在Fo-WLCSP中形成雙面互連結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件和方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及在Fo-WLCSP中形成雙面互連結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件和方法。半導(dǎo)體器件具有基板，該基板具有在基板的相對(duì)的第一和第二表面上方形成的第一和第二導(dǎo)電層。多個(gè)凸塊在基板上方形成。半導(dǎo)體管芯在凸塊之間安裝到基板。密封劑沉積在基板和半導(dǎo)體管芯上方。凸塊的一部分從密封劑延伸出來(lái)。密封劑的一部分被移除以露出基板?；ミB結(jié)構(gòu)在密封劑和半導(dǎo)體管芯上方形成并且電耦合到凸塊。基板的一部分可以被移除以露出第一或第二導(dǎo)電層?；宓囊徊糠挚梢员灰瞥月冻鐾箟K。基板可以被移除并且保護(hù)層可以在密封劑和半導(dǎo)體管芯上方形成。半導(dǎo)體封裝布置在基板上方并且電連接到基板。
【專利說(shuō)明】在Fo-WLCSP中形成雙面互連結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件和方法
[0001]主張國(guó)內(nèi)優(yōu)先權(quán)
本專利申請(qǐng)主張2012年9月14日提交的美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)N0.61/701,366的利益，該美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)通過引用接合于此。
_2] 相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
本申請(qǐng)涉及律師案卷號(hào)為2515.0424,名稱為“Semiconductor Device and Methodof Forming Build-up Interconnect Structure over Carrier for Testing at Interimstages”的美國(guó)專利申請(qǐng)序號(hào)(TBD)。本申請(qǐng)還涉及律師案卷號(hào)為2515.0427，名稱為“Semiconductor Device and Method of Forming Build-up Interconnect Structureover Carrier for Testing at Interim stages” 的美國(guó)專利申請(qǐng)序號(hào)(TBD)。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明一般涉及半導(dǎo)體器件，且更具體地涉及一種在Fo-WLCSP中形成雙面互連結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件和方法。
【背景技術(shù)】
[0004]常常在現(xiàn)代電子產(chǎn)品中發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體器件。半導(dǎo)體器件在電部件的數(shù)目和密度方面變化。分立的半導(dǎo)體器件一般包含一種類型的電部件，例如發(fā)光二極管(LED)、小信號(hào)晶體管、電阻器、電容器、電感器、以及功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。集成半導(dǎo)體器件典型地包含幾百個(gè)到數(shù)以百萬(wàn)的電部件。集成半導(dǎo)體器件的示例包括微控制器、微處理器、電荷耦合器件(CCD)、太陽(yáng)能電池以及數(shù)字微鏡器件(DMD)。
[0005]半導(dǎo)體器件執(zhí)行各種的功能，諸如信號(hào)處理、高速計(jì)算、發(fā)射和接收電磁信號(hào)、控制電子器件、將太陽(yáng)光轉(zhuǎn)變?yōu)殡娏σ约爱a(chǎn)生用于電視顯示的視覺投影。在娛樂、通信、功率轉(zhuǎn)換、網(wǎng)絡(luò)、計(jì)算機(jī)以及消費(fèi)產(chǎn)品的領(lǐng)域中發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體器件。還在軍事應(yīng)用、航空、汽車、工業(yè)控制器和辦公設(shè)備中發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體器件。
[0006]半導(dǎo)體器件利用半導(dǎo)體材料的電屬性。半導(dǎo)體材料的結(jié)構(gòu)允許通過施加電場(chǎng)或基電流(base current)或通過摻雜工藝而操縱其導(dǎo)電性。摻雜向半導(dǎo)體材料引入雜質(zhì)以操縱和控制半導(dǎo)體器件的導(dǎo)電性。
[0007]半導(dǎo)體器件包含有源和無(wú)源電結(jié)構(gòu)。包括雙極和場(chǎng)效應(yīng)晶體管的有源結(jié)構(gòu)控制電流的流動(dòng)。通過改變摻雜水平和施加電場(chǎng)或基電流，晶體管要么促進(jìn)要么限制電流的流動(dòng)。包括電阻器、電容器和電感器的無(wú)源結(jié)構(gòu)創(chuàng)建為執(zhí)行各種電功能所必須的電壓和電流之間的關(guān)系。無(wú)源和有源結(jié)構(gòu)電連接以形成電路，這使得半導(dǎo)體器件能夠執(zhí)行高速操作和其它有用功能。
