專利名稱：半導(dǎo)體器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及作為高頻半導(dǎo)體器件使用的HBT及HFET的集成電路(Bi 一HFET)及其制造方法。
背景技術(shù)：
在發(fā)射極中使用了帶隙大的半導(dǎo)體的異質(zhì)結(jié)雙極晶體管 (HeterojunctionBipolarTransistor:HBT)，作為便攜式電話機等中使用的高頻 模擬元件正在被實用化。特別是在發(fā)射極中使用了 InGaP (磷化鎵銦)的 InGaP/GaAsHBT，預(yù)計作為溫度依存性小、高可靠性的器件，使用方法在 今后將會越發(fā)廣泛。
最近，正在進行通^:由異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管(HFET)構(gòu)成的開關(guān)元件 (SW)來控制由HBT構(gòu)成的功率放大器(PA)等，混在HBT和HFET 的集成電路的研究與開發(fā)。因此，在同一襯底上形成HBT和HFET那樣的 Bi—HFET處理技術(shù)受到注目。
Bi—HFET的器件構(gòu)造一般是，對于襯底而言，將HBT配置在上側(cè)(表 側(cè))，將HFET配置在下側(cè)(里側(cè))。在這種構(gòu)造中，通過使HBT的輔助集 電極層和HFET的覆蓋層在同一個n—GaAs層共通化，從而能夠減少掩膜 數(shù)和落差。
然而，在使輔助集電極層和覆蓋層共通化的情況下，在特性上所具有 的一個優(yōu)點是，隨著HBT的輔助集電極層的層厚的增加，從而使導(dǎo)通電阻 減少，而另一個特性上的優(yōu)點是，通過減小HFET的覆蓋層的層厚使凹槽 構(gòu)造細小化，從而使導(dǎo)通電阻減少。因此，HBT和HFET的特性上的優(yōu)點 是折衷的關(guān)系。在專利文獻l中記載的半導(dǎo)體器件中說明了針對以上這種 課題的以往技術(shù)。
圖4示出了專利文獻1中記載的半導(dǎo)體器件的構(gòu)造的剖面圖。 該半導(dǎo)體器件具有形成HBT的區(qū)域(HBT區(qū)域)和形成HFET的區(qū)域(HFET區(qū)域)。HFET區(qū)域和HFET區(qū)域以注入元件隔離區(qū)域720而被電 隔離。
在HFET區(qū)域中，在半絕緣性GaAs襯底401上，依次層疊GaAs/AlGaAs 超點陣層402、 AlGaAs勢壘層403、 InGaAs溝道層404、電子供給層406、 以及GaAs覆蓋層405。在GaAs覆蓋層405上形成有源極電極304以及漏 極電極305，在電子供給層406上形成有柵極電極306。
在HBT區(qū)域中，在GaAs襯底401上，依次層疊GaAs/AlGaAs超點陣 層402、 AlGaAs勢壘層403、 InGaAs溝道層404、電子供給層406、與GaAs 覆蓋層405共通化的GaAs輔助集電極層407、 GaAs集電極層408、 GaAs 基極層409、 InGaP發(fā)射極層410、 GaAs發(fā)射極覆蓋層411、以及InGaAs 發(fā)射極接觸層412。在GaAs輔助集電極層407、 GaAs基極層409、以及 InGaAs發(fā)射極接觸層412上分別形成有集電極電極203、基極電極202、 以及發(fā)射極電極201。
在該半導(dǎo)體器件中，根據(jù)HBT特性上的優(yōu)點以及HFET特性上的優(yōu)點 的折衷關(guān)系，將HBT特性上的惡化以及HFET特性上的惡化抑制到了最小 限，因此與GaAs覆蓋層405共通化的GaAs輔助集電極層407的膜厚成為 300nm。另外，關(guān)于該半導(dǎo)體器件的制造方法在專利文獻1中有詳細記載。
專利文獻l美國專利申請公開第2005/0184310號說明書
然而，在專利文獻l所記載的半導(dǎo)體器件中，若想使具有折衷關(guān)系的 HBT特性上的優(yōu)點和HFET特性上的優(yōu)點雙方存在的話，就會發(fā)生以下所 示的新的問題。
