專利名稱：半導體器件及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明總的來說涉及半導體器件和其中可以精確地確定半導體器件的規(guī)格并可 以增大半導體器件的測試精度的半導體器件制造方法。
背景技術：
當測試半導體器件的內部電路時，必須在半導體器件中提供用于輸入測試半導體 器件所需的信號的焊盤(pad)和/或外部端子。但是，當焊盤的數目增加時，半導體器件的 芯片面積增加，另外，當外部端子的數目進一步增加時，在某些情況下，半導體器件的封裝 必須大，且這些因素嚴重影響包括半導體器件的產品的成本和尺寸。就是說，期望僅用于測 試半導體器件的信號的焊盤的數目和外部端子的數目盡可能地小。因此，當內部電路的信號不直接連接到焊盤且需要測試外部端子時，獲得從現有 焊盤和端子輸出的信號，且已經估計了內部電路的信號的狀態(tài)。例如，在如圖3所示的恒壓電路中，基于輸出電流Io在正常操作模式和節(jié)能操作 模式之間切換操作模式。如圖3所示，恒壓電路提供總是操作的第一誤差放大電路11和僅在正常操作模式 操作的第二誤差放大電路12。第一誤差放大電路11是其響應速度低但是消耗電流小的放大電路，而第二誤差 放大電路12是其響應速度快但是消耗電流大的放大電路。第一和第二誤差放大電路11和 12的輸入端子彼此連接，且第一和第二誤差放大電路11和12的輸出端子彼此連接。在第 一和第二誤差放大電路11和12中，將參考電壓Vref施加到反向輸入端，將其中輸出電壓 Vo由電阻器Rll和R12分壓的電壓Vfb施加到正向輸入端，且各輸出端連接到輸出晶體管 Mll的柵極。第二誤差放大電路12進一步提供控制輸入端。第二誤差放大電路12提供切換其 自己的操作模式的內置切換電路，且切換電路與施加到控制輸入端的信號對應地控制第二 誤差放大電路12的操作模式。來自OR電路13的輸出被輸入到控制輸入端。當輸入到控制輸入端的信號是低電 平時，第二誤差放大電路12停止操作，且消耗電流基本上變?yōu)?安培。另外，當輸入到控制 輸入端的信號是高電平時，第二誤差放大電路12操作，且消耗電流基本上成為正常值。OR電路13的第一輸入端連接到模式選擇焊盤MODE且還經由電阻器R14連接到地 電位。因此，當沒有將信號施加到模式選擇焊盤MODE時，OR電路13處于低電平。另外，OR 電路13的第二輸入端連接到反相器15的輸出端。切換信號生成電路由PMO晶體管M12、電阻器R13以及反相器14和15形成。電流鏡電路由PMOS晶體管M12和輸出晶體管Mll形成。將輸出電流Io檢測為 PMOS晶體管M12的漏極電流Idl2，且連接在PMOS晶體管M12的漏極和地電位之間的電阻 器R13將漏極電流Idl2轉換為電壓。當經轉換的電壓小于反相器14的閾值電壓時，來自反相器14的輸出成為高電平，而來自反相器15的輸出成為低電平，且對OR電路13的第二輸入端的輸入成為低電平。當 未將信號輸入到模式選擇焊盤MODE時，輸入到OR電路13的第一輸入端的信號是低電平； 因此，來自OR電路13的輸出是低電平，且輸入到第二誤差放大電路12的控制輸入端的信 號成為低電平。然后，第二誤差放大電路12停止操作并進入節(jié)能操作模式。當轉換的電壓大于等于反相器14的閾值電壓時，來自反相器15的輸出成為高電 平，且輸入到第二誤差放大電路12的控制輸入端的信號經由OR電路13成為高電平；因此， 第二誤差放大電路12操作并進入正常操作模式。因為輸入到反相器14的電壓是滯后電壓，因此當節(jié)能操作模式切換到正常操作 模式時的閾值電壓被確定為高于當正常操作模式切換到節(jié)能操作模式時的閾值電壓。藉 此，防止在切換操作模式時的抖動。另外，在恒壓電路中，當將高電平的信號輸入到模式選擇焊盤MODE時，來自OR電 路13的輸出總是高電平；因此，第二誤差放大電路12進入正常操作模式而無論來自反相器 15的輸出如何。