專利名稱：一種器件源漏區(qū)域的自對準(zhǔn)金屬硅化物形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造工藝方法，具體涉及一種新的金屬硅化物制作區(qū)域選擇方 法，尤其涉及一種器件源漏區(qū)域的自對準(zhǔn)金屬硅化物形成方法。
背景技術(shù)：
在一般的CMOS器件的自對準(zhǔn)金屬硅化物的制作過程中，源漏區(qū)域和柵極上的金 屬硅化物是一起形成的，而源漏區(qū)域和柵極上的金屬硅化物是通過側(cè)墻來分隔開的(見圖 1)。而在一些高壓器件中，由于在漏端需要加比較高的電壓，因此柵極和漏端之間需 要有一段距離來分壓(見圖2)，而且這個分壓區(qū)域是不能有金屬硅化物的，否則該器件的 崩潰電壓會非常低。而漏區(qū)注入和一般的金屬硅化物形成是兩個光刻層次，存在套刻精度 的問題。因此如果要在這種器件中漏端制作金屬硅化物，則器件尺寸就必須增大，會導(dǎo)致導(dǎo) 通電阻增大；或者漏端就不制作金屬硅化物，這樣也增加接觸電阻，導(dǎo)通電阻也會增大。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種器件源漏區(qū)域的自對準(zhǔn)金屬硅化物形成方 法，其實(shí)現(xiàn)了在源漏區(qū)域制作和源漏區(qū)自對準(zhǔn)的金屬硅化物，降低了接觸電阻，減小了器件 的導(dǎo)通電阻。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種器件源漏區(qū)域的自對準(zhǔn)金屬硅化物形成方 法，包括如下步驟(1)完成源漏注入前的制程，包含定義有源區(qū)、阱區(qū)注入、柵極形成、低摻雜漏區(qū)注 入等制程；(2)在步驟(1)已完成的硅片上淀積一層氧化層；(3)進(jìn)行源漏注入?yún)^(qū)域的光刻；(4)源漏區(qū)域離子注入；(5)刻蝕去掉源漏注入?yún)^(qū)域的氧化層；(6)去掉光刻膠；(7)在源漏注入?yún)^(qū)域制作和源漏區(qū)域自對準(zhǔn)的金屬硅化物。步驟(2)中所述氧化層為100-2000埃。和現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下有益效果實(shí)現(xiàn)了在源漏區(qū)域制作和源漏區(qū)域 自對準(zhǔn)的金屬硅化物，降低了接觸電阻，減小了器件的導(dǎo)通電阻。


圖1是現(xiàn)有普通CMOS器件的截面示意圖；圖2是現(xiàn)有高壓器件的截面示意圖；圖3是本發(fā)明中步驟(1)完成后高壓器件的截面圖4是本發(fā)明中步驟(2)完成后高壓器件的截面圖；圖5是本發(fā)明中步驟(3)完成后高壓器件的截面圖；圖6是本發(fā)明中步驟(4)完成后高壓器件的截面圖；圖7是本發(fā)明中步驟(5)完成后高壓器件的截面圖；圖8是本發(fā)明中步驟(6)完成后高壓器件的截面圖；圖9是本發(fā)明中步驟(7)完成后高壓器件的截面圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。本發(fā)明利用制作器件源漏區(qū)域的光刻層次，制作和器件源漏區(qū)域自對準(zhǔn)的金屬硅 化物，具體包括如下步驟(1)完成前端制程即源漏注入前的制程，包含定義有源區(qū)，阱區(qū)注入，柵極形成，低 摻雜漏區(qū)注入等制程，形成如圖3所示的結(jié)構(gòu)。(2)在前端制程已完成的硅片上淀積一層氧化層，如100-2000埃，見圖4。(3)進(jìn)行源漏注入?yún)^(qū)域的光刻，涂光刻膠，然后曝光顯影去除源漏注入?yún)^(qū)域的光刻 膠，見圖5。(4)源漏區(qū)域離子注入，見圖6。(5)刻蝕去掉源漏注入?yún)^(qū)域的氧化層，見圖7。(6)去掉光刻膠，見圖8。(7)在源漏注入?yún)^(qū)域制作和源漏區(qū)域自對準(zhǔn)的金屬硅化物，見圖9。
權(quán)利要求
一種器件源漏區(qū)域的自對準(zhǔn)金屬硅化物形成方法，其特征在于，包括如下步驟(1)完成源漏注入前的制程，包含定義有源區(qū)、阱區(qū)注入、柵極形成、低摻雜漏區(qū)注入的制程；(2)在步驟(1)已完成的硅片上淀積一層氧化層；(3)進(jìn)行源漏注入?yún)^(qū)域的光刻；(4)源漏區(qū)域離子注入；(5)刻蝕去掉源漏注入?yún)^(qū)域的氧化層；(6)去掉光刻膠；(7)在源漏注入?yún)^(qū)域制作和源漏區(qū)域自對準(zhǔn)的金屬硅化物。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種器件源漏區(qū)域的自對準(zhǔn)金屬硅化物形成方法，其特征在 于步驟(2)中所述氧化層為100-2000埃。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種器件源漏區(qū)域的自對準(zhǔn)金屬硅化物形成方法，利用制作器件源漏區(qū)域的光刻層次，制作和器件源漏區(qū)域自對準(zhǔn)的金屬硅化物，在完成源漏區(qū)域注入后，刻蝕掉源漏區(qū)域上的氧化層，然后去掉光刻膠，再制作金屬硅化物，這樣就得到了和源漏區(qū)域自對準(zhǔn)的金屬硅化物。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了在源漏區(qū)域制作和源漏區(qū)域自對準(zhǔn)的金屬硅化物，降低了接觸電阻，減小了器件的導(dǎo)通電阻。
文檔編號H01L21/027GK101866841SQ200910057078
公開日2010年10月20日 申請日期2009年4月16日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月16日
發(fā)明者熊濤, 羅嘯, 陳華倫, 陳瑜, 陳雄斌 申請人:上海華虹Nec電子有限公司