[0008]半導(dǎo)體器件一般使用兩個(gè)復(fù)雜的制造工藝來(lái)制造，即，前端制造和和后端制造，每一個(gè)可能涉及成百個(gè)步驟。前端制造涉及在半導(dǎo)體晶片的表面上形成多個(gè)管芯。每個(gè)半導(dǎo)體管芯典型地是相同的且包含通過電連接有源和無(wú)源部件而形成的電路。后端制造涉及從完成的晶片分割(Singulate)各個(gè)半導(dǎo)體管芯且封裝管芯以提供結(jié)構(gòu)支撐和環(huán)境隔離。此處使用的術(shù)語(yǔ)“半導(dǎo)體管芯”指該措詞的單數(shù)和復(fù)數(shù)形式，并且相應(yīng)地可以指單個(gè)半導(dǎo)體器件和多個(gè)半導(dǎo)體器件。
[0009]半導(dǎo)體制造的一個(gè)目的是生產(chǎn)較小的半導(dǎo)體器件。較小的器件典型地消耗較少的功率、具有較高的性能且可以更高效地生產(chǎn)。另外，較小的半導(dǎo)體器件具有較小的覆蓋區(qū)(footprint)，這對(duì)于較小的終端產(chǎn)品而言是希望的。較小的半導(dǎo)體管芯尺寸可以通過前端工藝中的改進(jìn)來(lái)獲得，該前端工藝中的改進(jìn)導(dǎo)致半導(dǎo)體管芯具有較小、較高密度的有源和無(wú)源部件。后端工藝可以通過電互聯(lián)和封裝材料中的改進(jìn)而導(dǎo)致具有較小覆蓋區(qū)的半導(dǎo)體器件封裝。
[0010]半導(dǎo)體管芯在扇出晶片級(jí)芯片規(guī)模封裝(F0-WLCSP)中經(jīng)常需要頂部和底部堆積互連結(jié)構(gòu)以用于電連接到外部器件。堆積互連結(jié)構(gòu)典型地逐層形成于Fo-WLCSP的兩側(cè)上。由于工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)臨時(shí)接合工藝的原因，堆積互連結(jié)構(gòu)的逐層形成需要長(zhǎng)的循環(huán)時(shí)間和高的制造成本。臨時(shí)接合可能降低制造良率并且增加缺陷。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]對(duì)于一種簡(jiǎn)單和成本有效的F0-WLCSP中的雙面互連結(jié)構(gòu)存在需求。因此，在一個(gè)實(shí)施例中，本發(fā)明為一種制作半導(dǎo)體器件的方法，該方法包括步驟:提供基板，該基板包括在基板的相對(duì)的第一和第二表面上方形成的第一和第二導(dǎo)電層；在基板上方形成多個(gè)凸塊；在凸塊之間將半導(dǎo)體管芯安裝到基板；在基板和半導(dǎo)體管芯上方沉積密封劑；以及形成位于密封劑和半導(dǎo)體管芯上方并且電耦合到凸塊的互連結(jié)構(gòu)。
[0012]在另一實(shí)施例中，本發(fā)明為一種制作半導(dǎo)體器件的方法，該方法包括步驟:提供基板；在基板上方形成垂直互連結(jié)構(gòu)；將半導(dǎo)體管芯安裝到基板；在基板和半導(dǎo)體管芯上方沉積密封劑；以及在密封劑和半導(dǎo)體管芯上方形成第一互連結(jié)構(gòu)。
[0013]在另一實(shí)施例中，本發(fā)明為一種半導(dǎo)體器件，其包括基板和在基板上方形成的垂直互連結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體管芯安裝到基板。密封劑沉積在基板和半導(dǎo)體管芯上方。第一互連結(jié)構(gòu)在密封劑和半導(dǎo)體管芯上方形成。
[0014]在另一實(shí)施例中，本發(fā)明為一種半導(dǎo)體器件，其包括基板和安裝到基板的半導(dǎo)體管芯。密封劑沉積在基板和半導(dǎo)體管芯上方。第一互連結(jié)構(gòu)在密封劑和半導(dǎo)體管芯上方形成。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0015]圖1說(shuō)明不同類型的封裝安裝到其表面的印刷電路板(PCB)；
圖2a-2c說(shuō)明安裝到PCB的代表性半導(dǎo)體封裝的另外細(xì)節(jié)；
圖3a_3e說(shuō)明具有通過鋸道分離的多個(gè)半導(dǎo)體管芯的半導(dǎo)體晶片；
圖4a_4d說(shuō)明形成內(nèi)插層基板的工藝，半導(dǎo)體管芯安裝到該基板；
圖5a-5i說(shuō)明在Fo-WLCSP中形成內(nèi)插層基板和堆積互連結(jié)構(gòu)作為雙面互連結(jié)構(gòu)的工
藝;
圖6a-6b說(shuō)明安裝到具有雙面互連結(jié)構(gòu)的Fo-WLCSP的半導(dǎo)體封裝；
圖7說(shuō)明內(nèi)插層基板，其中導(dǎo)電層僅僅位于該基板的一側(cè)上；
圖8說(shuō)明內(nèi)插層基板,其中掩模層位于該基板的一側(cè)上； 圖9說(shuō)明內(nèi)插層基板，其中凸塊的側(cè)表面露出；以及 圖10說(shuō)明具有層疊保護(hù)層的內(nèi)插層基板。
【具體實(shí)施方式】
[0016]在下面的描述中，參考圖以一個(gè)或更多實(shí)施例描述本發(fā)明，在這些圖中相似的標(biāo)號(hào)代表相同或類似的元件。盡管就用于實(shí)現(xiàn)本發(fā)明目的的最佳模式描述本發(fā)明，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，其旨在覆蓋可以包括在如下面的公開和圖支持的所附權(quán)利要求及其等價(jià)物限定的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)的替換、修改和等價(jià)物。
[0017]半導(dǎo)體器件一般使用兩個(gè)復(fù)雜制造工藝來(lái)制造:前端制造和后端制造。前端制造涉及在半導(dǎo)體晶片的表面上形成多個(gè)管芯。晶片上的每個(gè)管芯包含有源和無(wú)源電部件，它們電連接以形成功能電路。諸如晶體管和二極管的有源電部件具有控制電流流動(dòng)的能力。諸如電容器、電感器和電阻器的無(wú)源電部件創(chuàng)建為執(zhí)行電路功能所必須的電壓和電流之間的關(guān)系。
