專利名稱：等離子體處理裝置及防附著部件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子體處理裝置和防附著部件制造方法。
本申請以曰本專利申請2007-132631號和日本專利申請2007-146753號 作為基礎(chǔ)申請，收錄其內(nèi)容。
背景技術(shù)：
使用等離子體處理裝置的蝕刻處理是使被激發(fā)成等離子體狀態(tài)的反應(yīng) 氣體碰撞形成在基板上的結(jié)構(gòu)體而進(jìn)行。通過蝕刻處理，從結(jié)構(gòu)體飛出同反 應(yīng)氣體相結(jié)合的結(jié)構(gòu)體的粒子或結(jié)構(gòu)體的粒子單質(zhì)等生成物，因此為了不使 生成物附著在處理室的壁上，在處理室的壁和基板之間設(shè)置有防附著板。
作為防附著板的材質(zhì)，采用在鋁合金的表面進(jìn)行氧化鋁膜處理加工的材 料等(例如，參照專利文獻(xiàn)l)。鋁合金中添加有鎂、錳、銅、鐵、硅、鎳 等雜質(zhì)(生成物)。因此，為了防止該雜質(zhì)附著在防附著板上，在鋁合金的 表面實(shí)施氧化鋁膜處理加工。
專利文獻(xiàn)1:日本專利乂>開2004-356311號公報(bào)
如果為了減少附著在防附著板上的生成物的量，而在加熱防附著板的同 時(shí)進(jìn)行例如蝕刻處理等，則有時(shí)在形成在鋁合金表面的氧化鋁膜上會產(chǎn)生裂 紋。如果在鋁合金的表面產(chǎn)生裂紋，則鋁合金中所含有的雜質(zhì)金屬會通過裂 紋飛到處理室內(nèi)。于是，飛出的金屬的一部分附著在基板上的結(jié)構(gòu)體上，污 染結(jié)構(gòu)體。
在附著在結(jié)構(gòu)體上的金屬中，特別是堿金屬和堿土金屬具有容易侵入并 擴(kuò)散到結(jié)構(gòu)體內(nèi)部的性質(zhì)。因此，在污染程度變高時(shí)，形成在基板上的器件 的特性發(fā)生變化，從而給制造成品率帶來影響。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的問題而進(jìn)行，其目的在于提供降低金屬污染 的等離子體處理裝置和防附著部件的制造方法。 為了解決上述問題，本發(fā)明采用以下手段。
即，本發(fā)明的等離子體處理裝置，在被處理基板上進(jìn)行貴金屬材料和強(qiáng) 電介質(zhì)材料的等離子體處理，并且具有被加熱且暴露于等離子體的構(gòu)成部
件，所述構(gòu)成部件由鋁純度99%以上的鋁合金形成。
根據(jù)上述等離子體處理裝置，由于能夠抑制所述構(gòu)成部件所含有的雜質(zhì) 的含有率，能夠降低所述被處理基板所受到的金屬污染。由此，能夠抑制形 成在所述被處理基板上的器件的特性變化，從而具有提高制造成品率和降低 制造成本的效果。
所述構(gòu)成部件，可以是防止由等離子體處理所產(chǎn)生的生成物附著的防附 著部件。
此時(shí)，由于抑制了暴露于高密度的等離子體的所述防附著部件的雜質(zhì)含 有率，能夠降低所迷被處理基板所受到的金屬污染。由此，能夠抑制形成在 所述被處理基板上的所述器件的特性變化，從而能夠?qū)崿F(xiàn)制造成品率的提高 和制造成本的降低。
所述構(gòu)成部件的鎂含有率可以在0.1%以下。
此時(shí)，能夠抑制在等離子體處理時(shí)飛到所述處理室內(nèi)的所述鎂的量。由 此，附著在所述被處理基板上的鎂的量降低，能夠抑制形成在所述被處理基 板上的所述器件的特性變化，從而能夠?qū)崿F(xiàn)制造成品率的提高和制造成本的 降低。
所述貴金屬材料和所述強(qiáng)電介質(zhì)材料，可以是構(gòu)成強(qiáng)電介質(zhì)存儲器的存 儲元件的材料。
所述貴金屬材料可以至少包含Pt (鉑)、Ir (銥)、Ir02 (氧化銥)以 及SrRu03 (氧化鍶釕)中的任意一種。所述強(qiáng)電介質(zhì)材料可以至少包含PZT (Pb (Zr, Ti)03;鈥酸鋯酸鉛)、 SBT (SrBi2Ta209;鉭酸鍶鉍)、BTO (Bi4Ti3012;鈦酸鉍)、BLT ( (Bi, La) 4Ti3012;鈥酸鉍、鑭)中的任意一種。
這些貴金屬材料和強(qiáng)電介質(zhì)材料具有等離子體處理所產(chǎn)生的生成物容 易附著的性質(zhì)。為了防止生成物的附著，加熱等離子體處理裝置的構(gòu)成部件。 此時(shí)，在如上所述的現(xiàn)有技術(shù)中，由于構(gòu)成部件所含有的雜質(zhì)有可能會附著 到被處理基板上，被處理基板會受到金屬污染。相對于此，在本發(fā)明中，由 于抑制構(gòu)成部件所含有的雜質(zhì)的含有率，能夠降低所述被處理基板所受到的 金屬污染。由此，能夠抑制形成在所述被處理基板上的所述器件的特性變化， 能夠?qū)崿F(xiàn)制造成品率的提高和制造成本的降低。
本發(fā)明的其他的等離子體處理裝置，在被處理基板上進(jìn)行貴金屬材料和 強(qiáng)電介質(zhì)材料的等離子體處理，并且具有被加熱且暴露于等離子體的構(gòu)成部 件，所述構(gòu)成部件通過用壁壘型陽極氧化膜覆蓋鋁合金制成的基體，進(jìn)一步 用鋁純度99%以上的鋁噴鍍膜覆蓋所述壁壘型陽極氧化膜上來形成。
根據(jù)上述等離子體裝置，所述壁壘型陽極氧化膜能夠抑制雜質(zhì)從所述基 體流出。即，由于所述壁壘型陽極氧化膜的耐熱性優(yōu)異，因加熱而產(chǎn)生裂紋 的可能性小。此外，由于用所述鋁噴鍍膜保護(hù)所述壁壘型陽極氧化膜，即使 在所述壁壘型陽極氧化膜比較薄的情況下，也能夠減少機(jī)械損傷。由此，能
夠抑制等離子體處理時(shí)雜質(zhì)從所述基體流出，能夠降低所述被處理基板所受 到的金屬污染。因此，由于能夠抑制形成在所述被處理基板上的器件的特性 變化，能夠?qū)崿F(xiàn)制造成品率的提高和制造成本的降低。
所述壁壘型陽極氧化膜可以通過對厚度5nm以上且20nm以下的氧化膜 表面進(jìn)行壁壘型陽極氧化處理來形成。
