專利名稱：Sonos結(jié)構(gòu)及其形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別涉及SONOS結(jié)構(gòu)及其形成方法。
背景技術(shù)：
通常，用于存儲數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體存儲器分為易失性存儲器和非易失性存儲器，易失 性存儲器易于在電源中斷時丟失其數(shù)據(jù)，而非易失性存儲器即使在電中斷時仍可保存其數(shù) 據(jù)。與其它的非易失性存儲技術(shù)(例如，磁盤驅(qū)動器)相比，非易失性半導(dǎo)體存儲器相對較 小。因此，非易失性存儲器已廣泛地應(yīng)用于移動通信系統(tǒng)、存儲卡等。近來，已經(jīng)提出了具有硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(SONOS)結(jié)構(gòu)的非易失 性存儲器，即SONOS快閃存儲器。SONOS快閃存儲器具有很薄的單元，其便于制造且容易結(jié) 合至例如集成電路的外圍區(qū)域(peripheral region)和/或邏輯區(qū)域(logic region)中。在專利號為US6797565的美國專利可以發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中SONOS快閃存儲器的制作 方法，請參考附圖1至附圖6所示，首先，參考附圖1，提供半導(dǎo)體襯底200，并在所述半導(dǎo)體 襯底200上形成介質(zhì)層-捕獲電荷層-介質(zhì)層的三層堆疊結(jié)構(gòu)210，所述三層堆疊結(jié)構(gòu)210 包括形成在半導(dǎo)體襯底200上的介質(zhì)層210a，形成在介質(zhì)層210a上的捕獲電荷層210b以 及形成在210b上的介質(zhì)層210c。參考附圖2所示，在三層堆疊結(jié)構(gòu)210上依次形成第一多晶硅層220和腐蝕阻擋 層230，并在腐蝕阻擋層230上形成光刻膠層觀0，并曝光、顯影光刻膠層280形成開口，以 光刻膠為掩膜，依次刻蝕腐蝕阻擋層230、第一多晶硅層220以及介質(zhì)層-捕獲電荷層-介 質(zhì)層的三層堆疊結(jié)構(gòu)210，直至曝露出半導(dǎo)體襯底200，所述光刻膠開口的位置與半導(dǎo)體襯 底200內(nèi)需要形成源極和漏極的位置相對應(yīng)。參考附圖3所示，以光刻膠層280為掩膜，在半導(dǎo)體襯底200中進(jìn)行離子注入，形 成源極240和漏極250。參考附圖4所示，去除光刻膠層觀0，并在源極240和漏極250區(qū) 域?qū)?yīng)的半導(dǎo)體襯底200上以及腐蝕阻擋層230的表面形成介電層沈0，并采用化學(xué)機(jī)械拋 光工藝平坦化介電層沈0，直至完全曝露出腐蝕阻擋層230的表面。參考附圖5所示，去除腐蝕阻擋層230，只留下第一多晶硅層220。參考附圖6所 示，在第一多晶硅層220以及介電層260上形成第二多晶硅層270，第二多晶硅層270的厚 度應(yīng)該完全覆蓋介電層沈0。參考附圖7所示，在第二多晶硅層270上形成光刻膠層(圖中 未示出)，并曝光顯影所述光刻膠層形成開口，并以光刻膠為掩膜，刻蝕第二多晶硅層270， 使第二多晶硅層270將SONOS快閃存儲器的各個柵極結(jié)構(gòu)連接起來，形成字線，刻蝕第二多 晶硅層270之后，一般會進(jìn)行快速熱退火工藝，以修復(fù)刻蝕第二多晶硅層270過程中對多晶 硅層的晶格損傷，所述快速熱退火工藝為在700至1200°C的工藝條件下退火4至7秒，最 后，去除所述光刻膠層?，F(xiàn)有技術(shù)中SONOS快閃存儲器會在捕獲電荷層210b深阱中局部存儲電荷，注入溝 道熱載流子用于編程，參考圖7，SONOS結(jié)構(gòu)能夠?qū)系罒彷d流子捕獲存儲在單元201和單 元202，實現(xiàn)每單元2-bit功能。