當由切換信號生成電路切換操作模式時，在等式⑴中示出輸出電流Ιο。Io = Vth/(KXR13) (1)其中，Vth是反相器14的閾值電壓，“K”是PMOS晶體管M12和輸出晶體管Mll之 間的鏡像比率(Idl2/Io)，且R13是電阻器R13的電阻值。在等式(1)中的Vth、K和R13的值在制造半導體器件時分別是分散(disperse) 的；因此，為了精確地確定切換操作模式時輸出電流Io的值，通過微調(trimming)來調整 等式(1)中的電阻值R13。具體地說，在輸出電流Io增加或減少的同時，在切換操作模式時 測量輸出電流Io，且根據所測量的輸出電流Io計算電阻器R13的微調量。但是，來自反相器15(其輸出用于切換操作模式的內部切換信號)的輸出不連接 到焊盤和/或外部端子。因此，為了獲得是否切換操作模式，由第二誤差放大電路12的操 作檢測半導體器件的消耗電流的輕微的增大。但是，消耗電流的增大是總消耗電流的非常 小的量；因此，難以測量切換操作模式時的輸出電流Io，且需要精度高的高成本測試儀器。當提供僅用于獲得從反相器15輸出的內部切換信號的焊盤和/或外部端子時，由 于可以將操作模式的切換提取為邏輯電平信號并進行測試，因此可以通過使用低成本儀器 精確地測量切換操作模式時的輸出電流Ιο。但是，如上所述，由于在測試期間僅使用內部切 換信號，因此僅用于測試的焊盤和/或外部端子不期望地影響產品的成本和尺寸。為了解決上述問題，傳統(tǒng)上，已經嘗試了測試端子數目的減少。例如，在專利文件 1的方法中，半導體器件的內部電路的信號被輸出到與第一電路的輸出連接的焊盤，且來自 要測試其輸出的第二電路的輸出經由熔絲連接到焊盤。在第二電路的測試期間，使得來自 第一電路的輸出為高阻抗，且當完成第二電路的測試時，切斷熔絲。專利文件1日本待審查專利公開No. 2006-313797但是，在專利文件1中，僅當第一電路和第二電路不同時操作，且在第二電路的操 作期間可以使得來自第一電路的輸出為高阻抗時，可以操作該方法。

發(fā)明內容
在本發(fā)明的實施例中，提供了半導體器件(向所述半導體器件輸入內部切換信號
5和外部切換信號)和其中可以通過精確地檢測內部切換信號的操作來精確地確定模式切 換條件的半導體器件的制造方法。為實現這些和其它優(yōu)點中的一個或多個，根據本發(fā)明的一個方面，提供了具有第 一操作模式和第二操作模式的半導體器件。該半導體器件包括切換信號生成電路，其輸出 用于當操作狀態(tài)滿足預定條件時在第一操作模式和第二操作模式之間切換操作模式的內 部切換信號；模式選擇焊盤，能夠選擇第一操作模式的外部切換信號比內部切換信號優(yōu)先 地輸入該模式選擇焊盤；和切換電路，其基于外部切換信號或內部切換信號在第一操作模 式和第二操作模式之間切換操作模式。來自切換信號生成電路的輸出經由微調熔絲輸入到 模式選擇焊盤。根據本發(fā)明的另一方面，提供了具有第一操作模式和第二操作模式的半導體器件 的制造方法。該半導體器件包括切換信號生成電路，其輸出用于當操作狀態(tài)滿足預定條件 時在第一操作模式和第二操作模式之間切換操作模式的內部切換信號；模式選擇焊盤，能 夠選擇第一操作模式的外部切換信號比內部切換信號優(yōu)先地輸入該模式選擇焊盤；和切換 電路，其基于外部切換信號或內部切換信號在第一操作模式和第二操作模式之間切換操作 模式。來自切換信號生成電路的輸出經由微調熔絲輸入到模式選擇焊盤。該制造方法在模 式切換焊盤處測試內部切換信號的狀態(tài)。根據本發(fā)明的實施例，可以將在正常操作模式和節(jié)能操作模式之間的切換測試為 來自模式選擇焊盤的邏輯電平的信號。因此，當切換操作模式時可以精確地測量輸出電流 的值。因此，可以通過微調精確地確定用于確定電流的電阻器的電阻值，且可以精確地確定 當切換操作模式時輸出電流的值。另外，由于可以使用低成本測試儀器，因此可以減少制造 過程中的成本。另外，在包括具有PWM操作模式和PFM操作模式的開關穩(wěn)壓器電路的半導體器件 中，當切換操作模式時可以精確地測量輸出電流的電流值，且可以通過微調精確地改變電 流確定電壓源的電壓值，且可以在切換操作模式時精確地確定輸出電流的值。通過下面參考附圖給出的優(yōu)選實施例的詳細說明，本發(fā)明的特征和優(yōu)點將更加清
