專利名稱：：電阻元件及其制造方法
技術(shù)領域：
：本發(fā)明是關于一種電阻元件，尤其關于一種用以感測電流的電阻元件及其制造方法。
背景技術(shù)：
：于電子裝置中通常裝設有是為被動元件之一的電阻元件用以感測電路中的電流。此種用以感測電流的電阻元件通常必須具有低電阻值(resistancevalue)及低電阻顯度系數(shù)(temperaturecoefficientofresistance,TCR)。美國專利第7，238，296號揭露一種已知電阻元件，利用厚膜印刷技術(shù)將電阻層印刷于基板上，后覆蓋玻璃保護層并利用激光修整技術(shù)調(diào)整電阻值，最后覆蓋保護層；而電阻層是采用銅錳鍺(Qi-Mn-Ge)的金屬粉末與銅氧化物(Copper-OxidePower)粉末混合的合金，以降低電阻值及TCR。然為了使基板與電阻層間有較好的附著力，電阻層中除添加銅氧化物粉末外還需要添加玻璃粉末(glasspowder)當作接合劑，而玻璃粉末會形成雜質(zhì)使得TCR不容易控制，且玻璃粉末與銅氧化物粉末添加的比例過大(大于10wtn/。)會使得電阻值增加及使電阻層形成多孔結(jié)構(gòu)，故工藝上需加強控制玻璃粉末與銅氧化物粉末添加量。此外，電阻元件于制造過程中需在96(TC98(TC的氮氣環(huán)境下進行燒結(jié)，而電阻層中的銅為容易氧化的材料，使得工藝的困難度較高。美國專利第6,771,160號揭露另一種已知電阻元件，利用蒸發(fā)、濺射、化學鍍或電鍍的方式，使多層電阻層附著在銅箔上，然后再將其埋入于印刷電路板(PCB)中。多層電阻層分別由不同的合金或氧化物形成且構(gòu)成一并聯(lián)電路，藉以便于制造出不同電阻值的電阻元件；但使用蒸發(fā)或濺射等工藝，制造成本偏高，且刻蝕電阻層的工藝難度較高。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的一目的，在于提供一種具有低電阻值及低電阻溫度系數(shù)的電阻元件及其制造方法。本發(fā)明的另一目的，在于提供一種電阻元件及其制造方法，通過上氧化層的設置可增強電阻層與保護層的附著力且可增加電阻元件于高溫下的安定性。本發(fā)明的又一目的，在于提供一種電阻元件的制造方法，達到簡化制造程序及提升工藝穩(wěn)定性。為達到上述的一目的或全部目的，本發(fā)明一實施例的電阻元件，適用于感測一電路中的電流且包含一承載體、一設置于承載體上的電阻層、一電連接于電阻層的電極單元、直接設置于部分電阻層上的上氧化層及覆蓋部分的上氧化層的保護層；電阻層包括銅合金，而上氧化層包含銅合金的氧化物；通過上氧化層的設置可以增強保護層與電阻層間的接觸面積及附著力，且可增加電阻元件于高溫下的安定性；而且包含銅合金的氧化物的上氧化層的電阻率及電阻溫度系數(shù)均接近于銅合金，故不會顯著地影響電阻元件的特性。本發(fā)明一實施例的電阻元件的制造方法，包括提供一包括銅合金的電阻體與一基板形成的一多層的組合板體、移除部分電阻體以形成多個互相分離的電阻層、進行氧化處理以形成一包含銅合金氧化物的粗糙面于部分的電阻層上、形成保護層于粗糙面上及切割組合板體以形成電阻元件，藉以達到簡化制造程序及提升工藝穩(wěn)定性。圖1為本發(fā)明一實施例的電阻元件的剖面示意圖。圖2為本發(fā)明另一實施例的電阻元件的剖面示意圖。6圖3A至圖3J為本發(fā)明一實施例的電阻元件的制造流程示意圖。