[0018]通過包括摻雜、沉積、光刻、蝕刻和平坦化的一系列工藝步驟在半導(dǎo)體晶片的表面上方形成無(wú)源和有源部件。摻雜通過諸如離子注入或熱擴(kuò)散的技術(shù)將雜質(zhì)引入到半導(dǎo)體材料中。通過響應(yīng)于電場(chǎng)或基電流而動(dòng)態(tài)地改變半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性，摻雜工藝修改了有源器件中半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性。晶體管包含不同類型和摻雜程度的區(qū)域，其按照需要被布置為使得當(dāng)施加電場(chǎng)或基電流時(shí)晶體管能夠促進(jìn)或限制電流的流動(dòng)。
[0019]通過具有不同電屬性的材料層形成有源和無(wú)源部件。層可以通過部分由被沉積的材料類型確定的各種沉積技術(shù)來(lái)形成。例如，薄膜沉積可以涉及化學(xué)汽相沉積(CVD)、物理汽相沉積(PVD)、電解鍍覆和化學(xué)鍍覆工藝。每一層一般被圖案化以形成有源部件、無(wú)源部件或部件之間的電連接的部分。
[0020]后端制造指將完成的晶片切割或分割為各個(gè)半導(dǎo)體管芯且然后封裝半導(dǎo)體管芯以用于結(jié)構(gòu)支撐和環(huán)境隔離。為了分割半導(dǎo)體管芯，晶片沿著稱為鋸道或劃線的晶片的非功能區(qū)域被劃片且折斷。使用激光切割工具或鋸條來(lái)分割晶片。在分割之后，各個(gè)半導(dǎo)體管芯被安裝到封裝基板，該封裝基板包括引腳或接觸焊盤以用于與其它系統(tǒng)部件互連。在半導(dǎo)體管芯上方形成的接觸焊盤然后連接到封裝內(nèi)的接觸焊盤。電連接可以使用焊料凸塊、柱形凸塊、導(dǎo)電膏料或引線接合來(lái)制成。密封劑或其它成型材料沉積在封裝上方以提供物理支撐和電隔離。完成的封裝然后被插入到電系統(tǒng)中且使得半導(dǎo)體器件的功能性對(duì)于其它系統(tǒng)部件可用。
[0021]圖1說(shuō)明具有芯片載體基板或印刷電路板(PCB)52的電子器件50，該芯片載體基板或印刷電路板(PCB) 52具有安裝在其表面上的多個(gè)半導(dǎo)體封裝。取決于應(yīng)用，電子器件50可以具有一種類型的半導(dǎo)體封裝或多種類型的半導(dǎo)體封裝。用于說(shuō)明性目的，在圖1中示出了不同類型的半導(dǎo)體封裝。
[0022]電子器件50可以是使用半導(dǎo)體封裝以執(zhí)行一個(gè)或更多電功能的獨(dú)立系統(tǒng)。替換地，電子器件50可以是較大系統(tǒng)的子部件。例如，電子器件50可以是蜂窩電話、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、數(shù)碼攝像機(jī)(DVC)或其它電子通信器件的一部分。替換地，電子器件50可以是圖形卡、網(wǎng)絡(luò)接口卡或可以被插入到計(jì)算機(jī)中的其它信號(hào)處理卡。半導(dǎo)體封裝可以包括微處理器、存儲(chǔ)器、專用集成電路(ASIC)、邏輯電路、模擬電路、RF電路、分立器件或其它半導(dǎo)體管芯或電部件。微型化和重量減小對(duì)于該產(chǎn)品被市場(chǎng)接受是至關(guān)重要的。半導(dǎo)體器件之間的距離必須減小以實(shí)現(xiàn)更高的密度。
[0023]在圖1中，PCB 52提供用于安裝到PCB上的半導(dǎo)體封裝的結(jié)構(gòu)支撐和電互連的一般性基板。使用蒸發(fā)、電解鍍覆、化學(xué)鍍覆、絲網(wǎng)印刷或者其它合適的金屬沉積工藝，導(dǎo)電信號(hào)跡線54在PCB 52的表面上方或其層內(nèi)形成。信號(hào)跡線54提供半導(dǎo)體封裝、安裝的部件以及其它外部系統(tǒng)部件中的每一個(gè)之間的電通信。跡線54還向半導(dǎo)體封裝中的每一個(gè)提供功率和接地連接。
[0024]在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件具有兩個(gè)封裝級(jí)別。第一級(jí)封裝是用于機(jī)械和電附著半導(dǎo)體管芯到中間載體的技術(shù)。第二級(jí)封裝涉及機(jī)械和電附著中間載體到PCB。在其它實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件可以僅具有第一級(jí)封裝，其中管芯被直接機(jī)械和電地安裝到PCB。
[0025]用于說(shuō)明目的，在PCB 52上示出包括接合引線封裝56和倒裝芯片58的若干類型的第一級(jí)封裝。另外，示出在PCB 52上安裝的若干類型的第二級(jí)封裝，包括球柵陣列(BGA)60、凸塊芯片載體(BCC)62、雙列直插式封裝(DIP)64、岸面柵格陣列(LGA)66、多芯片模塊(MCM) 68、四方扁平無(wú)引腳封裝(QFN) 70以及方形扁平封裝72。取決于系統(tǒng)需求，使用第一和第二級(jí)封裝類型的任何組合配置的半導(dǎo)體封裝以及其它電子部件的任何組合可以連接到PCB 52。在一些實(shí)施例中，電子器件50包括單一附著的半導(dǎo)體封裝，而其它實(shí)施例需要多個(gè)互連封裝。通過在單個(gè)基板上方組合一個(gè)或更多半導(dǎo)體封裝，制造商可以將預(yù)制部件接合到電子器件和系統(tǒng)中。因?yàn)榘雽?dǎo)體封裝包括復(fù)雜的功能性，可以使用較不昂貴的部件和流水線制造工藝來(lái)制造電子器件。所得到的器件較不傾向于發(fā)生故障且對(duì)于制造而言較不昂貴，導(dǎo)致針對(duì)消費(fèi)者的較少的成本。
