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一種靜電卡盤及其殘余電荷的消除方法

文檔序號:7182271閱讀:591來源:國知局
專利名稱:一種靜電卡盤及其殘余電荷的消除方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于半導體制造領(lǐng)域,具體涉及一種在反應(yīng)腔室內(nèi)支撐晶片的靜電卡盤以 及消除靜電卡盤上的殘余電荷的方法。
背景技術(shù)
從第一個晶體管問世的半個多世紀以來,半導體技術(shù)已經(jīng)在各個領(lǐng)域影響著人們 的生活,推動著人類文明的發(fā)展,創(chuàng)造著無法估量的巨大產(chǎn)業(yè)。而集成電路的小型化和低功 耗提高了半導體的需求,然而,伴隨資本投入的增加,集成電路工藝開發(fā)成本、制造成本上 升等問題越來越突出。因此,提高效率、降低成本成為生產(chǎn)企業(yè)關(guān)心的問題。通常,集成電路的制造過程是一個高度自動化的流水作業(yè)過程,加工處理工藝 (如刻蝕技術(shù)、物理氣相沉積和化學氣相沉積等)多數(shù)是在反應(yīng)腔室內(nèi)完成,而且前后工序 銜接緊密,因此,各道工序能否順利進行將直接影響著整個工藝的生產(chǎn)效率。而且,在反應(yīng) 腔室內(nèi)對諸如晶片等的半導體器件進行加工處理時,通常需要借助于機械卡盤和真空卡盤 來固定晶片,然而,利用機械卡盤和真空卡盤來固定晶片常因壓力或碰撞而發(fā)生碎片現(xiàn)象, 從而導致整個工藝的中斷并造成污染,進而影響生產(chǎn)效率和產(chǎn)品良率。因此,人們設(shè)計了靜電卡盤來固定晶片。它是利用靜電引力將晶片固定在卡盤上, 可以減少碎片現(xiàn)象,同時還可增大晶片的有效加工面積,并減少晶片表面腐蝕物顆粒的沉 積。圖1示出的是一種常見的靜電卡盤的工作原理圖。如圖所示,該靜電卡盤外接電源,并 且包括基座102以及設(shè)于基座102內(nèi)的兩個電極401、402。電極401、402被絕緣層包裹并 與電源的兩端連接,其中,第一電極401與電源的負極相連,第二電極402與電源的正極相 連,電源采用直流電源。在基座102的中心位置設(shè)有晶片頂針103,用于在離座過程中向上 運動而將放置在基座102頂部的晶片101頂起,以便機械手取走該晶片101 ;或者用于在入 座過程中向下運動而將來自機械手的晶片101放置在基座102的頂部。在實際加工處理工藝過程中,先將晶片101放置在靜電卡盤102的頂部;然后將 電極401、402與電源接通,使第一電極401積聚負電荷,同時第二電極402上積聚正電荷, 這些電荷又在晶片101上與電極401、402相對應(yīng)的區(qū)域內(nèi)分別對應(yīng)地感應(yīng)出正電荷和負電 荷。借助于對應(yīng)區(qū)域內(nèi)的電極和晶片101所產(chǎn)生的極性相反的電荷而在電極和晶片101之 間產(chǎn)生靜電場,通過該靜電場的靜電引力而將晶片101牢固地吸附在靜電卡盤的表面;而 后,對晶片101實施加工處理工藝,并在工藝完成后由機械手將晶片101取走。 如上所述,晶片101是借助于其與靜電卡盤之間的靜電引力而吸附于靜電卡盤的 表面,然而眾所周知,在加工處理工藝之后必須去除晶片101上的感應(yīng)電荷才能使晶片101 順利完成離座過程。目前常采用這樣的方法來去除晶片101上的感應(yīng)電荷即,在完成加工 處理工藝后,在電極401、402上施加與工藝過程所采用電壓的極性相反的電壓,即,在第一 電極401上施加正電壓,在第二電極402上施加負電壓,而在晶片101上感應(yīng)出與工藝過程 所帶電荷極性相反的電荷,以中和晶片101在前述工藝過程中所感應(yīng)的電荷,也就是說,向 靜電卡盤的兩個電極401、402施加與工藝過程所施加電壓的極性相反的電壓,以釋放晶片101上的靜電荷。并待靜電荷釋放后,由晶片頂針103將晶片101頂起,以待機械手取走晶 片 101。然而在實際應(yīng)用中,通過上述施加反向電壓的方式并不能將電極和晶片上的靜電 荷完全消除。