此時(shí)，通過對厚度5nm 20nm的致密的氧化膜表面進(jìn)行壁壘型陽極氧化 處理，能夠在鋁合金制成的所述基體表面形成致密的所述壁壘型陽極氧化 膜。由此，能夠形成耐熱性及氣體放出特性優(yōu)異的所述壁壘型陽極氧化 ， 能夠抑制等離子體處理時(shí)雜質(zhì)從所述基體流出。進(jìn)一步地，能夠降低所述被處理基板所受到的金屬污染。
所述構(gòu)成部件可以是防止由等離子體處理所產(chǎn)生的生成物附著的防附 著部件。
此時(shí)，由于能夠抑制雜質(zhì)從暴露于高密度的等離子體的所述防附著部件 流出，能夠降低所述被處理基板所受到的金屬污染。由此，能夠抑制形成在 所述被處理基板上的所述器件的特性變化，能夠?qū)崿F(xiàn)制造成品率的提高和制 造成本的降低。
所述鋁噴鍍膜的膜厚可以為100pm以上。
此時(shí)，由于用所述鋁噴鍍膜保護(hù)所述壁壘型陽極氧化膜，即使在所述壁 壘型陽極氧化膜比較薄的情況下，也能夠減少機(jī)械損傷。由此，能夠抑制等 離子體處理時(shí)雜質(zhì)從所述基體流出，能夠降低所述被處理基板所受到的金屬 污染。因此，由于能夠抑制形成在所述被處理基板上的器件的特性變化，能 夠?qū)崿F(xiàn)制造成品率的提高和制造成本的降低。
所述貴金屬材料和所述強(qiáng)電介質(zhì)材料可以是構(gòu)成強(qiáng)電介質(zhì)存儲器的存儲 元件的材料。
所述貴金屬材料可以至少包含Pt (柏)、Ir (銥)、Ir02 (氧化銥)以 及SrRu03 (氧化鍶釕)中的任意一種。
所述強(qiáng)電介質(zhì)材料可以至少包含PZT (Pb (Zr， Ti)03;鈦酸鋯酸鉛)、 SBT (SrBi2Ta209;鉭酸鍶鉍)、BTO ( Bi4Ti3012;鈦酸鉍)、BLT ( ( Bi， La) 4Ti3012;鈦酸鉍鑭)中的任意一種。
這些貴金屬材料和強(qiáng)電介質(zhì)材料具有容易附著等離子體處理所產(chǎn)生的 生成物的性質(zhì)。如果為了防止生成物的附著，加熱等離子體處理裝置的構(gòu)成 部件，則在如上所述的現(xiàn)有技術(shù)中，覆蓋在構(gòu)成部件上的氧化鋁膜發(fā)生裂紋。 從該裂紋流出的雜質(zhì)有可能會附著到所述被處理基板上，被處理基板會受到 金屬污染。相對于此，在本發(fā)明中，由于用具有耐熱性的所述壁壘型陽極氧 化膜覆蓋所述基體，即使加熱所述構(gòu)成部件也不會發(fā)生裂紋，能夠抑制雜質(zhì) 的流出。由此，能夠抑制形成在所述拔處理基板上的器件的特性變化，能夠?qū)崿F(xiàn)制造成品率的提高和制造成本的降低。
本發(fā)明的防附著部件的制造方法是制造設(shè)置于在被處理基板上對貴金 屬材料和強(qiáng)電介質(zhì)材料進(jìn)行等離子體處理的裝置上的、被加熱且暴露于等離
子體的防附著部件的制造方法，該方法包括用壁壘型陽極氧化膜覆蓋鋁合 金制成的基體的氧化膜覆蓋工序；和用鋁純度99%以上的鋁噴鍍膜覆蓋所述 壁壘型陽極氧化膜的噴鍍膜覆蓋工序。
根據(jù)上述防附著部件的制造方法，由于用壁壘型陽極氧化膜覆蓋鋁合金 制成的基體，能夠用耐熱性優(yōu)異的所述壁壘型陽極氧化膜覆蓋所述基體。此 外，鋁純度99%以上的鋁噴鍍膜覆蓋壁壘型陽極氧化膜。此時(shí)，由于所述壁 壘型陽極氧化膜的耐熱性優(yōu)異，即使被加熱，所述壁壘型陽極氧化膜產(chǎn)生裂 紋的可能性也小。因此，能夠抑制雜質(zhì)從所述基體流出。此外，由于在所述 壁壘型陽極氧化膜上覆蓋噴鍍膜來進(jìn)行保護(hù)，即使在該壁壘型陽極氧化膜比 較薄的情況下，也能夠減少機(jī)械損傷。由此，抑制等離子體處理時(shí)雜質(zhì)從所 述基體流出，能夠降低所述被處理基板所受到的金屬污染。進(jìn)一步地，能夠 抑制器件的特性變化。
也可以在所述氧化膜覆蓋工序之前，進(jìn)一步包括用厚度5nm以上且 20nm以下的氧化膜覆蓋所述基體的工序，在所述氧化膜覆蓋工序中，對所 述氧化膜的表面進(jìn)行壁壘型陽極氧化處理。
此時(shí)，通過對厚度5nm以上且20nm以下的致密的氧化膜表面進(jìn)行壁壘 型陽極氧化處理來制造防附著部件，能夠在鋁合金制成的基體表面形成致密 的壁壘型陽極氧化膜。由此，由于能夠形成耐熱性和氣體放出特性優(yōu)異的壁 壘型陽極氧化膜，能夠抑制等離子體處理時(shí)雜質(zhì)從所述基體流出。其結(jié)果是， 能夠進(jìn)一 步降低所述被處理基板所受到的金屬污染。
發(fā)明效果
根據(jù)上述本發(fā)明的等離子體處理裝置，由于能夠抑制所述構(gòu)成部件含有 的雜質(zhì)的含有率，能夠降低所述被處理基板所受到的金屬污染。由此，能夠 抑制形成在所述被處理基板上的器件的特性變化，能夠得到制造成品率提高和制造成本降低的效果。
根據(jù)上述本發(fā)明的其他的等離子體裝置，壁壘型陽極氧化膜能夠抑制雜 質(zhì)從基體流出。即，由于壁壘型陽極氧化膜的耐熱性優(yōu)異，因加熱導(dǎo)致產(chǎn)生 裂紋的可能性小。此外，利用鋁噴鍍膜保護(hù)壁壘型陽極氧化膜，因此即使在 壁壘型陽極氧化膜比較薄的情況下，也能夠減少機(jī)械損傷。由此，能夠抑制 等離子體處理時(shí)雜質(zhì)從基體流出，能夠降低被處理基板所受到的金屬污染。 因此，由于能夠抑制形成在被處理基板上的器件的特性變化，能夠得到制造 成品率提高和制造成本降低的效果。
圖1為本發(fā)明的第一實(shí)施方式的蝕刻裝置的概要結(jié)構(gòu)圖； 圖2為表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的蝕刻裝置中的永久磁鐵、第一電極和 天線的位置關(guān)系的俯^見圖； 圖3為FeRAM的剖面圖4為本發(fā)明的第二實(shí)施方式的蝕刻裝置的概要結(jié)構(gòu)圖； 圖5為表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式的蝕刻裝置中的永久磁鐵、第一電極和 天線的俯視圖6為防附著部件的剖面放大圖； 圖 7 為 FeRAM的剖面圖。 符號說明
