專利名稱：感測(cè)晶片結(jié)構(gòu)、晶片級(jí)感測(cè)構(gòu)裝結(jié)構(gòu)與制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種晶片級(jí)感測(cè)構(gòu)裝結(jié)構(gòu)與制作方法，尤其涉及一種在感測(cè)晶 片進(jìn)行再布線制作方法時(shí)可保護(hù)感測(cè)區(qū)不受污染并可縮小構(gòu)裝體積的構(gòu)裝結(jié) 構(gòu)與制作方法。
背景技術(shù)：
以目前整個(gè)微機(jī)電產(chǎn)業(yè)而言，微機(jī)電元件雖然與生具有微形化與積體整合 的特點(diǎn)，但因?yàn)檎w的元件成本一直居高不下，所以將大幅地縮減其元件可用 的領(lǐng)域與范疇。隨著全球通信個(gè)人化與普及化的潮流影響，人手一機(jī)或?qū)贆C(jī)的 狀況己是一個(gè)見怪不怪的現(xiàn)象，就連同剛就學(xué)的小學(xué)學(xué)童，因?yàn)橛H子聯(lián)系的需 求而使得手機(jī)的消費(fèi)族群年齡，大幅地降低至未滿十歲的兒童，因此大大地增
加手機(jī)的需求量，而且根據(jù)拓墣在2005年九月的調(diào)查報(bào)告中指出，全球在2005 年的手機(jī)出貨數(shù)目約為7.6億支，且手機(jī)用戶數(shù)量將達(dá)16.85億戶之多，同時(shí) 預(yù)計(jì)2009年時(shí)的全球手機(jī)用戶將可高達(dá)22. 36億戶。因?yàn)榭梢娛謾C(jī)的應(yīng)用市 場(chǎng)規(guī)模實(shí)在不可輕忽。
以手機(jī)的產(chǎn)品屬性與設(shè)計(jì)概念來說，手機(jī)除了通話的基本功能之外，其附 屬功能如影像通信、無線數(shù)據(jù)傳輸、上網(wǎng)連結(jié)、時(shí)間顯示、鬧鐘提醒、記事簿、 全球時(shí)差、接收能電子郵件、個(gè)人秘書、GPS導(dǎo)航、衛(wèi)星定位與協(xié)尋、電子地 圖、無線遙控、MP3音樂、實(shí)時(shí)影像、數(shù)字照像、數(shù)字節(jié)目接收、水平標(biāo)高、 監(jiān)控警示、數(shù)字游戲機(jī)、收音機(jī)、擴(kuò)充內(nèi)存……等等的功能。由于單機(jī)功能的 無線擴(kuò)充需求，將導(dǎo)致手機(jī)內(nèi)元件數(shù)目與元件積體化的機(jī)率大增。很不幸地， 由于輕、薄、短、小的消費(fèi)者使用需求驅(qū)使，手機(jī)的本體體積不可能因?yàn)槭謾C(jī) 功能的增加而隨之增加，相反地可能會(huì)被限制在一定的尺寸范圍內(nèi)，甚至有可 能因?yàn)檩p巧美觀的賣點(diǎn)推波助瀾下，進(jìn)而縮小整體手機(jī)的外形大小。另一方面， 就是因?yàn)槭謾C(jī)在全球市場(chǎng)上已是一個(gè)平民化的產(chǎn)物，因此整體手機(jī)的成本己將 會(huì)局限在一合理的范圍，不可能如高科技的儀器或配件般地高單價(jià)，也就是因?yàn)槿绱?，所有?dǎo)入手機(jī)內(nèi)的所有元件成本，將會(huì)是一個(gè)設(shè)計(jì)上的挑戰(zhàn)，因此低 成本且可大量一貫生產(chǎn)的模式，已變成所有應(yīng)用在手機(jī)內(nèi)元件的一個(gè)設(shè)計(jì)準(zhǔn)則 與原則，也是技術(shù)研究的趨向。
在微機(jī)電元件成本架構(gòu)上，微機(jī)電的構(gòu)裝成本往往占整體微機(jī)電元件成本 的7 8成左右，因此在降低微機(jī)電元件成本議題上，構(gòu)裝成本不但會(huì)是第一 個(gè)必需檢討的課題，也是一個(gè)最有效且重要的改進(jìn)方向。而目前全球晶片級(jí)的 構(gòu)裝結(jié)構(gòu)還主要集中在半導(dǎo)體的構(gòu)裝應(yīng)用上，其結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)在考慮未來元件在應(yīng)