這是因為靜電荷的消除通常會受到多種因素的影響,例如工藝條件、反向電 壓的高低、施加反向電壓的時間等,因此采用上述方式來去除電極和晶片上的靜電荷時,難 以克服上述諸多因素的影響,因而也就難以較為徹底地去除所述靜電荷。而電極和晶片上 存在殘余電荷將會引起粘片現(xiàn)象的發(fā)生,并導致晶片在升針時發(fā)生偏離或掉片,從而使機 械手無法取出晶片。而且,殘余電荷越多粘片現(xiàn)象越嚴重,以致嚴重時仍會發(fā)生碎片現(xiàn)象, 影響工藝的順利進行。為此,本領(lǐng)域技術(shù)人員試圖通過大量實驗以獲得工藝與反向電壓各參數(shù)之間的對 應(yīng)關(guān)系,并期望最終徹底消除電極和晶片上的殘余電荷,但是在實際應(yīng)用中,該方法不僅增 加了設(shè)備復雜性、延長了生產(chǎn)周期,而且也不能實現(xiàn)殘余電荷的徹底消除。因此,目前迫切 需要本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠提供一種可以較為徹底地去除電極和晶片上的殘余電荷的方法 或裝置
發(fā)明內(nèi)容
為解決上述問題,本發(fā)明提供一種靜電卡盤及其殘余電荷的消除方法,其能夠較 為徹底、快速地消除晶片和設(shè)置在靜電卡盤內(nèi)的電極上的殘余電荷,從而消除粘片和碎片 現(xiàn)象,避免工藝中斷,進而提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品良率。為此,本發(fā)明提供一種靜電卡盤,包括基座和設(shè)置于所述基座內(nèi)部的電極,該靜電 卡盤還包括電荷釋放單元,所述電極可選擇地與設(shè)置在靜電卡盤外部的電源連接或者與所 述電荷釋放單元連接,以在加工工藝過程中連接所述電源而獲得電能;并在電荷釋放過程 中,連接所述電荷釋放單元以釋放掉所述電極上的殘余電荷,進而去除該靜電卡盤所承載 的加工工件上的殘余電荷。其中,所述電荷釋放單元為接地電路,在電荷釋放過程中,所述電極與所述接地電 路連通構(gòu)成電荷釋放通路。其中,所述電極為雙電極,每一個電極均可選擇地連接所述電源或?qū)?yīng)的電荷釋 放單元。其中,所述電荷釋放單元包括電阻,在電荷釋放過程中,所述電阻在所述兩個電極 之間電連通而構(gòu)成電荷釋放回路。其中,在所述電極與電源和電荷釋放單元之間設(shè)置選擇開關(guān),所述電極連接所述 選擇開關(guān)的動觸頭,所述電源和電荷釋放單元各自獨立連接所述選擇開關(guān)的靜觸頭,借助 于所述動觸頭選擇性地連通所述靜觸頭而使所述電極可選擇地連接所述電源或電荷釋放 單元。由于轉(zhuǎn)換開關(guān)的結(jié)構(gòu)簡單,操作方便,將其設(shè)置在電極與電源或電荷釋放單元之間 不僅可以使電極在電源和電荷釋放單元之間實現(xiàn)選擇連通,而且使整個靜電卡盤的結(jié)構(gòu)緊 湊,外觀優(yōu)美。作為另一個技術(shù)方案,本發(fā)明還提供一種靜電卡盤殘余電荷的消除方法。所述靜 電卡盤包括基座、電荷釋放單元以及設(shè)置于所述基座內(nèi)部的電極,所述方法包括下述步驟 1)在加工工藝過程中,將工件放置在基座上,并使電極接通電源,借助于所述電極和工件之間的靜電引力而將工件吸附在靜電卡盤上并實施加工工藝;2)加工工藝完成后,對所述電 極施加與步驟1)所施加的電壓極性相反的反向電壓,以中和所述電極和工件在工藝過程 中所產(chǎn)生的電荷;3)切斷所述電極與電源之間的連接,并使電極連接電荷釋放單元,以釋 放掉所述電極上的殘余電荷,進而去除該靜電卡盤所承載的加工工件上的殘余電荷。其中,所述步驟2)中所施加的反向電壓為500V 2000V,并且施加時間為2s 6s,優(yōu)選3s或5s。其中,所述電荷釋放單元為接地電路,在所述步驟3)中,將所述電極與所述接地 電路連通構(gòu)成電荷釋放通路,以釋放掉所述電極上的殘余電荷。其中,所述電極為雙電極,所述電荷釋放單元包括電阻,在所述步驟3)中,使所述 電阻在所述兩個電極之間電連通而構(gòu)成電荷釋放回路,以釋放掉所述電極上的殘余電荷。其中,所述電阻的阻值為5000 Ω 10ΜΩ,優(yōu)選1ΜΩ 2ΜΩ。其中,在所述步驟3)中,所述電極與所述電荷釋放電路的連通時間為0.5s 10s。