專利名稱：半導(dǎo)體裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置的制造方法，且特別涉及一種光致抗蝕劑殘余物的移除方法。
背景技術(shù)：
于半導(dǎo)體工業(yè)的先進(jìn)技術(shù)節(jié)點中，使用金屬及高介電常數(shù)介電材料來形成場效應(yīng) 晶體管的柵極堆疊。當(dāng)形成金屬柵極場效應(yīng)晶體管時，使用一個或多個注入工藝來形成場 效應(yīng)晶體管的摻雜元件。離子注入工藝中，使用圖案化光致抗蝕劑層作為掩模。隨后，移除 圖案化光致抗蝕劑層。然而，當(dāng)使用干式剝離工藝來移除圖案化光致抗蝕劑層時，會使基材 凹陷。當(dāng)使用濕式剝離工藝來移除圖案化光致抗蝕劑層時，則無法完全移除光致抗蝕劑殘 余物。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)存在的上述問題，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包 括形成一犧牲層于一基材上；形成一圖案化光致抗蝕劑層于該犧牲層上；對該基材進(jìn)行 離子注入；施予一第一濕式蝕刻溶液以移除該圖案化光致抗蝕劑層；以及施予一第二濕式 蝕刻工藝以移除該犧牲層。 本發(fā)明也提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括形成一犧牲層于一基材上；形 成一圖案化光致抗蝕劑層于該犧牲層上；對該基材進(jìn)行離子注入；施予一化學(xué)溶液以移除 該圖案化光致抗蝕劑層；以及施予一酸性溶液以移除該犧牲層。 本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括形成一第一金屬層于一基材上； 形成一氧化鑭層于該金屬層上；形成一圖案化光致抗蝕劑層于該氧化鑭層上；對該基材進(jìn) 行一工藝；施予一硫酸及過氧化氫溶液以移除該圖案化光致抗蝕劑層；以及施予一鹽酸溶 液以移除該氧化鑭層。 本發(fā)明可具有各種優(yōu)點。在一實施例中，所述的濕式蝕刻方法可有效移除光致抗 蝕劑并降低對基材的傷害，可實質(zhì)上減少或避免在光致抗蝕劑移除之后的基材凹陷。通過 以犧牲層作為保護(hù)層，可減少光致抗蝕劑殘余物。當(dāng)移除犧牲層時，光致抗蝕劑殘余物也經(jīng) 過Caros/清潔溶液的清潔而被移除。犧牲層具有高蝕刻速率，以使其能被濕式蝕刻移除。 任何在犧牲層上的缺陷及殘余物可被底切(undercut)或溶解至濕式化學(xué)品中，殘余物及 缺陷因此可從晶片表面離去(lifted off)。此外，犧牲層可增進(jìn)光致抗蝕劑黏著性。
為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征、和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉出較佳實施 例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下。


圖1為依照本發(fā)明一實施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的流程圖。 圖2 圖6為依照本發(fā)明一實施例的制造具有金屬柵極堆疊的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法
4于各種制造階段的剖面圖。
上述附圖中的附圖標(biāo)記說明如下 210 基材212 高介電常數(shù)介電材料層 214 金屬層 215 犧牲層 216 圖案化光致抗蝕劑層
具體實施例方式