附圖標號-201組合板體202組合條體203組合塊體250金屬片261上膠片262下膠片263基板280電阻片282下氧化層300電阻元件300'電阻元件31、31'承載體310基板311上表面312下表面313側(cè)面314上附著層315下附著層320上氧化層321第一氧化層322第二氧化層323第三氧化層330電極單元331、332上電極333、334下電極335、336端電極337、338外部電極340電阻層341第一表面342第二表面343側(cè)面350保護層360下氧化層371第一金屬層372第二金屬層具體實施例方式有關本發(fā)明的前述及其他技術(shù)內(nèi)容、特點與功效，在以下配合參考圖式的實施例的詳細說明中，將可清楚的呈現(xiàn)。以下實施例中所提到的方向用語，例如上、下、左、右、前或后等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用來說明并非用來限制本發(fā)明。如圖l所示，本發(fā)明一實施例的電阻元件300適用于感測電路中的電流，其具有低電阻值(resistancevalue)及低電阻溫度系數(shù)(temperaturecoefficientofresistance,TCR)，較佳地，其電阻值約小于10mQ且電阻溫度系數(shù)約小于100X10-6/K(ppm/K)。電阻元件300包括一承載體31、一電阻層340、一電極單元330、一上氧化層320及一保護層350。其中，承載體31具有一基板310，基板310是采用絕緣且熱傳導性佳的材質(zhì)，例如氧化鋁(八1203)，基板310具有相對的上表面311、下表面312及連接于上表面311與下表面312之間的側(cè)面313。電阻層340設置于基板310的上表面311上且其由銅合金所構(gòu)成，銅合金可為以鎳及銅為主成分的鎳銅合金或以錳及銅為主成分的錳銅合金；電阻層340可利用濺射或蒸發(fā)等薄膜工藝直接形成于基板310上；電阻層340具有一相對的第一表面341、第二表面342及連接于第一表面341與第二表面342之間的側(cè)面343，第一表面341設置于基板310的上表面311上；于本實施例中，電阻層340的厚度約為0.2mm至0.6mm。電極單元330包括一對上電極331&332，上電極331&332分別電連接于電阻層340且互相分離，本實施例中，上電極331&332可為分別設置于電阻層340的第二表面342的兩側(cè)上的導電凸塊，以覆蓋部分的電阻層340的第二表面342。上電極331&332的材料可為銅。上氧化層320直接設置于電阻層340的部分的第二表面342上及上電極331&332遠離電阻層340的表面上，且上氧化層320為一利用濕法付蝕工藝氧化處理部分的電阻層340及部分的上電極層331&332而形成的一粗糙面。詳細地說，本發(fā)明可為一采用棕化工藝或黑化工藝的氧化處理，較佳地是采用棕化工藝形成氧化銅成分的上氧化層320，使得上氧化層320的電阻率可接近于電阻層340。粗糙面的中心線平均粗糙度Ra約為1100土500A，亦即介于600A至1600A之間。本實施例中，上氧化層320包含一覆蓋上電極331的第一氧化層321、一覆蓋上電極332的第二氧化層322及一覆蓋于未設置有上電極331&332的電阻層340的第二表面342上的第三氧化層323;上氧化層320的厚度約為40至100!im，使上氧化層的厚度遠小于電阻層340的厚度，藉此可降低電阻元件的電阻溫度系數(shù)的變異(variance)。部分上氧化層320的材料至少包含電阻層340的氧化物，詳細地說，第一氧化層321及第二氧化層322至少包括上電極331&332的氧化物，第三氧化層323至少包括電阻層340的氧化物。