專利名稱：：高性能串接式白光oled的制作方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及產生寬帶光的OLED顯示器。
背景技術：
：有機發(fā)光二極管器件(又稱OLED)通常包括陽極、陰極和夾在陽極與陰極之間的有機電致發(fā)光(EL)單元。有機EL單元至少包括空穴傳輸層(HTL)、發(fā)光層(LEL)和電子傳輸層(ETL)。OLED是有吸引力的，原因在于其低驅動電壓、高亮度、寬視角以及可用于全色顯示器和其它應用的能力。Tang等人在其美國專利4，769,292和4,885,211中描述了這種多層OLED。OLED可以發(fā)射不同顏色如紅、綠、藍或白色，這取決于其LEL的發(fā)射性能。近來，將寬帶OLED結合到各種應用如固態(tài)光源、彩色顯示器或全色顯示器中的需求不斷增長。寬帶發(fā)射是指OLED發(fā)射整個可見光譜中的充分寬的光，以致結合濾光器或變色模塊使用所述光可以制造出具有至少兩種不同顏色的或全色的顯示器。具體來說，仍需要在光譜的紅、綠和藍部分有顯著發(fā)射的發(fā)寬帶光的OLED(或寬帶OLED),即發(fā)白光的OLED(白光OLED)。白光OLED與濾色器一起使用提供比具有單獨圖案化的紅色、綠色和藍色發(fā)射體的OLED更簡單的制造過程。這可以實現更高生產量、提高的產率和成本節(jié)約。白光OLED已經被報道，例如由Kido等人在AppliedPhysicsLetters,64,815(1994),J.Shi等人在U.S.Patent5,683,823,Sato等人在JP07-142169,Deshpande等人在AppliedPhysicsLetters,75，888(1999),和Tokito等人在AppliedPhysicsLetters,83，2459(2003)中進行了報道。為了由OLED實現寬帶發(fā)射，必須激發(fā)多于一類的分子，因為在正常情況下每類分子只發(fā)射具有較窄光譜的光。包含主體材料和一種或多種發(fā)光摻雜劑的發(fā)光層可以從主體和摻雜劑兩者實現發(fā)光，得到位于可見光譜的寬帶發(fā)射(如果從主體材料向摻雜劑的能量轉移不完全的話)。為了獲得具有單一發(fā)光層的白光OLED,必須小心地控制發(fā)光摻雜劑的濃度。這產生制造困難。具有兩個或更多個發(fā)光層的白光OLED能比只有一個發(fā)光層的器件具有更好的顏色以及更高的發(fā)光效率，并且摻雜劑濃度的變動容限也更高。還發(fā)現，具有兩個發(fā)光層的白光OLED通常比具有單個發(fā)光層的OLED更穩(wěn)定。然而，難以在光譜的紅色、綠色和藍色部分中獲得具有高強度的光發(fā)射。具有兩個發(fā)光層的白光OLED通常具有兩個強的發(fā)射峰。Jones等人在美國專利6,337,492，Tanaka等人在美國專利6,107,734，Kido等人在日本專利公開2003/045676A和美國專利公開2003/0189401A1,Liao等人在美國專利6,717,358和美國專利申請公開OLED)。這種串接式OLED是通過垂直堆疊幾個單獨的OLED并由單個電源驅動該堆疊體而制造的。優(yōu)點是發(fā)光效率、壽命或兩者得到提高。然而，該串接式結構大致與堆疊在一起的OLED單元的數目成比例地提高驅動電壓。Matsumoto和Kido等人在SID03Digest,979(2003)中報道了通過在器件中連接藍綠色EL單元和橙色EL單元構建串接式白光OLED，并且通過用單個電源驅動此器件實現了發(fā)白光。雖然發(fā)光效率提高了，但是此串接式白光OLED器件在光譜中的綠和紅色分量卻較弱。在美國專利申請公開2003/0170491Al中，Liao等人描述了一種通過在OLED器件內串聯(lián)連接紅EL單元、綠EL單元和藍EL單元制造的串接式白光OLED結構。當使用單個電源驅動所述串接式白光OLED時，由來自所述紅、綠和藍EL單元的光譜組合形成白光發(fā)射。雖然改進了顏色發(fā)射和發(fā)光效率，但這種串接式白光OLED不能用少于三個EL單元制造，這意味著其需要的驅動電壓為常規(guī)OLED的至少3倍。盡管有這些發(fā)展，但是仍需要改進OLED器件的效率和發(fā)光穩(wěn)定性。發(fā)明概述本發(fā)明的目的因此是提供具有改進的效率和發(fā)光穩(wěn)定性的OLED器件。這一目的通過具有兩個相隔電極的串接式OLED器件達到，該器件包括a)布置在所述電極之間產生不同發(fā)射光譜的第一和第二發(fā)光單元，所述第一發(fā)光單元產生在長于500nm的波長下具有多重峰且在短于5480nm的波長下基本上沒有發(fā)射的光，所述第二發(fā)光單元產生在短于500nm的波長下具有顯著發(fā)射的光；和b)布置在所述發(fā)光單元之間的中間連接器。優(yōu)點本發(fā)明的優(yōu)點是為適合于寬帶應用的OLED顯示器提供改進的效率。本發(fā)明的另一個優(yōu)點是為這種顯示器提供改進的發(fā)光穩(wěn)定性。