用上，因半導(dǎo)體元件與印刷電路機(jī)板間的熱膨脹系數(shù)差異(CTEmismatch)所引 起的可靠性問題，因此晶片級(jí)構(gòu)裝結(jié)構(gòu)上都會(huì)有一應(yīng)力釋放層和一導(dǎo)電金屬層 的導(dǎo)線及焊墊再布局的設(shè)計(jì)，而目前所知的現(xiàn)有技術(shù)，大多集中于如何改變導(dǎo) 線再布局的設(shè)計(jì)與格式來作文章，此為目前此領(lǐng)域最大的共通點(diǎn)，如美國專利 US 6， 756， 671、 US 6， 621， 164、 US 6， 790, 759及US 6350， 705等，均未揭示
針對(duì)需要在應(yīng)力釋放層留一感測(cè)區(qū)開口的記載。此類晶片級(jí)構(gòu)裝技術(shù)中(請(qǐng)參 照?qǐng)D1A至圖1D)，會(huì)在應(yīng)力釋放層與原先芯片焊墊間，將再布局的導(dǎo)線全面 性的在整個(gè)晶片上作導(dǎo)電金屬層加載的制作方法。由于此些傳統(tǒng)半導(dǎo)體晶片 10上方的應(yīng)力釋放層11，是整個(gè)覆蓋除了芯片焊墊12區(qū)域外的所有晶片10 的表面，因此在利用圖案化的光刻膠13形成的導(dǎo)電金屬層14加載的制作方法 不會(huì)與晶片IO上的芯片表面有所接觸，但是，此一技術(shù)應(yīng)用于具有開放空間 的感測(cè)晶片上，每個(gè)感測(cè)芯片的中都有一感測(cè)區(qū)，且其感測(cè)區(qū)在整個(gè)構(gòu)裝制作 方法中，必需保持與外界相通的情況，也就是說此晶片級(jí)構(gòu)裝制作方法中的應(yīng) 力釋放層對(duì)于感測(cè)晶片而言，除了芯片焊墊區(qū)域外，必需也要在各個(gè)芯片的感 測(cè)區(qū)有不得覆蓋的設(shè)計(jì)，否則在后續(xù)的整體晶片的導(dǎo)電金屬層加載制作方法 中，其加載的金屬也同時(shí)會(huì)加載在晶片上各感測(cè)芯片的感測(cè)區(qū)上，因此感測(cè)層 材料受到污染或是感測(cè)設(shè)計(jì)變更，導(dǎo)致感測(cè)層的感測(cè)功能失效、衰減、變質(zhì)或 無法作動(dòng)的結(jié)果。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于提供一種感測(cè)晶片結(jié)構(gòu)、晶片級(jí)感測(cè)構(gòu)裝 結(jié)構(gòu)及其制作方法，以避免感測(cè)區(qū)材料在整體晶片的導(dǎo)電金屬層加載制作方法 中受到污染并同時(shí)縮小構(gòu)裝體積。
6為解決本發(fā)明的上述問題，本發(fā)明提供一種晶片級(jí)感測(cè)構(gòu)裝結(jié)構(gòu)的制作方 法，其包含以下步驟提供一包含有多個(gè)感測(cè)芯片的晶片，其每一該感測(cè)芯片 包含一感測(cè)區(qū)及多個(gè)焊墊；形成一應(yīng)力釋放層于晶片表面上，應(yīng)力釋放層曝露
出感測(cè)區(qū)及焊墊；披覆一光刻膠層于應(yīng)力釋放層上以遮蔽感測(cè)區(qū)及焊墊；圖案 化光刻膠層以露出焊墊及電性連結(jié)于焊墊的一部份的應(yīng)力釋放層；形成一導(dǎo)電 金屬層于光刻膠層所露出的應(yīng)力釋放層上，導(dǎo)電金屬層具有多個(gè)重布焊墊；去 除光刻膠層以露出應(yīng)力釋放層及導(dǎo)電金屬層；再次形成一重披覆光刻膠層于應(yīng) 力釋放層及導(dǎo)電金屬層上，以遮蔽感測(cè)區(qū)及焊墊；圖案化重披覆光刻膠層，以 打開對(duì)應(yīng)于重布焊墊區(qū)域上方的重披覆光刻膠層而形成孔口；以及形成一導(dǎo)電 凸塊于每一孔口以電性連接導(dǎo)電金屬層。