本發(fā)明接下來將會提供許多不同的實施例以實施本發(fā)明中不同的特征。各特定實 施例中的組成及配置將會在以下作描述以簡化本發(fā)明。這些為實施例并非用于限定本發(fā) 明。此外，一第一元件形成于一第二元件"上方"、"之上"、"之下"或"上"可包含實施例中 的該第一元件與第二元件直接接觸，或也可包含該第一元件與第二元件之間更有其他額外 元件使該第一元件與第二元件無直接接觸。各種元件可能以任意不同比例顯示以使附圖清 晰簡潔。 圖1顯示為依照本發(fā)明一實施例的制造具有金屬柵極構(gòu)造的半導(dǎo)體裝置的方法 100的流程圖。圖2至圖6為本發(fā)明一實施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)200于各種制造階段時的剖面 圖。半導(dǎo)體裝置的制造方法100在此將參照圖1至圖6來描述。 參見圖1及圖2，方法100起始于步驟102，其為提供半導(dǎo)體基材210。半導(dǎo)體基 材210包含硅?；蛘?，基材210包含鍺、鍺化硅、或其他合適半導(dǎo)體材料，例如鉆石、碳化硅 或砷化鎵?；?10還可包含額外的元件和/或材料層，例如形成于基材中的各種隔離元 件?；?10可包含各種p型摻雜區(qū)域和/或n型摻雜區(qū)域結(jié)構(gòu)，并相互連接以形成各種 裝置及功能性元件。所有的摻雜元件都可由適當(dāng)?shù)墓に囆纬?，例如在各種步驟及技術(shù)中進(jìn) 行離子注入?；?10可包含其他元件，例如淺溝槽隔離(STI)。 基材210可進(jìn)一步包含各種材料層，例如金屬柵極堆疊材料層?？稍诎雽?dǎo)體基材 210上形成高介電常數(shù)介電材料層212。高介電常數(shù)介電材料層212可由合適的工藝形成， 例如原子層沉積(ALD)。其他用以形成高介電常數(shù)介電層的方法包含金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉 積(MOCVD)、物理氣相沉積(PVD) 、 UV-臭氧氧化及分子束外延(molecular beam印itaxy ; MBE)。在一實施例中，高介電常數(shù)介電材料層包含氧化鉿?；蛘?，高介電常數(shù)介電材料層包 含金屬氮化物、金屬硅化物或其他金屬氧化物。 金屬層214為形成于高介電常數(shù)介電材料層上。在一實施例中，金屬層包含氮 化鈦(TiN)?；蛘?，金屬層包含氮化鉭(TaN)、銅(Cu)、硅化鴇(WSi)、鉭、氮化鉭、氧化鋁 (A10x)、鋁、鴇、鉿、鑭或其他合適金屬。金屬層可由物理氣相沉積(PVD)、化學(xué)氣相沉積 (CVD)或其他合適方法形成，例如原子層沉積(ALD)。 界面層(IL)可位于半導(dǎo)體基材210及高介電常數(shù)介電材料層之間。界面層可包 含薄氧化硅層，并在形成高介電常數(shù)介電材料層之前先形成于硅基材210上。薄氧化硅層 可由原子層沉積(ALD)或熱氧化法形成。 可在高介電常數(shù)介電材料層上進(jìn)一步形成蓋層。在一實施例中，蓋層包含氧化鑭 (LaO)。在另一實施例中，蓋層包含氧化鋁(A1203)?；蛘?，蓋層也可包含其他合適材料。
參見圖1及圖2，步驟104為在基材上形成犧牲層215，如圖3所示。犧牲層相對于 基材具有較高的蝕刻選擇性，以使?fàn)奚鼘涌捎商囟ǖ幕瘜W(xué)品移除并且不會傷害到基材。犧牲層215包含氧化鑭(La0)。或者，犧牲層包含擇自氧化硅、氮氧化硅、氧化鉿、氧化鋁及氧
化鎢的氧化物。犧牲層的厚度約小于200人。在一實施例中，犧牲層的厚度約為20A。犧牲層
可由物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積或其他合適方法形成。 參見圖1及圖3，繼續(xù)進(jìn)行步驟106，其為在基材210上形成圖案化光致抗蝕劑層 216。圖案化光致抗蝕劑層216可用于作為掩模以圖案化包含第一、第二及第三層的三明治 結(jié)構(gòu)。特別的是，圖案化光致抗蝕劑層216為形成在第三層上，如圖3所示。圖案化光致抗 蝕劑層是由光學(xué)光刻技術(shù)所形成。標(biāo)準(zhǔn)光學(xué)光刻工藝可包含多個工藝，例如光致抗蝕劑涂 布、軟烘烤、掩模對準(zhǔn)、曝光、后曝光烘烤、光致抗蝕劑顯影及硬烘烤。當(dāng)施予顯影溶液至已 曝光的光致抗蝕劑層時，位于已曝光的光致抗蝕劑區(qū)域底下的犧牲層也會被部分或完全移 除(對正光致抗蝕劑而言)。 光刻技術(shù)可使用氟化氪(KrF)準(zhǔn)分子光激光、氟化氬(ArF)準(zhǔn)分子激光、氟化氪 (KrF)浸潤式光刻、超紫外光(EUV)或電子束寫入(E-beam writing)來進(jìn)行。也可使用其 他適當(dāng)方法進(jìn)行或替換光學(xué)光刻曝光工藝，例如無掩模光學(xué)光刻、離子束寫入及分子拓印。