也就是說，由于GaAs輔助集電極層407的厚度為300nm，因此出現(xiàn) 集電極電阻增大的問題。并且，由于GaAs覆蓋層405的厚度為300nm， 因此出現(xiàn)HFET的導(dǎo)通電阻增大的問題。圖2B所示的HBT的集電極電阻 與以往的半導(dǎo)體器件(GaAs輔助集電極層以及GaAs覆蓋層的厚度不為 300nm的半導(dǎo)體器件)相比，若計算的話就會從12Q增大到17Q，即增大 了 5Q。 HFET的導(dǎo)通電阻與以往的半導(dǎo)體器件相比也會從1.5Q增大到 2.0Q，即增大了0.5Q。因此，在專利文獻l所記載的半導(dǎo)體器件中沒能使 HBT的特性上的優(yōu)點和HFET的特性上的優(yōu)點雙方存在。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明鑒于上述的問題，目的在于提供一種能夠使具有折衷關(guān)
系的HBT特性上的優(yōu)點和HFET特性上的優(yōu)點雙方存在的半導(dǎo)體器件及其
制造方法。
為了達到上述的目的，本發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體器件，具有在同一個半 導(dǎo)體襯底上形成的異質(zhì)結(jié)雙極晶體管和異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管，其中所述 異質(zhì)結(jié)雙極晶體管具有依次被層疊的輔助集電極層、集電極層、基極層、 以及發(fā)射極層；所述輔助集電極層具有外部輔助集電極區(qū)域和位于所述外 部輔助集電極區(qū)域上的內(nèi)部輔助集電極區(qū)域；在所述外部輔助集電極區(qū)域 上形成有相互隔離的臺面狀的集電極部和集電極電極，所述臺面狀的集電 極部由所述基極層、所述發(fā)射極層、所述集電極層以及所述內(nèi)部輔助集電 極區(qū)域構(gòu)成；所述異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管具有由所述外部輔助集電極區(qū)域的 一部分構(gòu)成的覆蓋層、和在所述覆蓋層上形成的源極電極以及漏極電極。
根據(jù)此構(gòu)造，HFET的覆蓋層由外部輔助集電極區(qū)域構(gòu)成，集電極部由 內(nèi)部輔助集電極區(qū)域構(gòu)成。因此，HBT的輔助集電極層以及HFET的覆蓋 層能夠在同一個半導(dǎo)體層共通化，從而能夠減少半導(dǎo)體器件在制造過程中 的掩膜數(shù)。并且，不必使集電極部的輔助集電極層變薄，使外部輔助集電 極區(qū)域變薄，進而使覆蓋層變薄，從而能夠降低HFET的凹槽長度，并且 能夠降低HFET的導(dǎo)通電阻。并且，不必使覆蓋層變厚，而使內(nèi)部輔助集 電極區(qū)域變厚，從而降低HBT的集電極電阻，因此能夠降低HBT的導(dǎo)通 電阻。這樣，能夠?qū)崿F(xiàn)一種半導(dǎo)體裝置，可以不必增加在形成Bi—HFET 時所需要的掩膜數(shù)，就能夠使具有折衷關(guān)系的HBT特性上的優(yōu)點和HFET 特性上的優(yōu)點雙方存在。
并且，本發(fā)明也可以作為一種半導(dǎo)體器件的制造方法，該半導(dǎo)體器件 具有在相同的半導(dǎo)體襯底上形成的異質(zhì)結(jié)雙極晶體管和異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體 管，所述半導(dǎo)體器件的制造方法包括層疊工序，依次層疊輔助集電極層、 集電極層、基極層以及發(fā)射極層；蝕刻工序，對所述輔助集電極層、所述 集電極層、所述基極層以及所述發(fā)射極層進行蝕刻，以形成臺面狀的集電 極部，該集電極部由所述輔助集電極層、所述集電極層、所述基極層以及 所述發(fā)射極層構(gòu)成；以及電極形成工序，在通過所述蝕刻而露出表面的、且不構(gòu)成所述集電極部的所述輔助集電極層上，形成集電極電極、源極電 極以及漏極電極。
通過該制造方法能夠以一次掩膜工序?qū)⑤o助集電極層的一部分、集電 極層、基極層以及發(fā)射極層加工為臺面狀，以形成集電極部，這樣，可以