為解決本發(fā)明的上述問題，本發(fā)明提供一種晶片級(jí)感測(cè)構(gòu)裝結(jié)構(gòu)，包含 一晶片具有多個(gè)感測(cè)芯片及多個(gè)切割道所組成，每一感測(cè)芯片具有一主動(dòng)表 面，該主動(dòng)表面上包含一感測(cè)區(qū)及多個(gè)焊墊； 一應(yīng)力釋放層位于感測(cè)芯片的主 動(dòng)表面上，且露出感測(cè)區(qū)及焊墊； 一導(dǎo)電金屬層設(shè)于應(yīng)力釋放層表面且與焊墊 電性耦接，導(dǎo)電金屬層并形成多個(gè)重布焊墊；以及多個(gè)導(dǎo)電凸塊分別電性耦接 于每一重布焊墊上。
本案上述實(shí)施例所具有的功效為本發(fā)明預(yù)先以光刻膠實(shí)體遮蓋感測(cè)晶片 的感測(cè)芯片的感測(cè)區(qū)域，使其形成晶片的導(dǎo)電金屬層制作方法時(shí)避免感測(cè)區(qū)域 受到污染，并于后續(xù)制作方法中去除光刻膠，省卻傳統(tǒng)感測(cè)晶片中，需額外以 透光保護(hù)隔板接合于晶片表面的制作方法與材料成本，更可達(dá)到縮小整體構(gòu)裝 體積的功效。
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對(duì)本發(fā)明的 限定。


圖1A至圖1D繪示現(xiàn)有技術(shù)的晶片加載導(dǎo)電金屬層的結(jié)構(gòu)流程示意圖2A至圖2K繪示本發(fā)明的晶片級(jí)感測(cè)構(gòu)裝結(jié)構(gòu)的制作方法實(shí)施例的結(jié)構(gòu) 流程示意圖3A至圖3B繪示圖2H的后的應(yīng)用植球技術(shù)形成晶片凸塊； 圖4A繪示本發(fā)明的晶片級(jí)感測(cè)構(gòu)裝結(jié)構(gòu)的薄膜傳感器實(shí)施例示意7圖4B繪示本發(fā)明的晶片級(jí)感測(cè)構(gòu)裝結(jié)構(gòu)的薄膜傳感器及強(qiáng)化板實(shí)施例示
意圖；以及
圖4C繪示本發(fā)明的晶片級(jí)感測(cè)構(gòu)裝結(jié)構(gòu)的薄膜傳感器及具通孔的強(qiáng)化板 實(shí)施例示意圖。
其中，附圖標(biāo)記
現(xiàn)有技術(shù)部分
10:晶片11:應(yīng)力釋放層
12:芯片焊墊121:芯片表面
13:光刻膠14:導(dǎo)電金屬層
20:晶片21:晶片表面
22:晶片背面23:感測(cè)芯片
231:感測(cè)區(qū)232:焊墊
233:焊墊區(qū)24:應(yīng)力釋放層
25:光刻膠層26:導(dǎo)電金屬層
261:重布焊墊27:重披覆光刻膠層
28:孔口29:導(dǎo)電凸塊
30:凹穴40:強(qiáng)化板
41:通孔50:切割道
具體實(shí)施例方式
茲配合附圖將本發(fā)明較佳實(shí)施例詳細(xì)說明如下。
請(qǐng)參閱圖2A及圖2K所繪示的本發(fā)明的晶片級(jí)感測(cè)構(gòu)裝結(jié)構(gòu)的制作方法 實(shí)施例的結(jié)構(gòu)流程示意圖。其包含以下步驟首先提供一晶片20，特別是感 測(cè)晶片，晶片20由多個(gè)感測(cè)芯片23所組成，晶片20具有一晶片表面21與相 對(duì)的晶片背面22，晶片表面21上的每一個(gè)感測(cè)芯片23包含一感測(cè)區(qū)231及 多個(gè)焊墊232 (圖2A所示)。再于晶片表面21形成一應(yīng)力釋放層24(其主要供 應(yīng)力緩沖之用，常又稱為應(yīng)力緩沖層)，其應(yīng)力釋放層24曝露出感測(cè)芯片23 的感測(cè)區(qū)231及焊墊232 (圖2B所示)。