專利名稱：具有藍光發(fā)射層的白色oled的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及具有兩個藍光發(fā)射層的產生白色或寬帶光的OLED顯示器。
背景技術：
有機發(fā)光二極管器件(亦稱作0LED)通常包含陽極、陰極和夾在陽極和陰極之間 的有機電致發(fā)光(EL)單元。有機EL單元包含至少一個空穴輸送層(HTL)、發(fā)光層(LEL)和 電子輸送層(ETL)。OLED因其低驅動電壓、高亮度、廣視角和用于全色顯示器和其它應用的 能力而引人注目。Tang等在其美國專利第4，769，292號和第4，885，211號中描述了這種多 層的OLED。取決于其LEL的發(fā)光性質，OLED可以發(fā)出不同顏色的光，例如紅色、綠色、藍色或 白色。近來，對于將寬帶OLED結合到諸如固態(tài)光源、彩色顯示器或全色顯示器等各種應 用裝置中的需求日益增加。寬帶發(fā)光是指OLED發(fā)出遍及可見光譜的譜段足夠寬的光，從 而這樣的光能夠與濾光片或變色模塊結合使用而生產具有至少兩種不同顏色的顯示器或 全色顯示器。特別是，存在對于如下寬帶發(fā)光OLED (或寬帶0LED)的需求在所述寬帶發(fā) 光0LED(或寬帶0LED)中，光譜的紅色、綠色和藍色部分存在明顯的發(fā)射，該寬帶發(fā)光OLED 即白色發(fā)光0LED(白色0LED)。與分別具有圖案化的紅色、綠色和藍色發(fā)光體的OLED相 比，具有濾色器的白色OLED的使用提供了比較簡單的制造方法。這可以獲得較高的產量， 使產率提高，并且節(jié)約成本。例如Kido等在Applied Physics Letters，64，815 (1994) 中、J. Shi等在美國專利第5，683，823號中、Sato等在JP 07-142169中、Deshpande等在 Applied Physics Letters, 75,888 (1999)中以及 Tokito 等在 Applied Physics Letters, 83,2459(2003)中曾報道過白色OLED。為實現OLED的寬帶發(fā)光，需要激發(fā)多于一種的分子，因為在通常條件下每種分子 僅發(fā)出光譜較窄的光。具有主體材料和一種或多于一種發(fā)光摻雜物的發(fā)光層在主體材料向 摻雜物的能量傳遞不完全的情況下，可以實現同時由主體和摻雜物發(fā)光，從而導致在可見 光譜內的寬帶發(fā)光。為獲得具有單一發(fā)光層的白色0LED，發(fā)光摻雜物的濃度必須得到精細 的控制。而這將帶來制造方面的困難。較之具有一個發(fā)光層的器件，具有兩個或多于兩個 發(fā)光層的白色OLED能夠具有更好的顏色和更高的發(fā)光效率，并且對摻雜物濃度的變化耐 受性更高。還發(fā)現，具有兩個發(fā)光層的白色OLED通常比具有單一發(fā)光層的OLED更穩(wěn)定。然 而，光譜的紅色、綠色和藍色部分的高強度發(fā)光還是難以實現。具有兩個發(fā)光層的白色OLED 通常具有兩個強發(fā)射峰。Jones等在美國專利第6，337，492號中、Tanaka等在美國專利第6，107，734號中、 Kido等在日本專利第2003/045676A號公報和美國專利申請第2003/0189401 Al號公報中 以及Liao等在美國專利第6，717，358號和美國專利申請第2003/0170491A1號公報中已公 開了串聯(lián)式OLED結構體(有時稱為疊層式OLED (stacked 0LED)或級聯(lián)式OLED (cascaded 0LED))。串聯(lián)式OLED通過垂直堆疊若干單獨的OLED單元并使用單一電源來驅動該堆疊體 而制造所述串聯(lián)式0LED。其優(yōu)點在于可提高發(fā)光效率和/或使用壽命。然而，所述串聯(lián)結
4構體使驅動電壓基本與堆疊在一起的OLED單元數成正比地增加。在OLED器件中，對于改善的穩(wěn)定性也存在需求。共同轉讓的以下美國專利，即美 國專利第6，692，846 B2號、美國專利第6，967，062號和美國專利第6，565，996 B2號都顯 示了用于改善器件使用壽命的有效方法。這些專利公開了具有如NPB等空穴輸送主體、蒽 共主體(cohost)和熒光藍色摻雜物的藍光發(fā)射層。然而，這些參考文獻并沒有解決老化時 色移的問題。共同轉讓的美國專利第7，252，893B2號公開了具有黃光發(fā)射層和藍光發(fā)射層的 白色0LED，所述藍光發(fā)射層含有NPB、蒽共主體和熒光藍色摻雜物。然而，該參考文獻并 沒有解決老化時色移的問題。美國專利申請第2007/0090753號、第2007/0134515號和第 2007/063638號公報也公開了具有黃光發(fā)射層和藍光發(fā)射層的白色0LED。美國專利第7，255，938B2號公開了具有兩個藍光發(fā)射層的藍色0LED，所述藍光發(fā) 射層含有NPB、蒽共主體和熒光藍色摻雜物。然而，該參考文獻并沒有解決白色OLED老化時 色移的問題。雖然有了這些發(fā)展，但是對于白色OLED器件老化時的顏色穩(wěn)定性和效率以及發(fā) 光穩(wěn)定性的改善，仍存在需求。

發(fā)明內容
因此，本發(fā)明的一個目的是提供老化時具有改善的顏色穩(wěn)定性的白色OLED器件。該目的通過下述有機白光發(fā)射器件而得以實現，所述有機白光發(fā)射器件包含(a)基片；(b)彼此隔開的陽極和陰極；(c)包含用于發(fā)射黃光的黃色摻雜物的發(fā)光層；和(d)第一和第二藍光發(fā)射層，各藍光發(fā)射層與另一藍光發(fā)射層相比具有至少一種 不同的材料。在本發(fā)明的一個實施方式中，白色OLED器件是串聯(lián)式OLED器件，所述器件具有兩 個或多于兩個位于陽極和陰極之間的發(fā)光單元和位于所述兩個或多于兩個發(fā)光單元之間 的中間連接體。本發(fā)明的一個優(yōu)點在于，其為適于寬帶應用的OLED顯示器提供了改善的顏色穩(wěn) 定性。本發(fā)明的另一優(yōu)點在于，其提供了改善的顯示器驅動電壓。本發(fā)明的又一優(yōu)點在于， 其可在提供這些改善的同時，伴以提供長使用壽命、低能耗和良好的顏色可調節(jié)性。