林 疋。


圖1是示出根據本發(fā)明第一實施例的恒壓電路的電路示意圖；圖2是示出根據本發(fā)明第二實施例的開關穩(wěn)壓器電路的電路示意圖；圖3是示出現有的恒壓電路的電路示意圖。
具體實施例方式參考附圖，詳細描述本發(fā)明的實施例。第一實施例圖1是示出根據本發(fā)明第一實施例的恒壓電路的電路示意圖。當將根據本發(fā)明第 一實施例的恒壓電路與圖3所示的現有恒壓電路進行比較時，根據本發(fā)明第一實施例的恒 壓電路包括在OR電路13的第一輸入端和第二輸入端之間的微調熔絲F11。由于上面在背 景技術中已經描述了恒壓電路的操作，因此主要描述微調熔絲Fll的操作。
另外，在圖1中，當元件與圖3中所示的元件類似或相同時，將與圖3所示的附圖 標記相同的附圖標記(符號)用于該元件。在當在節(jié)能操作模式和正常操作模式之間切換操作模式時測試輸出電流Io的情 況下，不將信號輸入到模式選擇焊盤MODE，并將電壓表連接到模式選擇焊盤MODE，且輸出 電流Io增大或減小。切換信號生成電路由PMOS晶體管M12、電阻器R13以及反相器14和15形成。來 自反相器15的輸出(其是來自切換信號生成電路的輸出且是內部切換信號)經由微調熔 絲Fl 1輸入到模式選擇焊盤MODE。因此，可以通過測量模式選擇焊盤MODE的電壓來檢測操 作模式的切換。另外，由于模式選擇焊盤MODE的電壓改變是邏輯電平，因此可以由低成本 電壓表確定地測量電壓改變。因此，可以精確地測量當切換操作模式時的輸出電流Io，且可 以精確地計算用于確定切換操作模式的輸出電流Io的值的電阻器R13的微調量。在確認通過微調電阻器R13的電阻值，而輸出電流Io變?yōu)樵谇袚Q操作模式時的預 定值的情況下，通過輻射激光束等切斷微調熔絲F11。在切斷微調熔絲Fll之后，本實施例的恒壓電路變?yōu)榕c圖3所示的現有恒壓電路 相同；因此，可以由來自模式選擇焊盤MODE的信號選擇操作模式。就是說，當未將信號輸入 到模式選擇焊盤MODE或輸入到模式選擇焊盤MODE的外部切換信號是低電平時，與其中自 動切換節(jié)能操作模式和正常操作模式的內部切換信號對應地選擇自動切換模式，且當外部 切換信號是高電平時，選擇正常切換模式而不論內部切換信號的狀態(tài)如何。如上所述，根據本發(fā)明的第一實施例，可以將在正常操作模式和節(jié)能操作模式之 間的切換測試為來自模式選擇焊盤MODE的邏輯電平的信號。因此，可以在切換操作模式時 精確地測量輸出電流Io的值。因此，可以通過微調精確地確定電阻器R13的電阻值，且可以 精確地確定切換操作模式時的輸出電流Io的值。進一步，由于可以使用低成本測試儀器， 因此可以減少制造過程中的成本。第二實施例圖2是示出根據本發(fā)明第二實施例的開關穩(wěn)壓器電路的電路示意圖。該開關穩(wěn)壓 器電路提供PWM(脈寬調制)系統(tǒng)中的PWM操作模式，以及PFM(脈頻調制)系統(tǒng)中的PFM 操作模式。在PWM操作模式中，以預定周期重復開關晶體管M21的導通和截止，且與輸出電壓 Vo的改變對應地控制開關晶體管M21的導通時間。在PWM系統(tǒng)中，切換損失變大；但是，可 以執(zhí)行高速響應，且當輸出電流Io大時可以維持電源效率高。在PFM操作模式中，通過改變控制開關晶體管M21的導通和截止的頻率來使得輸 出電壓Vo穩(wěn)定。在本實施例中，使得PWM操作模式期間的導通周期是任意間歇的，且執(zhí)行 PFM系統(tǒng)。