接著再披覆一光刻膠層25于應(yīng)力釋放 層24上，使遮蔽感測(cè)區(qū)231及焊墊232(圖2C所示)。圖案化光刻膠層25，以露出焊墊.232和一部份的應(yīng)力釋放層24，其外露部份連接于焊墊232(圖2D 所示)。形成一導(dǎo)電金屬層26于光刻膠層25所露出的應(yīng)力釋放層24上，導(dǎo)電 金屬層26上并具有多個(gè)重新分布位置的重布焊墊261 (圖2E所示)。去除光刻 膠層25，且前一步驟中所附著于光刻膠層25上的導(dǎo)電金屬層26也隨之去除， 以露出應(yīng)力釋放層24及導(dǎo)電金屬層26(圖2F所示)。續(xù)形成一重披覆光刻膠 層27于應(yīng)力釋放層24及導(dǎo)電金屬層26上，以遮蔽感測(cè)區(qū)231、焊墊232與 重布焊墊261 (圖2G所示)。圖案化重披覆光刻膠層27，以打開對(duì)應(yīng)于重布焊 墊261區(qū)域上方的重披覆光刻膠層27而形成多個(gè)孔口 28 (圖2H所示)。利用 既有的形成晶片凸塊技術(shù)如電鍍、鋼板印刷等方式形成一導(dǎo)電凸塊29于每一 孔口28，以電性耦接導(dǎo)電金屬層26。以形成一晶片級(jí)感測(cè)構(gòu)裝結(jié)構(gòu)(圖2I至 圖2K所示)。當(dāng)然上述的形成一導(dǎo)電凸塊制作方法(圖21至圖2K所示)也可直 接置放一焊球于孔口28，且孔口 28內(nèi)預(yù)先涂有助焊劑或焊膏，以利焊球的粘 接(如圖3A及圖3B所示)。
當(dāng)然，上述的形成一導(dǎo)電凸塊29步驟包含一移除重披覆光刻膠層27步驟 及一進(jìn)行回焊(Reflow)制作方法步驟，而且其上述的移除重披覆光刻膠層27 步驟也可于回焊(Ref low)之后再進(jìn)行之。
本案上述實(shí)施例的導(dǎo)電金屬層應(yīng)用電鍍(electro plating)、蒸鍍(vapor deposition)或?yàn)R鍍(sputter)形成。
本案上述實(shí)施例中，形成一導(dǎo)電凸塊29于每一孔口 28以電性連接導(dǎo)電金 屬層26步驟之后，還包含一切割晶片20的感測(cè)芯片23相鄰位置，即一般為 預(yù)留的切割道50，以形成多個(gè)顆粒狀的感測(cè)芯片構(gòu)裝結(jié)構(gòu)。
上述實(shí)施例中，其24應(yīng)力釋放層的組成物為聚亞酰胺(PI)、苯并環(huán)丁烷 (BCB)或硅膠等。
本案上述實(shí)施例中，其光刻膠層25的加載，可以由泛用的厚膜成形制作 方法，如鋼板印刷、旋轉(zhuǎn)涂布(spin-coating)、預(yù)成塑膜熱壓…等等。
續(xù)請(qǐng)參照?qǐng)D2D，其實(shí)施例為具應(yīng)力釋放層的感測(cè)晶片結(jié)構(gòu)，包含 一晶 片20具有一晶片表面21與多個(gè)感測(cè)芯片23，每一感測(cè)芯片具有一感測(cè)部及 多個(gè)焊墊，于感測(cè)晶片的主動(dòng)表面覆蓋一應(yīng)力釋放層，應(yīng)力釋放層曝露出焊墊 與感測(cè)部，形成多個(gè)焊墊區(qū)與感測(cè)區(qū)，覆蓋一光刻膠層于應(yīng)力釋放層表面，并 于焊墊區(qū)的對(duì)應(yīng)位置形成開口以曝露出焊墊區(qū)233。續(xù)請(qǐng)參照?qǐng)D2K所示，在運(yùn)用上述制作方法所形成的晶片級(jí)感測(cè)構(gòu)裝結(jié)構(gòu)，