圖1顯示的是具有一個黃光發(fā)射層和一個藍光發(fā)射層的白色OLED器件的截面 圖；圖2顯示的是本發(fā)明的具有一個黃光發(fā)射層和兩個藍光發(fā)射層的白色OLED器件 的截面圖；并且圖3顯示的是具有與中間連接體結合在一起的兩個電致發(fā)光單元的白色串聯(lián)體 的截面圖。電致發(fā)光單元中有一個具有本發(fā)明的一個黃光發(fā)射層和兩個藍光發(fā)射層。由于層厚等器件特征尺寸通常在亞微米范圍內，因此附圖的繪制比例是為了便于查看而非顯示尺寸精度。
具體實施例方式術語“0LED器件”使用的是包含有機發(fā)光二極管作為像素的顯示器件的本領域內 所公知的意義。其可以指具有單個像素的器件。本文所用的術語“0LED顯示器”是指包含 多個可以具有不同顏色的像素的OLED器件。彩色OLED器件發(fā)出至少一種顏色的光。術語 “多色”用于描述能夠在不同區(qū)域發(fā)射不同色調的光的顯示面板。特別是，其用于描述能夠 顯示不同顏色的圖像的顯示面板。這些區(qū)域不必是鄰接的。術語“全色”用于描述能在可 見光譜的紅色、綠色和藍色區(qū)域發(fā)光并且可以以色調的任意組合來顯示圖像的多色顯示面 板。紅色、綠色和藍色構成了三原色，通過適當混合可由所述三原色產生所有其它顏色。術 語“色調”是指在可見光譜內發(fā)光的光強分布，不同的色調表現出顏色在視覺上可辨別的差 異。術語“像素”采用的是其在本領域中所公知的用法，用于指定顯示面板中獨立于其它區(qū) 域而受激發(fā)光的區(qū)域。據認為，在全色系統(tǒng)中，若干不同顏色的像素將被一起使用，以產生 大范圍的顏色，觀看者可將這樣的組稱為單個像素。為便于這里的討論，這樣的組將被認為 是若干帶有不同顏色的像素。根據本公開內容，寬帶發(fā)光是指在可見光譜的多個部分(例如藍色和綠色)具有 顯著分量的光。寬帶發(fā)光也可以包含下述情況在光譜的紅色、綠色和藍色部分發(fā)光，以產 生白光。白光是使用者所感覺到的具有白色的光，或者是其發(fā)射光譜足以與濾色器結合使 用從而形成實際上的全色顯示的光。對于低能耗而言，白色發(fā)光OLED的色度接近CIE D65， 即，CIEx = 0. 31且CIEy = 0. 33通常是有利的。這特別適用于具有紅色、綠色、藍色和白色 像素的所謂的RGBW顯示器的情況。雖然在一些情況下CIEx，CIEy坐標值為約0. 31,0. 33 是理想的，但實際的坐標值可以顯著改變而仍非常有用。本文所用術語“白色發(fā)光”是指內 部能夠產生白光的器件，然而在觀看之前可以由濾色器除去所述光的一部分。在本發(fā)明中，通過一個黃光發(fā)射層與兩個藍光發(fā)射層的最小組合而發(fā)射白光。黃 光發(fā)射層產生以下光，所述光(例如)在可見光譜的黃色、橙色和紅色區(qū)域的波長大于 550nm處具有單個或多個峰，且最大發(fā)射峰在約560nm 590nm的黃色區(qū)域中。黃光發(fā)射 層基本不產生藍色發(fā)射，這意味著在波長小于480nm處的發(fā)射強度小于最大發(fā)射強度的 10%，并且在490nm處不超過最大發(fā)射強度的50%。黃光發(fā)射層含有產生黃光的化合物，所 述化合物是指下述物質，所述物質在約560nm 590nm的黃色區(qū)域具有其主要的發(fā)光，盡管 在大于約590nm的波長處也可能具有較少量的發(fā)射。各藍光發(fā)射層產生下述光，所述光的 最大發(fā)射強度來自波長小于約500nm處的單個或多個峰。各藍光發(fā)射層基本不產生綠色、 黃色或紅色發(fā)射，這意味著在波長大于540nm處的發(fā)射強度小于最大發(fā)射強度的20%，并 且在600nm處不超過最大發(fā)射強度的10%。各藍光發(fā)射層含有產生藍光的化合物，所述化 合物是指下述物質，所述物質在約420nm 500nm或者在更典型的450nm 490nm的藍色 區(qū)域具有其主要的發(fā)光。兩個藍光發(fā)射層必須含有至少一種彼此不同的材料。理想的是，兩個藍光發(fā)射層 彼此直接接觸，并且藍光發(fā)射層中有一個與黃光發(fā)射層直接接觸。適當的是，兩個藍光發(fā)射 層中有一個含有至少一種非發(fā)光性主體和至少一種藍色發(fā)光化合物。優(yōu)選的是兩個藍光發(fā) 射層可以具有帶有不同藍色發(fā)光化合物的相同主體或共主體，或者兩個藍光發(fā)射層可以具有帶有不同主體或共主體的相同藍色發(fā)光化合物。理想的是在兩個藍色層的每一層中使用 兩種不同的藍色發(fā)光化合物，因為各層的藍色發(fā)射將會不同。這有助于拓寬器件的總體藍 色發(fā)射并改善效率和顏色。特別適于藍色層的主體是蒽衍生物?？稍趦蓚€藍色層中使用相同或不同的蒽衍生 物。特別適于藍色層的共主體是具有空穴輸送性質的那些共主體，例如芳香族三芳基胺。主 體與共主體的比例應為50 50以上，最理想的范圍是95 5 75 25。特別有用的藍 色發(fā)光化合物是二(吖嗪基)氮烯硼絡合物和包括二苯乙烯基芳烴在內的苯乙烯基芳烴。 藍色發(fā)光材料在藍光發(fā)射層中的適當范圍為0. 5體積％ 10體積％。用于第一或第二藍光 發(fā)射層的一種特別理想的組合是蒽主體和作為藍色發(fā)光體的二(吖嗪基)氮烯硼絡合物。 用于第一或第二藍光發(fā)射層的另一種特別理想的組合是蒽主體和作為藍色發(fā)光體的苯乙 烯基胺。本發(fā)明的一個理想的實施方式具有與黃光發(fā)射層直接接觸的第一藍光發(fā)射層，所 述藍光發(fā)射層含有蒽主體、芳香胺共主體和作為藍色發(fā)光體的二(吖嗪基)氮烯硼絡合物， 并且其中，位于第一藍光發(fā)射層上方的第二藍光發(fā)射層含有蒽主體和作為藍色發(fā)光體的苯 乙烯基胺?！吧戏健笔侵傅诙{光發(fā)射層位于第一藍光發(fā)射層的與黃光發(fā)射層相反的一側。圖1顯示的是白色發(fā)光OLED器件100的像素的截面圖。OLED器件100包含基片 110、兩個隔開的電極(陽極120和陰極140)、位于這兩個電極之間的黃光發(fā)射層134和藍 光發(fā)射層136 JPHIL 130、HTL 132和ETL 138，以及為陽極120和陰極140提供電壓的電 源150和電連接體160。發(fā)光層134和136各自產生不同的發(fā)射光譜。圖2顯示的是本發(fā)明的白色OLED器件200的截面圖。其與0LED100相似，但是含 有位于第一藍光發(fā)射層236與ETL 238之間的第二藍光發(fā)射層237。第二藍光發(fā)射層237 含有至少一種不同于第一藍光發(fā)射層236的材料。