[0026]圖2a_2c示出示例性半導(dǎo)體封裝。圖2a說(shuō)明安裝在PCB 52上的DIP 64的進(jìn)一步細(xì)節(jié)。半導(dǎo)體管芯74包括有源區(qū)域，該有源區(qū)域包含實(shí)現(xiàn)為根據(jù)管芯的電設(shè)計(jì)而在管芯內(nèi)形成且電互連的有源器件、無(wú)源器件、導(dǎo)電層以及電介質(zhì)層的模擬或數(shù)字電路。例如，電路可以包括一個(gè)或更多晶體管、二極管、電感器、電容器、電阻器以及在半導(dǎo)體管芯74的有源區(qū)域內(nèi)形成的其它電路元件。接觸焊盤76是諸如鋁(Al)、銅(Cu)、錫(Sn)、鎳(Ni)、金(Au)或銀(Ag)的一層或多層導(dǎo)電材料，且電連接到半導(dǎo)體管芯74內(nèi)形成的電路元件。在DIP 64的組裝期間，半導(dǎo)體管芯74使用金-硅共熔層或者諸如熱環(huán)氧物或環(huán)氧樹脂的粘合劑材料而安裝到中間載體78。封裝體包括諸如聚合物或陶瓷的絕緣封裝材料。導(dǎo)線80和接合引線82提供半導(dǎo)體管芯74和PCB 52之間的電互連。密封劑84沉積在封裝上方，以通過防止?jié)駳夂皖w粒進(jìn)入封裝且污染半導(dǎo)體管芯74或接合引線82而進(jìn)行環(huán)境保護(hù)。
[0027]圖2b說(shuō)明安裝在PCB 52上的BCC 62的進(jìn)一步細(xì)節(jié)。半導(dǎo)體管芯88使用底層填料或者環(huán)氧樹脂粘合劑材料92而安裝在載體90上方。接合引線94提供接觸焊盤96和98之間的第一級(jí)封裝互連。模塑料或密封劑100沉積在半導(dǎo)體管芯88和接合引線94上方，從而為器件提供物理支撐和電隔離。接觸焊盤102使用諸如電解鍍覆或化學(xué)鍍覆之類的合適的金屬沉積工藝而在PCB 52的表面上方形成以防止氧化。接觸焊盤102電連接到PCB52中的一個(gè)或更多導(dǎo)電信號(hào)跡線54。凸塊104在BCC 62的接觸焊盤98和PCB 52的接觸焊盤102之間形成。
[0028]在圖2c中，使用倒裝芯片類型第一級(jí)封裝將半導(dǎo)體管芯58面朝下地安裝到中間載體106。半導(dǎo)體管芯58的有源區(qū)域108包含實(shí)現(xiàn)為根據(jù)管芯的電設(shè)計(jì)而形成的有源器件、無(wú)源器件、導(dǎo)電層以及電介質(zhì)層的模擬或數(shù)字電路。例如，電路可以包括一個(gè)或更多晶體管、二極管、電感器、電容器、電阻器以及有源區(qū)域108內(nèi)的其它電路元件。半導(dǎo)體管芯58通過凸塊110電和機(jī)械連接到載體106。
[0029]使用利用凸塊112的BGA類型第二級(jí)封裝，BGA 60電且機(jī)械連接到PCB 52。半導(dǎo)體管芯58通過凸塊110、信號(hào)線114和凸塊112電連接到PCB 52中的導(dǎo)電信號(hào)跡線54。模塑料或密封劑116被沉積在半導(dǎo)體管芯58和載體106上方以為器件提供物理支撐和電隔離。倒裝芯片半導(dǎo)體器件提供從半導(dǎo)體管芯58上的有源器件到PCB 52上的導(dǎo)電軌跡的短導(dǎo)電路徑以便減小信號(hào)傳播距離、降低電容且改善整體電路性能。在另一實(shí)施例中，半導(dǎo)體管芯58可以使用倒裝芯片類型第一級(jí)封裝來(lái)直接機(jī)械和電地連接到PCB 52而不使用中間載體106。
[0030]圖3a示出具有用于結(jié)構(gòu)支撐的基底基板材料122的半導(dǎo)體晶片120，該基底基板材料諸如是硅、鍺、砷化鎵、磷化銦或者碳化硅。如上所述，在晶片120上形成通過非有源的管芯間晶片區(qū)域或鋸道126分離的多個(gè)半導(dǎo)體管芯或組件124。鋸道126提供切割區(qū)域以將半導(dǎo)體晶片120分割成各個(gè)半導(dǎo)體管芯124。
[0031]圖3b示出半導(dǎo)體晶片120的一部分的剖面圖。每個(gè)半導(dǎo)體管芯124具有背表面128和有源表面130，該有源表面包含實(shí)現(xiàn)為根據(jù)管芯的電設(shè)計(jì)和功能而在管芯內(nèi)形成且電互連的有源器件、無(wú)源器件、導(dǎo)電層以及電介質(zhì)層的模擬或數(shù)字電路。例如，電路可以包括一個(gè)或更多個(gè)晶體管、二極管以及在有源表面130內(nèi)形成的其它電路元件以實(shí)現(xiàn)諸如數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)、ASIC、存儲(chǔ)器或其它信號(hào)處理電路之類的模擬電路或數(shù)字電路。半導(dǎo)體管芯124還可以包含諸如電感器、電容器和電阻器的集成無(wú)源器件(IPD)以用于RF信號(hào)處理。
[0032]使用PVD、CVD、電解鍍覆、化學(xué)鍍覆工藝或其它合適的金屬沉積工藝而在有源表面130上方形成導(dǎo)電層132。導(dǎo)電層132可以是Al、Cu、Sn、N1、Au、Ag或其它合適的導(dǎo)電材料的一層或更多層。導(dǎo)電層132操作為電連接到有源表面130上的電路的接觸焊盤。導(dǎo)電層132可以形成為這樣的接觸焊盤，其距半導(dǎo)體管芯124的邊緣第一距離而并排布置，如圖3b所示。替換地，導(dǎo)電層132可以形成為這樣的接觸焊盤，其在多個(gè)行中偏移，使得接觸焊盤的第一行距管芯邊緣第一距離布置，并且接觸焊盤的與第一行交替的第二行距管芯邊緣第二距離布置。