保護層350至少覆蓋第三氧化層323，本實施例中，保護層350的材質(zhì)例如為壓克力或環(huán)氧樹脂，且保護層350亦覆蓋第一氧化層321及第二氧化層322的靠近第三氧化層323的部分。9電極單元330還包括一對下電極333&334、一對端電極335&336及一對外部電極337&338。下電極333&334互相分離且分別設置于基板310的下表面312的兩側(cè)。端電極335&336分別設置于基板310的側(cè)面313及電阻層340的側(cè)面343，且每一端電極的兩端分別電連接于對應的下電極及上電極，詳細地說，端電極335的兩端分別電連接于下電極333及上電極331，端電極336的兩端分別電連接于下電極334及上電極332;端電極335&336的材質(zhì)可為鈦(Ti)、鉻(Cr)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鎳鉻合金、鈦鴨合金、或鎳銅合金等金屬。外部電極337&338包覆端電極335&336、部分的上電極331&332及部分的下電極333&334，并與端電極335&336、上電極331&332及下電極333&334電連接。外部電極337&338是為多層結(jié)構(gòu)，較佳地是以鍍膜技術(shù)，例如以滾鍍方式，由內(nèi)至外分別形成有例如銅層、鎳層及錫層，其中鎳層作為緩沖層，錫層用以與其他外部元件焊接。利用于電阻層340及上電極331&332上直接設置具粗糙面的上氧化層320，可以增強保護層350與電阻層340與上電極331&332的接觸面積及附著力，因此能夠提升電阻元件300的可靠度及耐久信賴性。再者，將電阻層340經(jīng)氧化處理后形成的上氧化層320，其可作為一鈍化層，當保護層350因高溫而熔化為液態(tài)樹脂時，鈍化層可阻絕液態(tài)樹脂中胺類對電阻層340的影響，藉以可增加電阻元件300于高溫下的安定性。而且，由于銅合金氧化物的電阻率及電阻溫度系數(shù)均接近于銅合金，因此，本實施例中采用銅合金構(gòu)成電阻層340以及直接將電阻層340的部分的第二表面342氧化而形成的上氧化層320，以使包含銅合金氧化物的上氧化層320的電阻率及電阻溫度系數(shù)接近于由銅合金構(gòu)成電阻層340，而不會影響電阻元件300的特性。因此，本發(fā)明的電阻元件300，除可提升可靠度及高溫下的安定性外，還可維持感測電流用電阻元件所需的低電阻值及低電阻溫度系數(shù)。值得一提的是，已知采用銅作為電阻層材料，因銅本身的電阻溫度系數(shù)很高故銅經(jīng)氧化處理后形成的氧化銅與銅的電阻溫度系數(shù)較銅合金本身與形成的氧化物共同體來的大，故不易達到感測電流所需的低TCR(即小于100Xl(r6/K:)。另外，以本發(fā)明圖1的電阻元件300進行特性測試，其中采用表1的銅合金(例如CuNi44及CuMnl2Ni)為電阻層340及采用棕化工藝的氧化處理形成上氧化層320。測試結(jié)果如表2及表3，表2為電阻層340采用CuNi44的鎳銅合金且所制得的電阻元件300的電阻值為約5mQ及約10mQ的測試結(jié)果，表3為電阻層340采用CuMnl2Ni的錳銅合金且所制得的電阻元件300的電阻值為約lmQ的測試結(jié)果。由表2可得知，電阻值為10mQ時，平均電阻溫度系數(shù)為24.52ppm/K，電阻值為5mQ時，平均電阻溫度系數(shù)為6.6ppm/K;由表3可得知，電阻值為lmQ時，平均電阻溫度系數(shù)為103ppm/K;因此，可證實本實施例的電阻元件300可達到低電阻值(小于10mQ)及低電阻溫度系數(shù)(小于100X10力K)。