隨著半導(dǎo)體集成度的進(jìn)一步發(fā)展，現(xiàn)有SONOS結(jié)構(gòu)的單元201和單元202也越來 越接近，存儲在單元201和單元202的電荷會隨著日益縮小的單元201和單元202距離而 導(dǎo)致分辨率下降，嚴(yán)重時甚至導(dǎo)致SONOS結(jié)構(gòu)失效。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是隨著半導(dǎo)體集成度的發(fā)展導(dǎo)致SONOS結(jié)構(gòu)每單元2-bit接近 而失效的問題。為解決上述問題，本發(fā)明提供了的一種SONOS結(jié)構(gòu)，包括半導(dǎo)體襯底；形成在半 導(dǎo)體襯底內(nèi)的阱區(qū)；形成在阱區(qū)內(nèi)的溝槽；形成在溝槽側(cè)壁和底部的第一介質(zhì)層；位于所 述溝槽的兩個內(nèi)角的分離的捕獲電荷層且所述捕獲電荷層位于第一介質(zhì)層表面；位于所述 捕獲電荷層表面的第二介質(zhì)層；位于所述第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層表面形成多晶硅層且所 述多晶硅層填充所述溝槽；位于所述阱區(qū)內(nèi)且位于溝槽兩側(cè)的源極區(qū)和漏極區(qū)。可選的，所述第一介質(zhì)層的材料為氧化硅?？蛇x的，所述捕獲電荷層的材料為氮化硅?？蛇x的，所述第二介質(zhì)層的材料為氧化硅。本發(fā)明還提供了 SONOS結(jié)構(gòu)形成方法，包括提供半導(dǎo)體襯底；在所述半導(dǎo)體襯底 內(nèi)形成溝槽；在形成有溝槽的半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成阱區(qū)；在所述溝槽側(cè)壁和底部形成第一介 質(zhì)層；在所述溝槽的兩個內(nèi)角形成分離的捕獲電荷層且所述捕獲電荷層位于第一介質(zhì)層表 面；在所述捕獲電荷層表面形成第二介質(zhì)層；在所述第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層表面形成多 晶硅層，所述多晶硅層填充所述溝槽；在所述阱區(qū)內(nèi)形成位于溝槽兩側(cè)的源極區(qū)和漏極區(qū)?？蛇x的，所述第一介質(zhì)層的材料為氧化硅?？蛇x的，所述捕獲電荷層的材料為氮化硅?？蛇x的，所述第二介質(zhì)層的材料為氧化硅?？蛇x的，所述形成分離的捕獲電荷層的步驟包括在所述溝槽內(nèi)形成位于第一介 質(zhì)層表面的氮化硅層；采用等離子體刻蝕工藝刻蝕氮化硅層，在所述溝槽的兩個內(nèi)角形成 分離的捕獲電荷層。可選的，形成捕獲電荷層的等離子體刻蝕工藝采用同向等離子體刻蝕工藝?？蛇x的，所述形成捕獲電荷層的同向等離子體刻蝕工藝的工藝條件為選用在所 述溝槽中間位置刻蝕速率比溝槽邊緣位置刻蝕速率快的刻蝕條件。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點本發(fā)明提供的SONOS結(jié)構(gòu)和形成SONOS結(jié) 構(gòu)的方法，形成了分離的第一介質(zhì)層-捕獲電荷層-第二介質(zhì)層的三層堆疊結(jié)構(gòu)，所述第一 介質(zhì)層-捕獲電荷層-第二介質(zhì)層位于所述溝槽的兩個內(nèi)角，形成的每單元2-bit的SONOS 結(jié)構(gòu)，避免了現(xiàn)有的SONOS結(jié)構(gòu)隨著半導(dǎo)體集成度的進(jìn)一步發(fā)展，每單元2-bit功能會隨著 日益縮小的單元距離而導(dǎo)致分辨率下降，嚴(yán)重時甚至導(dǎo)致SONOS結(jié)構(gòu)失效，并且本發(fā)明提 供SONOS結(jié)構(gòu)的第一介質(zhì)層-捕獲電荷層-第二介質(zhì)層形成在半導(dǎo)體襯底內(nèi)，不需要通過 光刻膠來定義特征尺寸，能夠進(jìn)一步的降低第一介質(zhì)層-捕獲電荷層-第二介質(zhì)層的特征 尺寸。