[0033]使用PVD、CVD、印刷、旋涂、噴涂、燒結(jié)或熱氧化，在有源表面130和導(dǎo)電層132上方形成絕緣或鈍化層134。絕緣層134包含二氧化硅(Si02)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiON)、五氧化二鉭(Ta205)、氧化鋁(A1203)或具有相似結(jié)構(gòu)和絕緣屬性的其它材料的一個(gè)或更多個(gè)層。使用激光器136通過激光直接消融(LDA)移除絕緣層134的一部分以露出導(dǎo)電層132。替換地，利用蝕刻工藝通過圖案化光致抗蝕劑層移除絕緣層134的一部分以露出導(dǎo)電層132。
[0034]在圖3c中，半導(dǎo)體晶片120的后表面128經(jīng)歷使用研磨器137的背部研磨操作，接著是拋光步驟以減小晶片的厚度。在圖3d中，在分割之前，管芯附著粘合膜或帶138被層疊到經(jīng)拋光的后表面128。
[0035]在圖3e中，使用鋸條或激光切割工具139通過鋸道126將半導(dǎo)體晶片120分割為單獨(dú)的半導(dǎo)體管芯124。[0036]圖4a_4d說(shuō)明內(nèi)插層基板的形成，其中半導(dǎo)體管芯安裝到該基板。圖4a示出核心基板140，其包括聚四氟乙烯預(yù)浸潰(預(yù)浸料)、FR-4、FR-U CEM-1或CEM-3的一個(gè)或更多個(gè)層疊的層與酚醛棉紙、環(huán)氧物、樹脂、織物玻璃、毛玻璃、聚酯以及其它增強(qiáng)纖維或紡織品的組合。替換地，核心基板140包含一個(gè)或更多個(gè)絕緣或電介質(zhì)層。
[0037]使用激光鉆孔、機(jī)械鉆孔或深反應(yīng)離子蝕刻(DRIE)，形成穿過核心基板140的多個(gè)穿通孔。使用電解鍍覆、化學(xué)鍍覆工藝或其它合適沉積工藝，用Al、Cu、Sn、N1、Au、Ag、鈦(Ti)、鎢(W)或其它合適導(dǎo)電材料填充通孔以形成z方向垂直互連導(dǎo)電通孔144。在一個(gè)實(shí)施例中，通過化學(xué)鍍覆和電解鍍覆在穿通孔的側(cè)壁上方沉積Cu。使用具有填料的導(dǎo)電膏或堵漏樹脂填充穿通孔。
[0038]使用諸如Cu箔層疊、印刷、PVD、CVD、濺射、電解鍍覆和化學(xué)鍍覆的圖案化和金屬沉積工藝，在核心基板140的第一表面和導(dǎo)電通孔144上方形成導(dǎo)電層或再分配層(RDL) 146。導(dǎo)電層146包括Al、Cu、Sn、N1、Au、Ag或其它合適導(dǎo)電材料的一個(gè)或更多個(gè)層。導(dǎo)電層146電連接到導(dǎo)電通孔144。
[0039]使用PVD、CVD、印刷、旋涂、噴涂、燒結(jié)或熱氧化，在核心基板140的第一表面和導(dǎo)電層146上方形成絕緣或鈍化層148。絕緣層148包含具有或不具有填料或纖維的Si02、313財(cái)、3丨0隊(duì)了&205、41203、二氧化鉿(Hf02)、苯并環(huán)丁烯(BCB)、聚酰亞胺(PI)、聚苯并惡唑(PBO)、聚合物電介質(zhì)抗蝕劑或具有相似結(jié)構(gòu)和電介質(zhì)屬性的其它材料的一個(gè)或更多個(gè)層。
[0040]使用諸如Cu箔層疊、印刷、PVD、CVD、濺射、電解鍍覆和化學(xué)鍍覆的圖案化和金屬沉積工藝，在導(dǎo)電通孔144上方以及核心基板140的與第一表面相對(duì)的第二表面上方形成導(dǎo)電層或RDL 150。導(dǎo)電層150包括Al、Cu、Sn、N1、Au、Ag或其它合適導(dǎo)電材料的一個(gè)或更多個(gè)層。導(dǎo)電層150電連接到導(dǎo)電通孔144和導(dǎo)電層146。在另一實(shí)施例中，在形成導(dǎo)電層146和/或?qū)щ妼?50之后，形成穿過核心基板140的導(dǎo)電通孔144。
[0041]使用PVD、CVD、印刷、旋涂、噴涂、燒結(jié)或熱氧化，在核心基板140的第二表面和導(dǎo)電層150上方形成絕緣或鈍化層152。絕緣層152包含具有或不具有填料或纖維的Si02、Si3N4、SiON、Ta205、A1203、Hf02, BCB, P1、PBO、聚合物電介質(zhì)抗蝕劑或具有相似結(jié)構(gòu)和電介質(zhì)屬性的其它材料的一個(gè)或更多個(gè)層。使用激光器154通過LDA移除絕緣層152的一部分以露出導(dǎo)電層150。替換地，利用蝕刻工藝通過圖案化光致抗蝕劑層移除絕緣層152的一部分以露出導(dǎo)電層150。
[0042]得到的內(nèi)插層基板155根據(jù)半導(dǎo)體管芯124的電功能提供垂直和橫向跨過基板穿過導(dǎo)電層146和150以及導(dǎo)電通孔144的電互連。在中期階段，即在安裝半導(dǎo)體管芯124之前，通過開路/短路探針或自動(dòng)范圍檢查來(lái)檢測(cè)和測(cè)試基板155是已知良好的。根據(jù)半導(dǎo)體管芯124的設(shè)計(jì)和功能，導(dǎo)電層146和150以及導(dǎo)電通孔144的其它部分是電共同的或電隔離的。
[0043]基板155也可以是多層柔性層疊、陶瓷、銅箔、玻璃或包括有源表面的半導(dǎo)體晶片，該有源表面包含一個(gè)或更多個(gè)晶體管、二極管和其它電路元件以實(shí)施模擬電路或數(shù)字電路。
[0044]在圖4b中，使用蒸發(fā)、電解鍍覆、化學(xué)鍍覆、球滴或絲網(wǎng)印刷工藝，在導(dǎo)電層150上方沉積導(dǎo)電凸塊材料。凸塊材料可以是具有可選的助焊劑溶液的Al、Sn、N1、Au、Ag、鉛(Pb)、B1、Cu、焊料以及其組合。例如凸塊材料可以是共晶Sn/Pb、高鉛焊料、Cu核心焊球、在球安裝中具有焊膏的Cu球、或者無(wú)鉛焊料。使用合適的附著或接合工藝，將凸塊材料接合到導(dǎo)電層150。在一個(gè)實(shí)施例中，凸塊材料通過將材料加熱到其熔點(diǎn)之上而進(jìn)行回流以形成圓球或凸塊156。在一些應(yīng)用中，凸塊156被二次回流以改善與導(dǎo)電層150的電接觸。在一個(gè)實(shí)施例中，凸塊156形成于具有潤(rùn)濕層、阻擋層和粘合層的UBM上方。凸塊156也可以被壓縮接合或熱壓接合到導(dǎo)電層150。凸塊156代表可以在導(dǎo)電層150上方形成的一種類型的互連結(jié)構(gòu)。該互連結(jié)構(gòu)也可以使用接合引線、導(dǎo)電膏、柱形凸塊、微凸塊或其它電互連。