值得注意的是，表1中電阻率(electricalresistivity)的測量溫度為2(TC，電阻溫度系數(shù)的測量溫度為20。C至105°C，熱電動勢(thermoelectromotiveforce,仏ermoEMF)的領!)量溫度為20°C。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>而形成的一粗糙面，下氧化層360的材料至少包含電阻層340的氧化物，即包括銅合金的氧化物。下氧化層360的作用及功效與上氧化層320相同，故在此不贅述。承載體31'包含一由氧化鋁材質(zhì)所構(gòu)成的基板310、一設置于基板310上表面311的一上附著層314及一設置于基板310下表面312的下附著層315，上附著層314設置于電阻層340與基板310之間，且上附著層314利用具有粗糙面的下氧化層360與電阻層340緊密結(jié)合，使電阻層340能夠較穩(wěn)固地與承載體31，接合。上附著層314及下附著層315可以為一膠片，用以提供基板310與其他元件接合時所需的附著力，上附著層314及下附著層315的材質(zhì)可為環(huán)氧樹脂。較佳地，上附著層314及下附著層315為散熱膠片，以將電阻層340所產(chǎn)生的熱傳導至電阻元件300'夕卜。散熱膠片的材質(zhì)可為含有氮化鋁(AlN)與三氧化二鋁(Al203)粉末的環(huán)氧樹脂。散熱單元分別形成于下附著層315與下電極333&334之間。本實施例中，散熱單元包含一接合于下附著層315的下表面的第一金屬層371及第二金屬層372，第一金屬層371及第二金屬層的材料為銅。通過上附著層314及下附著層315的設置，使得電阻元件300，可利用壓合工藝制作，相較于電阻元件300，可節(jié)省制造成本；而下氧化層360的設置，可使電阻元件300'中各層間的接觸面積及附著力提升，故電阻元件300'具有較佳的可靠度及耐久信賴性；而且采用散熱膠片作為上附著層314及下附著層315，再加上散熱單元的設置，可使電阻層340產(chǎn)生的熱量易于導出，故本實施例的電阻元件300'的散熱效果佳。如圖3A至圖3J所示，有關本發(fā)明一實施例電阻元件300&300'的制造方法包括(A)提供由一包括銅合金的電阻體與一基板所形成的一多層的組合板體、(B)移除部分電阻體以形成多個互相分離的電阻層、(C)形成多個導電凸塊于此些電阻層上、(D)進行氧化處理以形成一包含銅合金氧化物的粗糙面于部分的電阻層上、(E)形成保護層于粗糙面上及(F)切割組合板體以形成電阻元件。以下詳細說明各步驟。圖3A至圖3F、圖3H及圖3J為依據(jù)本發(fā)明一實施例的電阻元件制造過程一步驟的側(cè)視示意圖，圖3G及圖31為依據(jù)本發(fā)明一實施例的電阻元件制造過程一步驟的俯視示意圖。(A)提供由包括銅合金的電阻體與基板所形成的多層的組合板體的步驟，如圖3A及圖3B所示。首先，如圖3A所示，提供一由銅合金所構(gòu)成的電阻片280作為電阻體，再對電阻片280的第一表面進行氧化處理，使得電阻片280的第一表面形成一下氧化層282。氧化處理可利用濕法付蝕工藝，即將第一表面浸于刻蝕液中或噴灑刻蝕液于第一表面，利用刻蝕液與電阻片進行微蝕反應及有機物附著反應，而形成顏色為棕色且具有二價銅的銅合金氧化物或者形成顏色為黑色且具有一價銅的銅合金氧化物，以使電阻片280的第一表面形成具有銅合金的氧化物的粗糙面。本實施例中采用伊希特化(股)公司(RockwoodElectrochemicalASIALtd)的CO-BRABOND的工藝?？