1, 201蝕刻裝置；10, 210處理室；15, 215第一石英板；20, 220防附 著部件；20b側(cè)壁部；31， 231永久磁鐵；32， 232第一電極；33， 233天線； 34， 234第一高頻電源；41, 241第二電極；42, 242第二高頻電源；51， 251 加熱裝置；52， 252支撐部件；53， 253第二石英板；60， 260進(jìn)氣設(shè)備；70， 270排氣設(shè)備；80, 280冷卻裝置；90, 290基板；100， 300 FeRAM; 101, 301硅基板；102, 302下部電極；103， 303強(qiáng)電介質(zhì)層；104, 304上部電極； 221基體；222致密的氧化膜；223壁壘型陽極氧化膜；224鋁噴鍍膜
具體實(shí)施例方式
(等離子體處理裝置的結(jié)構(gòu))
以下，使用附圖對本發(fā)明的等離子體處理裝置進(jìn)行說明。以下所示的各實(shí) 施方式雖然對感應(yīng)耦合方式的離子蝕刻裝置進(jìn)行說明，但對于通過化學(xué)蒸鍍法
(Chemical Vapor Deposition )等形成薄膜的裝置也能夠適用。
以下所示的各實(shí)施方式是本發(fā)明的一個(gè)例子，并不限定本發(fā)明，在本發(fā)明 的技術(shù)思想范圍內(nèi)可以任意改變。此外，在以下附圖中，為了^f吏各結(jié)構(gòu)容易理 解，實(shí)際的結(jié)構(gòu)與各結(jié)構(gòu)的比例和數(shù)目等有時(shí)會不同。 [第一實(shí)施方式]
圖1為本發(fā)明的蝕刻裝置(等離子體處理裝置)1的概要結(jié)構(gòu)圖。蝕刻 裝置1具有處理室10、防附著部件20、等離子體生成設(shè)備30、偏壓生成設(shè) 備40、第一石英板15、加熱裝置51、支撐部件52、第二石英板53、進(jìn)氣 設(shè)備60、排氣設(shè)備70和冷卻裝置80。等離子體生成設(shè)備30具有第一電極 31、永久-茲鐵32、天線33和第一高頻電源34。偏壓生成設(shè)備具有第二電極 41和第二高頻電源42。
處理室10形成為圓柱形，在頂壁10a具有開口部10c，且在底壁10b 具有開口部10d。在處理室10的頂壁10a的外側(cè)，以覆蓋開口部10c而放置 有第一石英板15。在第一石英板15上放置有第一電極31。在第一電極31 上方配置有永久磁鐵32，進(jìn)一步在永久磁鐵32的上方配置有天線33。第一 高頻電源34與第一電極31和天線33電連接。在處理室10的底壁10b的內(nèi) 側(cè)，以覆蓋開口部10d而放置有第二電極41,進(jìn)一步在第二電極41上》文置 有支撐部件52。第二高頻電源42與第二電極41相連接。支撐部件52被形 成為在剖視中中央部比周邊部厚，在中央部上放置有基板90。在支撐部件 52的周邊部上放置有第二石英板53。在處理室10的底壁10b的內(nèi)表面，沿 著開口部10d的外周放置有加熱裝置51。加熱裝置51上放置有大致圓筒狀 的防附著部件20。關(guān)于該防附著部件20將在后面詳細(xì)描述。防附著部件20的上端部20e與第 一石英板15相抵接。
在處理室10中，利用通過等離子體生成設(shè)備30生成的等離子體對基板 90進(jìn)行蝕刻。
第一石英板15為在俯視中呈大致圓形的圓板狀。第一石英板15被配置 為覆蓋處理室IO的開口部10c，用來封閉開口部10c，且被用作放置第一電 極31的基座。
第一石英板15的上表面15a上配置有第一電極31。圖2為表示配置在 第一石英板15上的第一電極31、永久磁鐵32和天線33的俯視圖。如圖2 所示，第一電極31具有多個(gè)臂部31b從中心軸31a呈放射狀配置的結(jié)構(gòu)。 第一電極31的中心軸31a與旋轉(zhuǎn)裝置(未圖示)相連，能夠沿第一電極31 的圓周方向旋轉(zhuǎn)。第一電極31通過將等離子體粒子吸引到第一電極31側(cè)， 去除由于蝕刻處理附著在第一石英板15上的生成物。
永久磁鐵32在俯視中大致呈矩形，N極朝向內(nèi)側(cè)在圓周方向上等間隔 地配置。
天線33為在俯視中為圓環(huán)狀的平板。天線33可以采用圓環(huán)狀、線圈狀等。
10的側(cè)壁部10f上，且沿著處理室的側(cè)壁部10f形成為大致圓筒狀。防附著
部件20由底部20a和側(cè)壁部20b構(gòu)成，底部20a在剖視中比基板90更向處
理室10的底壁10b側(cè)配置，側(cè)壁部20b在剖視中比基板90更向處理室10
的頂壁10a側(cè)配置。防附著部件20通過焊接粘合底部20a的外周側(cè)的上端
部20f和側(cè)壁部20b的下端部20g而形成。防附著部件20的底部20a》文置
在加熱裝置51上。
防附著部件20的底部20a形成為在剖視中呈U字狀。防附著部件20
的厚度為大約5mm的程度。本實(shí)施方式的防附著部件20的底部20a使用具
有耐熱性和機(jī)械強(qiáng)度的材質(zhì)。用于底部20a的材質(zhì)可以舉出例如鋁合金
AA5052。 AA5052是由美國鋁業(yè)協(xié)會(Aluminum Assbciation of America )
ii標(biāo)準(zhǔn)化的鋁合金之一。AA5052是向鋁中添加了 2.2%—2.8%的鎂和其它元素 的鋁合金，相對于鋁單質(zhì)，提高了機(jī)械強(qiáng)度。此外，底部20a所使用的材質(zhì) 不限于此，可以替代為具有高機(jī)械強(qiáng)度、雜質(zhì)金屬的含有率小的其它材質(zhì)。 另一方面，防附著部件20的側(cè)壁部20b形成為圓筒狀。防附著部件20 的側(cè)壁部20b是最多地承受來自等離子體狀態(tài)粒子的作用的部件。側(cè)壁部 20b的材質(zhì)可以舉出例如AA1050等鋁合金。AA1050是由美國鋁業(yè)協(xié)會