本發(fā)明具有以下有益效果由于本發(fā)明提供的靜電卡盤設(shè)置有電荷釋放單元,借助于該電荷釋放單元可以將 靜電卡盤內(nèi)部電極和靜電卡盤所承載的晶片上的殘余電荷較為徹底、快速地釋放掉,從而 消除因上述殘余電荷存在而導致的前述粘片和碎片現(xiàn)象,從而避免工藝中斷。因此,本發(fā)明 提供的靜電卡盤提高了設(shè)備運行的穩(wěn)定性和產(chǎn)品良率;并且縮短了靜電卡盤殘余電荷的釋 放時間,提高了生產(chǎn)效率。類似地,本發(fā)明提供的靜電卡盤殘余電荷的消除方法中,同樣借助于電荷釋放單 元將靜電卡盤內(nèi)部電極和靜電卡盤所承載的晶片上的殘余電荷較為徹底、快速地釋放掉。 因此,本發(fā)明提供的靜電卡盤殘余電荷的消除方法能夠方便快捷地消除粘片和碎片現(xiàn)象, 并避免工藝中斷,進而提高了設(shè)備運行的穩(wěn)定性和產(chǎn)品良率;并且該方法縮短了靜電卡盤 殘余電荷的釋放時間,提高了生產(chǎn)效率。


圖1為一種常見的靜電卡盤的工作原理圖;圖2為本發(fā)明提供的一種靜電卡盤的結(jié)構(gòu)示意圖;以及圖3為本發(fā)明提供的另一種靜電卡盤的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中101-晶片 102-基座 103-晶片頂針 401-第一電極402-第二電極 105-第一轉(zhuǎn)換開關(guān)105a-動觸頭105b-第一靜觸頭105c_第二靜觸頭106-第二轉(zhuǎn) 換開關(guān)106a-動觸頭106b-第一靜觸頭106c-第二靜觸頭R-電阻
具體實施方式
為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案,下面結(jié)合附圖和具體實施方 式對本發(fā)明提供的靜電卡盤及其殘余電荷的消除方法進行詳細描述。本發(fā)明中的靜電卡盤包括基座、設(shè)置在基座內(nèi)的電極和電荷釋放單元。電極可選 擇性地與設(shè)置在靜電卡盤外部的電源連接或者與電荷釋放單元連接。在加工工藝過程中, 電極連接電源以獲得電能;在電荷釋放過程中,電極連接電荷釋放單元以釋放電極上的殘 余電荷,進而去除靜電卡盤所承載的加工工件上的殘余電荷。其中,電荷釋放單元可以采用接地通路和/或電阻回路,借助接地通路和/或電阻回路來消除上述電極和晶片上的殘余 電荷。下面分別對設(shè)置有接地通路或電阻回路形式的電荷釋放單元的靜電卡盤作進一步 詳 細描述。實施例1請參見圖2,為本發(fā)明提供的靜電卡盤結(jié)構(gòu)示意圖。如圖所示,本實施例中的電荷 釋放單元采用接地通路方式來消除電極和晶片上的殘余電荷。本實施例的靜電卡盤包括 基座102、兩個電極401、402(當然,靜電卡盤也可以僅設(shè)置一個電極)、兩個轉(zhuǎn)換開關(guān)105、 106(轉(zhuǎn)換開關(guān)為圖中虛線框內(nèi)的部分,下述圖3中同理)。兩個電極401、402彼此分開設(shè) 置在基座102的內(nèi)部并被絕緣層包裹(圖中未示出絕緣層),而且各自分別與設(shè)置在基座 102外部的轉(zhuǎn)換開關(guān)105、106連接。基座102中部設(shè)有貫穿該基座102的通道,晶片頂針 103可在該通道內(nèi)上下運動。本實施例中的轉(zhuǎn)換開關(guān)105、106均包括三個觸頭,即,一個動觸頭和兩個靜觸頭。 其中,第一轉(zhuǎn)換開關(guān)105的動觸頭105a與第一電極401連接,它的第一靜觸頭105b與地連 接,而第二靜觸頭105c與電源的正極連接;第二轉(zhuǎn)換開關(guān)106的動觸頭106a與第二電極 402連接,它的第一靜觸頭106b也與地連接,而第二靜觸頭106c與電源的負極連接。電源 采用高壓直流電源且設(shè)置在基座102外部。通過上述靜電卡盤的設(shè)計方式,可以方便地實現(xiàn)以下操作在進行工藝加工過程中,調(diào)節(jié)第一轉(zhuǎn)換開關(guān)105的動觸頭105a使其與第一轉(zhuǎn)換開 關(guān)105的第二靜觸頭105c連通,同時,調(diào)節(jié)第二轉(zhuǎn)換開關(guān)106的動觸頭106a使其與第二轉(zhuǎn) 換開關(guān)106的第二靜觸頭106c連通,此時,電源向電極401、402供電,使電極401、402與晶 片101之間產(chǎn)生靜電引力,該靜電卡盤開始工作。