通過附圖中所示的本發(fā)明的優(yōu)選實施例的更具體說明，本發(fā)明的上述及其它目 的、特征和優(yōu)勢將更加清晰。在全部附圖中相同的附圖標(biāo)記指示相同的部分。并未刻意按 實際尺寸等比例縮放繪制附圖，重點在于示出本發(fā)明的主旨。圖1至圖6是現(xiàn)有技術(shù)中SONOS快閃存儲器的制作方法；圖7是現(xiàn)有技術(shù)形成的SONOS結(jié)構(gòu)將溝道熱載流子捕獲存儲在單元內(nèi)，實現(xiàn)每單 元2-bit功能的示意圖；圖8是本發(fā)明提供的SONOS結(jié)構(gòu)形成方法的一實施例的流程示意圖；圖9至圖16為本發(fā)明提供的SONOS結(jié)構(gòu)形成方法的一實施例的示意圖。
具體實施例方式由背景技術(shù)可知，現(xiàn)有的SONOS結(jié)構(gòu)隨著半導(dǎo)體集成度的進(jìn)一步發(fā)展，每單元 2-bit功能會隨著日益縮小的單元201和單元202距離而導(dǎo)致分辨率下降，嚴(yán)重時甚至導(dǎo)致 SONOS結(jié)構(gòu)失效。為此，本發(fā)明提出一種先進(jìn)的SONOS結(jié)構(gòu)，包括半導(dǎo)體襯底；形成在半導(dǎo)體襯底 內(nèi)的阱區(qū)；形成在阱區(qū)內(nèi)的溝槽；形成在溝槽側(cè)壁和底部的第一介質(zhì)層；位于所述溝槽的 兩個內(nèi)角的分離的捕獲電荷層且所述捕獲電荷層位于第一介質(zhì)層表面；位于所述捕獲電荷 層表面的第二介質(zhì)層；位于所述第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層表面形成多晶硅層且所述多晶硅 層填充所述溝槽；位于所述阱區(qū)內(nèi)且位于溝槽兩側(cè)的源極區(qū)和漏極區(qū)。本發(fā)明還提出一種先進(jìn)的SONOS結(jié)構(gòu)形成方法，包括提供半導(dǎo)體襯底；在所述半 導(dǎo)體襯底內(nèi)形成溝槽；在形成有溝槽的半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成阱區(qū)；在所述溝槽側(cè)壁和底部形 成第一介質(zhì)層；在所述溝槽的兩個內(nèi)角形成分離的捕獲電荷層且所述捕獲電荷層位于第一 介質(zhì)層表面；在所述捕獲電荷層表面形成第二介質(zhì)層；在所述第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層表 面形成多晶硅層，所述多晶硅層填充所述溝槽；在所述阱區(qū)內(nèi)形成位于溝槽兩側(cè)的源極區(qū) 和漏極區(qū)。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以 很多不同于在此描述的其它方式來實施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況 下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施的限制。其次，本發(fā)明利用示意圖進(jìn)行詳細(xì)描述，在詳述本發(fā)明實施例時，為便于說明，表 示器件結(jié)構(gòu)的剖面圖會不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是實例，其在此不應(yīng) 限制本發(fā)明保護(hù)的范圍。此外，在實際制作中應(yīng)包含長度、寬度及深度的三維空間尺寸。圖8是本發(fā)明提供的SONOS結(jié)構(gòu)形成方法的一實施例的流程示意圖，圖9至圖16 為本發(fā)明提供的SONOS結(jié)構(gòu)形成方法的一實施例的示意圖。下面結(jié)合圖8至圖16對本發(fā) 明的SONOS結(jié)構(gòu)形成方法進(jìn)行說明。步驟S101，提供半導(dǎo)體襯底。參考圖9，所述半導(dǎo)體襯底100可以是單晶硅、多晶硅或非晶硅；所述襯底100也 可以是硅、鍺、砷化鎵或硅鍺化合物；該半導(dǎo)體襯底100還可以具有外延層或絕緣層上硅結(jié) 構(gòu)；所述的半導(dǎo)體襯底100還可以是其它半導(dǎo)體材料，這里不再一一列舉。在本實施例中，所述半導(dǎo)體襯底100選用硼摻雜的硅襯底。