(Aluminum Association of America)標(biāo)準(zhǔn)化的鋁合金之一。AA1050的鋁純 度在99%以上，同時(shí)鎂的含有率在0.05%以下。側(cè)壁部20b的材質(zhì)不限于此， 可以替代為具有99%以上的鋁純度且鎂等堿土金屬和堿金屬的含有率在 0.1%以下的材質(zhì)。這是因?yàn)閴A金屬和堿土金屬容易擴(kuò)散到基板90中，使得 基板90的特性發(fā)生變化。
加熱裝置51圍繞處理室10的底壁10b的開口部10d而配置，形成為大 致圓環(huán)狀。加熱裝置51可以釆用金屬、陶瓷等電阻體等。加熱裝置51用于 加熱防附著部件20，在蝕刻處理時(shí)，將防附著部件20加熱到15(TC以上。 作為形成在基板90上的器件的一個(gè)例子，能夠舉出FeRAM
(Ferroelectric Random Access Memory)。 圖3為FeRAM 100的剖面圖。 FeRAM100具有在硅基板101上層壓下部電極102、強(qiáng)電介質(zhì)層103和上部 電極104的結(jié)構(gòu)。
下部電極102和上部電極104形成為薄膜狀。下部電極102和上部電極 104的材質(zhì)可以采用Pt (鉬)、Ir (銥)、Ir02 (氧化銥)以及SrRu03 (氧 化鍶釕)等貴金屬。作為強(qiáng)電介質(zhì)層103的材質(zhì)，可以采用PZT (Pb (Zr， Ti) 03;鈦酸4告酸鉛)、SBT ( SrBi2Ta209;鉭酸鍶鉍)、BTO (Bi4Ti3012; 鈦酸鉍)、BLT ( (Bi， La) 4Ti3012;鈦酸鉍鑭)等強(qiáng)電介質(zhì)材料。
對于FeRAMlOO，當(dāng)通過下部電極102和上部電極104之間的電位差向 強(qiáng)電介質(zhì)層103施加電場時(shí)，能夠改變強(qiáng)電介質(zhì)層103的自發(fā)極化方向。由 于該自發(fā)極化方向即使下部電極102和上部電極104之間的電位差消失也能 夠保持，因此通過自發(fā)極化的方向能夠儲存O或1的數(shù)據(jù)。(蝕刻方法)
接下來，對使用本發(fā)明的蝕刻裝置1的蝕刻方法進(jìn)行說明。
將基板90放置在支撐部件52上，使處理室10內(nèi)成為大致真空，并驅(qū) 動加熱裝置51加熱防附著部件20。
將防附著部件20充分加熱之后，通過進(jìn)氣設(shè)備60向處理室10內(nèi)供給 蝕刻用氣體。被供給的氣體為例如卣素氣體、全氟化碳?xì)怏w等。在蝕刻處理 中，驅(qū)動排氣設(shè)備70，將處理室10內(nèi)的壓力保持一定。
接下來，驅(qū)動第一高頻電源34，向第一電極31和天線33供給高頻電 流，使處理室10的內(nèi)部區(qū)域10e的蝕刻用氣體激發(fā)為等離子體狀態(tài)。
接下來，驅(qū)動第二高頻電源42,向第二電極41供給高頻電流。由此， 被激發(fā)為等離子體狀態(tài)的蝕刻用氣體被誘導(dǎo)向第二電極41。其結(jié)果為，蝕 刻用氣體碰撞到放置在支撐部件52上的基板90和形成在基板卯上的器件 用的膜上，基板90和器件用膜被蝕刻。此時(shí)，從基板90飛出與蝕刻用氣體 結(jié)合的器件用膜的粒子和器件用膜的粒子單質(zhì)等生成物。
從基板90飛出的生成物，或者通過排氣設(shè)備70從處理室IO排出，或 者附著在防附著部件20等的周圍的壁面上殘留在處理室10內(nèi)部。 (作用、效果)
以下，對上述等離子體處理裝置1的作用、效果進(jìn)行說明。 在本實(shí)施方式中，通過防附著部件20的側(cè)壁部20b采用鋁純度高的材 質(zhì)，降低側(cè)壁部20b中含有的污染金屬的含有率。因此，即使側(cè)壁部20b暴 露于高密度的等離子體中，污染金屬也幾乎不會從側(cè)壁部20b析出。因此， 能夠降低進(jìn)行了等離子體處理時(shí)的基板90的污染程度。由此，能夠提高基 板90的制造成品率、降低制造成本。此外，不需要對側(cè)壁部20b的表面進(jìn) 行氧化鋁膜處理加工，鋁合金比氧化鋁膜具有更高的熱傳導(dǎo)率，因此能夠提 高防附著部件20的熱傳導(dǎo)率。由此，有效地進(jìn)行加熱裝置51對防附著部件 20的加熱，能夠降低從基板90飛出的生成物附著到防附著部件20的量。 由此，能夠降低防附著部件20的維護(hù)頻率。通過對防附著部件20的底部20a采用具有機(jī)械強(qiáng)度的材質(zhì)，能夠提高 防附著部件20的機(jī)械強(qiáng)度，因此能夠抑制防附著部件20在制造時(shí)或者維護(hù) 時(shí)的變形，能夠延長壽命。由此，能夠抑制蝕刻裝置1的維護(hù)費(fèi)用。
通過采用例如AA1050、 AA5052等標(biāo)準(zhǔn)化的材質(zhì)作為防附著部件20的 材質(zhì)，能夠容易籌集廉價(jià)的材料，能夠抑制防附著部件20的制造成本。 (實(shí)施例)
接下來，對使用上述蝕刻裝置1進(jìn)行的污染程度評價(jià)的實(shí)施例進(jìn)行說明。
在此，對基板90的污染程度的評價(jià)方法進(jìn)行說明?；?0使用在表面 上形成有Si02 (二氧化硅)膜的硅片。將該基板90暴露于氬氣的等離子體 中。
通過氫氟酸溶解附著有污染金屬的基板90的Si02。對含有該SiCb的氫 氟酸進(jìn)行分析，得出氫氟酸中的污染金屬原子數(shù)。將如此得到的污染金屬原 子數(shù)以基板90的每單位面積進(jìn)行計(jì)算，從而評價(jià)污染程度。
在本實(shí)施例中，蝕刻裝置1中的防附著部件20的底部20a的材質(zhì)采用 鋁合金AA1050,防附著部件20的側(cè)壁部20b的材質(zhì)采用鋁AA5052。防附 著部件20通過焊接粘合底部20a的外周側(cè)的上端部20f和側(cè)壁部20b的下 端部20g而形成。