本發(fā)明的另一個優(yōu)點是可以提供這些改進連同良好的壽命、低功耗和良好的顏色可調性。附圖簡述圖l示出了根據本發(fā)明的串接式OLED器件的一個實施方案的剖視圖2示出了根據本發(fā)明的串接式0LED器件的另一個實施方案的剖視圖；和圖3示出了本發(fā)明一個實施方案的發(fā)射亮度vs.波長的曲線圖。因為器件的特征尺寸如層厚往往在亞^f鼓米范圍，所以附圖經過放大以便于可纟見化而不在意尺寸精確度。發(fā)明詳述術語"OLED器件"使用其在本領域中公認的含義，即包含作為像素的有機發(fā)光二極管的顯示器件。它可以是指具有單個像素的器件。本文所使用的術語"OLED顯示器"是指包括許多可以具有不同顏色的像素的OLED器件。彩色OLED器件發(fā)出至少一種顏色的光。術語"多色"用于描述能在不同區(qū)域發(fā)出不同色調的光的顯示面板。具體來說，它用于描述能夠顯示不同顏色的圖象的顯示面板。這些區(qū)域不必是鄰接的。術語"全色"用于描述能夠在可見光譜的紅、綠和藍色區(qū)域中發(fā)射并顯示任何色調組合的圖像的多色顯示面板。紅、綠和藍色構成三基色，通過適當的混合可以由它們產生所有其它顏色。術語"色調"是指可見光譜之內發(fā)光的強度分布，不同的色調表現顏色在視覺上可辨別的差異。術語"像素"采用其在本領域公認的含義，是指顯示面板上一個獨立于其它區(qū)域被激勵發(fā)光的區(qū)域。公認的是，在全色系統(tǒng)中，將一起使用幾種不同顏色的像素來產生各種各樣的顏色，并且觀察者可以將這樣一個組稱作單個像素。為在此討論的目的，這樣一個組將被認為是幾種不同顏色的像素。根據本公開內容，寬帶發(fā)射是在可見光譜的多個部分例如藍和綠色中具有顯著分量的光。寬帶發(fā)射也可以包括在光譜的紅、綠和藍色部分中發(fā)射光以產生白光的情形。白光是用戶感知為白色的光，或具有足以與濾色器結合使用以產生實際的全色顯示器的發(fā)射光譜的光。為了低功耗，發(fā)白光OLED的色度接近于CIED65,即CIExK).31和CIEy二0.33通常是有利的。具有紅、綠、藍和白色像素的所謂的RGBW顯示器的情況尤其如此。雖然大約0.31、0.33的CIEx、CIEy坐標在一些情況下是理想的；但是實際坐標可以顯著改變并仍然完全可用。本文所使用的術語"發(fā)白光的"是指在內部產生白光的器件，盡管此種光的一部分在觀察之前可以通過濾色器移除。現轉到圖l,示出了根據本發(fā)明一個實施方案的串接式發(fā)白光OLED器件10的像素的剖視圖。OLED器件10包括基板20、兩個相隔電極(它們是陽極30和陰極90)、布置在所述電極之間的第一和第二發(fā)光單元80和70,和布置在發(fā)光單元70和80之間的中間連接器95。在美國序列號11/393,767中，Hatwar等人描述了具有這種排列的多重發(fā)光單元的應用。發(fā)光單元70和80各自產生不同的發(fā)射光譜。第一發(fā)光單元80產生在長于500nm的波長下(例如在可見光譜的綠、黃和紅色范圍中)具有多重峰的光。第一發(fā)光單元80基本上不產生藍色發(fā)射，這意^^未著在短于480nm的波長下發(fā)射強度小于最大發(fā)射強度的10%,并且在490nm下是至多50%。在這一實施方案中，第一發(fā)光單元80包括第一發(fā)光層，例如發(fā)綠光層51g,該發(fā)光層包括發(fā)綠光化合物并產生綠色發(fā)射。第一發(fā)光單元80還包括第二發(fā)光層，例如發(fā)紅光層51r,該發(fā)光層包括發(fā)紅光化合物并產生紅色發(fā)射。第二發(fā)光單元70產生在短于500nm的波長下具有顯著發(fā)射的光。第二發(fā)光單元70也可以具有在其它波長下的發(fā)射。在這一實施方案中，第二發(fā)光單元70包括發(fā)藍光層50b和發(fā)黃光層50y,該發(fā)藍光層包括發(fā)藍光化合物，該發(fā)黃光層包括發(fā)黃光化合物。本文所使用的術語"發(fā)黃光化合物"是指在黃至紅范圍，即大約570nm-700nm的范圍中具有其主要光發(fā)射的物質。發(fā)光單元80包括電子傳輸層55和空穴傳輸層45。發(fā)光單元70包括電子傳輸層65。串接式OLED器件10還包括布置在發(fā)光單元70和80之間的中間連接器95。中間連接器向相鄰EL單元提供有效的載流子注入。金屬、金屬化合物或其它無機化合物對于載流子注入是有效的。然而，這些材料往往具有低電阻率，這可能會導致像素串擾。此外，構成中間連接器95的層的光學透明度應該經選擇而使EL單元中產生的輻射能夠離開該器件。因此，通常優(yōu)選在中間連接器中主要使用有機材料。中間連接器95和用于其構造的材料已經在美國專利申請公開2007/0001587中進行了詳細描述。中間連接器的一些進一步非限制性的實例在美國專利6,717,358和6,872,472以及美國專利申請公開2004/0227460中進行了描述?，F轉到圖2，示出了根據本發(fā)明的串接式OLED器件15的另一個實施方案的剖^L圖。