[0045]在圖4c中，來(lái)自圖3c的半導(dǎo)體管芯124使用例如拾放操作以后表面128朝向基板取向的方式安裝到內(nèi)插層基板155。半導(dǎo)體管芯124利用管芯附著粘合劑或膜138被緊固到基板155。圖4d示出半導(dǎo)體管芯124，其安裝到基板155并且布置在凸塊156之間以及至少部分在凸塊156的高度之內(nèi)。半導(dǎo)體管芯124為在安裝到基板155之前已經(jīng)被測(cè)試的已知良好的管芯(KGD)?；?55具有足夠尺寸以容納多個(gè)半導(dǎo)體管芯?；?55被分割為單獨(dú)的半導(dǎo)體管芯124，每個(gè)半導(dǎo)體管芯具有關(guān)聯(lián)的內(nèi)插層基板155和凸塊156。不需要附加的拋光以節(jié)省成本并且減小循環(huán)時(shí)間。
[0046]與圖1和2a_2c相關(guān)聯(lián)，圖5a_5i說(shuō)明在F0-WLCSP中形成內(nèi)插層基板和堆積互連結(jié)構(gòu)作為雙面互連結(jié)構(gòu)的工藝。圖5a示出載體或臨時(shí)基板160，其包含諸如硅、聚合物、氧化鈹、玻璃或其它合適的低成本剛性材料的可重復(fù)使用或犧牲基底材料以用于結(jié)構(gòu)支撐。包括可選的附加粘合劑或可壓縮釋放層164的界面層或雙面膠帶162形成于載體160上方作為臨時(shí)粘合接合膜、蝕刻停止層或熱釋放層。以凸塊156朝向載體取向的方式，基板155安裝到載體160上的可壓縮釋放膜164。圖5b示出基板155，其中半導(dǎo)體管芯124安裝到載體160。半導(dǎo)體管芯124的導(dǎo)電層132和絕緣層134以及凸塊156的可選部分被嵌入載體160上的可壓縮釋放膜164。
[0047]在圖5c中，使用膏料印刷、壓縮成形、轉(zhuǎn)移成形、液體密封劑成形、真空層疊、旋涂或其它合適涂料器，將密封劑或模塑料168沉積在載體160、基板155和半導(dǎo)體管芯124上方。密封劑168可以是聚合物復(fù)合材料，諸如具有填料的環(huán)氧樹脂、具有填料的環(huán)氧丙稀酸脂或者具有適當(dāng)填料的聚合物。在一個(gè)實(shí)施例中，密封劑168配給在四個(gè)相鄰基板155的相交處。密封劑168不導(dǎo)電并且在環(huán)境上保護(hù)半導(dǎo)體器件免受外部要素和污染。特別地，密封劑168的填料和熱膨脹系數(shù)(CTE)被選擇以輔助間隙填充、翹曲控制和可靠性。
[0048]在圖5d中，通過化學(xué)蝕刻、機(jī)械剝離、化學(xué)機(jī)械平坦化(CMP)、機(jī)械研磨、熱焙、UV光、激光掃描或濕法剝落，移除載體160、界面層162和可壓縮釋放膜164，留下半導(dǎo)體管芯124的導(dǎo)電層132和絕緣層134以及從密封劑168露出的凸塊156的一部分。可以應(yīng)用附加的背部研磨以控制翹曲?？梢詰?yīng)用可選的激光陰影鉆孔或清洗從而露出凸塊156用于互連或良好接觸電阻。
[0049]在圖5e中，使用PVD、CVD、印刷、狹縫涂布、旋涂、噴涂、層疊、燒結(jié)或熱氧化，在半導(dǎo)體管芯124、凸塊156和密封劑168上方形成絕緣或鈍化層170。絕緣層170包含具有或不具有填料或纖維的Si02、Si3N4、SiON、Ta205、A1203、聚合物電介質(zhì)抗蝕劑或具有相似結(jié)構(gòu)和絕緣屬性的其它材料的一個(gè)或更多個(gè)層。通過LDA移除絕緣層170的一部分以露出導(dǎo)電層132和凸塊156。替換地，通過圖案化的光致抗蝕劑層移除絕緣層170的一部分以露出導(dǎo)電層132和凸塊156。
[0050]使用PVD、CVD、電解鍍覆、化學(xué)鍍覆工藝或其它合適金屬沉積工藝，在導(dǎo)電層132、凸塊156和絕緣層170上方形成導(dǎo)電層172。導(dǎo)電層172可以是Al、T1、TiW、Cu、Sn、N1、Au、Ag或其它合適導(dǎo)電材料的一個(gè)或更多個(gè)層。導(dǎo)電層172的一個(gè)部分電連接到導(dǎo)電層132。導(dǎo)電層172的另一部分電連接到凸塊156。導(dǎo)電層172的其它部分可以是電共同的或電隔離的，取決于半導(dǎo)體管芯124的設(shè)計(jì)和功能。
[0051]使用PVD、CVD、印刷、旋涂、噴涂、狹縫涂布、層疊、燒結(jié)或熱氧化，在絕緣層170和導(dǎo)電層172上方形成絕緣或鈍化層174。絕緣層174包含具有或不具有填料或纖維的Si02、Si3N4、SiON、Ta205、A1203、聚合物電介質(zhì)抗蝕劑或具有相似結(jié)構(gòu)和絕緣屬性的其它材料的一個(gè)或更多個(gè)層。通過LDA或者利用蝕刻工藝通過圖案化光致抗蝕劑層，移除絕緣層174的一部分以露出導(dǎo)電層172。
[0052]使用PVD、CVD、電解鍍覆、化學(xué)鍍覆工藝或其它合適金屬沉積工藝，在導(dǎo)電層172和絕緣層174上方形成導(dǎo)電層176。導(dǎo)電層176可以是Al、T1、TiW、Cu、Sn、N1、Au、Ag或其它合適導(dǎo)電材料的一個(gè)或更多個(gè)層。導(dǎo)電層176的一部分電連接到導(dǎo)電層172。導(dǎo)電層176的其余部分可以是電共同的或電隔離的，取決于半導(dǎo)體管芯124的設(shè)計(jì)和功能。
[0053]使用PVD、CVD、印刷、旋涂、噴涂、狹縫涂布、層疊、燒結(jié)或熱氧化，在絕緣層174和導(dǎo)電層176上方形成絕緣或鈍化層178。絕緣層178包含具有或不具有填料或纖維的Si02、Si3N4、SiON、Ta205、A1203、聚合物電介質(zhì)抗蝕劑或具有相似結(jié)構(gòu)和絕緣屬性的其它材料的一個(gè)或更多個(gè)層。使用激光器180通過LDA移除絕緣層178的一部分以露出導(dǎo)電層176。替換地，利用蝕刻工藝通過圖案化光致抗蝕劑層移除絕緣層178的一部分以露出導(dǎo)電層176。
