專利名稱：減少應(yīng)力的芯片制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及芯片制造領(lǐng)域，尤其涉及在芯片制造清洗過(guò)程中減少光刻膠硬化產(chǎn)生
應(yīng)力的制造方法。
背景技術(shù)：
光刻工藝是整個(gè)集成電路制造過(guò)程中的一個(gè)重要工藝，光刻工藝是利用光刻膠在 感光前和感光后對(duì)化學(xué)溶液溶解度的差別而將圖形轉(zhuǎn)移到芯片上，然后進(jìn)行腐蝕并進(jìn)行注 入離子，在完成上述工序之后，作為刻蝕阻擋層的光刻膠不再需要，需要將殘留的光刻膠從 表面上清除干凈，才能進(jìn)行后續(xù)工序。 目前，在半導(dǎo)體制程上，傳統(tǒng)的進(jìn)行去除光刻膠的方法主要有干法去除和濕法去 除，干法去除光刻膠的主要優(yōu)點(diǎn)是消除了液體槽和對(duì)化學(xué)品的操作，但是干法對(duì)于金屬離 子的去除沒(méi)有效果，由于在注入離子工藝過(guò)程中，離子除了擴(kuò)散到需要部位外，也有大量的 離子擴(kuò)散到光刻膠區(qū)域，由于離子的注入導(dǎo)致光刻膠聚合使得光刻膠硬化，請(qǐng)參閱圖1所 示，當(dāng)注入離子工藝完成后采用干法去除光刻膠而進(jìn)行烘焙時(shí)，由于溫度的升高，硬化的光 刻膠5難以迅速汽化而膨脹，從而對(duì)兩側(cè)的柵極3產(chǎn)生如圖箭頭所示方向的應(yīng)力，甚至將兩 側(cè)柵極3擠壓至其脫離底層STI (淺溝道隔離)基體2，從而造成電路失效。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種半導(dǎo)體制造方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中光刻膠 去除工藝過(guò)程而產(chǎn)生的應(yīng)力問(wèn)題。 為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供的一種減少應(yīng)力的芯片制造方法，其步驟為 在襯底上生長(zhǎng)淺溝道隔離基體，在所述淺溝道隔離基體上生長(zhǎng)柵極； 在芯片表面上的共漏極區(qū)和柵極區(qū)涂上光刻膠； 在芯片表面上未涂光刻膠區(qū)進(jìn)行刻蝕； 在刻蝕部位注入離子； 去除芯片表面上共漏極區(qū)和柵極區(qū)的光刻膠； 清洗芯片表面上共漏極區(qū)和柵極區(qū)的光刻膠。 進(jìn)一步的，所述去除芯片表面上共漏極區(qū)和柵極區(qū)的光刻膠的步驟具體為 濕法去除芯片表面上共漏極區(qū)和柵極區(qū)的部分刻膠； 干法去除芯片表面上共漏極區(qū)和柵極區(qū)的剩余刻膠。 進(jìn)一步的，所述干法去除為等離子體去除。 進(jìn)一步的，所述等離子體為氧氣等離子或者H2N2等離子體。 進(jìn)一步的，所述濕法去除的工作溫度為110 130攝氏度。 進(jìn)一步的，所述濕法去除的清洗液為硫酸和雙氧水的混合物。 進(jìn)一步的，所述注入離子為砷離子或者硼離子。 與傳統(tǒng)芯片制造方法相比，本發(fā)明的一種減少應(yīng)力的芯片制造方法，通過(guò)在去除
3光刻膠的工藝步驟中，先進(jìn)行濕法去除部分所述光刻膠，然后再采用干法去除剩余部分所 述光刻膠，有效避免了干法工藝中由于所述光刻膠硬化而產(chǎn)生的應(yīng)力，從而有效克服了電 路的失效問(wèn)題，大大提高生產(chǎn)良率和產(chǎn)品的品質(zhì)。