在這一實施方案中，第一發(fā)光單元85還包括第三發(fā)光層，例如發(fā)黃光層51y,該發(fā)光層包括發(fā)黃光化合物并產生黃色發(fā)射。該第三發(fā)光層與第一和第二發(fā)光層接觸。第二發(fā)光單元75還包括布置在發(fā)藍光層50b和發(fā)黃光層50y之間的間隔層60。間隔層60用來4是供高效率和高穩(wěn)定性的藍色發(fā)射。Spindler等人也使用間隔層提供高效率和高穩(wěn)定性的藍色發(fā)射，如美國序列號11/393,316所述。沒有發(fā)黃光層50y,則發(fā)藍光層50b可能具有差的穩(wěn)定性。如果有發(fā)黃光層50y作為相鄰層，則這一單元將起白色發(fā)射體作用。間隔層60的存在提高藍色發(fā)射，同時減少黃色發(fā)射，從而賦予它基本上藍色的發(fā)射，同時維持該白色發(fā)射體的發(fā)光穩(wěn)定性?；蛘?，發(fā)黃光層50y可以用發(fā)紅或綠光層替換。OLED器件15還包括與它連接的至少三個不同濾色器的陣列，它們中每一個的帶通經選擇而產生不同色光，例如濾紅色器25r、濾綠色器25g和濾藍色器25b，它們分別產生紅、綠和藍光。該陣列的每個濾色器從發(fā)光單元，例如第一和第二發(fā)光單元85和75接收光，并因此經由每個濾色器產生不同色光。每個濾色器具有相連的陽極，例如陽才及30r、30g和30b,用于選^^性地產生所需的光顏色。OLED器件15還可以具有未過濾區(qū)域，例如陽極30w的區(qū)域，它沒有濾色器并因此允許發(fā)射由OLED器件15產生的寬帶光?，F轉到圖3，示出了圖2中表示的OLED器件的一個實施方案的發(fā)射亮度vs.波長的曲線圖。曲線110示出了本文所述第一發(fā)光單元的發(fā)射，而曲線120示出了第二發(fā)光單元的發(fā)射，表明所述單元產生不同的發(fā)射光鐠。第一發(fā)光單元在光語的藍色范圍中基本上沒有發(fā)射。也就是說，8它在長于500nm的波長下產生具有多重峰的光，但是在短于480nm的波長下基本上沒有發(fā)射?？梢钥闯?，曲線110在490nm處的亮度小于最大亮度的一半，而480nm-400nm的亮度小于最大亮度的10。/Q。曲線110具有在綠色和紅色范圍(分別接近515nm和670nm)中的峰。曲線110還具有在黃色范圍(接近605nm)中的峰，這也是第一發(fā)光單元所希望的。曲線120示出了本文所述第二發(fā)光單元的發(fā)射。第二發(fā)光單元在藍色范圍中，即在短于500nm的波長下具有顯著發(fā)射?？梢钥闯觯€120的發(fā)射的最大亮度在400nm-500nm之間。曲線130示出了當結合成根據本發(fā)明的串接式OLED器件時所述兩個發(fā)光單元的發(fā)射。發(fā)光層例如本文所述那些響應空穴-電子復合產生光。任何適當的方法如蒸發(fā)、濺鍍、化學蒸氣沉積、電化學法或輻射熱轉移可以由供體材料沉積期望的有機發(fā)光材料。有用的有機發(fā)光材料是熟知的。如美國專利4,769,292和5,935,721中所更充分描述的那樣，OLED器件的發(fā)光層包含發(fā)光或熒光材料，其中在此區(qū)域內由于電子空穴對復合而產生電致發(fā)光。發(fā)光層可以由單一材料組成，但是更通常包括摻雜有客體化合物或摻雜劑的主體材料，其中光發(fā)射主要來自摻雜劑。摻雜劑經選擇產生具有特定光譜的色光。發(fā)光層中的主體材料可以是電子傳輸材料、空穴傳輸材料或支持空穴-電子復合的另一種材料。摻雜劑通常選自高度熒光性染料，4旦是石壽光性化合物，例如WO98/55561、WO00/18851、WO00/57676和WO00/70655中描述的過渡金屬配合物也是有用的。摻雜劑通常按0.01-10wt。/。涂覆到主體材料中。已知有用的主體和發(fā)射分子包括，但不限于，美國專利4,768,292;5,141,671;5,150,006;5,151,629;5,294,870;5,405,709;5,484,922;5,593,788;5,645,948;5,683，823;5,755,999;5,928,802;5,935,720;5,935,721和6,020,078中公開的那些。8-羥基喹啉的金屬絡合物和類似衍生物(式A)構成一類能夠支持電致發(fā)光的有用的電子-傳輸主體材料，并且尤其適合于波長長于500nm的光發(fā)射例如綠色、黃色、橙色和紅色。其巾M表示一〗介、二1"介或三^介金屬；n是l-3的整數；和Z在每次出現時獨立地表示完成含有至少兩個稠合芳環(huán)的核的原子。Z完成含有至少兩個稠合芳環(huán)的雜環(huán)核，該芳環(huán)的至少一個是唑環(huán)或吖。秦環(huán)。如果需要，另外的環(huán)，包括脂族環(huán)和芳族環(huán)，可以與兩個所需的環(huán)稠合。為了避免增加分子體積而沒有提高功能，通常將環(huán)原子的數目保持在18或更少。