參見圖1及圖4，方法100可包含在圖案化光致抗蝕劑層形成后，進(jìn)行額外的濕式 蝕刻步驟。在此步驟中，使用圖案化光致抗蝕劑層作為光致抗蝕劑以圖案化犧牲層。在一 實施例中，使用二氧化碳水(C02 water)來移除圖案化光致抗蝕劑層開口內(nèi)的犧牲層。或 者，省略額外的濕式蝕刻步驟，以使圖案化光致抗蝕劑層開口內(nèi)的犧牲層繼續(xù)存在。
仍參見圖1及圖4，接著進(jìn)行步驟108，其為對基材進(jìn)行離子注入工藝。圖案化光 致抗蝕劑層具有作為注入掩模的功能。在一實施例中，離子注入工藝用于形成源極/及漏 極元件，例如輕摻雜漏極(LDD)元件。在此情況下，使用金屬層及高介電常數(shù)介電材料層來 形成金屬柵極堆疊。在此步驟中，本方法也可包含另一制造步驟，例如蝕刻工藝，其為使用 圖案化光致抗蝕劑層作為工藝掩模(processing mask)。 參見圖l及圖5，接著進(jìn)行步驟llO，其對基材為施予Caros溶液以移除圖案化 光致抗蝕劑層，該Caros溶液包含硫酸及過氧化氫。硫酸及過氧化氫于溶液中的比例 約為l : I至IOO : 1，且于工藝中的溶液溫度約介于5(TC至18(TC之間?；蛘?，圖案 化光致抗蝕劑層可由擇自臭氧水、硫酸、硫酸及臭氧、硫酸及過氧化氫、N-甲基砒喀烷酮 (N-Methyl-2-Pyrrolidone ;NMP)、環(huán)己醇、環(huán)戊醇、單甲基醚丙二醇(PGME)、丙二醇單甲基 醚酯(PGMEA)的化學(xué)溶液移除。 參見圖1及圖5，接著可繼續(xù)進(jìn)行步驟112，其為進(jìn)行化學(xué)工藝以清潔有機(jī)殘余物 或其他經(jīng)移除圖案化光致抗蝕劑層所剩的殘余物。清潔材料能夠清除有機(jī)殘余物。例如， 清潔材料包含溶劑、界面活性劑或聚合物成分。 參見圖1及圖6，接著繼續(xù)進(jìn)行步驟114，其為對半導(dǎo)體基材進(jìn)行濕式蝕刻工藝， 以移除犧牲層215。在一實施例中，濕式蝕刻工藝使用鹽酸(HC1)。例如，濕式蝕刻工藝包
含鹽酸及水。鹽酸/水的比例約為在i : i至i : iooo之間。鹽酸溶液的處理溫度約在
2(TC至8(TC之間，其處理時間約為5秒至5分鐘。在另一實施例中，濕式蝕刻溶液包含氟 化氫(HF)、氫氧化銨(NH^H)、氟化銨(NH/)、水0120)、過氧化氫(!1202)、硝酸(HN0》、醋酸 (CH3C00H)、鹽酸(HC1)、羧酸(carboxylic acid)或界面活性劑。 在濕式蝕刻工藝以移除犧牲層之后，接著可進(jìn)行額外的清潔工藝。清潔工藝能夠 移除有機(jī)殘余物。例如，清潔材料包含溶劑、化學(xué)品、界面活性劑或聚合物成分。
6
在此所述的方法可具有各種優(yōu)點。在一實施例中，所施用的離子注入實質(zhì)上會與 光至文抗蝕齊據(jù)合基質(zhì)(photoresist polymeric matrix)交聯(lián)(crosslink)，并使其難以被 移除。在此所述的濕式蝕刻方法可有效移除光致抗蝕劑并降低對基材的傷害，可實質(zhì)上減 少或避免在光致抗蝕劑移除之后的基材凹陷。通過以犧牲層作為保護(hù)層，可減少光致抗蝕 劑殘余物。當(dāng)移除犧牲層時，光致抗蝕劑殘余物也經(jīng)過Caros/清潔溶液的清潔而被移除。 犧牲層具有高蝕刻速率，以使其能被濕式蝕刻移除。任何在犧牲層上的缺陷及殘余物可被 底切(undercut)或溶解至濕式化學(xué)品中，殘余物及缺陷因此可從晶片表面離去(lifted off)。此外，犧牲層可增進(jìn)光致抗蝕劑黏著性。 雖然未顯示，本方法也具有其他工藝步驟以形成各種摻雜區(qū)域(例如源極及漏極 區(qū))及裝置元件(例如多層內(nèi)連線)。在一實施例中，基材或許也可包含由前述方法圖案 化的其他材料層。在另一實施例中，可對基材進(jìn)行額外的圖案化步驟以圖案化金屬柵極堆 疊。