以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本發(fā)明的芯片制造方法作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。 圖1是干法去除光刻膠產(chǎn)生的應(yīng)力示意圖； 圖2是本發(fā)明涂上光刻膠的截面示意圖； 圖3是本發(fā)明刻蝕后的截面示意圖； 圖4是本發(fā)明注入離子后的截面示意圖； 圖5是本發(fā)明濕法去除部分光刻膠后的截面示意圖； 圖6是本發(fā)明干法去除剩余光刻膠的截面示意圖。
具體實(shí)施例方式
請(qǐng)參閱圖2所示的本發(fā)明涂上光刻膠的截面示意圖，在襯底1上生長(zhǎng)有一層STI 基體2，在所述STI基體2上生長(zhǎng)柵極3，當(dāng)生長(zhǎng)完成所述柵極3并清洗完畢后，開(kāi)始在芯片 表面上的共漏極區(qū)4和柵極區(qū)3涂上光刻膠5，由于需要在所述STI基體2上的未刻蝕區(qū)6 進(jìn)行刻蝕，此區(qū)域不需要涂所述光刻膠5。涂完所述光刻膠5后，即可在未刻蝕區(qū)6進(jìn)行刻 蝕，刻蝕完成后形成的截面如圖3所示，由于刻蝕工藝以及刻蝕完成后的清洗工藝為現(xiàn)有 技術(shù)，在此不再詳述。 接著，在刻蝕好的區(qū)域進(jìn)行注入離子工藝，注入離子工藝中所用的離子為砷、硼或 者類似離子，本實(shí)施例中，注入離子所用的離子為砷離子。通過(guò)注入砷離子后，在刻蝕好的 區(qū)域形成自對(duì)準(zhǔn)源極區(qū)7，在所述自對(duì)準(zhǔn)源極區(qū)7表面形成一淺層導(dǎo)電層8，所述導(dǎo)電層8 可使兩端所述柵極3電性連接，注入砷離子完成后的截面示意圖如圖4所示。
完成了注入離子工藝后，所述光刻膠5不再需要了 ，需要將所述光刻膠5去除并清 洗干凈，為下一工藝制造做好準(zhǔn)備，由于在注入離子工藝過(guò)程中，離子在進(jìn)入所述自對(duì)準(zhǔn)源 極區(qū)7的同時(shí)，也有部分離子進(jìn)入所述光刻膠5內(nèi)部，如果此時(shí)直接進(jìn)行干法去除，烘烤過(guò) 程中，會(huì)導(dǎo)致所述光刻膠5硬化而產(chǎn)生如圖1所示的應(yīng)力，從而擠壓兩側(cè)的所述柵極3，導(dǎo)致 電路失效。 因此，在去除所述光刻膠5的工藝中分為兩個(gè)步驟進(jìn)行，首先濕法去除一部分所 述光刻膠5，如圖5所述，進(jìn)而再進(jìn)行干法去除。在本實(shí)施例中，所述濕法去除的溫度為 110 130攝氏度，所述濕法清洗所用的清洗液為硫酸和雙氧水的混合物，由于在濕法工藝 中去除部分所述光刻膠5后，已經(jīng)將大部分進(jìn)入所述光刻膠5表面以及淺層的離子去除掉， 而能滲透入所述光刻膠5里層的離子已經(jīng)很少了，因此，在進(jìn)行干法工藝的烘焙過(guò)程中，由 于烘焙溫度升高導(dǎo)致所述光刻膠5硬化而對(duì)兩側(cè)所述柵極3產(chǎn)生的應(yīng)力已經(jīng)影響很小，甚 至可以忽略不計(jì)，干法工藝中，所用的等離子體為氧氣等離子或者H2N2等離子體。
在干法去除所述光刻膠5完畢后，再將完成上述工藝的芯片放入酸槽里進(jìn)行酸 洗，將所有的殘留物質(zhì)清洗干凈，清洗完畢的芯片其截面示意圖如圖6所示，由于酸洗工藝 也為現(xiàn)有技術(shù)，在此不再詳述。