吲咮衍生物構成了另一類能夠支持電致發(fā)光的有用的主體材料，并且尤其適合于波長長于400nm的光發(fā)射例如藍色、綠色、黃色、橙色或紅色。有用的吲哚的一個實例是2，2',2"-(1,3,5-亞苯基)三[l-苯基-lH-苯并咪哇]。本發(fā)明的一個或多個發(fā)光層中的主體材料可以包括在9和10位具有烴取代基或取代的烴取代基的蒽衍生物。例如，9,10-二芳基蒽的某些衍生物(式B)已知構成一類有用的能夠支持電致發(fā)光的主體材料且尤其適合于波長大于400nm的光發(fā)射例如藍、綠、黃、橙或紅色<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>其中R1、R2、113和114表示每個環(huán)上的一個或多個取代基，其中每個取代基獨立;也選自以下纟且第l組氫或含l-24個碳原子的烷基；第2組含5-20個碳原子的芳基或取代的芳基；第3組完成蒽基、芘基或芘基的稠合芳環(huán)所必需的4-24個碳原子；第4組含完成呋喃基、噻吩基、吡啶基、喹啉基或其它雜環(huán)體系的稠合雜芳族環(huán)所必需的5-24個碳原子的雜芳基或取代的雜芳基；第5組含l-24個碳原子的烷氧基氨基、烷基氨基或芳基氨基；和第6組氟、氯、溴或氰基。尤其有用的是其中R"和I^表示附加芳環(huán)的化合物。用作發(fā)光層中的主體的有用的蒽材料的具體實例包括用作發(fā)光層中的主體的空穴傳輸化合物熟知包括諸如芳族叔胺之類的化合物，其中所述芳族叔胺理解為含有至少一個僅與碳原子連接的三價氮原子的化合物，所述碳原子的至少一個是芳環(huán)的一員。在一種形式中，芳族叔胺可以是芳胺例如單芳胺、二芳胺、三芳胺或聚合物芳胺。Klupfel等人在美國專利^lSO,"0中舉例說明了示例性的單體三芳胺。其它合適的被一個或多個乙烯基取代或包含至少一個含活性氫的基團的三芳胺被Bmntley等人在美國專利3,567,450和3，658,520中進行了公開。一類更優(yōu)選的芳族叔胺是如美國專利4,720,432和US5,061,569中描述的包括至少兩個芳族叔胺結構部分的那些。此類化合物包括由結構式C表示的那些。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage12</formula>、G^Qi和Q2是獨立選擇的芳族叔胺結構部分；和G是碳-碳鍵的連接基團例如亞芳基、亞環(huán)烷基或亞烷基。在一個實施方案中，Q!或Q2的至少一個含有多環(huán)稠環(huán)結構例如萘。當G是芳基時，其適宜地是亞苯基、亞聯(lián)苯基或萘結構部分。一類滿足結構式C并且含有兩個三芳胺結構部分的有用類別的三芳胺由結構式D表示其中Ri和R2各自獨立地表示氳原子、芳基或烷基；或者R!和R2—起表示完成環(huán)烷基的原子；和R3和R4各自獨立地表示芳基，其進而被二芳基取代的氨基取代，如結構式E所示R5、R6其中R5和R6是獨立選擇的芳基。在一個實施方案中，Rs或R6的至少一個含有多環(huán)稠環(huán)結構例如萘。另一類芳族叔胺是四芳基二胺。希望的四芳基二胺包括通過亞芳基連接的兩個二芳基氨基(例如式E所示)。可用的四芳基二胺包括由式F表示的那些。R7、/\,RB其中每一Are是獨立選擇的亞芳基例如亞苯基或蒽結構部分；n是l-4的整數；和Ar、R7、Rs和R9是獨立選擇的芳基。在一個典型的實施方案中，Ar、R7、R8和R9中至少一個是多環(huán)稠環(huán)結構，例如萘。上述結構式C、D、E和F的各種烷基、亞烷基、芳基和亞芳基結構部分各自也可以被取代。典型的取代基包括烷基、烷氧基、芳基、芳氧基和面素例如氟、氯和溴。各種烷基和亞烷基結構部分通常含有l(wèi)-大約6個碳原子。環(huán)烷基部分可以含有3-大約10個碳原子，但通常含有5、6或7個環(huán)碳原子，例如環(huán)戊基、環(huán)己基和環(huán)庚基環(huán)結構。芳基和亞芳基部分通常是苯基和亞苯基結構部分。除了上述主體材料之外，發(fā)綠光層51g還包括2,6-二氨基蒽發(fā)光摻雜劑，》。下式表示其中di、d3-d5和d7-ds可以相同或不同，并且各自表示氫或獨立選擇的取代基，每個h可以相同或不同并且各自表示一個或多個獨立選擇的取代基，條件是兩個取代基可以結合形成環(huán)基，a-d、i和j獨立地是0-5。此種二氨基蒽已經由Klubek等人在美國申請序列號11/668,515中進行了描述，該文獻的內容引入供參考。發(fā)綠光層51g中的主體材料希望地是上述蒽主體。發(fā)綠光層51g可以任選地包括少量發(fā)藍光化合物作為穩(wěn)定劑。發(fā)藍光化合物(它是高能摻雜劑)的存在為2,6-二氨基蒽摻雜劑的綠色發(fā)射提供更大的發(fā)光穩(wěn)定性，同時維持該發(fā)綠光摻雜劑的良好效率。發(fā)藍光化合物可以是下面對發(fā)藍光層50b描述的那些。發(fā)紅光化合物例如發(fā)紅光層51r中使用的發(fā)紅光化合物可以包括以下結構H的二茚并茈化合物其中XrX^獨立選自氬或包括碳原子數為l-24的烷基的取代基；含5-20個碳原子的芳基或取代的芳基；含完成一個或多個稠芳環(huán)或環(huán)系的4-24個碳原子的烴基；或卣素，條件是所述取代基經選擇在560nm和640nm之間提供發(fā)射最大值。