[0054]在圖5f中，使用蒸發(fā)、電解鍍覆、化學(xué)鍍覆、球滴或絲網(wǎng)印刷工藝，在露出的導(dǎo)電層176上方沉積導(dǎo)電凸塊材料。凸塊材料可以是具有可選的助焊劑溶液的Al、Sn、N1、Au、Ag、Pb、B1、Cu、焊料以及其組合。例如，凸塊材料可以是共晶Sn/Pb、聞鉛焊料或無(wú)鉛焊料。使用合適附著或接合工藝，將凸塊材料接合到導(dǎo)電層176。在一個(gè)實(shí)施例中，凸塊材料通過將材料加熱到其熔點(diǎn)之上而進(jìn)行回流以形成圓球或凸塊182。在一些應(yīng)用中，凸塊182被二次回流以改善與導(dǎo)電層176的電接觸。在一個(gè)實(shí)施例中，凸塊182形成于具有潤(rùn)濕層、阻擋層和粘合層的UBM上方。凸塊182也可以被壓縮接合或熱壓接合到導(dǎo)電層176。凸塊182代表可以在導(dǎo)電層172上方形成的一種類型的互連結(jié)構(gòu)。該互連結(jié)構(gòu)也可以使用接合引線、導(dǎo)電膏、柱形凸塊、微凸塊或其它電互連。
[0055]絕緣層170、174和178，導(dǎo)電層172和176以及凸塊182的組合構(gòu)成堆積互連結(jié)構(gòu)184。在附加器件集成之前，檢測(cè)和測(cè)試該堆積互連結(jié)構(gòu)184是已知良好。
[0056]在圖5g中，背部研磨或支撐帶186被應(yīng)用在絕緣層178和凸塊182上方。在利用研磨器188的研磨操作中移除密封劑168的一部分，從而平坦化表面并露出基板155的絕緣層148。化學(xué)蝕刻或CMP工藝也可以用于移除由于研磨操作引起的機(jī)械損傷并且平坦化密封劑168。
[0057]在圖5h中，使用激光器190通過LDA移除絕緣層148的一部分，從而露出基板155的導(dǎo)電層146用于電互連到外部半導(dǎo)體器件。
[0058]在圖5i中，基板155被層疊并且背部研磨或支撐帶186被移除。使用鋸條或激光切割工具196，穿過密封劑168和堆積互連結(jié)構(gòu)184將半導(dǎo)體管芯124分割為單獨(dú)的雙面Fo-WLCSP 198。圖6a示出分割之后的Fo-WLCSP 198。半導(dǎo)體管芯124通過堆積互連結(jié)構(gòu)184和凸塊156電連接到基板155，以用于連接到外部器件。基板155和堆積互連結(jié)構(gòu)184提供用于Fo-WLCSP 198的相對(duì)側(cè)(雙側(cè))上的半導(dǎo)體管芯124的垂直和橫向互連。基板155在不同時(shí)間形成并且與堆積互連結(jié)構(gòu)184分離。在管芯安裝之前的基板155的形成和測(cè)試簡(jiǎn)化了制造工藝并且降低成本。后來(lái)形成堆積互連結(jié)構(gòu)184連同提供基板155和堆積互連結(jié)構(gòu)之間的垂直互連的凸塊156，這完成了用于Fo-WLCSP 198的相對(duì)側(cè)上的半導(dǎo)體管芯124的垂直和橫向互連。
[0059]圖6a還包括半導(dǎo)體封裝200，其包括具有有源表面204的半導(dǎo)體管芯202，該有源表面包含實(shí)現(xiàn)為根據(jù)管芯的電設(shè)計(jì)和功能而在管芯中形成且電互連的有源器件、無(wú)源器件、導(dǎo)電層以及電介質(zhì)層的模擬或數(shù)字電路。例如，電路可包括一個(gè)或更多個(gè)晶體管、二極管以及在有源表面204內(nèi)形成的其它電路元件以實(shí)現(xiàn)諸如DSP、ASIC、存儲(chǔ)器或其它信號(hào)處理電路之類的模擬電路或數(shù)字電路。半導(dǎo)體管芯202還可以包含諸如電感器、電容器和電阻器的IPD以用于RF信號(hào)處理。在一個(gè)實(shí)施例中，半導(dǎo)體管芯202為球柵陣列(BGA)類型器件。
[0060]半導(dǎo)體管芯202安裝到包括導(dǎo)電跡線208的基板206。接合引線210在半導(dǎo)體管芯202的有源表面204上形成于導(dǎo)電跡線208和接觸焊盤212之間。密封劑214沉積在半導(dǎo)體管芯202、基板206和接合引線210上方。凸塊216形成于與半導(dǎo)體管芯202相對(duì)的基板206的導(dǎo)電跡線208上方。基板206以凸塊216朝向F0-WLCSP取向的方式安裝到Fo-WLCSP 198。圖6b示出安裝到Fo-WLCSP 198的基板206，其中凸塊216機(jī)械和電連接到導(dǎo)電層146。
[0061]圖7說(shuō)明Fo-WLCSP 220的實(shí)施例，類似于圖5a_5i，其具有核心基板140、導(dǎo)電層150和絕緣層152。類似于圖5g，密封劑168和核心基板140的一部分在研磨操作中被移除從而平坦化表面。使用激光器222通過LDA移除核心基板140的一部分，從而露出導(dǎo)電層150用于電互連到外部半導(dǎo)體器件。
[0062]在一個(gè)實(shí)施例中，核心基板140、導(dǎo)電層150和絕緣層152堆積在諸如S1、低CTE玻璃(小于8ppm)的低CTE基板上，并且為了處理和翹曲控制目的，在封裝工藝期間與低CTE基板一起嵌在密封劑168中。在形成凸塊182之后，低CTE基板部分通過背部研磨被移除以露出核心基板140和導(dǎo)電層150。
[0063]圖8說(shuō)明Fo-WLCSP 230的實(shí)施例，類似于圖5a_5i，其具有核心基板140和導(dǎo)電層150。掩模層232在核心基板140和導(dǎo)電層150上方形成。類似于圖5g,在研磨操作中移除密封劑168和核心基板140的一部分從而平坦化表面。使用激光器234通過LDA移除核心基板140的一部分，從而露出導(dǎo)電層150用于電互連到外部半導(dǎo)體器件。