不必增加工序次數(shù)，從而使制造高性能的Bi—HFET成為可能。通過本發(fā) 明，能夠在不增加制造過程中所需要的掩膜數(shù)的情況下，制成既使HBT低 電阻化又使HFET低電阻化的Bi—HFET。這樣，能夠?qū)崿F(xiàn)使Bi—HFET的 低成本化和高性能化雙方成立的Bi—HFET,對Bi—HFET的普及具有很大 的貢獻。


圖lA是本發(fā)明的實施例所涉及的Bi—HFET的構(gòu)造的俯視圖。
圖1B是該Bi—HFET的構(gòu)造的剖面圖(圖1A的A—A'線上的剖面圖)。
圖2A是用于說明HBT的集電極電阻的各個成分的圖。
圖2B示出了 HBT的集電極電阻的模擬結(jié)果。
圖3是用于說明該Bi—HFET的制造方法的剖面圖。
圖4是專利文獻1中記載的半導(dǎo)體器件的構(gòu)造的剖面圖。
符號說明
101、401 GaAs襯底
102、402 GaAs/AlGaAs超點陣層
103、403 AlGaAs勢壘層
104、404 InGaAs溝道層
105、405 GaAs覆蓋層
106InGaP蝕刻終止區(qū)域
107輔助集電極層
107aGaAs外部輔助集電極區(qū)域
107bGaAs內(nèi)部輔助集電極區(qū)域
108、408 GaAs集電極層
109、409 GaAs基極層110、410 InGaP發(fā)射極層
111、411 GaAs發(fā)射極覆蓋層
112、412 InGaAs發(fā)射極接觸層
201發(fā)射極電極
202基極電極
203集電極電極
304源極電極
305漏極電極
306柵極電極
406、506電子供給層
407GaAs輔助集電極層
720、820注入元件隔離區(qū)域
800異質(zhì)結(jié)雙極晶體管區(qū)域(HBT區(qū)域)
810異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管區(qū)域(HFET區(qū)域)
830集電極部
840集電極外部
具體實施例方式
以下，參照附圖對本發(fā)明的實施例中的HBT以及HFET的集成電路(Bi 一HFET)及其制造方法進行說明。
圖lA是本實施例所涉及的Bi—HFET的俯視圖。并且，圖lB是該Bi 一HFET的構(gòu)造的剖面圖(圖1A的A—A'線上的剖面圖)。
該Bi—HFET是在同一半導(dǎo)體襯底上形成的具有HBT和HFET的半導(dǎo) 體器件，具有形成HBT的區(qū)域(HBT區(qū)域)800和形成HFET區(qū)域(HFET 區(qū)域)的810。 HBT區(qū)域800和HFET區(qū)域810以注入元件隔離區(qū)域820 而被電隔離。
在HFET區(qū)域810，在半絕緣性的GaAs襯底101上依次層疊有 GaAs/AlGaAs超點陣層102、 AlGaAs勢壘層103， InGaAs溝道層104，電 子供給層506以及GaAs覆蓋層105。 GaAs覆蓋層105上形成有源極電極 304以及漏極電極305，在電子供給層506上形成有柵極電極306。在HFET區(qū)域800，在半絕緣性的GaAs襯底101上依次層疊有 GaAs/AlGaAs超點陣層102、 AlGaAs勢壘層103、 InGaAs溝道層104、電 子供給層506、輔助集電極層107、 GaAs集電極層108、 GaAs基極層109、 InGaP發(fā)射極層110、 GaAs發(fā)射極覆蓋層111以及InGaAs發(fā)射極接觸層 112。輔助集電極層107包括位于電子供給層506上的GaAs外部輔助集 電極區(qū)域107a、位于GaAs外部輔助集電極區(qū)域107a上的InGaP蝕刻終止 (etching stopper)區(qū)域106、以及位于InGaP蝕刻終止區(qū)域106上的GaAs 內(nèi)部輔助集電極區(qū)域107b。輔助集電極層107(GaAs外部輔助集電極區(qū)域 107a)、 GaAs基極層109、以及InGaAs發(fā)射極接觸層112上，分別形成有 集電極電極203、基極電極202、以及發(fā)射極電極201。集電極電極203與 HFET的源極電極304以及漏極電極305的高度相同。
