg、Li與Ca、Cs與Mg或Cs與Ca的合金。8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述堿土金屬元素所占質(zhì)量百分比為5%50%。9.根據(jù)權(quán)利要求l-8任一所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一陰極層的厚度為0.150nm。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一陰極層的厚度為0.520nm。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第二陰極層形成于第一陰極層之上。12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第二陰極層包含的堿土金屬選自Mg、Ca、Sr。13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第二陰極層包含的含堿土金屬的合金選自Mg與Ag、Ca與Ag、Sr與Ag、Mg與Li、Mg與Al或Ca與Li的合金。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第二陰極層中包含的堿土金屬元素在該層中所占質(zhì)量百分比為50%95%。15.根據(jù)權(quán)利要求1或11-14任一所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第二陰極層厚度為10300nm。16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第三陰極層形成于第二陰極層之上。17.根據(jù)權(quán)利要求1或16所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第三陰極層的厚度為203Q0nm。全文摘要本發(fā)明公開(kāi)了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括基板，于基板上形成的陽(yáng)極層，于陽(yáng)極層上形成的有機(jī)功能層，于有機(jī)功能層上形成的陰極層，所述陰極層至少包括第一陰極層、第二陰極層和第三陰極層三層。本發(fā)明之復(fù)合陰極利用堿金屬和堿土金屬合金層來(lái)降低電子注入勢(shì)壘，明顯的改善了電子注入效率。文檔編號(hào)H01L51/56GK101710612SQ20091023802公開(kāi)日2010年5月19日申請(qǐng)日期2009年11月13日優(yōu)先權(quán)日2009年11月13日發(fā)明者段煉,謝靜,邱勇申請(qǐng)人:清華大學(xué);北京維信諾科技有限公司;昆山維信諾顯示技術(shù)有限公司