這一類別的有用的紅光摻雜劑的說明性實例由Hatwar等人示于美國專利申請公開號2005/0249972中，該文獻的內容引入供參考。其它可用于本發(fā)明的紅光摻雜劑屬于由下式I表示的DCM類染料<formula>formulaseeoriginaldocumentpage15</formula>(式I)其中YrY5表示一個或多個獨立選自氫基、烷基、取代的烷基、芳基的或取代的芳基的基團；YrY5獨立地包括非環(huán)基團或可以成對地連接在一起形成一個或多個稠環(huán)；條件是Ys和Y5不一起形成稠環(huán)。在提供紅色發(fā)光的一個有用和適宜的實施方案中，Y!-Y5獨立地選自氫基、烷基和芳基。在美國專利申請公開2005/0181232中，示出了DCM類別的尤其有用的摻雜劑的結構，該文獻的內容引入供參考。發(fā)黃光化合物例如.包括以下結構的化合物<formula>formulaseeoriginaldocumentpage15</formula>其中ArA6和A'rA'6表示在每個環(huán)上的一個或多個取代基，且其中每個取代基單獨選自以下之一笫l類氫或含l-24個碳原子的烷基；第2類含5-20個碳原子的芳基或取代的芳基；第3類含完成稠芳環(huán)或環(huán)系的4-24個碳原子的烴基；第4類經由單鍵連接或完成稠合芳雜環(huán)體系的，5-24個碳原子的雜芳基或取代的雜芳基如噻唑基、呋喃基、噻吩基、吡啶基、喹啉基或其它雜環(huán)體系；第5類:含l-24個碳原子的烷氧基氨基、烷基氨基或芳基氨基；或第6類氟、氯、溴或氰基。尤其有用的黃光摻雜劑的實例由Ricks等人示出。發(fā)藍光化合物例如發(fā)藍光層50b中存在的發(fā)藍光化合物可以包括結構式K的雙(吖。秦基)氮烯硼絡合物A和A'代表與含有至少一個氮的6元芳環(huán)體系對應的獨立吖嗪環(huán)體系；(X"n和(Xb)m代表一個或多個獨立選擇的取代基并包括非環(huán)取其中:代基或連接在一起形成稠合到A或A'上的環(huán)；m和n獨立i也為0-4;za和Zb為獨立選擇的取代基；1、2、3、4、l'、2'、3'和4'獨立地選自碳或氮原子；條件是X3、Xb、Za和Zb，1、2、3、4、l'、2'、3'和4'經選擇提供藍色發(fā)光。在前的Ricks等人公開了上述類別的摻雜劑的一些實例。另一類藍光摻雜劑是菲類。菲類的尤其有用的藍光摻雜劑包括茈和四^又丁基菲(TBP)。本發(fā)明中另一尤其有用類別的藍光摻雜劑包括苯乙烯芳烴和聯(lián)苯乙烯芳烴如聯(lián)苯乙烯苯、苯乙烯聯(lián)苯和聯(lián)苯乙烯聯(lián)苯的發(fā)藍光衍生物，包括美國專利5,121,029中描述的化合物。在提供藍色發(fā)光的這些衍生物之中，尤其有用的是用二芳基氨基取代的那些。實例包括下面所示的一般性結構Ll的雙[2-[4-[N,N-二芳基氨基]苯基]乙烯基]-苯Ll下面所示的一般性結構L2的[N,N-二芳基氨基][2-[4-[N,N-二芳基氨基]苯基]乙烯基]聯(lián)苯<formula>formulaseeoriginaldocumentpage18</formula>和下面所示的一般性結構L3的雙[2-[4-[N,N-二芳基氨基]苯基]乙烯基]聯(lián)苯<formula>formulaseeoriginaldocumentpage18</formula>在式L1-L3中，X!-X4可以相同或不同，且獨立地表示一個或多個取代基如烷基、芳基、稠合芳基、卣素或氰基。在一個優(yōu)選的實施方案中，XrX4獨立地為烷基，各自包含1到大約10個碳原子。Ricks等人(上面引用)公開了這一類別的尤其優(yōu)選的藍光摻雜劑。且OLED器件10和15,和本文描述的其它這樣的器件可以包括常用于這些器件的層。OLED器件通常形成于基板，例如OLED基板20上。此類基板已經在本領域中得到充分描述。底電極在OLED基板20上形成并且大多通常裝配為陽極30,但是本發(fā)明的實踐不限于這種構造。當經由陽極看到EL發(fā)射時，陽極對于所考慮的發(fā)光應該是透明或者基本透明的。在本發(fā)明中使用的常見的透明陽極材料是氧化銦-錫(ITO)、氧化銦-鋅(IZO)和氧化錫，但其它金屬氧化物也可以起作用，包括但不限于，鋁-或銦-摻雜的鋅氧化物，氧化鎂-銦和氧化鎳-鴒。除了這些氧化物外，金屬氮化物例如氮化^家，和金屬竭化物例如^西^^鋅，和金屬;?；锢缌蚧\也用作陽極。對于僅經由陰極電極看到EL發(fā)射的應用而言，陽極的透光性質是不重要的，可以使用任何導電材料，無論其是否是透明、不透明或反射性的。用于本發(fā)明的示例性導體包括但不限于金、銦、鉬、鈀和柏。典型的陽極材料(透光或別的情況)具有的功函數不小于4.0eV。任何合適的方法例如蒸發(fā)、濺鍍、化學蒸氣沉積或電化學法可以沉積所需的陽極材料?？