[0064]在一個(gè)實(shí)施例中，核心基板140、導(dǎo)電層150和掩模層232堆積在諸如S1、低CTE玻璃(小于8ppm)的低CTE基板上，并且為了處理和翹曲控制目的，在封裝工藝期間與低CTE基板一起嵌在密封劑168中。在形成凸塊182之后，低CTE基板部分通過背部研磨被移除以露出核心基板140和導(dǎo)電層150。
[0065]圖9說(shuō)明Fo-WLCSP 240的實(shí)施例，類似于圖5a_5i，其具有在核心基板140上方形成的掩模層242。類似于圖5g，密封劑168和核心基板140的一部分在研磨操作中被移除從而平坦化表面。使用激光器244通過LDA移除核心基板140的一部分，從而露出凸塊156的側(cè)表面用于電互連到外部半導(dǎo)體器件。選擇具有恰當(dāng)CTE和機(jī)械屬性的核心基板140和掩模層242從而平衡Fo-WLCSP 240翹曲，并且增大增強(qiáng)最終封裝的機(jī)械強(qiáng)度。
[0066]在一個(gè)實(shí)施例中，核心基板140和掩模層242堆積在諸如S1、低CTE玻璃(小于8ppm)的低CTE基板上，并且為了處理和翹曲控制目的，在封裝工藝期間與低CTE基板一起嵌在密封劑168中。在形成凸塊182之后，低CTE基板部分通過背部研磨被移除以露出核心基板140。
[0067]圖10說(shuō)明Fo-WLCSP 250的實(shí)施例，類似于圖5a_5i，其具有在密封劑168和半導(dǎo)體管芯124上方形成的層疊保護(hù)層252。使用激光器254通過LDA移除層疊保護(hù)層252的一部分，從而露出凸塊156的側(cè)表面用于電互連到外部半導(dǎo)體器件。選擇具有恰當(dāng)CTE、厚度和機(jī)械強(qiáng)度的層疊保護(hù)層252以平衡Fo-WLCSP 250的翹曲和支撐。
[0068]在一個(gè)實(shí)施例中，層疊保護(hù)層252堆積在諸如S1、低CTE玻璃(小于8ppm)的低CTE基板上，并且為了處理和翹曲控制目的，在封裝工藝期間與低CTE基板一起嵌在密封劑168中。在形成凸塊182之后，低CTE基板部分通過背部研磨被移除。
[0069]盡管已經(jīng)詳細(xì)說(shuō)明了本發(fā)明的一個(gè)或更多實(shí)施例，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)意識(shí)至IJ，可以在不偏離如隨后的權(quán)利要求提及的本發(fā)明的范圍的情況下對(duì)那些實(shí)施例做出修改和改寫。
【權(quán)利要求】
1.一種制作半導(dǎo)體器件的方法，包括: 提供基板，該基板包括在基板的相對(duì)的第一和第二表面上方形成的第一和第二導(dǎo)電層； 在基板上方形成多個(gè)凸塊； 在凸塊之間將半導(dǎo)體管芯安裝到基板； 在基板和半導(dǎo)體管芯上方沉積密封劑；以及 形成位于密封劑和半導(dǎo)體管芯上方并且電耦合到凸塊的互連結(jié)構(gòu)。
2.權(quán)利要求1的方法，還包括: 在基板的第一表面和第一導(dǎo)電層上方形成第一絕緣層；以及 在基板的第二表面和第二導(dǎo)電層上方形成第二絕緣層。
3.權(quán)利要求1的方法，還包括移除密封劑的一部分以露出基板。
4.權(quán)利要求1的方法，其中凸塊的一部分從密封劑延伸出來(lái)。
5.一種制作半導(dǎo)體器件的方法，包括: 提供基板； 在基板上方形成垂直互連結(jié)構(gòu)； 將半導(dǎo)體管芯安裝到基板； 在基板和半導(dǎo)體管芯上方沉積密封劑；以及 在密封劑和半導(dǎo)體管芯上方形成第一互連結(jié)構(gòu)。
6.權(quán)利要求5的方法，其中基板包括在基板的相對(duì)的第一和第二表面上方形成的第一和第二導(dǎo)電層。
7.權(quán)利要求6的方法，還包括: 在基板的第一表面和第一導(dǎo)電層上方形成第一絕緣層；以及 在基板的第二表面和第二導(dǎo)電層上方形成第二絕緣層。
8.權(quán)利要求7的方法，還包括通過激光直接消融移除第一絕緣層或第二絕緣層的一部分。
9.權(quán)利要求5的方法，還包括: 移除基板； 在密封劑和半導(dǎo)體管芯上方形成保護(hù)層；以及 移除保護(hù)層的一部分以露出垂直互連結(jié)構(gòu)。
10.一種半導(dǎo)體器件，包括: 基板； 在基板上方形成的垂直互連結(jié)構(gòu)； 安裝到基板的半導(dǎo)體管芯； 沉積在基板和半導(dǎo)體管芯上方的密封劑；以及 在密封劑和半導(dǎo)體管芯上方形成的第一互連結(jié)構(gòu)。
11.權(quán)利要求10的半導(dǎo)體器件,其中該基板包括在基板的相對(duì)的第一和第二表面上方形成的第一和第二導(dǎo)電層。
12.權(quán)利要求11的半導(dǎo)體器件，還包括: 在基板的第一表面和第一導(dǎo)電層上方形成的第一絕緣層；以及在基板的第二表面和第二導(dǎo)電層上方形成的第二絕緣層。
13.權(quán)利要求10的半導(dǎo)體器件，其中垂直互連結(jié)構(gòu)的一部分從密封劑延伸出來(lái)。
14.權(quán)利要求10的半導(dǎo)體器件，其中垂直互連結(jié)構(gòu)包括多個(gè)凸塊。
15.權(quán)利要求10的半導(dǎo)體器件，還包括布置在基板上方并且電連接到基板的半導(dǎo)體封裝。
【文檔編號(hào)】H01L21/768GK103681468SQ201310155410
【公開日】2014年3月26日 申請(qǐng)日期:2013年4月28日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月14日
【發(fā)明者】林耀劍, 陳康 申請(qǐng)人:新科金朋有限公司