在另一實施例中，源極及漏極元件為在柵極堆疊形成之后形成。柵極間隔物為形成在 金屬柵極堆疊的側(cè)壁。接著，源極及漏極區(qū)沿著間隔物的外側(cè)邊緣形成。柵極間隔物可具 有多層結(jié)構(gòu)及可包含氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其他介電材料。無論n型或p型摻雜的源 極及漏極區(qū)及輕摻雜源極/漏極區(qū)為經(jīng)由傳統(tǒng)摻雜工藝來形成，例如離子注入。使用n型 雜質(zhì)以形成關(guān)于包含磷、砷和/或其他材料的摻雜區(qū)域。P型雜質(zhì)可包含硼、銦和/或其他 材料。 此外，還可形成多層內(nèi)連線。多層內(nèi)連線包含垂直內(nèi)連線、例如傳統(tǒng)通孔或接觸 點，及水平內(nèi)連線，例如金屬線。各種內(nèi)連線元件可使用各種導(dǎo)電材料，例如銅、鎢及硅化 物。在一實施例中，可使用鑲嵌工藝以形成關(guān)于銅的多層內(nèi)連線結(jié)構(gòu)。在另一實施例中，可 使用鎢在接觸孔中形成接觸插塞。 半導(dǎo)體基材還可包含額外的隔離元件，以隔離各個其他元件。隔離元件可包含不 同的結(jié)構(gòu)及可由各種不同的技術(shù)形成。例如，隔離元件可包含淺溝槽隔離(STI)元件。淺 溝槽隔離的形成可包含在基材中蝕刻出溝槽，并以例如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅的介電 材料填滿溝槽。在一實施例中，可使用連續(xù)的工藝來形成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，例如生長一墊 氧化層；形成低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)氮化物層；使用光致抗蝕劑及掩模圖案化淺溝槽 隔離結(jié)構(gòu)；在基材中蝕刻一溝槽；選擇性地生長熱氧化物溝槽內(nèi)襯以改善溝槽界面；以化 學(xué)氣相沉積(CVD)氧化物填滿溝槽；使用化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)作回蝕刻；及將氮化物剝離 (nitride stri卯ing)淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)。 本發(fā)明并不僅限于應(yīng)用于包含M0S晶體管的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，且可延伸至其他具有 金屬柵極堆疊的集成電路。例如，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)200可包含動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)、單 電子晶體管(SET)和/或其他微電子裝置(在此可通稱為微電子裝置)。當(dāng)然，本發(fā)明也 可用于或準(zhǔn)備適用于其他型態(tài)的晶體管，包含單柵極晶體管(single-gate transistor)、 多柵極晶體管(multiple-gatestransistor)、應(yīng)變半導(dǎo)體基材、相異的半導(dǎo)體裝置 (hetero-semiconductordevice);及可應(yīng)用于許多不同方面，包含感測器、存儲器、邏輯元 件或其他類似物。 雖然本發(fā)明已詳述數(shù)個較佳實施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所 屬技術(shù)領(lǐng)域中普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作任意的更動與潤飾。 在一實施例中，當(dāng)犧牲層為氧化鑭時，濕式蝕刻化學(xué)品可為鹽酸或酸性材料，酸性材料可為TARC或酸性聚合物或含酸性分子的聚合物。在另一實施例中，如在形成圖案化光致抗蝕劑 后，需進(jìn)行離子注入工藝，則在圖案化光致抗蝕劑開口內(nèi)的犧牲層的移除會較離子注入工 藝先進(jìn)行。