梢允褂帽娝苤墓饪谭椒▽㈥枠O材料構圖。空穴傳輸層40可以形成并布置在陽極上。任何適合的方法如蒸發(fā)、濺鍍、化學蒸氣沉積、電化學法、熱轉移或激光熱轉移可以由供體材料沉積期望的空穴傳輸材料?？捎糜诳昭▊鬏攲拥目昭▊鬏敳牧习ㄉ厦婷枋鰹榘l(fā)光主體的空穴傳輸化合物。電子傳輸層55和65可以含有一種或多種金屬螯合的喔星類化合物，包括喔星本身的螯合物，通常又稱為8-喹啉醇或8-羥基喹啉。其它電子傳輸材料包括各種丁二烯衍生物，如美國專利4,356,429中所公開的，和各種雜環(huán)光學增亮劑，如美國專利4,539,507中所公開的。氮茚、哺二唑、三唑、吡。定漆二唑、三噢、菲咯淋衍生物和某些p塞咯(silole)衍生物也可用作電子傳輸材料。通常裝配為陰極90的上電極形成在電子傳輸層上。如果器件是頂部發(fā)射的，則該電極必須是透明或接近透明的。對于這些應用，金屬必須薄(優(yōu)選小于25nm)或必須使用透明導電性氧化物(例如氧化銦錫、氧化銦鋅)或這些材料的組合。光學透明的陰極已經在美國專利5,776,623中進4亍了更詳細地描述。蒸發(fā)、濺鍍或化學蒸氣沉積可以沉積陰^l材泮+。當需要時，可以通過許多公知的方法實現構圖(patterning),這些方法包括，但不限于，經掩才莫的沉積、如US5,276,380和EP0732868中描述的整體陰影掩模、激光燒蝕和選擇性化學蒸氣沉積。在OLED器件例如本文描述的那些中，電極之一必須是透可見光的。其它電極可以是反射性的。例如，在圖2中，陽極是透射的，而陰極可以是反射性的。在此種結構中，第一發(fā)光單元85布置得比第二發(fā)光單元75更接近該反射性電才及。由Boroson等人在美國專利申請7>開2007/0001588中所述那樣，可能尤其有用的是將發(fā)紅至綠光單元(例如第一發(fā)光單元85)置于與反射電極相距60-90nm，并將發(fā)藍光單元(例如第二發(fā)光單元75)置于與該反射電才及相距150-200nm。OLED器件10和15也可以包括其它層。例如，空穴注入層35可以在陽極上形成，如U.S.4,720，432、U.S.6,208，075、EP0891121A1和EP1029909Al所述。在陰極和電子傳輸層之間還可以提供電子注入層60，例如堿金屬或堿土金屬、堿金屬卣化物鹽、或堿金屬或堿土金屬摻雜的有機層。是本發(fā)明的代表性實施例，而實施例l是用于對比目的的非本發(fā)明串接式OLED實施例。描述為真空沉積的層通過在大致10-6托的真空下/人熱船蒸發(fā)來沉積。在OLED層的沉積之后，然后將每個器件轉移至干燥箱以便封裝。OLED具有10mm2的發(fā)射面積。通過在電極兩端施加20mA/cm2的電流來試驗器件，只是以80mA/cn^試-驗褪色穩(wěn)定性。實施例1-6的結果在表l中給出。實施例7僅包括實施例2的第二發(fā)光單元。實施例8僅包括實施例2的第一發(fā)光單元。提供實施例7和8用于光譜對比。實施例2、7和8的發(fā)射光譜分別作為曲線130、120和110提供在圖3中。另一種有用的量度是可以由本文所述發(fā)光體產生的色域。具有三原色(限定色域的原色)的色域由在1931CIEx,y色度圖上的三角形表示。色域的一種有用的量度是y。NTSCx,y比例，它是由一組給定的紅色、綠色和藍色原色發(fā)射體產生的三角形的面積與由NTSC基準紅色、綠色和藍色原色產生的三角形的面積之比。NTSC基準原色例如在Fmk,"ColorTelevisionStandards",McGraw-Hill,NewYork(1955)中進行了限定。發(fā)光體的光譜特性可以與經選擇的濾色器的光譜透射率和與1931CIE配色函凄史纟及耳關，如由CIECentralBureauinViennaAustria出版的"Colorimetry",CIEPublication15:2004第三版所述。這種級聯(lián)的結果是與CIE色度圖上的給定發(fā)光體相配的一組色度座標。用于這種級聯(lián)的第一組濾色器從市售的LCD電視獲得。結果作為標記為"LCD濾色器"的色域示于表1中。用于這種級聯(lián)的第二組濾色器是美國序列號11/595,199描述的那些。結果作為標記為"窄帶濾色器"的色域示于表l中。實施例l(對比)1.通過用氧化銦錫(ITO)濺鍍沉積清潔的玻璃基板以形成60nm厚度的透明電極。2.用等離子氧蝕刻處理上述制備的ITO表面。3.通過真空沉積10nm的六氰基六氮雜三苯撐(CHATP)層作為空穴注入層(HIL)進一步處理上述制備的基板。4.通過真空沉積15511111的4,4'-雙[]^-(l-萘基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯(NPB)層作為空穴傳輸層(HTL)進一步處理上述制備的基板。5.通過真空沉積20nm發(fā)黃光層進一步處理上述制備的基板，該20nm發(fā)黃光層包括16nmNPB(作為主體)和4nm9-(2-萘基)-10-(4-聯(lián)苯)蒽(BNA)作為共主體與2%發(fā)黃-橙光的摻雜劑二苯基四叔丁基紅熒烯(PTBR)。