步驟S102，在所述半導(dǎo)體襯底100內(nèi)形成溝槽。請參考圖10，所述溝槽101的形成工藝可以為圖形化工藝，具體步驟包括在所述 半導(dǎo)體襯底100表面旋涂上光刻膠，并曝光、顯影形成第一光刻膠圖形(未圖示)。所述光 刻膠可以通過例如旋轉(zhuǎn)涂布等方式在述半導(dǎo)體襯底100表面形成。在涂布光刻膠之后，通 過曝光將掩膜圖形從掩膜版上轉(zhuǎn)移到光刻膠上，并利用顯影液將相應(yīng)部位的光刻膠去除以 形成第一光刻膠圖形。以所述第一光刻膠圖形為掩膜，采用等離子體刻蝕工藝去除部分所述半導(dǎo)體襯底 100，直至形成所述溝槽101。去除半導(dǎo)體襯底100的厚度可以由制備的SONOS結(jié)構(gòu)參數(shù)決定。形成溝槽101后，采用灰化工藝或者化學(xué)試劑去除工藝去除所述第一光刻交圖 形。步驟S103，在形成有溝槽101的半導(dǎo)體襯底100內(nèi)形成阱區(qū)。請參考圖11，所述阱區(qū)110的形成工藝可以為離子注入工藝，在一實施例中，所述 阱區(qū)Iio的形成工藝采用注入P型離子，比如可以為硼離子，注入能量和注入劑量可以根據(jù) 制造SONOS結(jié)構(gòu)的參數(shù)而設(shè)定，直至形成P阱110。在另一實施例中，所述阱區(qū)110的形成工藝采用注入η型離子，比如可以為磷離 子，注入能量和注入劑量可以根據(jù)制造SONOS結(jié)構(gòu)的參數(shù)而設(shè)定，直至形成η阱110。在其他的實施例中，所述阱區(qū)110還可以采用多次離子注入，直至形成阱區(qū)110， 在此特地說明，不應(yīng)過分限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。步驟S104，在所述溝槽側(cè)壁和底部形成第一介質(zhì)層。參考圖12，所述第一介質(zhì)層120材料為氧化硅；所述第一介質(zhì)層120的形成步驟 包括采用沉積工藝在所述溝槽101側(cè)壁和底部以及半導(dǎo)體襯底100表面形成氧化硅層 (未圖示)，所述沉積工藝可以為化學(xué)氣相沉積工藝。在氧化硅層形成保護(hù)述溝槽101側(cè)壁和底部的光刻膠層；采用刻蝕工藝去除半導(dǎo) 體襯底100表面的氧化硅層，保留所述溝槽101側(cè)壁和底部的氧化硅層；去除光刻膠層，在 所述溝槽101側(cè)壁和底部形成第一介質(zhì)層120。步驟S105，在所述溝槽101的兩個內(nèi)角形成分離的捕獲電荷層且所述捕獲電荷層 位于第一介質(zhì)層120表面。參考圖13，所述捕獲電荷層130材料選自氮化硅。所述捕獲電荷層130的形成工藝步驟包括在所述溝槽101內(nèi)形成位于第一介質(zhì) 層120表面的氮化硅層(未圖示)。采用等離子體刻蝕工藝刻蝕氮化硅層，在所述溝槽101的兩個內(nèi)角形成分離的捕 獲電荷層130。需要特別指出的是，所述等離子體刻蝕工藝采用同向等離子體刻蝕工藝，并選用 在溝槽101中間位置刻蝕速率比溝槽101邊緣位置刻蝕速率快的刻蝕條件，使得溝槽101 中間位置的氮化硅層完全去除后，所述溝槽的兩個內(nèi)角的氮化硅仍然保留。步驟S106，在所述捕獲電荷層130表面形成第二介質(zhì)層。參考圖14，所述第二介質(zhì)層140材料選自氧化硅層，所述第二介質(zhì)層140的形成步 驟可以參考步驟S104中第一介質(zhì)層120的形成步驟，在這里不再贅述。步驟S106完成后，形成了分別位于所述溝槽101的兩個內(nèi)角的第一介質(zhì)層120-捕獲電荷層130-第二介質(zhì)層140的三層堆疊結(jié)構(gòu)。步驟S107，在所述第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層表面形成多晶硅層，所述多晶硅層填 充所述溝槽101。參考圖15，所述多晶硅層150的形成工藝可以是現(xiàn)有的多晶硅沉積工藝，采用化 學(xué)氣相沉積工藝，沉積多晶硅薄膜；然后采用化學(xué)機(jī)械拋光工藝去除部分多晶硅薄膜和半 導(dǎo)體襯底100，形成填充所述溝槽101的多晶硅層150。