然后，將基板90配置在蝕刻裝置1的支撐部件52上，使處理室為大致 真空，并使用加熱裝置51將防附著部件20加熱到150。C以上。之后，從進(jìn) 氣設(shè)備60將作為蝕刻用氣體的氬氣供給到處理室10內(nèi)部。調(diào)整排氣設(shè)備 70的輸出，使處理室內(nèi)的壓力一定。
使處理室內(nèi)的壓力一定之后，驅(qū)動第一高頻電源34，使處理室10內(nèi)的 區(qū)域10e的氬氣激發(fā)為等離子狀態(tài)。
在驅(qū)動第一高頻電源34的狀態(tài)下，驅(qū)動第二高頻電源42，使被激發(fā)為 等離子體狀態(tài)的氬氣碰撞基板卯，將基板90暴露于等離子體。
將暴露于等離子體的基板卯從處理室IO取出，用氫氟酸洗滌。之后，對用于洗滌基板90的氫氟酸進(jìn)行分析，得出氬氟酸所含有的鎂元素的數(shù)目。
分析的結(jié)果，基板90的污染程度為2.6 x 10"個(gè)/cm2。
在現(xiàn)有的蝕刻裝置中，使用AA5052作為防附著部件整體的材質(zhì)。由于使用現(xiàn)有的蝕刻裝置的基板的污染程度為21 x 10"個(gè)/cm2,證實(shí)了通過使用本發(fā)明的蝕刻裝置1，基板90的污染程度能夠得到改善。[第二實(shí)施方式](等離子體處理裝置的結(jié)構(gòu))
圖4為本發(fā)明的蝕刻裝置(等離子體處理裝置)201的概要結(jié)構(gòu)圖。蝕刻裝置201具有處理室210、防附著部件220、等離子體生成設(shè)備230、偏壓生成設(shè)備240、第一石英板215、加熱裝置251、支撐部件252、第二石英板253、進(jìn)氣設(shè)備260、排氣設(shè)備270和冷卻裝置280。等離子體生成設(shè)備230具有第一電極231、永久磁鐵232、天線233和第一高頻電源234。偏壓生成設(shè)備240具有第二電極241和第二高頻電源242。
處理室210形成為圓柱形，在頂壁210a具有開口部210c，且在底壁210b具有開口部210d。在處理室210的頂壁210a的外側(cè)，以;霞蓋開口部210c而放置有第一石英板215。在第一石英板215上放置有第一電極231。在第一電極231上方配置有永久;茲鐵232,進(jìn)一步在永久》茲鐵232的上方配置有天線233。第一高頻電源234與第一電4及231和天線233電連接。在處理室210的底壁210b的內(nèi)側(cè)，以覆蓋開口部210d而放置有第二電極241，進(jìn)一步在第二電極241上放置有支撐部件252。第二高頻電源242與第二電極241相連接。支撐部件252被形成為在剖視中中央部比周邊部厚，且在中央部上放置有基板290。在支撐部件252的周邊部上放置有第二石英板253。在處理室210的底壁210b的內(nèi)表面，沿著第二電極241的外周》丈置有加熱裝置251。加熱裝置251上放置有大致圓筒狀的防附著部件220。關(guān)于該防附著部件220將在后面詳細(xì)描述。防附著部件220的上端部220e與第一石英板215相抵接。
在處理室210中，利用通過等離子體生成設(shè)備230生成的等離子體對基板290進(jìn)行蝕刻。
第一石英板215為在俯視中呈大致圓形的圓板狀。第一石英板215被配置為覆蓋處理室210的開口部210c，用來封閉開口部210c,且被用作放置第一電極231的基座。
第一石英板215的上表面215a上配置有第一電極231。圖5為表示配置在第 一石英板215上的第 一電極231 、永久磁鐵232和天線233的俯-見圖。如圖5所示，第一電極231具有多個(gè)臂部231b從中心軸231a呈放射狀配置的結(jié)構(gòu)。第一電極231的中心軸231a與旋轉(zhuǎn)裝置(未圖示)相連，能夠使第一電極231沿圓周方向旋轉(zhuǎn)。第一電極231通過將等離子體粒子吸引到第一電極231側(cè)，去除由于蝕刻處理附著在第一石英板215上的生成物。
永久磁鐵232在俯視中大致呈矩形，N極朝向內(nèi)側(cè)在圓周方向上等間隔地配置。
天線233為在俯視中為圓環(huán)狀的平板。天線233可以采用圓環(huán)狀、線圈狀等。
室210的側(cè)壁部210f上。圖6為防附著部件220的放大概念圖。防附著部件220具有基體221、覆蓋基體221的致密的氧化膜222、覆蓋致密的氧化膜222的壁壘型陽極氧化膜223和覆蓋壁壘型陽極氧化膜223的鋁噴鍍膜224。
防附著部件220沿著處理室的側(cè)壁部210f形成為大致圓筒狀，防附著部件220的底部220a形成為在剖視中呈U字狀。此外，防附著部件220的厚度為大約5mm的程度。
本實(shí)施方式的防附著部件220的基體221使用具有耐熱性和機(jī)械強(qiáng)度的材質(zhì)，可以舉出例如鋁合金AA5052。 AA5052是由美國鋁業(yè)協(xié)會(AluminumAssociation of America )標(biāo)準(zhǔn)化的鋁合金之一。AA5052是向鋁中添加了 2.2%—2.8%的鎂和其它元素的鋁合金，相對于鋁單質(zhì)，提高了機(jī)械強(qiáng)度。此外，基體221所使用的材質(zhì)不限于此，可以替代為具有耐熱性和機(jī)械強(qiáng)度的其它'
16致密的氧化膜222是作為形成壁壘型陽極氧化膜223的前處理而形成的薄膜。本實(shí)施方式中所述的致密的氧化膜是指，去除了由于存在非金屬夾雜物帶來的缺陷，沒有納米級以上的空穴且連續(xù)的覆膜，氧化膜形成之后即使在大氣中進(jìn)行氧化等來促進(jìn)氧化，氧化膜也不會增厚的層。由于致密的氧化膜222具有耐熱性，因加熱而產(chǎn)生裂紋的情況少，能夠抑制蝕刻處理時(shí)雜質(zhì)從基體221流出。
致密的氧化膜222形成為5nm 20nm的膜厚。對于該氧化膜，如杲膜厚不到5nm很難連續(xù)地成長為層狀，成為不均勻的氧化覆膜。另一方面，如果膜厚超過20nm,將無法形成致密的氧化層而成為多孔結(jié)構(gòu)，即使之后形成壁壘型陽極氧化膜，也會成為放出氣體多的壁壘型陽極氧化膜。因此，如果形成這樣的氧化膜222，將不能夠抑制雜質(zhì)從基體221流出。