PTBR6.通過真空沉積30nm發(fā)藍光層進一步處理上述制備的基板，該30nm發(fā)藍光層包括28nm2-苯基-9,10-雙(2-萘基)蒽(PBNA)主體和2nmNPB共主體與1%BEP作為發(fā)藍光摻雜劑。7.真空沉積40nm混合電子傳輸層，其包括20nm4,7-二苯基-1,10-菲繞啉(亦稱bathophen或Bphen)、20nm三(8-羥基喹啉合)鋁(III)(ALQ)作為共主體，與2"/。Li金屬。8.通過真空沉積10nm的CHATP層作為p型摻雜有機層(HIL)進一步處理上述制備的基板。9.通過真空沉積8nm的NPB層作為空穴傳輸層(HTL)進一步處理上述制備的基板。10.通過真空沉積20nm發(fā)紅光層進一步處理上述制備的基一反，該20nm發(fā)紅光層包括19.5nmNPB和0.5nmPTBR作為發(fā)黃光摻雜劑與0.5%二苯并([f,f]-4,4'7,7'-四苯基]二茚并-[l,2,3-cd:l',2',3'-lm]茈(TPDBP)作為發(fā)紅光摻雜劑。11.通過真空沉積15nm發(fā)綠光層進一步處理上述制備的基板，該15nm發(fā)綠光層包括12.7nmPBNA、2.3nmNPB和0.3。/。作為發(fā)綠光摻雜劑的二苯基喹吖啶酮(DPQ)。12.通過真空沉積15nm發(fā)藍光層進一步處理上述制備的基板，該15nm發(fā)藍光層包括20nmPBNA主體與1.3%作為發(fā)藍光摻雜劑的BEP。13.真空沉積35nm混合電子傳輸層，其包括17.5nmBphen、17.5nmALQ作為共主體，與2。/。Li金屬。14.將100nm鋁層蒸發(fā)沉積到該基壽反上以形成陰極層。實施例2(本發(fā)明)1.通過用ITO濺鍍沉積清潔的玻璃基壽反以形成60nm厚度的透明電極。2.用等離子氧蝕刻處理上述制備的ITO表面。3.通過真空沉積10nmCHATP層作為HIL進一步處理上述制備的基板。4.通過真空沉積130nmNPB層作為HTL進一步處理上述制備的基板。5.通過真空沉積20nm發(fā)黃光層進一步處理上述制備的基板，該20011發(fā)黃光層包括13111119-(l-萘基)-10-(2-萘基)蒽(麗A)作為主體和7nmNPB作為共主體與2。/。發(fā)黃-橙光的摻雜劑PTBR。6.通過真空沉積10nm間隔層進一步處理上述制備的基一反，該10nm間隔層包括7.5nmNNA和2.5nmNPB。7.通過真空沉積30nm發(fā)藍光層進一步處理上述制備的基板，該30nm發(fā)藍光層包括30nmNNA主體與3%[N,N-二對甲苯基氨基][2-[4-[N,N-二對曱苯基氨基]苯基]乙烯基]聯(lián)苯作為發(fā)藍光摻雜劑。8.真空沉積40nm混合電子傳輸層，其包括20nmBphen、20nmALQ與2Q/qLi金屬，從而完成第二發(fā)光單元。9.通過真空沉積10nm的CHATP層作為p型摻雜有機層(HIL)進一步處理上述制備的基板。10.通過真空沉積5nm的NPB層作為空穴傳輸層(HTL)進一步處理上述制備的基板。11.通過真空沉積16nm發(fā)紅光層進一步處理上述制備的基板，該16nm發(fā)紅光層包括12nmNPB和4nmNNA與0.5。/o作為發(fā)紅光摻雜劑的TPDBP。12.通過真空沉積4nm發(fā)黃光層進一步處理上述制備的基板，該4nm發(fā)黃光層包括3nmNNA作為主體和lnmNPB作為共主體與2。/。發(fā)黃4登光摻雜劑PTBR。13.通過真空沉積40nm發(fā)綠光層進一步處理上述制備的基板，該40nm發(fā)綠光層包括37.6nmPBNA、2nm2,6-雙(二苯基氨基)-9,10畫二苯基蒽作為發(fā)綠光摻雜劑和0.4nmBEP作為發(fā)藍光摻雜劑。14.真空沉積40nm混合電子傳輸層，其包括20nmBphen、20nmALQ作為共主體，與2。/。Li金屬。15.將1OOnm鋁層蒸發(fā)沉積到該基板上以形成陰極層。實施例3(本發(fā)明)如上實施例2所述構造0LED器件，不同之處在于步驟7如下7.通過真空沉積30nm發(fā)藍光層進一步處理上述制備的基板，該30nm發(fā)藍光層包括30nmNNA主體與3%[N,N-二對甲苯基氨基][2-[4-[N,N-二對甲苯基氨基]苯基]乙烯基]聯(lián)苯和P/。的BEP作為發(fā)藍光摻雜劑。實施例4(本發(fā)明)如上實施例2所述構造0LED器件，不同之處在于步驟13如下13.通過真空沉積40nm發(fā)綠光層進一步處理上述制備的基板，該40nm發(fā)綠光層包括36.6nmPBNA、3nm2,6-雙(二苯基氨基)-9,10-二苯基蒽作為發(fā)綠光摻雜劑和0.4nmBEP作為發(fā)藍光摻雜劑。實施例5(本發(fā)明)如上實施例2所述構造OLED器件，不同之處在于步驟12如下12.通過真空沉積4nm發(fā)黃光層進一步處理上述制備的基一反，該4nm發(fā)黃光層包括2nmNNA和2nmNPB與2。/。發(fā)黃-橙光摻雜劑PTBR。實施例6(本發(fā)明)如上實施例2所述構造OLED器件，不同之處在于步驟12如下12.