包含 一晶片20，其具有多個(gè)感測(cè)芯片23及多個(gè)切割道50所組成，晶片20 具有一晶片表面21及相對(duì)的一晶片背面22，于晶片表面21的每一感測(cè)芯片 23具有一主動(dòng)表面，該主動(dòng)表面上包含一感測(cè)區(qū)231及多個(gè)焊墊232; —應(yīng)力 釋放層24，位于晶片20的感測(cè)芯片23的晶片表面21上，且露出感測(cè)區(qū)231 及焊墊232; —導(dǎo)電金屬層26，設(shè)于應(yīng)力釋放層24的表面上且與焊墊232電 性耦接，導(dǎo)電金屬層26并形成多個(gè)重布焊墊261;以及多個(gè)導(dǎo)電凸塊29，分 別電性耦接于每一重布焊墊261上。
請(qǐng)?jiān)賲⒄請(qǐng)D4A所繪示的本發(fā)明的晶片級(jí)感測(cè)構(gòu)裝結(jié)構(gòu)的薄膜傳感器實(shí)施 例示意圖。上述的晶片級(jí)感測(cè)構(gòu)裝結(jié)構(gòu)也可進(jìn)一步于晶片20的每一感測(cè)芯片 23相對(duì)于感測(cè)區(qū)231的一晶片背面22上，且對(duì)應(yīng)于感測(cè)區(qū)231位置具有一凹 穴30。又如圖4B繪示本發(fā)明的晶片級(jí)感測(cè)構(gòu)裝結(jié)構(gòu)的薄膜傳感器及強(qiáng)化板實(shí) 施例示意圖。于圖4A的實(shí)施例中，也可在晶片背面22還具有一強(qiáng)化板40， 以補(bǔ)足開有凹穴30的晶片20的應(yīng)力損失。又如圖4C繪示本發(fā)明的晶片級(jí)感 測(cè)構(gòu)裝結(jié)構(gòu)的薄膜傳感器及具通孔的強(qiáng)化板實(shí)施例示意圖所示，在上述的圖 4B實(shí)施例中，也可于強(qiáng)化板40的對(duì)應(yīng)于凹穴30位置還具有一通孔41。
當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實(shí)施例，在不背離本發(fā)明精神及其實(shí)質(zhì)的情 況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但 這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種具應(yīng)力釋放層的感測(cè)晶片結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含一晶片，具有一晶片表面及相對(duì)的一晶片背面，該晶片具有多個(gè)感測(cè)芯片，每一感測(cè)芯片具有一感測(cè)部及多個(gè)焊墊；以及一應(yīng)力釋放層，覆蓋于該晶片表面，并曝露出該些焊墊與該些感測(cè)部，形成多個(gè)焊墊區(qū)與感測(cè)區(qū)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的具應(yīng)力釋放層的感測(cè)晶片結(jié)構(gòu)，其特征在于，該 晶片的該晶片背面具有多個(gè)凹穴，且每一該些凹穴位置對(duì)應(yīng)于每一該些感測(cè)區(qū) 位置。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的具應(yīng)力釋放層的感測(cè)晶片結(jié)構(gòu)，其特征在于，該 晶片背面還具有一強(qiáng)化板。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的具應(yīng)力釋放層的感測(cè)晶片結(jié)構(gòu)，其特征在于，該 強(qiáng)化板對(duì)應(yīng)于該凹穴位置還具有一通孔。