以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理、主要特征和本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù) 人員應(yīng)該了解，本發(fā)明不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說(shuō)明書(shū)中描述的只是說(shuō)明本 發(fā)明的原理，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下本發(fā)明還會(huì)有各種變化和改進(jìn)，這些變 化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本發(fā)明范圍內(nèi)。本發(fā)明要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書(shū)及其 等同物界定。
權(quán)利要求
一種減少應(yīng)力的芯片制造方法，其特征在于，包括如下步驟在襯底上生長(zhǎng)淺溝道隔離基體，在所述淺溝道隔離基體上生長(zhǎng)柵極；在上述芯片表面上共漏極區(qū)和柵極區(qū)涂上光刻膠；在芯片表面上未涂光刻膠區(qū)進(jìn)行刻蝕；在刻蝕部位注入離子；去除芯片表面上共漏極區(qū)和柵極區(qū)的光刻膠；清洗芯片表面上共漏極區(qū)和柵極區(qū)的光刻膠。
2. 如權(quán)利要求1所述的一種減少應(yīng)力的芯片制造方法，其特征在于，所述去除芯片表 面上共漏極區(qū)和柵極區(qū)的光刻膠的步驟具體為 濕法去除芯片表面上共漏極區(qū)和柵極區(qū)的部分刻膠； 干法去除芯片表面上共漏極區(qū)和柵極區(qū)的剩余刻膠。
3. 如權(quán)利要求2所述的一種減少應(yīng)力的芯片制造方法，其特征在于，所述干法去除為 等離子體去除。
4. 如權(quán)利要求3所述的一種減少應(yīng)力的芯片制造方法，其特征在于，所述等離子體為 氧氣等離子或者H2N2等離子體。
5. 如權(quán)利要求2所述的一種減少應(yīng)力的芯片制造方法，其特征在于，所述濕法去除的 工作溫度為110 130攝氏度。
6. 如權(quán)利要求5所述的一種減少應(yīng)力的芯片制造方法，其特征在于，所述濕法去除的 清洗液為硫酸和雙氧水的混合物。
7. 如權(quán)利要求1所述的一種減少應(yīng)力的芯片制造方法，其特征在于，所述注入離子為 砷離子或者硼離子。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種減少應(yīng)力的芯片制造方法，包括如下步驟在襯底上生長(zhǎng)淺溝道隔離基體，在所述淺溝道隔離基體上生長(zhǎng)柵極；在上述芯片表面上共漏極區(qū)和柵極區(qū)涂上光刻膠；在芯片表面上未涂光刻膠區(qū)進(jìn)行刻蝕；在刻蝕部位注入離子；去除芯片表面上共漏極區(qū)和柵極區(qū)的光刻膠；清洗芯片表面上共漏極區(qū)和柵極區(qū)的光刻膠。其中去除光刻膠的步驟具體為濕法去除芯片表面上共漏極區(qū)和柵極區(qū)的部分刻膠；干法去除芯片表面上共漏極區(qū)和柵極區(qū)的剩余刻膠。本發(fā)明在去除光刻膠時(shí)，先進(jìn)行濕法去除部分光刻膠，然后再采用干法去除剩余光刻膠，有效避免了干法工藝中由于所述光刻膠硬化而產(chǎn)生的應(yīng)力，從而有效克服了電路的失效問(wèn)題，提高生產(chǎn)良率和產(chǎn)品的品質(zhì)。
文檔編號(hào)H01L21/00GK101740327SQ20081020270
公開(kāi)日2010年6月16日 申請(qǐng)日期2008年11月13日 優(yōu)先權(quán)日2008年11月13日
發(fā)明者莊曉輝, 徐丹, 李俊, 顧中祥 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司