優(yōu)選的是，236中的產生藍光的化合物 不同于237中的藍色發(fā)光化合物。此外，藍光發(fā)射層236和237具有不同的發(fā)射光譜也是 理想的。另外，OLED器件200除含有電源250和電連接體260之外，還含有HIL 230和HTL 232。如圖2所示，理想的是，第一藍光發(fā)射層236與黃光發(fā)射層234直接接觸，并且第二藍 光發(fā)射層237與第一藍光發(fā)射層236直接接觸。圖3顯示了作為本發(fā)明的一個實施方式的串聯(lián)式OLED器件300。在該實施方式 中，存在第一發(fā)光單元25、中間連接體50和第二發(fā)光單元75。第一發(fā)光單元25含有與第一 藍光發(fā)射層336直接接觸的黃光發(fā)射層334，而第一藍光發(fā)射層336與第二藍光發(fā)射層337 直接接觸。第一發(fā)光單元25還含有HIL 330,HTL 332和ETL 338。第二發(fā)光單元75還含 有ETL 365。OLED器件300還含有基片310、陽極320、陰極370以及電源390和電連接體 385。中間連接體50由以下兩個層構成HIL 340和HTL 345。其它類型的中間連接體也可 以用在本發(fā)明的串聯(lián)式器件中。如本文所述那些發(fā)光層等的發(fā)光層響應于空穴-電子復合而發(fā)光。任何適當的方 法，例如蒸發(fā)、濺射、化學氣相沉積、電化學法或者來自供體材料的輻射熱傳遞等，都可以沉 積所需要的發(fā)光材料?？捎玫挠袡C發(fā)光材料是公知的。如美國專利第4，769，292號和第 5，935，721號中更為全面地描述，OLED器件的發(fā)光層包含發(fā)冷光或熒光的材料，其中由于 電子-空穴對在該區(qū)域中的復合而產生電致發(fā)光。發(fā)光層可以由單一材料構成，但是更常 見的是包含摻雜有客體化合物或摻雜物的主體材料，其中發(fā)光主要來源于摻雜物。選擇摻 雜物以產生具有特定光譜的色光。發(fā)光層中的主體材料可以是電子輸送材料、空穴輸送材
7
料或支持空穴-電子復合的其它材料。摻雜物通常選自高熒光染料，但也可以使用磷光化 合物，例如WO 98/55561,WO 00/1885UW0 00/57676和WO 00/70655中所描述的過渡金屬 絡合物。摻雜物通常以0.01重量％ 10重量％的比例涂布在主體材料中。已知的可使用 的主體和發(fā)光分子包括但不限于美國專利第4，768，292號、第5，141，671號、第5，150，006 號、第 5，151，629 號、第 5，294，870 號、第 5，405，709 號、第 5，484，922 號、第 5，593，788 號、 第 5，645，948 號、第 5，683，823 號、第 5，755，999 號、第 5，928，802 號、第 5，935，720 號、第 5，935，721號和第6，020，078號中公開的那些主體和發(fā)光分子。8-羥基喹啉的金屬絡合物及類似衍生物(式A)構成了一類可用的能夠支持電 致發(fā)光的電子輸送主體材料，并且其特別適于波長大于500nm(例如，綠色、黃色、橙色和紅 色)的發(fā)光。 其中M表示一價、二價或三價金屬；η是1 3的整數；并且Z在每次出現時獨立地表示完成具有至少兩個稠合芳香環(huán)的核的原子。Z完成含有至少兩個稠合芳香環(huán)的雜環(huán)核，所述芳香環(huán)中至少有一個是唑或吖嗪 環(huán)。必要時，可以將其它環(huán)(包括脂肪環(huán)和芳香環(huán))與這兩個必需的環(huán)稠合。為避免增加 分子體積卻沒有改善功能，環(huán)原子的數量通常保持為18以下。氮茚衍生物構成了另一類可用的能夠支持電致發(fā)光的材料，并且特別適于波長 大于400nm(例如，藍色、綠色、黃色、橙色或紅色)的發(fā)光?？捎玫牡岬膶嵗秊?，2 ‘， 2" -(1，3，5-亞苯基)三[1-苯基-IH-苯并咪唑]。本發(fā)明的一個或多個發(fā)光層中的主體材料可以包括蒽衍生物，所述蒽衍生物在9 和10位具有烴取代基或帶取代基的烴取代基。例如，已知某些9，10-二芳基蒽(式B)構成 了一類可用的能夠支持電致發(fā)光的主體材料，并且特別適于波長大于400nm(例如，藍光、 綠光、黃光、橙光或紅光)的發(fā)光。
其中，R1、R2、R3和R4表示在各環(huán)上的一個或多于一個的取代基，其中各取代基各 自選自下組組1 氫或具有1 24個碳原子的烷基；組2 具有5 20個碳原子的芳基或帶取代基的芳基；組3 完成蒽基、芘基或茈基的稠合芳環(huán)所必需的4 24個碳原子；組4:具有完成呋喃基、噻吩基、吡啶基、喹啉基或其它雜環(huán)體系的稠合雜芳環(huán)所 必需的5 24個碳原子的雜芳基或帶取代基的雜芳基；組5 具有1 24個碳原子的烷氧基氨基、烷基氨基或芳基氨基；和組6 氟、氯、溴或氰基。特別有用的是其中R1和R2表示額外芳環(huán)的化合物?？捎玫脑诎l(fā)光層中用作主體 的蒽材料的具體實例包括
B8眾所周知，用作發(fā)光層中的主體或共主體的空穴輸送材料包括如芳香叔胺等化合 物，其中芳香叔胺被認為是含有至少一個僅與碳原子鍵合的三價氮原子的化合物，所述三 價氮原子中的至少一個是芳環(huán)的組成部分。在一種形式下，芳香叔胺可以是芳基胺，例如單 芳基胺、二芳基胺、三芳基胺或多芳基胺。Klupfel等在美國專利第3，180，730號中說明了 示例性的單體三芳基胺。Brantley等在美國專利第3，567，450號和第3，658，520號中公開 了其它合適的三芳基胺，所述三芳基胺取代有一個或多于一個的乙烯基或者包含至少一個 含有活性氫的基團。更優(yōu)選的一類芳香叔胺是如美國專利第4，720，432號和第5，061，569號中所描述 的包含至少兩個芳香叔胺部分的那類芳香叔胺。這些化合物包括由結構式C表示的那些化 合物。 其中Q1和Q2是獨立選擇的芳香叔胺部分；并且G為諸如亞芳基、環(huán)亞烷基或亞烷基等碳_碳鍵連接基團。在一個實施方式中，Q1和Q2中至少有一個含有多環(huán)的稠環(huán)結構，例如萘。當G為 芳基時，合宜的是，其為亞苯基、亞聯(lián)苯基或萘部分?？捎玫囊活惾蓟窛M足結構式C并含有兩個由結構式D表示的三芳基胺部分。 其中R1和R2各自獨立地表示氫原子、芳基或烷基，或者R1和R2共同表示完成環(huán)烷基的 原子；并且R3和R4各自獨立地表示芳基，所述芳基又取代有由結構式E所表示的經二芳基取