產(chǎn)生靜電引力的原理與背景技術(shù)中的相 同,這里不再贅述。在加工工藝完成后,釋放殘余電荷時,再次調(diào)節(jié)第一轉(zhuǎn)換開關(guān)105的動觸頭105a 使其與第一轉(zhuǎn)換開關(guān)105的第一靜觸頭105b連通,同時,調(diào)節(jié)第二轉(zhuǎn)換開關(guān)106的動觸頭 106a使其與第二轉(zhuǎn)換開關(guān)106的第一靜觸頭106b連通,此時,電極401、402均與地連通而 各自構(gòu)成電荷釋放通路。通過該電荷釋放通路將電極401、402上的殘余電荷釋放,進而將 晶片101上的殘余電荷消除。在本實施例中,借助轉(zhuǎn)換開關(guān)105、106可以使電極401、402方便地在電源和接地 通路之間選擇連通,操作過程簡單,不增加工藝的復雜性。實施例2本發(fā)明另一實施例提供的靜電卡盤如圖3所示,本實施例中的電荷釋放單元包括 電阻R,借助電阻R將兩個電極401、402連通構(gòu)成電荷釋放回路。除此之外,本實施例靜電 卡盤的其它結(jié)構(gòu)與實施例1靜電卡盤的結(jié)構(gòu)相同。下面,僅對本實施例與實施例1的不同 之處進行描述。電阻R的兩端分別各自與第一轉(zhuǎn)換開關(guān)105的第一靜觸頭105b和第二轉(zhuǎn)換開關(guān) 106的第一靜觸頭106b連接,也就是說,將實施例1中與地連接的第一轉(zhuǎn)換開關(guān)105和第二 轉(zhuǎn)換開關(guān)106的靜觸頭替換為與電阻R連接。由此,第一電極401和第二電極402分別借 助第一轉(zhuǎn)換開關(guān)105和第二轉(zhuǎn)換開關(guān)106可選擇性地與電源和電阻R連通。當釋放殘余電荷時,調(diào)節(jié)第一轉(zhuǎn)換開關(guān)105的動觸頭105a使其與第一轉(zhuǎn)換開關(guān)105的第一靜觸頭105b接通,同時調(diào)節(jié)第二轉(zhuǎn)換開關(guān)106的動觸頭106a使其與第二轉(zhuǎn)換開 關(guān)106的第一靜觸頭106b接通。因此,第一電極401和第二電極402被電阻R連通并構(gòu)成 電荷釋放回路,借助于電阻R將電極401、402上的殘余電荷釋放,進而消除晶片101上的殘 余電荷。
需要指出的是,在實際應(yīng)用中,電荷釋放單元可以完全設(shè)置在基座102內(nèi)部,例 如,將上述第2實施例中的第一轉(zhuǎn)換開關(guān)105、第二轉(zhuǎn)換開關(guān)106和電阻R設(shè)置在基座102 內(nèi)部,而僅在基座102表面設(shè)置分別連接第一轉(zhuǎn)換開關(guān)105和第二轉(zhuǎn)換開關(guān)106動觸頭的 旋鈕或滑塊,通過轉(zhuǎn)動旋鈕或撥動滑塊來使基座102內(nèi)部作為電荷釋放單元的電阻R與轉(zhuǎn) 換開關(guān)動觸頭連接/斷開。當然,電荷釋放單元也可以部分/全部設(shè)置在基座102外部,例 如,將第一轉(zhuǎn)換開關(guān)105和第二轉(zhuǎn)換開關(guān)106設(shè)置在基座102內(nèi)部,而將上述第2實施例中 的電阻R設(shè)置在基座102外部,并在基座102表面設(shè)置分別連接靜觸頭105b和106b的接 線端子,使設(shè)置在基座102外部的上述電阻R與所述接線端子連接即可實現(xiàn)電阻R與靜觸 頭105b和106b的連接,借助于第一轉(zhuǎn)換開關(guān)105和第二轉(zhuǎn)換開關(guān)106動觸頭的動作使電 極選擇性地連接電源或者連接作為電荷釋放單元的電阻R ;再如,將第一轉(zhuǎn)換開關(guān)105和第 二轉(zhuǎn)換開關(guān)106設(shè)置在基座102內(nèi)部,在基座102表面設(shè)置分別連接靜觸頭105b和106b 的接線端子,并使所述接線端子接地,這樣即可實現(xiàn)靜觸頭105b和106b與地的連接,借助 于第一轉(zhuǎn)換開關(guān)105和第二轉(zhuǎn)換開關(guān)106動觸頭的動作使電極選擇性地連接電源或者連接 作為電荷釋放單元的接地電路。