通過真空沉積4nm發(fā)黃光層進一步處理上述制備的基—反，該4nm發(fā)黃光層包括lnmNNA作為主體和3nmNPB作為共主體與2。/o發(fā)黃4登光摻雜劑PTBR。實施例7(單堆疊)使用上面實施例2的步驟1-8和15構造僅包括第二發(fā)光單元的單堆疊OLED器件，不同之處在于步驟8如下8.真空沉積30nm混合電子傳輸層，其包括15nmBphen、15nmALQ與2。/。Li金屬。實施例8(單堆疊)使用上面實施例2的步驟1和9-15構造僅包括第一發(fā)光單元的單堆疊OLED器件。這些實施例的試驗結果示于下表l中。本發(fā)明實施例(2至6)相對于對比實施例顯示出改進的亮度、發(fā)光效率、功率效率、量子效率和褪色穩(wěn)定性。它們進一步顯示類似的色域。已經特別參照本發(fā)明的某些優(yōu)選的實施方案詳細地描述了本發(fā)明，但是不言而喻的是在本發(fā)明的精神和范圍內可以進行改變和修改。<table>tableseeoriginaldocumentpage25</column></row><table>部件清單10OLED器件15OLED器件20基板25r濾紅色器25g濾綠色器25b濾藍色器30陽極30r陽極30g陽才及30b陽極30w陽極35空穴注入層40空穴傳豸俞層45空穴傳*敘層50y發(fā)黃光層50b發(fā)藍光層51r發(fā)紅光層51y發(fā)黃光層51g發(fā)綠光層55電子傳輸層60間隔層65電子傳輸層70發(fā)光單元75發(fā)光單元80發(fā)光單元85發(fā)光單元90陰極95中間連接器110曲線120曲線130曲線權利要求1.具有兩個相隔電極的串接式OLED器件，其包括a)布置在所述電極之間產生不同發(fā)射光譜的第一和第二發(fā)光單元，所述第一發(fā)光單元產生在長于500nm的波長下具有多重峰且在短于480nm的波長下基本上沒有發(fā)射的光，所述第二發(fā)光單元產生在短于500nm的波長下具有顯著發(fā)射的光；和b)布置在所述發(fā)光單元之間的中間連接器。2.權利要求l的串接式OLED器件，其中所述第一發(fā)光單元產生具有綠色、黃色和紅色峰的光。3.權利要求1的串接式0LED器件，其中所述相隔電極之一是反射性的且另一個是透射性的，并且所述第一發(fā)光單元布置得比笫二發(fā)光單元更靠近所述反射性電極。4.具有兩個相隔電極的串接式OLED器件，其包括a)布置在所述電極之間產生不同發(fā)射光譜的第一和第二發(fā)光單元，所述第一發(fā)光單元產生在長于500nm的波長下具有多重峰且在短于480nm的波長下基本上沒有發(fā)射的光，所述第二發(fā)光單元產生在短于500nm的波長下具有顯著發(fā)射的光；b)布置在所述發(fā)光單元中每一個之間的中間連接器；和c)與所述器件連接的從所述發(fā)光單元接收光的至少三個不同濾色器的陣列，所述濾色器中每一個的帶通經選擇產生不同的色光。5.權利要求4的串接式0LED器件，其中所述笫一發(fā)光單元產生具有綠色、黃色和紅色峰的光。6.權利要求4的串接式0LED器件，其中所述相隔電極之一是反射性的且另一個是透射性的，并且所述第一發(fā)光單元布置得比第二發(fā)光單元更靠近所述反射性電極。7.權利要求6的串接式0LED器件，其中所述第二發(fā)光單元具有發(fā)藍光層和一個發(fā)另一種光的層，該發(fā)另一種光的層產生綠色、黃色或紅色發(fā)射。8.權利要求7的串接式0LED器件，還包括布置在所述發(fā)藍光層和發(fā)另一種光的層之間的間隔層。9.具有兩個相隔電極的串接式OLED器件，其包括a)布置在所述電極之間產生不同發(fā)射光譜的第一和第二發(fā)光單元，所述第一發(fā)光單元基本上不產生藍色發(fā)射并且具有產生綠色發(fā)射的第一發(fā)光層和產生紅色發(fā)射的第二發(fā)光層，并且其中所述第一發(fā)光層包括i)蒽主體；和n)2,6-二氨基蒽發(fā)光摻雜劑；b)所述第二發(fā)光單元產生具有顯著藍色發(fā)射的光；和c)布置在所述發(fā)光單元中每一個之間的中間連接器。10.權利要求9的串接式OLED器件，還包括與所述第一和第二發(fā)光層接觸并產生黃色發(fā)射的第三發(fā)光層。全文摘要具有兩個相隔電極(30，90)的串接式OLED器件，其包括布置在所述電極之間產生不同發(fā)射光譜的第一和第二發(fā)光單元(70，80)，所述第一發(fā)光單元(80)產生在長于500nm的波長下具有多重峰且在短于480nm的波長下基本上沒有發(fā)射的光，所述第二發(fā)光單元(70)產生在短于500nm的波長下具有顯著發(fā)射的光，和布置在所述發(fā)光單元之間的中間連接器(95)。文檔編號H01L51/52GK101682000SQ200880015365公開日2010年3月24日申請日期2008年4月29日優(yōu)先權日2007年5月9日發(fā)明者J·P·史賓樂,T·K·哈特瓦申請人:伊斯曼柯達公司