代的氨基。 其中，R5和R6是獨立選擇的芳基。在一個實施方式中，R5或R6中至少有一個含有 多環(huán)的稠環(huán)結構，例如萘。另一類芳香叔胺為四芳基二胺。理想的四芳基二胺包含兩個如式E所表示的二芳 基氨基，所述兩個二芳基氨基通過亞芳基相連?？捎玫乃姆蓟钒ㄓ墒紽表示的那些 化合物。其中各Are獨立地選自亞芳基，例如亞苯基或蒽部分；η是1 4的整數；并且Ar、R7、R8和R9是獨立選擇的芳基。在一個典型的實施方式中，Ar、R7, R8和R9中至少有一個為多環(huán)的稠環(huán)結構，例如 前述結構式C、D、E和F的各烷基、亞烷基、芳基和亞芳基部分均可再被取代。典型 的取代基包括烷基、烷氧基、芳基、芳氧基和諸如氟、氯和溴等商素。各烷基和亞烷基部分通 常含有1 約6個碳原子。環(huán)烷基部分可以含有3 約10個碳原子，但是通常含有5、6或 7個碳原子，例如環(huán)戊基、環(huán)己基和環(huán)庚基環(huán)結構。芳基和亞芳基部分通常是苯基和亞苯基 部分。除了上述主體材料之外，綠光發(fā)射層360還包含如下式所表示的2，6- 二氨基蒽發(fā) 光摻雜物 其中，Clpd3 (15和d7 d8可以相同或不同，并各自表示氫或獨立選擇的取代基， 并且各h可以相同或不同，并各自表示一個或多于一個獨立選擇的取代基，條件是兩個取 代基可以結合形成環(huán)基，并且a d、i和j獨立地為0 5。Klubek等在共同轉讓的美國 專利申請第11/668，515號中已描述過這種二氨基蒽，通過援引將其內容并入本說明書中。 理想的是，綠光發(fā)射層360中的主體材料是如上所述的蒽主體。綠光發(fā)射層360可以任選地包含少量藍色發(fā)光化合物作為穩(wěn)定劑。作為較高能量 的摻雜物的藍色發(fā)光化合物的存在為2，6_ 二氨基蒽摻雜物的綠色發(fā)光提供了更高的亮度 穩(wěn)定性，同時保持了綠色發(fā)光摻雜物的良好效率。藍色發(fā)光化合物可以是用于本發(fā)明的藍 光發(fā)射層的下述化合物。例如用在紅色發(fā)光層350中的紅色發(fā)光化合物可包括具有以下結構H的二茚并花 化合物 其中X1 X16獨立地選擇為氫或下述取代基，所述取代基包括具有1 24個碳原子 的烷基；具有5 20個碳原子的芳基或帶取代基的芳基；含有完成一個或多于一個稠合 芳環(huán)或環(huán)體系的4 24個碳原子的烴基；或商素，條件是對這些取代基進行選擇以便提供 560nm 640nm的發(fā)射最大值。 有用的此類紅色摻雜物的說明性實例如Hatwar等在美國專利申請第 2005/0249972號公報中所示，通過援引將其內容并入本說明書中?？捎糜诒景l(fā)明中的其它紅色摻雜物屬于由式I表示的DCM類染料 其中，Y1 Y5表示一個或多于一個獨立地選自以下基團的基團氫、烷基、帶取代 基的烷基、芳基或帶取代基的芳基J1 Y5獨立地包含無環(huán)基團或者可以成對地結合以形 成一個或多于一個的稠環(huán)；條件是Y3和Y5不會共同形成稠環(huán)。在一個可用且便利的提供紅色發(fā)光的實施方式中,Y1 Y5獨立地選自氫、烷基和 芳基。在美國專利申請第2005/0181232號公報中顯示了 DCM類的特別有用的摻雜物的結 構，通過援弓I將其內容并入本說明書中。例如用在黃光發(fā)射層中的發(fā)光黃色化合物可包括具有以下結構的化合物 其中A1～A6 和A'1～Α’6表示在各環(huán)上的一個或多于一個的取代基，并且其中各取代基各自選自以下類別之一類別1 氫或具有1 24個碳原子的烷基
類別2 具有5 20個碳原子的芳基或帶取代基的芳基；類別3 可完成稠合芳環(huán)或環(huán)體系的含有4 24個碳原子的烴；類別4 諸如噻唑基、呋喃基、噻吩基、吡啶基、喹啉基或者其它雜環(huán)體系等具有 5 24個碳原子的雜芳基或帶取代基的雜芳基，這些雜芳基或帶取代基的雜芳基通過單鍵 結合或完成稠合雜芳環(huán)體系；類別5 具有1 24個碳原子的烷氧基氨基、烷基氨基或芳基氨基；或類別6:氟、氯、溴或氰基。特別有用的此類型的黃色摻雜物的實例如Ricks等在美國專利第7，252，893號中 所示。另一類有用的黃色摻雜物如美國專利第6，818，327號所述，并如式J3所示 其中A A”6表示在各環(huán)上的一個或多于一個的取代基，并且其中各取代基各 自選自以下類別之一類別1 氫或具有1 24個碳原子的烷基；類別2 具有5 20個碳原子的芳基或帶取代基的芳基；類別3 可完成稠合芳環(huán)或環(huán)體系的含有4 24個碳原子的烴；類別4 諸如噻唑基、呋喃基、噻吩基、吡啶基、喹啉基或者其它雜環(huán)體系等具有 5 24個碳原子的雜芳基或帶取代基的雜芳基，這些雜芳基或帶取代基的雜芳基通過單鍵 結合或完成稠合雜芳環(huán)體系；類別5 具有1 24個碳原子的烷氧基氨基、烷基氨基或芳基氨基；或類別6:氟、氯、溴或氰基。特別有用的實例是其中A 和A”3為氫并且A”2和A”4選自類別5的那些摻雜 物。如見于藍光發(fā)射層中的藍色發(fā)光化合物可包括具有結構K的二(吖嗪基)氮烯硼 絡合物 其中 A和A’表示獨立的吖嗪環(huán)體系，所述吖嗪環(huán)體系對應于含有至少一個氮的6元芳 香環(huán)體系；(Xa)n和(Xb)m表示一個或多于一個獨立選擇的取代基，并包括無環(huán)取代基，或者結 合起來以形成與A或A’稠合的環(huán)；m禾口 η獨立地為0 4;Za和Zb為獨立選擇的取代基；1、2、3、4、1，、2，、3，和4’獨立地選擇為碳原子或氮原子；并且條件是對^^^廣和？1^』』、^’、？’』，和4’進行選擇以提供藍色發(fā)光。Ricks等(見上)公開了上述種類的摻雜物的一些實例。另一類藍色摻雜物為茈類。特別可用的茈類藍色摻雜物包括茈和四叔丁基茈類 (TBP)。本發(fā)明中另一類特別有用的藍色摻雜物包括如二苯乙烯基苯、苯乙烯基聯(lián)苯和 二苯乙烯基聯(lián)苯等苯乙烯基芳烴和二苯乙烯基芳烴的藍色發(fā)光衍生物，包括美國專利第 5，121，029號中所述的化合物。在提供藍色發(fā)光的這些衍生物中，特別可用的是取代有二芳 基氨基的那些衍生物。其實例包括具有下示通式結構Ll的二 [2-[4-[N，N-二芳基氨基] 苯基]乙烯基]苯
L1 xOnJO
<rNX>具有下示通式結構L2的[N，N- 二芳基氨基][2- [4_ [N, N- 二芳基氨基]苯基]乙 烯基]聯(lián)苯
