專利名稱：電容母排絕緣件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種用于正負(fù)母排之間的方便電容螺絲連接的 電容母排絕緣件。
背景技術(shù)：
在變頻器、UPS等電力電子領(lǐng)域，在直流母線環(huán)節(jié)通常采用大電 解電容儲能濾波的方法，而在380V交流或更高電壓輸入整流的場合 下，為了滿足直流環(huán)節(jié)的高電壓要求，濾波電容一般采用串聯(lián)(注 當(dāng)前市場上能批量供應(yīng)的電解電容最高耐壓為450VDC),而在大功率 的裝置中，由于單個電容可承受的紋波電流有限，故直流母線環(huán)節(jié)的 電解電容會采用串并聯(lián)的方式以滿足高壓大功率的應(yīng)用場合。
在大功率變頻器應(yīng)用的場合，在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)時一4殳要求電容正負(fù)母 線的環(huán)路盡量小，同時要求正負(fù)母線重疊設(shè)計(jì)(此種設(shè)計(jì)的母線習(xí)慣 上稱之為母排)，以減小母線電感，進(jìn)而減小后級逆變橋短路時的 Ldi/dt浪涌電壓。
圖6為現(xiàn)有常用的母排結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方式，它主要適用于大功率 1140V變頻器的直流濾波電容，由于機(jī)器工作時的母線電壓可高達(dá) 2000V，且電流較大，故一般采用5并5串的電容連接方式。在這種 母排結(jié)構(gòu)中，電容1都是用鏍釘安裝在母排2上，為了滿足高壓電氣 間隙和現(xiàn)場環(huán)境(粉塵較多，污染較大)的要求，在正面母排21上需開 較大的孔3,孔3占用了正面母排21的較大面積，從而使正負(fù)母排 21、 22的重疊面積減小，母線電感增大，不利于減小后級逆變橋短 路時的Ldi/dt浪涌電壓。發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型發(fā)明的目的是提供一種有利于提高正面母排利用率 的電容母排絕緣件。
本實(shí)用新型的技術(shù)方案是設(shè)計(jì)一種電容母排絕緣件，其特征在 于包括一絕緣平底，在所述絕緣平底上設(shè)有至少一個凸出于所述絕 緣平底平面的絕緣筒體。
所述絕緣筒體為兩個。
在所述兩個絕緣筒體之間的絕緣平底上設(shè)有一 V字形折槽。 所述絕緣平底和絕緣筒體是用塑料注塑成一體的。 所述絕緣平底為圓形或多邊形。
將本實(shí)用新型的絕緣平底夾在正、負(fù)母排之間，在正母排之上只
需開出兩個與絕緣筒體外徑相等位置相對應(yīng)的圓孔，讓絕緣筒體伸出
于正母排之上，如此就可以螺絲連接電容的電極，如此之設(shè)計(jì)大大減
小了正母排打孔面積，提高了正負(fù)母排重疊面積，正面母排得到充分
的利用，有效降低了母線電感。

圖l是本實(shí)用新型一種實(shí)施例的立體結(jié)構(gòu)示意圖。 圖2是圖1的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。 圖3是圖2的A-A剖視平面結(jié)構(gòu)示意圖。 圖4是圖3中A處的放大結(jié)構(gòu)示意圖。 圖5是本實(shí)用新型的使用狀態(tài)示意圖。 圖6是現(xiàn)有母排結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方式結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)作詳細(xì)it明。
請參見圖1至圖4，它是一種電容母排絕緣件，包括一絕緣平底10,在所述絕緣平底10同一側(cè)面上設(shè)有兩個凸出于所述絕緣平底10 平面的絕緣筒體20。本實(shí)施例中所述絕緣平底10和絕緣筒體20是 用塑料注塑成一體的，當(dāng)然也可以用其它材料和其它方式進(jìn)行制作。 在所述兩個絕緣筒體20之間的絕緣平底10上設(shè)的一 V字形折槽30, 這樣有利于本實(shí)用新型的使用，當(dāng)使用者只需要帶一個絕緣筒體20 時，可以用力反復(fù)折上折下而裂開折槽30，達(dá)到單個使用的目的。 顯然，本實(shí)用新型也可設(shè)計(jì)成在絕緣平底10上只設(shè)有一個絕緣筒體 20的結(jié)構(gòu)。本實(shí)施例中的絕緣平底為圓形，也可以設(shè)計(jì)成多邊形絕 緣平底。
請參見圖5,圖5是本實(shí)用新型的使用狀態(tài)示意圖。使用時，將 本實(shí)用新型的絕緣平底10夾在正、負(fù)母排21、 22之間，讓絕緣筒體 20伸出于預(yù)先在正母排21之上開出的兩個與絕緣筒體20外徑相等 位置相對應(yīng)的圓孔，如此就可以在絕緣筒體20內(nèi)螺絲連接電容的電 極了，如此之設(shè)計(jì)可以大大減小正母排21打孔面積，提高正負(fù)母排 21、 22重疊面積，正面母排21可得到充分的利用，有效地降低了母 線電感。
權(quán)利要求1、一種電容母排絕緣件，其特征在于包括一絕緣平底，在所述絕緣平底上設(shè)有至少一個凸出于所述絕緣平底平面的絕緣筒體。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容母排絕緣件，其特征在于所述絕 緣筒體為兩個。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的電容母排絕緣件，其特征在于在所述 兩個絕緣筒體之間的絕緣平底上設(shè)有一 V字形折槽。
4 、 根據(jù)權(quán)利要求1 、 2或3所述的電容母排絕緣件，其特征在于所述絕緣平底和絕緣筒體是用塑料注塑成一體的。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的電容母排絕緣件，其特征在于所述絕緣平底為圃形或多邊形。
專利摘要一種電容母排絕緣件，包括一絕緣平底，在所述絕緣平底上設(shè)有至少一個凸出于所述絕緣平底平面的絕緣筒體。使用時，將本實(shí)用新型的絕緣平底夾在正、負(fù)母排之間，讓絕緣筒體伸出于預(yù)先在正母排之上開出的兩個與絕緣筒體外徑相等位置相對應(yīng)的圓孔，如此就可以在絕緣筒體內(nèi)螺絲連接電容的電極了，如此之設(shè)計(jì)可以大大減小正母排打孔面積，提高正負(fù)母排重疊面積，正面母排可得到充分的利用，有效地降低了母線電感。
文檔編號H01G2/00GK201229851SQ20082009319
公開日2009年4月29日 申請日期2008年4月14日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月14日
發(fā)明者吳建安, 張旭波 申請人:深圳市英威騰電氣股份有限公司