因為犧牲材料已經(jīng)移除，因此犧牲材料將不會對基材造成影響。也就是說，離子 注入的轟擊不會使任何犧牲層的物質(zhì)進(jìn)入基材中。 在一實施例中，為使用本方法來形成一個或多個金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFETs)。在另一實施例中，為使用本方法來在前柵極工藝中形成金屬柵極堆疊，其中金 屬柵極堆疊由本發(fā)明形成，并保留至最終結(jié)構(gòu)中。在另一實施例中，基材可具有外延層，位 于巨塊半導(dǎo)體(bulk semiconductor)上。再者，外延層可包含不同于巨塊半導(dǎo)體的半導(dǎo)體 材料，例如巨塊硅上覆鍺化硅或由包含選擇性外延成長(SEG)工藝所形成巨塊鍺化硅上覆 硅。此外，基材可包含絕緣層上覆硅結(jié)構(gòu)，例如埋入介電層(buried dielectric layer)。
因此，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法。此方法包含在基材上形成一犧牲 層；形成一圖案化光致抗蝕劑層于犧牲層上；對基材進(jìn)行離子注入；施予硫酸及過氧化氫 以移除圖案化光致抗蝕劑層；或?qū)倪M(jìn)行一清潔工藝及進(jìn)行一濕式蝕刻工藝以移除犧 牲層。 在本發(fā)明的一實施例中，犧牲層包含氧化鑭。濕式蝕刻工藝包含具有鹽酸或羧酸 (carboxylic acid)的蝕刻劑。在另一實施例中，犧牲層包含氧化物材料。此氧化物材料 包含擇自下列材料所組成的群氧化硅、氮氧化硅、氧化鉿、氧化鋁及氧化鎢。濕式蝕刻工藝 包含一蝕刻化學(xué)品，該蝕刻化學(xué)品可包含擇自下列蝕刻化學(xué)品所組成的群氟化氫(HF)、 氫氧化銨(朋4011)、氟化銨(朋4F)、水0120)、過氧化氫01202)、硝酸(HN0》、醋酸(CH3C00H)、 鹽酸(HC1)、醋酸及界面活性劑。本方法還可包含在進(jìn)行離子注入之前，對圖案化光致抗蝕 劑層施予清潔材料?；目砂呓殡姵?shù)介電材料，及位于在高介電常數(shù)介電材料上的 金屬層。金屬層可包含擇自下列金屬所組成的群鎢、硅化鎢、鋁、銅、氧化鋁(A10》、鉿、鑭、 鈦、氮化鈦、鉭及氮化鉭。在一實施例中，圖案化光致抗蝕劑層的形成包含在基材上旋轉(zhuǎn)涂 布光致抗蝕劑溶液；曝光光致抗蝕劑層；顯影光致抗蝕劑層，形成圖案化光致抗蝕劑層。光 致抗蝕劑層的顯影可額外圖案化犧牲層。本方法還包含施予C02水以圖案化犧牲層。
雖然本發(fā)明已以數(shù)個較佳實施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬 技術(shù)領(lǐng)域中普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作任意的更動與潤飾，因 此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附的權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括形成一犧牲層于一基材上；形成一圖案化光致抗蝕劑層于該犧牲層上；對該基材進(jìn)行離子注入；施予一第一濕式蝕刻溶液以移除該圖案化光致抗蝕劑層；以及施予一第二濕式蝕刻工藝以移除該犧牲層。
2. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中該第一濕式蝕刻溶液包含一具有臭氧、硫酸及過氧化氫或硫酸及臭氧的蝕刻劑。
3. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，該犧牲層包含一氧化物材料。
4. 如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中該氧化物材料擇自下列所組成的群氧化鑭、氧化硅、氮氧化硅、氧化鉿、氧化鋁及氧化鎢。
5. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中該第二濕式蝕刻工藝包含一蝕刻化學(xué)品，該蝕刻化學(xué)品擇自下列所組成的群氟化氫、氫氧化銨、氟化銨、水、過氧化氫、硝酸、醋酸、鹽酸、羧酸及界面活性劑。
6. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中該基材還包含一高介電常數(shù)介電材料層；及一金屬層，位于該高介電常數(shù)介電材料層上。
7. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中該圖案化光致抗蝕劑層的形成包含旋轉(zhuǎn)涂布一光致抗蝕劑溶液至該基材上；曝光該光致抗蝕劑層；及顯影該光致抗蝕劑層，形成一圖案化光致抗蝕劑層，其中該光致抗蝕劑層的顯影還會圖案化該犧牲層。
8. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，還包含施予一二氧化碳水以圖案化該犧牲層。
9. 一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括形成一犧牲層于一基材上；形成一圖案化光致抗蝕劑層于該犧牲層上；對該基材進(jìn)行離子注入；施予一化學(xué)溶液以移除該圖案化光致抗蝕劑層；以及施予一酸性溶液以移除該犧牲層。
10. 如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中該酸性溶液包含鹽酸，其濃度為約i : i至i : iooo之間且溫度介于約2crc至8crc之間。
11. 如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中該酸性溶液的施予時間為約5秒至5分鐘。
12. 如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中該犧牲層包含一材料，該材料擇自下列所組成的群氧化鑭、氧化硅、氮氧化硅、氧化鉿、氧化鋁及氧化鎢。
13. 如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中該化學(xué)溶液包含一蝕刻劑，該蝕刻劑擇自下列所組成的群以氧化劑為主的溶液、硫酸及過氧化氫、硫酸及臭氧、臭氧、N-甲基砒喀烷酮、環(huán)己醇、環(huán)戊醇、單甲基醚丙二醇、丙二醇單甲基醚酯。
14. 一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括形成一第一金屬層于一基材上；形成一氧化鑭層于該金屬層上；形成一圖案化光致抗蝕劑層于該氧化鑭層上；對該基材進(jìn)行一工藝；施予一硫酸及過氧化氫溶液以移除該圖案化光致抗蝕劑層；以及施予一鹽酸溶液以移除該氧化鑭層。
15. 如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中該工藝包含一離子注入工藝或一蝕刻工藝。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包含形成一犧牲層于一基材上；形成一圖案化光致抗蝕劑層于該犧牲層上；于該基材上進(jìn)行離子注入；施予一硫酸(H2SO4)及過氧化氫(H2O2)溶液以移除該圖案化光致抗蝕劑層；對該基材進(jìn)行一清潔工藝；以及進(jìn)行一濕式蝕刻工藝以移除該犧牲層。本發(fā)明可具有各種優(yōu)點。可有效移除光致抗蝕劑并降低對基材的傷害，可實質(zhì)上減少或避免在光致抗蝕劑移除之后的基材凹陷。通過以犧牲層作為保護(hù)層，可減少光致抗蝕劑殘余物。任何在犧牲層上的缺陷及殘余物可被底切(undercut)或溶解至濕式化學(xué)品中，殘余物及缺陷因此可從晶片表面離去(lifted off)。此外，犧牲層可增進(jìn)光致抗蝕劑黏著性。
文檔編號H01L21/265GK101794071SQ200910173268
公開日2010年8月4日 申請日期2009年9月22日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月22日
發(fā)明者張慶裕 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司