在此，GaAs外部輔助集電極區(qū)域107a在層疊方向(輔助集電極層107 的層疊方向)上所具有的厚度是200nm， GaAs內(nèi)部輔助集電極區(qū)域107b 在相同的層疊方向上具有的厚度是400nm， InGaP蝕刻終止區(qū)域106在相 同的層疊方向上具有的厚度是30nm。并且，GaAs覆蓋層105的構(gòu)成中包 括GaAs外部輔助集電極區(qū)域107a的一部分。
在HBT區(qū)域800形成有臺面狀的集電極部830和除此之外的集電極外 部840。集電極部830包括InGaP蝕刻終止區(qū)域106、 GaAs內(nèi)部輔助集 電極區(qū)域107b、 GaAs集電極層108、 GaAs基極層109、 InGaP發(fā)射極層 110、GaAs發(fā)射極覆蓋層111以及InGaAs發(fā)射極接觸層112。集電極部830 以與集電極電極203分離配置的狀態(tài)被形成在輔助集電極層107 (GaAs外 部輔助集電極區(qū)域107a)上，且與集電極電極203相距1.5pm以下。與集 電極部830相接的集電極外部840包括GaAs/AlGaAs超點陣層102、 AlGaAs勢壘層103、 InGaAs溝道層104、電子供給層506以及GaAs外部 輔助集電極區(qū)域107a。
以下，對具有上述構(gòu)造的Bi—HFET中的HBT特性進行說明。圖2A 是用于說明HBT的集電極電阻的各個成分的圖。圖2B示出了通過對本實 施例中的Bi—HFET、以往的Bi—HFET、以及專利文獻1中記載的Bi— HFET進行器件模擬，而計算出的HBT的集電極電阻的結(jié)果。
圖2A示出了集電極電阻能夠被分為集電極內(nèi)部電阻RC1、內(nèi)部輔助集電極電阻RC2、外部輔助集電極電阻RC3、以及集電極接觸電阻RC4。
通過圖2B可知在集電極電阻中起到支配作用的是內(nèi)部輔助集電極電 阻RC2。因此，可以知道降低HBT的內(nèi)部輔助集電極電阻RC2對降低集 電極電阻(降低導(dǎo)通電阻)是最有效的，也就是說使GaAs內(nèi)部輔助集電 極區(qū)域107b加厚對降低集電極電阻(降低導(dǎo)通電阻)是最有效的。
根據(jù)以上所述的本實施例中的Bi—HFET，輔助集電極層107具有GaAs 外部輔助集電極區(qū)域107a以及GaAs內(nèi)部輔助集電極區(qū)域107b。并且，利 用GaAs外部輔助集電極區(qū)域107a來構(gòu)成HFET的GaAs覆蓋層105，利用 GaAs內(nèi)部輔助集電極區(qū)域107b來構(gòu)成集電極部830。因此，能夠在同一 個n—GaAs層使HBT的輔助集電極層以及HFET的覆蓋層共通化，減少 半導(dǎo)體器件在制造過程中的掩膜數(shù)。并且，由于不必使集電極部830的輔 助集電極層107變薄，而使GaAs外部輔助集電極區(qū)域107a變薄，使GaAs 覆蓋層105變薄，就能夠降低HFET的凹槽的長度，因此能夠降低HFET 的導(dǎo)通電阻。而且，由于不必使GaAs覆蓋層105變厚，而使GaAs內(nèi)部輔 助集電極區(qū)域107b變厚，就能夠降低HBT的集電極電阻，因此能夠降低 HBT的導(dǎo)通電阻。若計算的話，能夠使HBT的導(dǎo)通電阻降低到14Q，使 HFET的導(dǎo)通電阻降低到1.5Q。
以下，利用圖3對本實施例中的Bi—HFET的制造方法進行說明。圖3 是示出Bi—HFET的制造方法的剖面圖。
首先，如圖3(a)所示，在半絕緣性的GaAs襯底101上，通過外延生長 依次層疊有GaAs/AlGaAs超點陣層102、 AlGaAs勢壘層103、 InGaAs溝 道層104、電子供給層506、輔助集電極層107、 GaAs集電極層108、 GaAs 基極層109、 InGaP發(fā)射極層110、 GaAs發(fā)射極覆蓋層111以及InGaAs發(fā) 射極接觸層112。
接著，如圖3(b)所示，對InGaAs發(fā)射極接觸層112以及GaAs發(fā)射極 覆蓋層111進行蝕刻，以便將InGaAs發(fā)射極接觸層112以及GaAs發(fā)射極 覆蓋層lll加工成臺面狀。