16 苯基]乙烯基]聯(lián)苯 和具有下示通式結構L3的:
在式Ll L3中，X1 X4可以相同或不同，并各自表示一個或多于一個取代基，例 如烷基、芳基、稠芳基、鹵素或氰基。在一個優(yōu)選實施方式中，Xl X4各自為烷基，各含有 1 約10個碳原子。Ricks等(如上文引用)公開了這一類別的特別優(yōu)選的藍色摻雜物。可用在本發(fā)明中的其它OLED器件層在本領域中已經得到了較詳盡的描述，且 OLED器件200和300以及本說明書中所描述的其它這樣的器件可以包含常用于此類器件的 層。OLED器件通常在基片(例如OLED基片210)上形成。所述基片在本領域中已經得到了 較詳盡的描述。底電極形成在OLED基片210上方，并且最常見的是被構造為陽極220，但本 發(fā)明的實踐不限于這種構造。當透過陽極查看EL發(fā)射時，陽極應該對于所關注的發(fā)射是透 明的，或者是基本上透明的。用于本發(fā)明中的常見透明陽極材料是氧化銦錫(ITO)、氧化銦 鋅(IZO)和氧化錫，但也可以使用其它金屬氧化物，這些金屬氧化物包括但不限于鋁或銦 摻雜的氧化鋅、氧化鎂銦和氧化鎳鎢。除這些氧化物之外，還可以使用諸如氮化鎵等金屬氮 化物、諸如硒化鋅等金屬硒化物和諸如硫化鋅等金屬硫化物作為陽極。對于僅透過陰極電極查看EL發(fā)射的應用，陽極的透射特性并不重要，因此可以使用任何導電材料，而無論其 為透明、不透明或具有反射性與否。用于本發(fā)明的示例性導體包括但不限于金、銥、鉬、鈀和 鉬。典型的陽極材料，無論透射與否，都具有不小于4. OeV的功函數。諸如蒸發(fā)、濺射、化學 氣相沉積或電化學法等任何適當的方法都可以沉積所需的陽極材料。使用公知的光刻方法 可使陽極材料圖案化?？梢栽陉枠O上方形成和設置空穴注入層130或空穴輸送層132。諸如蒸發(fā)、濺射、 化學氣相沉積、電化學法、熱傳遞或來自供體材料的激光熱傳遞等任何適當的方法都可以 沉積所需的空穴輸送材料。用于空穴輸送層中的空穴輸送材料包括上述作為發(fā)光主體的空 穴輸送化合物。電子輸送層238可以含有一種或多于一種金屬螯合化的類羥基喹啉化合物 (metal chelated oxinoid compound)，包括羥基喹啉(oxine)自身(其也常稱作8-喹啉 醇(8-quinolinol)或8_羥基喹啉(8-hydroxyquinoline))的螯合物。其它電子輸送材料 包括如美國專利第4，356，429號中所公開的各種丁二烯衍生物和如美國專利第4，539，507 號中所描述的各種雜環(huán)光學增白劑。氮茚、噁二唑、三唑、吡啶噻二唑、三嗪、菲咯啉衍生物 和一些噻咯(silole)衍生物也是可用的電子輸送材料。最常被構造為陰極240的上電極(upper electrode)在電子輸送層上方形成。如 果器件是頂部發(fā)光的，則該電極必須是透明的或接近透明的。對于這種應用，金屬必須要薄 (優(yōu)選小于25nm)或者必須使用透明導電氧化物(例如氧化銦錫、氧化銦鋅)，或者組合使 用這些材料。美國專利5，776，623中已經較詳細地描述了光學透明的陰極。蒸發(fā)、濺射或 化學氣相沉積可以沉積陰極材料。如果需要，可以通過許多公知的方法來實現圖案化，所述 方法包括但不限于掩模沉積、如美國專利第5，276，380號和EP 0 732 868中所述的整體陰 影掩模(integral shadow masking)、激光燒蝕和選擇性化學氣相沉積。在如本發(fā)明所述的那些OLED器件等OLED器件中，電極中有一個必須能透射可見 光。另一個電極可以是反射性的。例如，在圖3中，陽極是透射性的，而陰極可以具有反射 性。在這種結構中，與第一發(fā)光單元25相比，第二發(fā)光單元75被設置得更靠近反射性電極。 如Boroson等在美國專利申請第2007/0001588號公報中所述，特別有用的是，將紅色至綠 色發(fā)光單元(例如第二發(fā)光單元75)設置在距反射電極60nm 90nm處，將藍色發(fā)光單元 (例如第一發(fā)光單元25)設置在距反射電極150nm 200nm處。OLED器件200和300還可以包含其它層。例如，可以如美國專利第4，720，432號、 美國專利第6，208，075號、EP 0 891 121 Al和EP 1 029 909A1所述，在陽極上方形成空 穴注入層230或330。在陰極與電子輸送層之間還可以存在電子注入層，例如堿金屬或堿土 金屬、堿金屬鹵化物鹽或者堿金屬或堿土金屬摻雜的有機層。用于說明本發(fā)明的具有黃色和藍光發(fā)射層的白色OLED器件的制備如下。在以下 實驗中，在80mA/cm2下于初始亮度降低50% (T50)時進行色移/褪色測量。在褪色過程中 器件保持為室溫。u'和ν'是為發(fā)光顏色設計的CIE 1976色度系統(tǒng)中的色度坐標。CIE 1931中的χ和y坐標向CIE1976中的u'和ν'坐標的轉化根據以下公式進行u' = 4χ/ (_2x+12y+3)和 ν' = 9y/(_2x+12y+3)。Δ CIEx 為 CIEx(初始)-CIEx(老化)。Δ CIEy 為 CIEy(初始)-CIEy(老化)。Au’v’是((u'(初始)-u'(老化))**2+(v'(初始(老 化))**2)的平方根。
實施例1. 1 1. 101.通過在清潔的玻璃基片上濺射沉積氧化銦錫(ITO)，從而形成60nm厚的透明電 極。2.通過真空沉積IOnm厚的六氰基六氮雜苯并菲(CHATP)層作為空穴注入層 (HIL)來進一步處理如上制備的基片。 3.通過真空沉積130nm厚的4，4’ - 二 [N_(l_萘基)_N_苯氨基]聯(lián)苯(NPB)層 作為空穴輸送層(HTL)來進一步處理如上制備的基片。4.通過真空沉積20nm厚的黃光發(fā)射層來進一步處理如上制備的基片，所述黃光 發(fā)射層包含49. 5%的NPB (作為主體)和49. 5%的作為共主體的9_(1_萘基)_10-(2_萘 基)蒽(Bll)以及的橙黃色發(fā)光摻雜物二苯基四叔丁基紅熒烯(PTBR)。 5.通過真空沉積50nm厚的藍光發(fā)射層(藍色LEL1)來進一步處理如上制備的基 片，所述藍光發(fā)射層(藍色LEL1)包含97%的B 11主體和3% nm的作為藍色發(fā)光摻雜物 的 BED-I。