壁壘型陽極氧化膜223具有耐熱性，且因加熱產(chǎn)生裂紋的情況少，因此能夠抑制蝕刻處理時(shí)雜質(zhì)從基體221流出。壁壘型陽極氧化膜223形成為大約200nm的程度。特別是，通過對上述致密的氧化膜222的表面進(jìn)行壁壘型陽極氧化處理，即使是含有雜質(zhì)的鋁合金表面，也能夠形成致密的壁壘型陽極氧化膜223。
防附著部件220也可以具有在基體221上不覆蓋致密的氧化膜222,而壁壘型陽極氧化膜223直接覆蓋在基體221上的結(jié)構(gòu)。此時(shí)，優(yōu)選對壁壘型陽極氧化膜223的表面實(shí)施烘焙處理，使含水率和相對鋁的陰離子的含量下降。即使只有這種壁壘型陽極氧化膜223，也能夠抑制雜質(zhì)的流出。
鋁噴鍍膜224通過噴鍍純度99%以上的鋁來形成。鋁噴鍍膜224用于在維護(hù)時(shí)取下防附著部件220的時(shí)候，防止壁壘型陽極氧化膜223受到機(jī)械損傷。此外，鋁噴鍍膜224也被用于抑制從基板290飛出的蝕刻生成物附著到防附著部件220上。
鋁噴鍍膜224的表面不平坦，表面粗姊造度(Ra)為大約10idm 50nm的程度。防附著部件220雖然形成為通過加熱裝置251加熱并難以附著生成物，但假使附著了生成物，利用基于鋁噴鍍膜224的表面粗糙的固定效果，也能夠使生成物不從鋁噴鍍膜224剝離而堆積生成物。由此，能夠防止由于生成物導(dǎo)致的處理室210內(nèi)部的微粒污染。
鋁噴鍍膜224的膜厚優(yōu)選在100(am以上且小于20(Him。如果膜厚小于100pm,則不能充分保護(hù)壁壘型陽極氧化膜223,如果為200nm以上，則對壁壘型陽極氧化膜223的粘著性降低。
圖6表示了在基體221的全部表面上覆蓋了致密的氧化膜222、壁壘型陽極氧化膜223和鋁噴鍍膜224的防附著部件220,但也可以使用僅僅是暴露于等離子體的內(nèi)側(cè)被覆蓋的防附著部件。
加熱裝置251圍繞處理室210的底壁210b的開口部210d而配置，并形成為大致圓環(huán)狀。加熱裝置251可以采用金屬、陶瓷等電阻體等。加熱裝置251用于加熱防附著部件220,在蝕刻處理時(shí)，將防附著部件220加熱到150。C以上。
作為形成在基板290上的器件的一個(gè)例子，可以舉出FeRAM(Ferroelectric Random Access Memory)。 圖7為FeRAM300的吾'J面圖。FeRAM300具有在硅基板301上層壓下部電極302、強(qiáng)電介質(zhì)層303和上部電極304的結(jié)構(gòu)。
下部電極302和上部電極304形成為薄膜狀。下部電極302和上部電極304的材質(zhì)可以采用Pt (鉑)、Ir (銥)、Ir02 (氧化銥)以及SrRu03 (氧化鍶釕)等貴金屬。作為強(qiáng)電介質(zhì)層303的材質(zhì)，可以采用PZT (Pb (Zr,Ti) 03;鈦酸鋯酸鉛)、SBT ( SrBi2Ta209;鉭酸鍶鉍)、BTO (Bi4Ti3012;鈦酸鉍)、BLT ( (Bi， La) 4Ti3012;鈦酸鉍鑭)等強(qiáng)電介質(zhì)材料。
對于FeRAM300，當(dāng)通過下部電極302和上部電極304之間的電位差向強(qiáng)電介質(zhì)層303施加電場時(shí)，能夠改變強(qiáng)電介質(zhì)層303的自發(fā)^f及化方向。由于該自發(fā)極化方向即使下部電極302和上部電極304之間的電位差消失也能夠保持，因此通過自發(fā)極化的方向能夠儲存O或1的數(shù)據(jù)。(防附著部件220的制造方法)在此，對防附著部件220的制造方法進(jìn)行說明。
首先，利用噴砂法研磨基體221的表面。通過研磨，基體221的表面粗糙度(Ra)成為大約5pm以下。進(jìn)行研磨是為了 ^是高在這之后形成的致密的氧化膜222的粘著性。
對表面被研磨后的基體221進(jìn)行形成致密的氧化膜222的工序。
首先，將具有50重量％~80重量％的磷酸和1重量％ 5重量％的硝酸的酸性溶液加熱到80。C 100。C的程度。然后，將基體221浸漬在被加熱的酸性溶液中1分鐘 10分鐘，形成致密的氧化膜222。
還可以采用在氧氣氣氛或大氣氣氛中使用紫外線燈等生成臭氧，利用生成的臭氧對基體表面進(jìn)行氧化處理，形成致密的氧化膜222的方法。
對形成的致密的氧化膜222，在真空、大氣或氮?dú)鈿夥罩?，?50°C~300。C下進(jìn)行加熱處理。
接下來，利用電解質(zhì)溶液對形成有致密的氧化膜222的基體221進(jìn)行電解處理，進(jìn)行壁壘型陽極氧化處理。
作為電解質(zhì)溶液，可以采用己二酸銨等己二酸鹽、硼酸4妄等硼酸鹽、硅酸鹽、鄰苯二曱酸鹽等溶液，或它們的混合液。電解處理以基體221作為陽極進(jìn)行。用于電解處理的電流密度為大約0.2A/cm2~5A/cm2,外加電壓為大約20V 500V。由此，能夠形成壁壘型陽極氧化膜223。
接著，進(jìn)行通過噴鍍在壁壘型陽極氧化膜223上形成鋁噴鍍膜224的工序。
作為噴鍍的一個(gè)方式，例如對等離子噴鍍進(jìn)行說明。通過向等離子噴鍍裝置的電極間流入氬氣等惰性氣體并放電，使惰性氣體電離生成等離子體。生成的等離子體高溫、高速，如果將鋁粉末投入到等離子體中能夠形成鋁液滴。以覆蓋防附著部件2的表面的壁壘型陽極氧化膜223而噴出隨著等離子體的流動而流動的鋁液滴，形成鋁噴鍍膜224。
形成鋁噴鍍膜224的噴鍍方法不特別限定，可以使用火焰噴鍍、等離子噴鍍、激光噴鍍等。
19(々蟲刻方法)
接下來，對使用本發(fā)明的蝕刻裝置201的蝕刻方法進(jìn)行說明。
將基板2卯放置在圖4表示的支撐部件252上，使處理室210內(nèi)成為大 致真空，并驅(qū)動加熱裝置251加熱防附著部件220。
將防附著部件220充分加熱之后，從進(jìn)氣設(shè)備260向處理室210內(nèi)供給 蝕刻用氣體。被供給的氣體為例如卣素氣體、全氟化碳?xì)怏w等。在蝕刻處理 中，驅(qū)動排氣設(shè)備270,將處理室210內(nèi)的壓力保持一定。