由于開關晶體管M21的導通和截止次數減少，因此可以減少在導通/截止時產生 的切換損失，且即使輸出電流Io小也可以增大電源效率；但是，當負載改變時響應速度變慢。如圖2所示，根據本發(fā)明第二實施例的開關穩(wěn)壓器電路包括參考電壓源Vref、誤 差放大電路21、PWM比較器22、振蕩電路23 (OSC)、輸出控制電路24、開關晶體管M21、同步 整流晶體管M22、電感器L21、輸出電容器C21、電阻器R21、R22和R23、比較器25、電壓源 Vs (電流確定電壓源)、0R電路26、PWM/PFM切換電路27、微調熔絲F21、電源端子Vdd、地電位端子Vss、輸出端子OUT和模式選擇焊盤MODE。將參考電壓源的電壓Vref輸入到誤差放大電路21的正相輸入端，且將其中輸出 電壓Vo由電阻器R21和R22分壓的電壓Vfb輸入到誤差放大電路21的反相輸入端。將來自誤差放大電路21的輸出輸入到PWM比較器22的反相輸入端并輸入到比較 器25的正相輸入端。將從OSC 23輸出的三角脈沖信號輸入到PWM比較器22的正相輸入 端。將來自PWM比較器22的輸出輸入到輸出控制電路24。輸出控制電路24將柵極控制信 號輸出到開關晶體管M21和同步整流晶體管M22。開關晶體管M21是PMOS晶體管，其源極連接到電源端子Vdd且其漏極連接到作為 NMOS晶體管的同步整流晶體管M22的漏極與電感器L21的一端的連接點。同步整流晶體管 M22的源極連接到地電位端子Vss。電感器L21的另一端連接到輸出端子OUT。輸出電容器C21連接在輸出端子OUT 和地電位端子Vss之間。比較器25和電壓源Vs形成切換信號生成電路。電壓源Vs的電 壓被施加到比較器25的反相輸入端。比較器25輸出內部切換信號，且將內部切換信號輸 入到OR電路26的第一輸入端。OR電路26的第二輸入端連接到模式選擇焊盤MODE，且還經由電阻器R23接地。因 此，當未將信號輸入到模式選擇焊盤MODE時，模式選擇焊盤MODE處于低電平。進一步，微 調熔絲F21連接在OR電路26的第一和第二輸入端之間。來自OR電路26的輸出被輸入到 PWM/PFM切換電路27。來自PWM/PFM切換電路27的輸出被輸入到輸出控制電路24。之后，描述如圖2所示的開關穩(wěn)壓器電路的操作。首先，描述一情況。在該情況下， 還沒有切斷微調熔絲F21。在該狀態(tài)下，還沒有將外部信號輸入到模式選擇焊盤MODE。誤 差放大電路21放大在來自參考電壓源Vref的電壓和通過使用電阻器R21和R22對輸出電 壓Vout分壓所獲得的電壓Vfb之間的差值電壓。PWM比較器22比較從誤差放大電路21輸 出的電壓和從OSC 23輸出的三角脈沖信號的電壓，并輸出具有與來自誤差放大電路21的 輸出電壓對應的脈沖寬度的脈沖信號。輸出控制電路24輸出用于與輸入脈沖信號對應地 互補地對開關晶體管M21和同步整流晶體管M22的導通/截止進行切換的控制信號。當開關晶體管M21導通且同步整流晶體管M22截止時，將電能提供到與輸出端子 OUT連接的負載電路(沒有示出)，且還將能量存儲在電感器L21和輸出電容器C21中。當 開關晶體管M21截止且同步整流晶體管M22導通時，將存儲在電感器L21和輸出電容器C21 中的能量提供給負載電路。比較器25比較從誤差放大電路21輸出的電壓與來自電壓源Vs的電壓。從誤差 放大電路21輸出的電壓在開關穩(wěn)壓器電路的輸出電壓Vo高時減小，并在開關穩(wěn)壓器電路 的輸出電壓Vo低時增大。當輸出電流Io小時，由于開關穩(wěn)壓器電路的輸出電壓Vo高，因 此從誤差放大電路21輸出的電壓減小。當從誤差放大電路21輸出的電壓小于等于電壓源 Vs的電壓時，來自比較器25的輸出是低電平。當輸出電流Io增大時，開關穩(wěn)壓器電路的輸 出電壓Vo減?。灰虼?，從誤差放大電路21輸出的電壓增大。當從誤差放大電路21輸出的 電壓升高到高于電壓源Vs的電壓時，來自比較器25的輸出通過被反相而成為高電平。