6.真空沉積20nm厚的混合電子輸送層，所述混合電子輸送層包含48%的4，7_苯基-1，10-菲咯啉(也稱為bathophen或Bphen)和48%的作為共主體的三(8-羥基喹 啉)鋁(HI) (ALQ)及2%的Li金屬。7.向基片上蒸發(fā)沉積IOOnm厚的鋁層，以形成陰極層。上述程序完成了 EL器件的沉積。然后在干燥手套箱中將器件密封包裝，以保護其 免受周圍環(huán)境的影響。以與實施例1. 1相似的方式制備比較例1. 2，不同之處在于，步驟5中藍色LELl為 40nm厚，并且步驟7中ETL為30nm厚。以與實施例1.2相似的方式制備比較例1.3，不同之處在于，步驟5中LELl由92% 的Bll主體、7%的NPB共主體和1 %的BED-2構成 以與實施例1.2相似的方式制備發(fā)明例1.4，不同之處在于，步驟5中藍色LELl 為20nm厚，并且步驟6中在藍色LELl與ETL之間沉積20nm厚的第二藍光發(fā)射層(藍色 LEL2)，該LEL2由92 %的Bl 1主體、7 %的NPB共主體和1 %的BED-2構成。以與實施例1. 4相似的方式制備發(fā)明例1. 5，不同之處在于，步驟3的HTL為140nm厚。以與實施例1. 3相似的方式制備發(fā)明例1. 6，不同之處在于，20nm厚的第二藍光發(fā) 射層(藍色LEL2)由85%的Bll主體、14%的NPB共主體和的BED-2構成。以與實施例1.3相似的方式制備發(fā)明例1.7，不同之處在于，藍色LELl被減小為 20nm，并且步驟6中在藍色LELl與ETL之間沉積有由97%的Bll主體和3%的BED-I構成 的20nm厚的第二藍光發(fā)射層(藍色LEL2)。以與實施例1. 7相似的方式制備發(fā)明例1. 8，不同之處在于，步驟3的HTL為140nm厚。以與實施例1. 7相似的方式制備發(fā)明例1. 9，不同之處在于，20nm厚的第二藍光發(fā) 射層(藍色LEL2)由94%的Bll主體、3%的NPB共主體和3%的BED-I構成。以與實施例1.7相似的方式制備發(fā)明例1. 10，不同之處在于，藍色LELl由85%的 Bl 1、14%的NPB共主體和的BED-2構成。以與實施例1. 1相似的方式制備比較例1. 11，不同之處在于，步驟4的黃光發(fā)射層 中的材料水平為33 %的NPB、65 %的Bl 1和2 %的PTBR ；并且在步驟4與步驟5的藍色LELl 之間加入IOnm厚的由25%和75%的Bll構成非發(fā)光性緩沖層，步驟5的藍色LELl的厚度 減小為30nm。在20mA/cm2的工作電流密度下測試由此形成的器件的發(fā)光效率、驅動電壓和初始 CIEx,y值，結果如表1中所列。老化后的顏色偏移記錄在表2中。表1 器件1. 1 1. 10的初始性能0156]實施例電壓效率(cd/A)0157]1.1 (比較例)7. 111. 00158]1.2(比較例)6. 710. 80159]1.3(比較例)6. 57. 70160]1.4(發(fā)明例)6. 19. 70161]1.5(發(fā)明例)5. 99. 50162]1.6(發(fā)明例)6. 09. 30163]1.7(發(fā)明例)5. 47. 90164]1.8(發(fā)明例)5. 48. 00165]1.9(發(fā)明例)5. 58. 00166]1.10(發(fā)明例)5. 06. 30167]1.11(比較例)5. 18. 00168]表2 器件1. 1 ‘ 1. 10老化時的色移0169]初始的初始的老化的老化的0170]實施例ACIExACIEyAu，V，0171]CIExCIEyCIExCIEy0172]1.1(比較例)0. 2840. 2890.3140.3150.0300.0260.0230173]1.2(比較例)0. 2940. 2990.3240.3240.0300.0250.0220174]1.3(比較例)0. 2720. 2590.3120.3000.0400.0400.0350175]1.4(發(fā)明例)0. 2790. 2860.3090.3120.0300.0260.0240176]1.5(發(fā)明例)0. 2640. 2710.2940.2990.0290.0280.0250177]1.6(發(fā)明例)0. 2790. 2830.3050.3080.0270.0240.0210178]1.7(發(fā)明例)0. 2720. 2590.2970.2870.0250.0280.0230179]1.8(發(fā)明例)0. 2730. 2600.2910.2820.0180.0220.0180180]1.9(發(fā)明例)0. 2730. 2610.2970.2890.0250.0280.0230181]1.10(發(fā)明例)0. 2180. 2140.2460.2440.0280.0300.0310182]1.11(比較例)0. 2390. 2380.3100.3010.0710.0630.0620183]表2中，相對于一直接比較例1. 2，在藍色層中使用BED--1的實施例1.4 1.6在老
化時的色移方面沒有顯示出很大的改善。但是，這些實施例顯示了較低的電壓。相對于直 接比較例1. 3，在藍色層中使用BED-2的實施例1. 7 1. 10在老化時的色移方面顯示出改 善。相對于在藍色與黃光發(fā)射層之間含有非發(fā)光性緩沖層的比較例1. 11，所有發(fā)明例都顯 示了改善的性能。實施例2.1 2. 51.通過在清潔的玻璃基片上濺射沉積氧化銦錫(ITO)，以形成60nm厚的透明電 極。2.通過真空沉積IOnm厚的六氰基六氮雜苯并菲(CHATP)層作為空穴注入層 (HIL)來進一步處理如上制備的基片。3.通過真空沉積130nm厚的4，4' -二 [N-(1_萘基)-N-苯氨基]聯(lián)苯(NPB)層 作為空穴輸送層(HTL)來進一步處理如上制備的基片。