進一步需要指出的是,無論電荷釋放單元設(shè)置在靜電卡盤基座的內(nèi)部還是外部, 只要是靜電卡盤設(shè)置有電荷釋放單元,并且借助于該電荷釋放單元可以較為快速徹底地消 除上述電極和晶片上的殘余電荷,則都視為本發(fā)明的保護范圍。也就是說,本發(fā)明提供的靜 電卡盤并不僅僅局限于電荷釋放單元設(shè)置在基座內(nèi)部的情形,而是也包括電荷釋放單元全 部或部分設(shè)置在基座外部的情形。還需要指出的是,在實際應(yīng)用中,可以通過手動方式或者自動方式而使靜電卡盤 的電極選擇性地連接電荷釋放單元或者連接設(shè)置在靜電卡盤外部的電源。當采用自動方式 時,例如,可以通過預(yù)設(shè)的程序而使電極在每一加工工藝過程之后自動斷開與電源的連接 轉(zhuǎn)而連接至電荷釋放單元,從而進入到電荷釋放過程中,以釋放電極上的殘余電荷,進而去 除靜電卡盤所承載的加工工件上的殘余電荷。此外,本發(fā)明還提供一種靜電卡盤殘余電荷的消除方法,其利用靜電卡盤所具有 的電荷釋放單元來去除晶片和基座內(nèi)部電極上的殘余電荷,從而避免粘片和碎片現(xiàn)象,進 而減少工藝中斷,提高生產(chǎn)效率。本發(fā)明提供的靜電卡盤殘余電荷的消除方法具體包括以下步驟1)在加工工藝過程中,將晶片放置在基座上,調(diào)節(jié)轉(zhuǎn)換開關(guān)使電極與電源接通,借 助于電極與晶片之間的靜電引力將晶片吸附在靜電卡盤的基座上,然后在晶片上開始加工 工藝過程。2)待加工工藝完成后,轉(zhuǎn)變電源極性,在電極上施加大小為500V-2000V的與步驟 1)所施加的電壓極性相反的反向電壓,該反向電壓的施壓時間為2s-6s,優(yōu)選3s和5s,以此 來中和電極和晶片上在步驟1)時所產(chǎn)生的電荷。3)調(diào)節(jié)轉(zhuǎn)換開關(guān)的動觸頭,使電極與電荷釋放單元接通,釋放電極上的殘余電荷,進而釋放晶片上的殘余電荷。當電荷釋放單元為接地電路時,電極與接地電路的接通時間 為0. 5s 10s,如Is或2s ;當電荷釋放單元為電阻構(gòu)成的回路時,電阻阻值應(yīng)為5000 Ω IOM Ω,優(yōu)選為1 2Μ Ω,電極與電阻回路接通的時間也為0. 5s 10s,如Is或2s。 綜上所述,本發(fā)明提供的靜電卡盤及其殘余電荷的消除方法借助電荷釋放單元, 將電極和晶片上的殘余電荷較為徹底地快速釋放,消除了粘片和碎片現(xiàn)象,從而避免工藝 中斷,提高了生產(chǎn)效率。本發(fā)明提供的殘余電荷消除方法操作簡單、方便,且易于實現(xiàn)??梢岳斫獾氖牵陨蠈嵤┓绞絻H僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實施 方式,然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言,在不脫離本發(fā)明的精 神和實質(zhì)的情況下,可以做出各種變型和改進,這些變型和改進也視為本發(fā)明的保護范圍。
權(quán)利要求
1.一種靜電卡盤,包括基座和設(shè)置于所述基座內(nèi)部的電極,其特征在于,該靜電卡盤還 包括電荷釋放單元,所述電極可選擇地與設(shè)置在靜電卡盤外部的電源連接或者與所述電荷 釋放單元連接,以在加工工藝過程中連接所述電源而獲得電能;并在電荷釋放過程中,連接 所述電荷釋放單元以釋放掉所述電極上的殘余電荷,進而去除該靜電卡盤所承載的加工工 件上的殘余電荷。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電卡盤,其特征在于,所述電荷釋放單元為接地電路,在電 荷釋放過程中,所述電極與所述接地電路連通構(gòu)成電荷釋放通路。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電卡盤,其特征在于,所述電極為雙電極,每一個電極均可 選擇地連接所述電源或?qū)?yīng)的電荷釋放單元。