之后，如圖3(c)所示，對InGaP發(fā)射極層110、 GaAs基極層109、 GaAs 集電極層108、以及輔助集電極層107的一部分(GaAs內(nèi)部輔助集電極區(qū) 域107b以及InGaP蝕刻終止區(qū)域106)進行蝕刻，以便形成臺面狀的集電極部830。此時，在對InGaP發(fā)射極層110、 GaAs基極層109、 GaAs集電 極層108、 GaAs內(nèi)部輔助集電極區(qū)域107b以及InGaP蝕刻終止區(qū)域106 進行蝕刻時，采用的是使用C12等C1系(氯系)的蝕刻氣體的干式蝕刻。 這樣，直到InGaP蝕刻終止區(qū)域106露出表面為止進行蝕刻，并能夠在InGaP 蝕刻終止區(qū)域106進行加工精度高的選擇蝕刻。
之后，如圖3(d)所示，在輔助集電極層107的被蝕刻部分上同時形成 HBT集電極電極203、 HFET的源極電極304以及漏極電極305，所述的輔 助集電極層107的被蝕刻部分是指，除了通過蝕刻而露出表面的集電極部 830以外的輔助集電極層107的部分(GaAs外部輔助集電極區(qū)域107a)。
以后雖然省略詳細說明，而圖3(e)所示的Bi—HFET是通過以下的工 序而被形成的，這些工序是形成發(fā)射極電極201以及基極電極202的工 序；形成對HBT和HFET進行電隔離的注入元件隔離區(qū)域820，將GaAs 外部輔助集電極區(qū)域107a的一部分作為GaAs覆蓋層105的工序；在GaAs 覆蓋層105形成柵極凹槽構(gòu)造的工序；以及形成柵極電極306的工序。
如以上所述，根據(jù)本實施例的Bi—HFET的制造方法，通過進行使用 Cl系氣體的干式蝕刻，幾乎能夠?qū)⒓姌O部830的臺面形狀加工成垂直， 因此集電極電極203與集電極部830的距離能夠在1.5pm以下。其結(jié)果是， 能夠進一步降低圖2A所示的外部輔助集電極電阻RC3，并能夠進一步降 低Bi—HFET的HBT的導(dǎo)通電阻。
以上通過實施例對本發(fā)明的半導(dǎo)體器件及其制造方法進行了說明，但 是本發(fā)明并非受這些實施例所限。在不脫離本發(fā)明的要旨的范圍內(nèi)，本領(lǐng) 域的技術(shù)人員實施的各種變形都包含在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
例如，雖然GaAs內(nèi)部輔助集電極區(qū)域107b的厚度被視為了 400nm， 不過只要在300nm以上就能夠降低內(nèi)部輔助集電極電阻RC2，因此只要在 300nm以上就可以。同樣，雖然GaAs外部輔助集電極區(qū)域107a的厚度被 視為了 200nm，不過只要在50nm以上300nm以下就能夠通過縮短HFET 的凹槽長度而達到降低導(dǎo)通電阻的效果，因此只要在50nm以上300nm以 下,就可以。
并且，在輔助集電極層107，在GaAs外部輔助集電極區(qū)域107a和GaAs 內(nèi)部輔助集電極區(qū)域107b之間插入了InGaP蝕刻終止區(qū)域106。然而，蝕刻終止區(qū)域只要是由與GaAs外部輔助集電極區(qū)域107a和GaAs內(nèi)部輔助 集電極區(qū)域107b不同的半導(dǎo)體材料構(gòu)成的區(qū)域就可以，并非受InGaP所限。 本發(fā)明能夠利用于半導(dǎo)體器件及其制造方法，尤其能夠利用于Bi — HFET及其制造方法等。
權(quán)利要求
1. 一種半導(dǎo)體器件，具有在同一個半導(dǎo)體襯底上形成的異質(zhì)結(jié)雙極晶體管和異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述異質(zhì)結(jié)雙極晶體管具有依次被層疊的輔助集電極層、集電極層、基極層、以及發(fā)射極層；所述輔助集電極層具有外部輔助集電極區(qū)域和位于所述外部輔助集電極區(qū)域上的內(nèi)部輔助集電極區(qū)域；在所述外部輔助集電極區(qū)域上形成有相互隔離的臺面狀的集電極部和集電極電極，所述臺面狀的集電極部由所述基極層、所述發(fā)射極層、所述集電極層以及所述內(nèi)部輔助集電極區(qū)域構(gòu)成；所述異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管具有由所述外部輔助集電極區(qū)域的一部分構(gòu)成的覆蓋層、和在所述覆蓋層上形成的源極電極以及漏極電極。