將從比較器25輸出的內部切換信號經由OR電路26輸入到PWM/PFM切換電路27。 當到PWM/PFM切換電路27的輸入信號是低電平時，PWM/PFM切換電路27輸出切換信號到 輸出控制電路24以使得輸出控制電路24執(zhí)行PWM控制；且當到PWM/PFM切換電路27的輸入信號是高電平時，PWM/PFM切換電路27輸出切換信號到輸出控制電路24，以使得輸出控 制電路24執(zhí)行PFM控制。就是說，當輸出電流Io低于預定電流值，且來自比較器25的輸出信號是低電平 時，輸出控制電路24通過PWM操作模式執(zhí)行切換，而當輸出電流Io成為預定電流值或更大 的值時，來自比較器25的輸出信號變?yōu)楦唠娖綍r，且輸出控制電路24通過PFM操作模式執(zhí) 行切換。另外，內部切換信號(來自比較器25的輸出信號)也經由微調熔絲F21輸入到模 式選擇焊盤MODE ；因此，當獲得模式選擇焊盤MODE的電壓時，可以獲得內部切換信號的狀 態(tài)。就是說，在半導體器件的測試中，在當對開關穩(wěn)壓器電路的操作模式進行切換時 測量輸出電流Io的情況下，連接到模式選擇焊盤MODE的電壓表獲得模式選擇焊盤MODE 的電壓以邏輯電平改變。藉此，可以精確地測量輸出電流Ιο。在本發(fā)明的第二實施例中，為了精確地確定當在PWM操作模式和PFM操作模式之 間切換操作模式時輸出電流Io的電流值，確定可以通過微調改變電壓源Vs的電壓。在通 過微調改變電壓源Vs的電壓之后，當輸出電流Io的測量到的電流值在預定值之內時，類似 于本發(fā)明第一實施例的情況來切斷微調熔絲F21。在切斷微調熔絲F21之后，可以通過輸入到模式選擇焊盤MODE的外部切換信號的 電平來選擇操作模式。就是說，當輸入高電平的外部切換信號時，可以選擇PWM操作模式而 不論從比較器25輸出的內部切換信號如何。另外，當輸入低電平的外部切換信號或沒有輸 入外部切換信號時，選擇自動切換模式，其中與內部切換信號對應地在PWM操作模式和PFM 操作模式之間自動切換操作模式。輸入到比較器25的電壓是滯后電壓。因此，當將操作模式從PFM操作模式切換到 PWM操作模式時從誤差放大電路21輸出的電壓被確定為高于當將操作模式從PWM操作模式 切換到PFM操作模式時從誤差放大電路21輸出的電壓。藉此，當切換操作模式時防止了抖動。如上所述，根據本發(fā)明的第二實施例，在測試半導體器件時，通過獲得在模式選擇 焊盤MODE處的電壓，可以將PWM操作模式和PFM操作模式之間的切換結果測試為邏輯電平 信號。因此，當切換操作模式時可以精確地測量輸出電流Io的電流值。結果，可以精確地 執(zhí)行通過微調的電壓源Vs的電壓的調整，其中當切換操作模式時確定輸出電流Ιο。另外， 當測量在模式選擇焊盤MODE處的電壓時可以使用低成本電壓表；因此，可以減少制造過程 中的成本。另外，本發(fā)明不限于上述實施例，而是可以在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下做出 各種變化和修改。本發(fā)明基于2008年1月11日在日本專利局提交的日本優(yōu)先權專利申請 No. 2008-004146，將其全部內容通過引用完全包括于此。
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權利要求
一種半導體器件，具有第一操作模式和第二操作模式，包括切換信號生成電路，輸出用于當操作狀態(tài)滿足預定條件時在第一操作模式和第二操作模式之間切換操作模式的內部切換信號；模式選擇焊盤，能夠選擇第一操作模式的外部切換信號比所述內部輸入信號優(yōu)先地輸入到該模式選擇焊盤；和切換電路，基于所述外部切換信號或內部切換信號在第一操作模式和第二操作模式之間切換操作模式；其中來自所述切換信號生成電路的輸出經由微調熔絲輸入到所述模式選擇焊盤。