步驟S108，在所述阱區(qū)110內(nèi)形成位于溝槽101兩側(cè)的源極區(qū)和漏極區(qū)。參考圖16，所述源極區(qū)161和漏極區(qū)162的形成工藝可以采用離子注入，所述離子 注入的離子類型與阱區(qū)110的離子類型相反。若阱區(qū)110的離子類型為η型，所述述源極區(qū)161和漏極區(qū)162的離子注入為ρ 型；若阱區(qū)110的離子類型為P型，所述述源極區(qū)161和漏極區(qū)162的離子注入為η型。采用上述工藝形成的SONOS結(jié)構(gòu)，包括半導(dǎo)體襯底100 ；形成在半導(dǎo)體襯底100 內(nèi)的阱區(qū)110 ；形成在阱區(qū)110內(nèi)的溝槽101 ；形成在溝槽101側(cè)壁和底部的第一介質(zhì)層 120 ；位于所述溝槽101的兩個內(nèi)角的分離的捕獲電荷層且所述捕獲電荷層130位于第一介 質(zhì)層120表面；位于所述捕獲電荷層130表面的第二介質(zhì)層140 ；位于所述第一介質(zhì)層120 和第二介質(zhì)層130表面形成多晶硅層150且所述多晶硅層150填充所述溝槽101 ；位于所 述阱區(qū)110內(nèi)且位于溝槽101兩側(cè)的源極區(qū)161和漏極區(qū)162。本發(fā)明提供的SONOS結(jié)構(gòu)和形成SONOS結(jié)構(gòu)的方法，形成了分離的第一介質(zhì)層 120-捕獲電荷層130-第二介質(zhì)層140的三層堆疊結(jié)構(gòu)，所述第一介質(zhì)層120-捕獲電荷層 130-第二介質(zhì)層140位于所述溝槽101的兩個內(nèi)角，形成了每單元2-bit的SONOS結(jié)構(gòu)，避 免了現(xiàn)有的SONOS結(jié)構(gòu)隨著半導(dǎo)體集成度的進(jìn)一步發(fā)展，每單元2-bit功能會隨著日益縮 小的單元201和單元202距離而導(dǎo)致分辨率下降，嚴(yán)重時甚至導(dǎo)致SONOS結(jié)構(gòu)失效，并且本 發(fā)明提供SONOS結(jié)構(gòu)的第一介質(zhì)層120-捕獲電荷層130-第二介質(zhì)層140形成在半導(dǎo)體襯 底100內(nèi)，不需要通過光刻膠來定義特征尺寸，能夠進(jìn)一步的降低第一介質(zhì)層120-捕獲電 荷層130-第二介質(zhì)層140的特征尺寸。雖然本發(fā)明已以較佳實施例披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù) 人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng) 當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1. 一種SONOS結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括 提供半導(dǎo)體襯底； 在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成溝槽； 在形成有溝槽的半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成阱區(qū)； 在所述溝槽側(cè)壁和底部形成第一介質(zhì)層；在所述溝槽的兩個內(nèi)角形成分離的捕獲電荷層且所述捕獲電荷層位于第一介質(zhì)層表在所述捕獲電荷層表面形成第二介質(zhì)層；在所述第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層表面形成多晶硅層，所述多晶硅層填充所述溝槽； 在所述阱區(qū)內(nèi)形成位于溝槽兩側(cè)的源極區(qū)和漏極區(qū)。
2.如權(quán)利要求1所述的SONOS結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第一介質(zhì)層的材料為氧化硅。
3.如權(quán)利要求1所述的SONOS結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述捕獲電荷層的材料為氮化硅。