接下來，驅(qū)動第一高頻電源234，向第一電極231和天線233供給高頻 電流，使處理室210內(nèi)部的蝕刻用氣體激發(fā)為等離子體狀態(tài)。
接下來，驅(qū)動第二高頻電源242,向第二電極241供給高頻電流。由此， 被激發(fā)為等離子體狀態(tài)的蝕刻用氣體被誘導(dǎo)向第二電極241。其結(jié)果為，蝕 刻用氣體碰撞到放置在支撐部件252上的基板290和形成在基板290上的器 件用的膜上，基板290和器件用膜被蝕刻。此時(shí)，從基板290飛出與蝕刻用 氣體結(jié)合的器件用膜的粒子和器件用膜的粒子單質(zhì)等生成物。
從基板290飛出的生成物，或者通過排氣設(shè)備270從處理室210排出， 或者附著在防附著部件220等的周圍的壁面上殘留在處理室210內(nèi)部。 (作用、效果)
以下，對本發(fā)明的等離子體處理裝置201的作用、效果進(jìn)行說明。 在本實(shí)施方式中，壁壘型陽極氧化膜223能夠抑制雜質(zhì)從基體221流出。 即，由于壁壘型陽極氧化膜223的耐熱性優(yōu)異，因加熱產(chǎn)生裂紋的可能性小。 此外，通過由鋁噴鍍膜224保護(hù)壁壘型陽極氧化膜223，即使在壁壘型陽極 氧化膜223比較薄的情況下，也能夠降低機(jī)械損傷。由此，能夠抑制等離子 體處理時(shí)雜質(zhì)從基體流出，能夠降低基板290所受到的金屬污染。因此，由 于能夠抑制形成在基板290上的器件的特性變化，具有提高制造成品率和降 低制造成本的效果。
由于鋁噴鍍膜224具有比基體221更高的熱傳導(dǎo)率，能夠提高防附著部 件220的熱傳導(dǎo)率。由此，有效地進(jìn)行加熱裝置251對防附著部件220的加熱，能夠降低從基板290飛出的生成物附著在防附著部件220上的量。由此， 能夠降低防附著部件220的維護(hù)頻率。
此外，由于噴鍍膜224的膜表面具有10jam 50^im的表面粗糙度(Ra)， 利用固定效果能夠提高附著在鋁噴鍍膜224上的生成物的粘著性。因此，由 于防止了附著的生成物從鋁噴鍍膜224剝離，能夠防止生成物導(dǎo)致的處理室 210內(nèi)部的微粒污染。
如果用高純度鋁形成防附著部件220整體，則可以防止基板污染。但是， 高純度鋁的機(jī)械強(qiáng)度比鋁合金低，在進(jìn)行維護(hù)等等時(shí)，從處理室取出防附著 部件時(shí)受到的機(jī)械應(yīng)力有可能使防附著部件變形。但是，本實(shí)施方式的防附 著部件220的基體221采用具有機(jī)械強(qiáng)度的鋁合金，因此能夠提高防附著部 件220的機(jī)械強(qiáng)度。由此，能夠抑制防附著部件220的制造時(shí)或者維護(hù)時(shí)的 變形，能夠延長壽命。由此，能夠抑制蝕刻裝置201的維護(hù)費(fèi)用。
作為防附著部件220的材質(zhì)，采用例如AA5052等標(biāo)準(zhǔn)化的材質(zhì)，能夠 容易地籌集廉價(jià)的材料，能夠抑制防附著部件220的制造成本。 (實(shí)施例)
接下來，對使用本發(fā)明的蝕刻裝置201進(jìn)行污染程度評價(jià)的實(shí)施例進(jìn)行 說明。
在此，對基板290的污染程度的評價(jià)方法進(jìn)行說明。使用在表面上形成 有SiO2(二氧化硅)膜的硅片作為基板290。將該基板290導(dǎo)入蝕刻裝置201， 并暴露于氬氣的等離子體中。
通過氫氟酸溶解附著有污染金屬的基板290的Si02。對含有該Si02的 氫氟酸進(jìn)行分析，得出氫氟酸中的污染金屬原子數(shù)。將如此得到的污染金屬 原子數(shù)以基板290的每單位面積進(jìn)行計(jì)算，從而評價(jià)污染程度。
在本實(shí)施例中，蝕刻裝置201中的防附著部件220的基體221的材質(zhì)采 用鋁合金AA5052。
將基體221浸漬在含有80重量％的磷酸和3重 ％的硝酸且被設(shè)定為 85。C的酸性溶液中2分鐘之后用清水洗滌，從而形成致密的氧化膜222。通過將形成有致密的氧化膜222的基體221浸漬在含有10重量％的己 二酸銨且被設(shè)定為40。C的電解質(zhì)水溶液中，使電壓200V的直流電流流過1 小時(shí)，從而形成壁壘型陽極氧化膜223，作為氧化膜222。形成的氧化膜222 的膜厚為20nm。
在如此形成的氧化膜222上，通過使用氬氣的等離子噴鍍法噴鍍純度 99%以上的鋁，形成200pm的鋁噴鍍膜224。
然后，將基板290配置在蝕刻裝置201的支撐部件252上，使處理室為 大致真空，并^f吏用加熱裝置251將防附著部件220加熱到150。C以上。/人進(jìn) 氣設(shè)備260將氬氣供給到處理室210內(nèi)部。此外，調(diào)整排氣設(shè)備270的輸出， 使處理室內(nèi)的壓力一定。
寸吏處理室210內(nèi)的壓力一定之后，驅(qū)動第一高頻電源234,1吏處理室210 內(nèi)的氬氣激發(fā)為等離子體狀態(tài)。
在驅(qū)動第一高頻電源234的狀態(tài)下，驅(qū)動第二高頻電源242，使被激發(fā) 為等離子體狀態(tài)的氬氣碰撞基板290,將基板290暴露于等離子體。
將暴露于等離子體的基板290從處理室210取出，用氫氟酸洗滌。之后， 對用于洗滌基板290的氫氟酸進(jìn)行分析，得出氫氟酸所含有的鎂元素的數(shù) 目。分析的結(jié)果，使用實(shí)施例的蝕刻裝置201所產(chǎn)生的基板290的污染程度 為2.6 x 10'o個(gè)/cm2。
在現(xiàn)有的蝕刻裝置中，使用用氧化鋁膜覆蓋由AA5052制成的基體221 的表面的防附著部件。使用現(xiàn)有的蝕刻裝置所產(chǎn)生的基板的污染程度為21 xl0"個(gè)/cm2。由此，能夠證實(shí)通過使用本發(fā)明的蝕刻裝置1，基板290的 污染程度能夠得到改善。 產(chǎn)業(yè)上的利用可能性