2.如權利要求1所述的半導體器件，其中所述半導體器件是具有作為第一操作模式的正常操作模式和作為第二操作模式的節(jié) 能操作模式的恒壓電路；和 所述恒壓電路包括電流檢測電路，檢測從所述恒壓電路輸出的電流是否具有預定值或更大的值；其中 所述切換信號生成電路基于從所述電流檢測電路輸出的信號，輸出用于在所述正常操 作模式和節(jié)能操作模式之間切換操作模式的內部切換信號；能夠選擇所述正常操作模式的外部切換信號比輸入的內部切換信號優(yōu)先地輸入到所 述模式選擇焊盤；所述切換電路基于所述外部切換信號或內部切換信號，在所述正常操作模式和節(jié)能操 作模式之間切換操作模式；和來自所述切換信號生成電路的輸出經由所述微調熔絲輸入到所述模式選擇焊盤。
3.如權利要求1所述的半導體器件，其中所述半導體器件是具有作為第一操作模式的PWM操作模式和作為第二操作模式的PFM 操作模式的開關穩(wěn)壓器電路；和 所述開關穩(wěn)壓器電路包括電流檢測電路，檢測從所述開關穩(wěn)壓器電路輸出的電流是否具有預定值或更大的值；其中所述切換信號生成電路基于從所述電流檢測電路輸出的信號，輸出用于在所述PWM操 作模式和PFM操作模式之間切換操作模式的內部切換信號；能夠選擇所述PWM操作模式的外部切換信號比輸入的內部切換信號優(yōu)先地輸入到所 述模式選擇焊盤；所述切換電路基于所述外部切換信號或內部切換信號，在所述PWM操作模式和PFM操 作模式之間切換操作模式；和來自所述切換信號生成電路的輸出經由所述微調熔絲輸入到所述模式選擇焊盤。
4.如權利要求1所述的半導體器件，進一步包括微調單元，調整在所述第一操作模式和第二操作模式之間操作模式的切換條件。
5.如權利要求2所述的半導體器件，進一步包括微調單元，調整在所述正常操作模式和節(jié)能操作模式之間操作模式的切換條件。
6.如權利要求3所述的半導體器件，進一步包括微調單元，調整在所述PWM操作模式和PFM操作模式之間操作模式的切換條件。
7.一種半導體器件的制造方法，所述半導體器件具有第一操作模式和第二操作模式， 其中所述半導體器件包括切換信號生成電路，輸出用于當操作狀態(tài)滿足預定條件時在第一操作模式和第二操作 模式之間切換操作模式的內部切換信號；模式選擇焊盤，能夠選擇第一操作模式的外部切換信號比所述內部輸入信號優(yōu)先地輸 入到該模式選擇焊盤；和切換電路，基于所述外部切換信號或內部切換信號在第一操作模式和第二操作模式之 間切換操作模式；其中來自所述切換信號生成電路的輸出經由微調熔絲輸入到所述模式選擇焊盤；和 所述制造方法在所述模式選擇焊盤處測試所述內部切換信號的狀態(tài)。
8.如權利要求7所述的半導體器件的制造方法，其中 在測試所述半導體器件之后切斷所述微調熔絲。
9.如權利要求7所述的半導體器件的制造方法，其中通過微調半導體器件的微調單元來調整在所述第一操作模式和第二操作模式之間操 作模式的切換條件。
10.如權利要求9所述的半導體器件的制造方法，其中 在微調所述微調單元之后切斷所述微調熔絲。
全文摘要
公開了半導體器件。該半導體器件包括由PMOS晶體管、電阻器、和反相器形成的切換信號生成電路，該切換信號生成電路輸出用于當操作狀態(tài)滿足預定條件時在第一操作模式和第二操作模式之間切換操作模式的內部切換信號；模式選擇焊盤，能夠選擇第一操作模式的外部切換信號比內部輸入信號優(yōu)先地輸入到該模式選擇焊盤；和切換電路，由基于外部切換信號或內部切換信號在第一操作模式和第二操作模式之間切換操作模式的OR電路形成。來自切換信號生成電路的輸出經由微調熔絲輸入到模式選擇焊盤。
文檔編號H01L21/822GK101911285SQ20088012431
公開日2010年12月8日 申請日期2008年12月25日 優(yōu)先權日2008年1月11日
發(fā)明者永田敏久 申請人:株式會社理光