4.如權(quán)利要求1所述的SONOS結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第二介質(zhì)層的材料為氧化硅。
5.如權(quán)利要求1所述的SONOS結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述形成分離的捕獲電荷 層的步驟包括在所述溝槽內(nèi)形成位于第一介質(zhì)層表面的氮化硅層；采用等離子體刻蝕工 藝刻蝕氮化硅層，在所述溝槽的兩個內(nèi)角形成分離的捕獲電荷層。
6.如權(quán)利要求5所述的SONOS結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，形成捕獲電荷層的等離子 體刻蝕工藝采用同向等離子體刻蝕工藝。
7.如權(quán)利要求6所述的SONOS結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述形成捕獲電荷層的同 向等離子體刻蝕工藝的工藝條件為選用在所述溝槽中間位置刻蝕速率比溝槽邊緣位置刻 蝕速率快的刻蝕條件。
8.一種SONOS結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括 半導(dǎo)體襯底；形成在半導(dǎo)體襯底內(nèi)的阱區(qū)； 形成在阱區(qū)內(nèi)的溝槽； 形成在溝槽側(cè)壁和底部的第一介質(zhì)層；位于所述溝槽的兩個內(nèi)角的分離的捕獲電荷層且所述捕獲電荷層位于第一介質(zhì)層表位于所述捕獲電荷層表面的第二介質(zhì)層；位于所述第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層表面形成多晶硅層且所述多晶硅層填充所述溝位于所述阱區(qū)內(nèi)且位于溝槽兩側(cè)的源極區(qū)和漏極區(qū)。
9.如權(quán)利要求8所述的SONOS結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一介質(zhì)層的材料為氧化硅。
10.如權(quán)利要求8所述的SONOS結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述捕獲電荷層的材料 為氮化硅。
11.如權(quán)利要求8所述的SONOS結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第二介質(zhì)層的材料為氧化硅。
全文摘要
一種SONOS結(jié)構(gòu)及其形成方法，其中SONOS結(jié)構(gòu)的形成方法包括提供半導(dǎo)體襯底；在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成溝槽；在形成有溝槽的半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成阱區(qū)；在所述溝槽側(cè)壁和底部形成第一介質(zhì)層；在所述溝槽的兩個內(nèi)角形成分離的捕獲電荷層且所述捕獲電荷層位于第一介質(zhì)層表面；在所述捕獲電荷層表面形成第二介質(zhì)層；在所述第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層表面形成多晶硅層，所述多晶硅層填充所述溝槽；在所述阱區(qū)內(nèi)形成位于溝槽兩側(cè)的源極區(qū)和漏極區(qū)。本發(fā)明提供的SONOS結(jié)構(gòu)具有每單元2-bit的功能，并且單元的bit分辨率高。
文檔編號H01L21/28GK102087964SQ20091019999
公開日2011年6月8日 申請日期2009年12月4日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月4日
發(fā)明者鄭大燮, 陳德艷 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司