涛g液可包含氧化劑及添加劑，添加劑可包含形狀改質(zhì)劑(topographymodifier)及促進劑(promoter)。本實施例中采用硫酸及雙氧水為氧化劑，故銅合金氧化物為顏色為棕色且具有二價銅的銅合金氧化物。再來，如圖3B所示，將電阻片280與一上膠片261、一基板263、一下膠片262及一金屬片250進行壓合，形成一多層的組合板體201。詳細地說，依序放置金屬片250、下膠片262、基板263及上膠片261，再將電阻片280的下氧化層282以面向上膠片261設置于上膠片261上，再進行壓合。金屬片250可以為一銅片或電阻片。另外，除采用壓合方式形成組合板體外，亦可利用薄膜工藝形成組合板體，詳細地說，利用蒸發(fā)或濺射工藝形成包含銅合金的電阻膜(圖未示)于基板上，電阻膜做為電阻體，藉以基板與電阻膜組成組合板體。(B)移除部分電阻體以形成多個互相分離的電阻層的步驟，如圖3C所示。先覆蓋一層光刻膠后利用光刻技術(shù)移除部分電阻體(電阻片280或電阻膜)及金屬片250，以將電阻體及金屬片250區(qū)隔出多個互相分離的區(qū)域，而形成每一電阻元件的電阻層340及金屬層371、372。詳細地說，每一區(qū)域即為一電阻元件且包括一電阻層340、第一金屬層371及第二金屬層372。(C)形成多個導電凸塊于電阻層上的步驟，如圖3D所示。利用光刻與電鍍技術(shù)于電阻層340的第二表面342形成互相分離的一導電凸塊以作為上電極331&332，再利用光刻與電鍍技術(shù)于第一金屬層371及第二金屬層372上形成導電凸塊以作為下電極333&334。(D)進行氧化處理以形成一包含銅合金氧化物的粗糙面于部分的電阻層上的步驟，如圖3E所示。本步驟是利用刻蝕液對組合板體201的上表面進行氧化處理，使電阻層340的第二表面及上電極331&332的上表面形成一具有粗糙面的上氧化層320;亦可于形成多個導電凸塊前先對電阻層340的表面進行氧化處理，使得粗糙面僅形成于電阻層340上。詳細地說，氧化處理可利用濕法付蝕工藝，即先將組合板體201置于裝有一刻蝕液的預浸槽中以使組合板體201的上表面接觸一刻蝕液或是將一刻蝕液噴灑于組合板體201的上表面，使刻蝕液吸附于組合板體201的上表面；再利用刻蝕液與電阻層及上電極進行刻蝕反應及有機物附著反應，而形成顏色為棕色且具有二價銅的銅合金氧化物或者形成顏色為黑色且具有一價銅的銅合金氧化物；于過程中，有機物會隨機地附著于組合板體201的上表面，被有機物覆蓋的部分不會被刻蝕，而無有機物覆蓋的部分會被刻蝕?？涛g液可包含氧化劑及添加劑，添加劑可包含形狀改質(zhì)劑(topographymodifier)及促進劑(promoter)。本實施例中，所使用的刻蝕液包含氧化劑(即硫酸與雙氧水)及添加劑，因此形成具有二價銅的銅合金氧化物。值得注意的是，由于刻蝕液對銅合金中鎳、錳及銅的刻蝕速率不同，即鎳的刻蝕速率較銅慢，錳的刻蝕速率較銅快，故不同比例的銅合金經(jīng)濕法付蝕后會獲得不同粗糙度的表面，因此，可依據(jù)產(chǎn)品規(guī)格的需求，使用不同比例的鎳、錳及銅構(gòu)成銅合金來制造具有所需電阻溫度系數(shù)及電阻值的電阻元件。上氧化層320的粗糙度愈大時保護層350的附著性較好，但上氧化層320的粗糙度愈大其電阻元件的程序能力指數(shù)(ProcessCapabilityindex,CP及/或CPK)會較大，有時需要較久時間進行激光修調(diào)，制造的工時會較長，因此，本發(fā)明的上氧化層320的表面的中心線平均粗糙度Ra設為約1100士500A之間為較佳。另外，也可以透過刻蝕液中形狀改質(zhì)劑來增加粗糙度。