4.通過真空沉積20nm厚的黃光發(fā)射層來進一步處理如上制備的基片，所述黃光 發(fā)射層包含34%的NPB (作為主體)和64%的作為共主體的9-(1_萘基)-10-(2-萘基) 蒽(Bll)以及2%的橙黃色發(fā)光摻雜物二苯基四叔丁基紅熒烯(PTBR)。5.通過真空沉積IOnm厚的25%的NPB和75%的Bll的非發(fā)光性緩沖層來進一步 處理如上制備的基片。6.通過真空沉積30nm厚的藍光發(fā)射層(藍色LEL1)來進一步處理如上制備的基 片，所述藍光發(fā)射層(藍色LEL1)包含97%的Bll主體和3% nm的作為藍色發(fā)光摻雜物的 BED-I。7.真空沉積40nm厚的混合電子輸送層，所述混合電子輸送層包含48%的4，7-二 苯基-1，10-菲咯啉(也稱為bathophen或Bphen)和48%的作為共主體的三(8-羥基喹 啉)鋁(HI) (ALQ)及2%的Li金屬。8.向基片上蒸發(fā)沉積IOOnm厚的鋁層，以形成陰極層。上述程序完成了 EL器件的沉積。然后在干燥手套箱中將器件密封包裝，以保護其 免受周圍環(huán)境的影響。以與實施例2. 1相似的方式制備發(fā)明例2. 2，不同之處在于，不存在步驟5的緩沖 層，步驟6的LELl為15nm厚，并且由88 %的Bl 1、7 %的NPB和5 %的BED-I構成，并且在藍 色LELl與步驟7的ETL之間沉積15nm厚的由99%的Bl 1主體和1 %的BED-2構成的第二 藍光發(fā)射層(藍色LEL2)。以與實施例2. 2相似的方式制備發(fā)明例2. 3，不同之處在于，藍色LELl由85%的 Bl 1、10%的 NPB 禾口 5%的 BED-I 構成。以與實施例2. 3相似的方式制備發(fā)明例2. 4，不同之處在于，藍色LEL2由97%的 Bll主體、3%的BED-I和的BED-2構成。以與實施例2. 3相似的方式制備發(fā)明例2. 5，不同之處在于，將藍色LELl增加至 20nm,并且將藍色LEL2增加至20nm。在20mA/cm2的工作電流密度下測試由此形成的器件的發(fā)光效率、驅動電壓和初始的 CIEx,y值，結果如表3中所列。老化后的色移記錄在表4中。
表3 器件2. 1 2. 5的初始性能
實施例電壓效率(cd/A)
2. 1 (比較例)5. 18. 0
2.2(發(fā)明例)4. 68. 2
2.3(發(fā)明例)4. 67. 8
2.4(發(fā)明例)4. 57. 5
2.5(發(fā)明例)5. 08. 2
表4 器件2. 1 2. 5老化時的色移
初始的初始的老化的老化的
實施例ACIExACIEyAu，V，
CIExCIEy CIEx CIEy
2.1(比較例)0. 2400. 257 0. 298 0. 303 0. 0580. 0470. 047
2.2(發(fā)明例)0. 2450. 245 0. 278 0. 277 0. 0330. 0320. 031
2.3(發(fā)明例) 0.240 0.237 0.278 0.274 0.038 0.037 0.0362.4(發(fā)明例) 0.243 0.248 0.276 0.277 0.033 0.029 0.0292.5(發(fā)明例) 0.229 0.228 0.261 0.260 0.032 0.033 0.032結果顯示，相對于僅具有一個藍色層的比較例，具有兩個藍色層的發(fā)明性器件，其 老化后的色移得到了顯著改善。實施例3.1 3. 3通過重復針對器件2. 1所描述的步驟1 7然后加入以下層而制備串聯(lián)式OLED 器件。8.真空沉積IOnm厚的CHATP層作為第二 HIL，其是中間連接體層的一部分。9.真空沉積5nm厚的NPB層作為第二 HTL，其是中間連接體層的一部分。10.真空沉積 16nm 厚的由 74. 75% 的 NPB、24. 75% 的 NPB 和 0. 5% 的 RD-1 (結構
如下)構成的紅色發(fā)光層。 11.通過真空沉積4nm厚的包含24%的NPB、74%的Bll和2%的PTBR的黃光發(fā)
射層來進一步處理如上制備的基片。12.接下來，真空沉積40nm厚的含有94%的作為主體的B10、5%的GED-I綠色摻 雜物和的BED-2的綠光發(fā)射層。
23 13.真空沉積40nm厚的混合電子輸送層，所述混合電子輸送層包含48%的Bphen、 48%的ALQ和2%的Li金屬。14.向基片上蒸發(fā)沉積IOOnm厚的鋁層，以形成陰極層。上述程序完成了比較用EL器件3. 1的沉積。然后在干燥手套箱中將器件密封包 裝，以保護其免受周圍環(huán)境的影響。以與實施例3. 1相似的方式制備比較例3. 2，不同之處在于，步驟3的HTL層為 140nm厚，步驟4的黃光發(fā)射層為49%的NPB、49%的Bll及1 %的PTBR，省略掉步驟5的緩 沖層，并且步驟6的藍光發(fā)射層(藍色LEL1)為95%的Bll主體和5%的作為藍色發(fā)光摻 雜物的BED-I。以與實施例3. 2相似的方式制備發(fā)明例3. 3，不同之處在于，在步驟4的黃光發(fā)射 層與步驟6的具有97%的Bll主體和3%的BED-I的第一藍光發(fā)射層(藍色LEL1)之間， 加入20nm厚的由89%的Bll、10%的NPB和l%的BED-2構成的第二藍光發(fā)射層(藍色 LEL2)，并將所述第一藍光發(fā)射層的厚度調節(jié)為lOnm。在20mA/cm2的工作電流密度下測試由此形成的器件的發(fā)光效率、驅動電壓和初始的 CIEx,y值，結果如表5中所列。老化后的色移記錄在表6中。
表5 器件3. 1 3. 3的初始性能
實施例電壓效率(cd/A)
3. 1 (比較例)9. 624. 2
3.2(比較例)10. 125. 0
3.3(發(fā)明例)9. 321. 4
表6 器件3. 1 3. 3老化時的色移
初始的初始的老化的老化的
實施例ACIExΔ CIEy Δu*v*
CIExCIEyCIEx CIEy
3.1(比較例)0. 3240. 3990. 354 0. 4100. 0300.011 0.017
3.2(比較例)0. 3160. 3940. 339 0. 4020. 0220. 008 0. 013
3.3(發(fā)明例)0. 3230. 3950. 334 0. 3920.010-0· 003 0. 007
結果顯示，相對于僅具有一個藍色層的比較例，具有兩個藍色層的發(fā)明性器件，其
老化后的色移得到了顯著改善。
實施例4. 1 4. 3
24
以與實施例3. 1相似的方式制備比較用串聯(lián)式OLED器件4. 1，不同之處在于，步驟 6的藍色LELl中的BED-I水平為5%并且Bll水平為95%。以與實施例4. 1相似的方式制備發(fā)明性OLED器件4. 2，不同之處在于，省略掉步 驟5中的緩沖層，步驟6中的藍色LELl為85%的BllUO%的NPB和5%的BED-I，并將其 厚度調節(jié)為20nm，并且在步驟6的藍色LELl與步驟7的ETL之間加入20nm厚的具有99% 的Bll和1 %的BED-2的第二藍光發(fā)射層(藍色LEL2)。以與實施例4. 2相似的方式制備發(fā)明性OLED器件4. 3，不同之處在于，將藍色 LELl和藍色LEL2的厚度均調節(jié)為15nm。在20mA/cm2的工作電流密度下測試由此形成的器件的發(fā)光效率、驅動電壓和初始的 CIEx,y值，結果如表7中所列。老化后的色移記錄在表8中。