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的靜電卡盤,其特征在于,所述電荷釋放單元包括電阻,在電荷 釋放過程中,所述電阻在所述兩個電極之間電連通而構(gòu)成電荷釋放回路。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任意一項所述的靜電卡盤,其特征在于,在所述電極與電源和 電荷釋放單元之間設(shè)置選擇開關(guān),所述電極連接所述選擇開關(guān)的動觸頭,所述電源和電荷 釋放單元各自獨立連接有所述選擇開關(guān)的靜觸頭,借助于所述動觸頭選擇性地連通所述靜 觸頭而使所述電極可選擇地連接所述電源或電荷釋放單元。
6.一種靜電卡盤殘余電荷的消除方法,其特征在于,所述靜電卡盤包括基座、電荷釋放 單元以及設(shè)置于所述基座內(nèi)部的電極,所述方法包括下述步驟1)在加工工藝過程中,將工件放置在基座上,并使電極接通電源,借助于所述電極和工 件之間的靜電引力而將工件吸附在靜電卡盤上并實施加工工藝;2)加工工藝完成后,對所述電極施加與步驟1)所施加的電壓極性相反的反向電壓,以 中和所述電極和工件在工藝過程中所產(chǎn)生的電荷;3)切斷所述電極與電源之間的連接,并使電極連接電荷釋放單元,以釋放掉所述電極 上的殘余電荷,進而去除該靜電卡盤所承載的工件上的殘余電荷。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的靜電卡盤殘余電荷的消除方法,其特征在于,所述步驟2)中 所施加的反向電壓為500V 2000V,并且施加時間為2s 6s。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的靜電卡盤殘余電荷的消除方法,其特征在于,所述電荷釋放 單元為接地電路,在所述步驟3)中,將所述電極與所述接地電路連通構(gòu)成電荷釋放通路, 以釋放掉所述電極上的殘余電荷。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的靜電卡盤殘余電荷的消除方法,其特征在于,所述電極為雙 電極,所述電荷釋放單元包括電阻,在所述步驟3)中,使所述電阻在所述兩個電極之間電 連通而構(gòu)成電荷釋放回路,以釋放掉所述電極上的殘余電荷。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的靜電卡盤殘余電荷的消除方法,其特征在于,所述電阻的阻 值為 5000 Ω IOM Ω。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的靜電卡盤殘余電荷的消除方法,其特征在于,在所述步驟3) 中,所述電極與所述電荷釋放電路的連通時間為0. 5s 10s。
全文摘要
本發(fā)明提供一種靜電卡盤,其包括基座和設(shè)置于所述基座內(nèi)部的電極,該靜電卡盤還包括電荷釋放單元,所述電極可選擇地與設(shè)置在靜電卡盤外部的電源連接或者與所述電荷釋放單元連接,以在加工工藝過程中連接所述電源而獲得電能,并在電荷釋放過程中,連接所述電荷釋放單元以釋放掉所述電極上的殘余電荷,進而去除該靜電卡盤所承載的加工工件上的殘余電荷。此外,本發(fā)明還提供一種靜電卡盤殘余電荷的消除方法。本發(fā)明提供的靜電卡盤及其殘余電荷的消除方法,可以借助電荷釋放單元將電極和晶片上的殘余電荷較為徹底地快速釋放掉,從而消除粘片和碎片現(xiàn)象,進而減少工藝中斷,提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品良率。
文檔編號H01L21/683GK102044466SQ200910235680
公開日2011年5月4日 申請日期2009年10月12日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月12日
發(fā)明者張寶輝 申請人:北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責任公司
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