而促進劑更可包含附著力促進齊U(adhesionpromoter)及覆蓋度促進齊廿(coveragepromoter)的促進劑，附著力促進劑能夠促進形狀改質(zhì)劑與銅的反應作用，且能夠于電阻層340的表面上形成不溶于水的有機膜(于一實施例中可以包含上氧化層320)，覆蓋度促進劑能夠提升有機膜的均勻度。于(E)形成保護層于粗糙面上的步驟前，需利用激光修整電阻層340以調(diào)整電阻元件300的電阻值。而(E)形成保護層于粗糙面上的步驟，如圖3F所示，是利用印刷方式于上氧化層320上形成保護層350。(F)切割組合板體以形成電阻元件的步驟，如圖3G所示。首先，將組合板體201沿A-A方向切割成至少一組合條體202(如圖31);再利用濺射的方式，于組合條體202的側(cè)面分別形成端電極335&336。如圖3I所示，將組合條體202沿B-B方向切割成至少一組合塊體203(如圖3J)，并利用滾鍍方式，于組合塊體203的側(cè)面形成外部電極337&338，藉以完成本發(fā)明的電阻元件300&300，。由于本發(fā)明利用壓合方式將電阻片與基板結(jié)合，并以濕法付蝕工藝形成氧化層，且制造過程中不需于96(TC98(rC的氮氣環(huán)境下進行燒結(jié)，相較于已知技術(shù)可免去使用高成本及高難度的工藝，而達到簡化制造程序及成本，且可提升工藝的穩(wěn)定性。雖然本發(fā)明己以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬
技術(shù)領域：
中具有通常知識的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可作些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍當視所附的權(quán)利要求的范圍所界定為準。另外本發(fā)明的任一實施例或權(quán)利要求范圍不須達成本發(fā)明所揭露的全部目的或優(yōu)點或特點。此外，摘要部分和標題僅是用來輔助專利文件搜尋之用，并非用來限制本發(fā)明的權(quán)利范圍。權(quán)利要求1、一種電阻元件，其特征在于，所述的電阻元件包含一承載體；一電阻層，設置于所述承載體上且包括銅合金；一電極單元，電連接于所述電阻層；一上氧化層，包括直接設置于所述電阻層的部分的一表面上的一第三氧化層，且所述第三氧化層包含所述電阻層的氧化物；以及一保護層，至少覆蓋部分的所述上氧化層。2、如權(quán)利要求l的電阻元件，其特征在于，所述銅合金為以鎳及銅為主成分的鎳銅合金。3、如權(quán)利要求2的電阻元件，其特征在于，所述鎳銅合金包含約55wt%的銅、約44wt。/。的鎳及約1wt。/。的鐵。4、如權(quán)利要求l的電阻元件，其特征在于，所述銅合金為以錳及銅為主成分的錳銅合金。5、如權(quán)利要求4的電阻元件，其特征在于，所述錳銅合金包含約86wt%的銅、約12wt。/。的錳及約2wt嘰的鎳。6、如權(quán)利要求l的電阻元件，其特征在于，所述電極單元包含一對相互分離的上電極，所述一對上電極覆蓋部分的電阻層，所述上氧化層還包括直接設置于所述一對上電極遠離所述電阻層的表面上的一第一氧化層及一第二氧化層，所述第一氧化層及所述第二氧化層包括所述上電極的氧化物。7、如權(quán)利要求6的電阻元件，其特征在于，所述上氧化層為一利用濕法付蝕工藝而形成的粗糙面。8、如權(quán)利要求1的電阻元件，其特征在于，所述上氧化層為一利用濕法付蝕工藝而形成的粗糙面。