表7 器件4. 1 4. 3的初始性能
實施例電壓效率(cd/A)
4. 1 (比較例)9. 022. 6
4.2(發(fā)明例)9. 122. 5
4.3(發(fā)明例)8. 720. 4
表8 器件4. 1 4. 3老化時的色移
實施例初始的初始的老化的老化的ACIEx ACIEyΔιι*ν*
CIExCIEyCIEx CIEy
4. 1 (比較例)0. 3290. 3520. 363 0. 3830. 035 0. 0310. 022
4.2(發(fā)明例)0. 3200. 3500. 344 0. 3730. 024 0. 0220.016
4.3(發(fā)明例)0. 3180. 3440. 344 0. 3690. 026 0. 0250.018
結果顯示，相對于僅具有一個藍色層的比較例，具有兩個藍色層的發(fā)明性器件，其
老化后的色移得到了顯著改善。零部件列表
25第一電致發(fā)光單元(ELU)
50中間連接體
75第二電致發(fā)光單元(ELU)
100OLED器件
110基片
120陽極
130空穴注入層(HIL)
132空穴輸送層(HTL)
134黃光發(fā)射層(Y LEL)
136藍光發(fā)射層(B LEL1)
138電子輸送層(ETL)
140陰極
150電源
160電連接體
200OLED器件
210基片
220陽極
230空穴注入層(HIL)
232空穴輸送層(HTL)
234黃光發(fā)射層(Y LEL)
236第一藍光發(fā)射層(B LEL1)
237第二藍光發(fā)射層(B LEL2)
238電子輸送層(ETL)
240陰極
250電源
260電連接體
300串聯(lián)式OLED器件
310基片
320陽極
330第一 ELU的空穴注入層(HIL)
332第一 ELU的空穴輸送層(HTL)
334第一 ELU的黃光發(fā)射層(Y LEL)
336第一 ELU的第一藍光發(fā)射層(B
337第一 ELU的第二藍光發(fā)射層(B
338第一 ELU的電子輸送層(ETL)
340連接體HIL
345連接體HTL
350第二 EL的紅色發(fā)光層
355第二 EL的黃光發(fā)射層
360第二 EL的綠光發(fā)射層
365第二 EL的ETL
370陰極
385電連接體
390電源
23/23頁
2權利要求
一種有機白光發(fā)射器件，所述器件包含(a)基片；(b)彼此隔開的陽極和陰極；(c)包含用于發(fā)射黃光的黃色摻雜物的發(fā)光層；和(d)第一和第二藍光發(fā)射層，各藍光發(fā)射層與另一藍光發(fā)射層相比具有至少一種不同的材料。
2.如權利要求1所述的有機白光發(fā)射器件，其中，所述第一藍光發(fā)射層與黃光發(fā)射層 直接接觸，并且所述第二藍光發(fā)射層位于所述第一藍光發(fā)射層上方。
3.如權利要求1所述的有機白光發(fā)射器件，其中，由所述第一藍光發(fā)射層和第二藍光 發(fā)射層發(fā)射的藍光具有彼此不同的發(fā)射光譜。
4.如權利要求2所述的有機白光發(fā)射器件，其中，由所述第一藍光發(fā)射層和第二藍光 發(fā)射層發(fā)射的藍光具有彼此不同的發(fā)射光譜。
5.如權利要求2所述的有機白光發(fā)射器件，其中，所述第一藍光發(fā)射層材料包含主體 空穴輸送材料和藍色摻雜物。
6.如權利要求5所述的有機白光發(fā)射器件，其中，所述黃光發(fā)射層包含主體空穴輸送 材料和黃色摻雜物。
7.如權利要求5所述的有機白光發(fā)射器件，其中，所述第一藍光發(fā)射層還包含蒽衍生 物主體材料。
8.如權利要求7所述的有機白光發(fā)射器件，其中，所述第一藍光發(fā)射層中的所述藍色 摻雜物為如式K所示的二(吖嗪基)氮烯硼絡合物 其中A和A’表示獨立的吖嗪環(huán)體系，所述吖嗪環(huán)體系對應于含有至少一個氮的6元芳香環(huán) 體系；(Xa)n和(Xb)m表示一個或多于一個的獨立選擇的取代基，并包括無環(huán)取代基，或者結合 起來以形成與A或A’稠合的環(huán)； m和η獨立地為0 4 ； Za和Zb為獨立選擇的取代基；1、2、3、4、1，、2，、3，和4’獨立地選擇為碳原子或氮原子；并且 條件是對Xa、Xb、Za和Zb、1、2、3、4、1’、2 ’、3 ’和4 ’進行選擇以提供藍色發(fā)光。
9.如權利要求8所述的有機白光發(fā)射器件，其中，所述第二藍光發(fā)射層中的所述藍色 摻雜物選自⑴二 [2-[4-[N，N- 二芳基氨基]苯基]乙烯基]苯；( ) [N, N- 二芳基氨基][2-[4-[N, N- 二芳基氨基]苯基]乙烯基]聯(lián)苯；和(iii) 二 [2-[4-[N，N-二芳基氨基]苯基]乙烯基]聯(lián)苯。
10.如權利要求6所述的有機白光發(fā)射器件，其中，所述黃光發(fā)射層還包含蒽衍生物主體材料。
11.一種串聯(lián)式有機白光發(fā)射器件，所述器件包含(a)基片、彼此隔開的陽極和陰極、設置于所述陽極與所述陰極之間的兩個或多于兩個 的發(fā)光單元，以及設置于所述兩個或多于兩個的發(fā)光單元之間的中間連接體；并且(b)所述發(fā)光單元中至少有一個具有(i)包含用于發(fā)射黃光的黃色摻雜物的發(fā)光層；和( )第一和第二藍光發(fā)射層，各藍光發(fā)射層與另一藍光發(fā)射層相比具有至少一種不同 的材料。
12.如權利要求11所述的有機白光發(fā)射器件，其中，所述第一藍光發(fā)射層與所述黃光 發(fā)射層直接接觸，并且所述第二藍光發(fā)射層位于所述第一藍光發(fā)射層上方。
13.如權利要求11所述的有機白光發(fā)射器件，其中，由所述第一藍光發(fā)射層和第二藍 光發(fā)射層發(fā)射的藍光具有彼此不同的發(fā)射光譜。
全文摘要
一種有機白光發(fā)射器件，所述器件包含基片；彼此隔開的陽極和陰極；包含用于發(fā)射黃光的黃色摻雜物的發(fā)光層；和第一和第二藍光發(fā)射層，各藍光發(fā)射層與另一藍光發(fā)射層相比具有至少一種不同的材料。
文檔編號H01L51/52GK101919083SQ200880124469
公開日2010年12月15日 申請日期2008年12月1日 優(yōu)先權日2007年12月11日
發(fā)明者圖卡拉姆·姬珊·哈特瓦爾, 杰弗里·保羅·斯皮德勒 申請人:全球Oled科技有限責任公司