2. 如權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述內(nèi)部輔助集 電極區(qū)域的厚度在300nm以上。
3. 如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述外部輔助集 電極區(qū)域的厚度在50nm以上300nm以下。
4. 如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述集電極電極 以1.5pm以下的距離與所述集電極部隔離。
5. 如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述輔助集電極 層進一步具有蝕刻終止區(qū)域，該蝕刻終止區(qū)域被插入在所述內(nèi)部輔助集電 極區(qū)域和所述外部輔助集電極區(qū)域之間，且由與所述內(nèi)部輔助集電極區(qū)域 以及所述外部輔助集電極區(qū)域不同的材料構(gòu)成。
6. 如權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述外部輔助集 電極區(qū)域的厚度在50nm以上300nm以下。
7. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述集電極電極 以1.5pm以下的距離與所述集電極部隔離。
8. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述輔助集電極 層進一歩具有蝕刻終止區(qū)域，該蝕刻終止區(qū)域被插入在所述內(nèi)部輔助集電 極區(qū)域和所述外部輔助集電極區(qū)域之間，且由與所述內(nèi)部輔助集電極區(qū)域 以及所述外部輔助集電極區(qū)域不同的材料構(gòu)成。
9 . 一種半導(dǎo)體器件的制造方法，該半導(dǎo)體器件具有在相同的半導(dǎo)體 襯底上形成的異質(zhì)結(jié)雙極晶體管和異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管，所述半導(dǎo)體器件 的制造方法，其特征在于，包括層疊工序，依次層疊輔助集電極層、集電極層、基極層以及發(fā)射極層；蝕刻工序，對所述輔助集電極層、所述集電極層、所述基極層以及所 述發(fā)射極層進行蝕刻，以形成臺面狀的集電極部，該集電極部由所述輔助 集電極層、所述集電極層、所述基極層以及所述發(fā)射極層構(gòu)成；以及電極形成工序，在通過所述蝕刻而露出表面的、且不構(gòu)成所述集電極 部的所述輔助集電極層上，形成集電極電極、源極電極以及漏極電極。
10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于， 在所述層疊工序中形成所述輔助集電極層，所述輔助集電極層包含蝕刻終止區(qū)域，所述蝕刻終止區(qū)域由磷化鎵銦構(gòu)成；在所述蝕刻工序中，通過干式蝕刻，直至所述蝕刻終止區(qū)域露出表面
全文摘要
本發(fā)明的目的在于提供一種能夠使具有折衷關(guān)系的HBT特性上的優(yōu)點和HFET特性上的優(yōu)點雙方存在的半導(dǎo)體器件及其制造方法。本發(fā)明的半導(dǎo)體器件為Bi-HFET，HBT具有被依次層疊的輔助集電極層、GaAs集電極層、GaAs基極層以及InGaP(磷化鎵銦)發(fā)射極層，輔助集電極層具有GaAs外部輔助集電極區(qū)域、以及位于GaAs外部輔助集電極區(qū)域上的GaAs內(nèi)部輔助集電極區(qū)域，在GaAs外部輔助集電極區(qū)域上具有被隔離形成的臺面狀的集電極部和集電極電極，HFET具有由GaAs外部輔助集電極區(qū)域的一部分構(gòu)成的GaAs覆蓋層、以及在GaAs覆蓋層上形成的源極電極和漏極電極。
文檔編號H01L21/8248GK101533841SQ200910126300
公開日2009年9月16日 申請日期2009年3月11日 優(yōu)先權(quán)日2008年3月13日
發(fā)明者宮島賢一, 宮本裕孝, 村山啟一, 田村彰良 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社