9、如權(quán)利要求8的電阻元件，其特征在于，所述粗糙面的中心線平均粗糙度是約介于600A至1600A間。10、如權(quán)利要求1的電阻元件，其特征在于，所述上氧化層的厚度介于約40pni至約100pm，所述電阻層的厚度介于約0.2mm至約0.6mm。11、如權(quán)利要求1的電阻元件，其特征在于，所述承載體包含一具有一上表面及一下表面的基板、一設置于所述基板的所述上表面的上附著層及一設置于所述基板的所述下表面的下附著層，所述上附著層設置于所述電阻層與所述基板之間。12、如權(quán)利要求ll的電阻元件，其特征在于，所述上附著層及所述下附著層為一散熱膠片，且所述電阻元件還包括一接合于所述下附著層的金屬層。13、如權(quán)利要求1的電阻元件，其特征在于，所述電阻元件適用于感測一電路中的電流，且其電阻值小于約10mQ且電阻溫度系數(shù)小于約100X1(T6/K。14、一種電阻元件的制造方法，其特征在于，所述方法的步驟包含提供由一包含銅合金的電阻體與一基板所形成的一多層的組合板體；移除部分所述電阻體以形成多個互相分離的電阻層；進行氧化處理以形成一包含銅合金氧化物的粗糙面于部分的所述電阻層上；形成一保護層于所述粗糙面上；以及切割所述組合板體，以形成所述電阻元件。15、如權(quán)利要求14的電阻元件的制造方法，其特征在于，還包括設置一上附著層于所述電阻體與所述基板之間，所述電阻體為一電阻片，所述電阻片、所述上附著層與所述基板利用壓合方式形成所述組合板體。16、如權(quán)利要求15的電阻元件的制造方法，其特征在于，提供由所述電阻體與所述基板所形成的所述多層的組合板體的步驟還包括于所述電阻片的一表面進行氧化處理以形成一粗糙面。17、如權(quán)利要求14的電阻元件的制造方法，其特征在于，利用一薄膜工藝形成一電阻膜于所述基板上以形成所述組合板體，所述電阻膜形成所述電阻體。18、如權(quán)利要求14的電阻元件的制造方法，其特征在于，所述氧化處理是選用一濕法付蝕工藝。19、如權(quán)利要求18的電阻元件的制造方法，其特征在于，所述濕法付蝕工藝是采用一刻蝕液，所述刻蝕液包含一氧化劑及一添加劑，且所述添加劑包含一形狀改質(zhì)劑、一附著力促進劑及一覆蓋度促進劑。20、如權(quán)利要求14的電阻元件的制造方法，其特征在于，移除部分所述電阻體以形成多個互相分離的電阻層的步驟后，還包括形成多個導電凸塊于所述多個電阻層的部分表面上。21、如權(quán)利要求20的電阻元件的制造方法，其特征在于，迸行氧化處理以形成一粗糙面于部分的所述電阻層上的步驟還包括進行氧化處理以形成一粗糙面于所述導電凸塊上。22、如權(quán)利要求14的電阻元件的制造方法，其特征在于，所述銅合金為以錳及銅為主成分的錳銅合金，或為以鎳及銅為主成分的鎳銅合金。全文摘要本發(fā)明提供一種電阻元件及其制造方法，適用于感測一電路中的電流，電阻元件包含一承載體、一設置于承載體上的電阻層、一電連接于電阻層的電極單元、直接設置于部分電阻層上的上氧化層及覆蓋部分的上氧化層的保護層；電阻層包括銅合金，而上氧化層包含銅合金的氧化物；通過上氧化層的設置可以增強保護層與電阻層間的接觸面積及附著力，且可增加電阻元件于高溫下的安定性；而且包含銅合金的氧化物的上氧化層的電阻率及電阻溫度系數(shù)均接近于銅合金，故不會顯著地影響電阻元件的特性。文檔編號H01C17/00GK101673602SQ20081021279公開日2010年3月17日申請日期2008年9月12日優(yōu)先權(quán)日2008年9月12日發(fā)明者廖玟雄,朱武良,林彥霆,王鐘雄,生田英雄,郭至圣申請人:乾坤科技股份有限公司