根據(jù)本發(fā)明的等離子體處理裝置，能夠抑制上述構(gòu)成部件所含有的雜質(zhì) 的含有率，因此能夠降低上述被處理基板受到的金屬污染。由此，能夠抑制 形成在上述被處理基板上的器件的特性變化，因此能夠?qū)崿F(xiàn)制造成品率的提 高和制造成本的降低。此外，根據(jù)本發(fā)明的其他的等離子體處理裝置，壁壘型陽極氧化膜能夠 抑制雜質(zhì)從基體流出。即，由于壁壘型陽極氧化膜的耐熱性優(yōu)異，因加熱產(chǎn) 生裂紋的可能性小。此外，通過利用鋁噴鍍膜保護(hù)壁壘型陽極氧化膜，即使 在壁壘型陽極氧化膜比較薄的情況下，也能夠減少機(jī)械損傷。由此，能夠抑 制等離子體處理時(shí)雜質(zhì)從基體流出，能夠降低被處理基板所受到的金屬污 染。因此，能夠抑制形成在被處理基板上的器件的特性變化，因此能夠?qū)崿F(xiàn) 制造成品率的提高和制造成本的降低。
2權(quán)利要求
1、一種等離子體處理裝置，在被處理基板上進(jìn)行貴金屬材料和強(qiáng)電介質(zhì)材料的等離子體處理，并且具有被加熱且暴露于等離子體的構(gòu)成部件，該等離子體處理裝置的特征在于，所述構(gòu)成部件由鋁純度99％以上的鋁合金形成。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，所述構(gòu)成部件是防止由等離子體處理所產(chǎn)生的生成物附著的防附著部件。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的等離子體處理裝置，所述構(gòu)成部件的鎂含有率在0.1%以下。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，所述貴金屬材料和所述強(qiáng)電介質(zhì)材料是構(gòu)成強(qiáng)電介質(zhì)存儲器的存儲元件的材料。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，所述貴金屬材料至少包含Pt (鉑)、Ir (銥)、Ir02 (氧化銥)以及SrRu03 (氧化鍶釕)中的任意一種o
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，所述強(qiáng)電介質(zhì)材料至少包含PZT ( Pb ( Zr, Ti) 03;鈥酸鋯酸鉛)、SBT ( SrBi2Ta209;鉭酸鍶鉍)、BTO (Bi4Ti3012;鈦酸鉍)、BLT ( (Bi， La) 4Ti3012;鈦酸鉍鑭)中的任意一種。
7、 一種等離子體處理裝置，在被處理基板上進(jìn)行貴金屬材料和強(qiáng)電介質(zhì)材料的等離子體處理，并且具有被加熱且暴露于等離子體的構(gòu)成部件，該等離子體處理裝置的特征在于，所述構(gòu)成部件通過用壁壘型陽極氧化膜覆蓋鋁合金制成的基體，進(jìn)一步用鋁純度99%以上的鋁噴鍍膜覆蓋所述壁壘型陽極氧化膜而形成。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的等離子體處理裝置，所述壁壘型陽極氧化膜通過對厚度5nm以上且20nm以下的氧化膜表面進(jìn)行壁壘型陽極氧化處理來形成。
9、 根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的等離子體處理裝置，所述構(gòu)成部件是防 止由等離子體處理所產(chǎn)生的生成物附著的防附著部件。
10、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的等離子體處理裝置，所述鋁噴鍍膜的膜厚為 lOOjxm以上。
11、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的等離子體處理裝置，所述貴金屬材料和所述 強(qiáng)電介質(zhì)材料是構(gòu)成強(qiáng)電介質(zhì)存儲器的存儲元件的材料。
12、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的等離子體處理裝置，所述貴金屬材料至少包 含Pt (鉑)、Ir (銥)、Ir02 (氧化銥)以及SrRu03 (氧化鍶釕)中的任意 一種。
13、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的等離子體處理裝置，所述強(qiáng)電介質(zhì)材料至少 包含PZT ( Pb ( Zr, Ti) 03;鈦酸鋯酸鉛)、SBT ( SrBi2Ta209;鉭酸鍶鉍)、 BTO (Bi4Ti3012;鈦酸鉍)、BLT ( (Bi, La) 4Ti3012;鈦酸鉍鑭)中的任 意一種。
14、 一種防附著部件的制造方法，該方法制造設(shè)置于在被處理基板上對 貴金屬材料和強(qiáng)電介質(zhì)材料進(jìn)行等離子體處理的裝置上的、被加熱且暴露于 等離子體的防附著部件，該方法的特征在于，包括用壁壘型陽極氧化膜覆 蓋鋁合金制成的基體的氧化膜覆蓋工序；和用鋁純度99%以上的鋁噴鍍膜覆 蓋所述壁壘型陽極氧化膜的噴鍍膜覆蓋工序。
15、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的防附著部件的制造方法，進(jìn)一步包括在所 述氧化膜覆蓋工序之前，用厚度5nm以上且20nm以下的氧化膜覆蓋所述基 體的工序，在所述氧化膜覆蓋工序中，對所述氧化膜的表面進(jìn)行壁壘型陽極 氧化處理。
全文摘要
一種等離子體處理裝置，該裝置在被處理基板上進(jìn)行貴金屬材料和強(qiáng)電介質(zhì)材料的等離子體處理，并且具有被加熱且暴露于等離子體的構(gòu)成部件，所述構(gòu)成部件由鋁純度99％以上的鋁合金形成。
文檔編號H01L21/3065GK101652840SQ200880011080
公開日2010年2月17日 申請日期2008年5月14日 優(yōu)先權(quán)日2007年5月18日
發(fā)明者中村敏幸, 宮崎俊也, 小風(fēng)豐, 植田昌久, 遠(yuǎn)藤光廣, 鄒紅罡, 酒田現(xiàn)示 申請人:株式會社愛發(fā)科