5. —種晶片級(jí)感測(cè)構(gòu)裝結(jié)構(gòu)，其由多個(gè)感測(cè)芯片及預(yù)留的多個(gè)切割道所組 成，其特征在于，包含一晶片，其具有多個(gè)感測(cè)芯片及多個(gè)切割道所組成，該晶片具有一晶片表面及相對(duì)的一晶片背面，于該晶片表面的每一感測(cè)芯片具有一主動(dòng)表面，該主動(dòng)表面上包含一感測(cè)區(qū)及多個(gè)焊墊；一應(yīng)力釋放層，位于該晶片的感測(cè)芯片的該主動(dòng)表面上，且露出該感測(cè)區(qū) 及該些焊墊；一導(dǎo)電金屬層，設(shè)于該應(yīng)力釋放層表面且與該些焊墊電性耦接，該導(dǎo)電金 屬層并形成多個(gè)重布焊墊；以及多個(gè)導(dǎo)電凸塊，分別電性耦接于每一該些重布焊墊上。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶片級(jí)感測(cè)構(gòu)裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該晶片的每 一該感測(cè)芯片相對(duì)于該感測(cè)區(qū)的一晶片背面上，且對(duì)應(yīng)于該感測(cè)區(qū)位置具有一 凹穴。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶片級(jí)感測(cè)構(gòu)裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該晶片背面 還具有一強(qiáng)化板。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶片級(jí)感測(cè)構(gòu)裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該強(qiáng)化板對(duì)應(yīng)于該凹穴位置還具有一通孔。
9. 一種晶片級(jí)感測(cè)構(gòu)裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包含以下步驟 提供一晶片，其包含有多個(gè)感測(cè)芯片，該晶片具有一晶片表面，該晶片表面上的每一該感測(cè)芯片包含一感測(cè)區(qū)及多個(gè)焊墊；形成一應(yīng)力釋放層于該晶片表面上，該應(yīng)力釋放層曝露出該感測(cè)區(qū)及該些 焊墊；披覆一光刻膠層于該應(yīng)力釋放層上，以遮蔽該感測(cè)區(qū)及該些焊墊； 圖案化該光刻膠層，以露出該些焊墊及連接于該些焊墊的多個(gè)重布焊墊預(yù) 留區(qū)；形成一導(dǎo)電金屬層，以于該光刻膠層、該些焊墊區(qū)形成一重布金屬層，且于該些重布焊墊預(yù)留區(qū)形成重布焊墊區(qū)；去除該光刻膠層，以露出該應(yīng)力釋放層及該導(dǎo)電金屬層； 形成一重披覆光刻膠層于該應(yīng)力釋放層及該導(dǎo)電金屬層上，以遮蔽該感測(cè)區(qū)及該些焊墊；圖案化該重披覆光刻膠層，以打開對(duì)應(yīng)于該重布焊墊區(qū)域上方的該重披覆 光刻膠層而形成多個(gè)孔口；以及形成一導(dǎo)電凸塊于每一孔口以電性連接該導(dǎo)電金屬層。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶片級(jí)感測(cè)構(gòu)裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于， 該形成一導(dǎo)電凸塊于每一孔口以電性連接導(dǎo)電金屬層步驟包含一移除該重披 覆光刻膠層步驟及一進(jìn)行回焊制作方法步驟，且其該二步驟順序可以對(duì)調(diào)。
11. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶片級(jí)感測(cè)構(gòu)裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于， 該導(dǎo)電金屬層應(yīng)用電鍍、蒸鍍或?yàn)R鍍形成。
12. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶片級(jí)感測(cè)構(gòu)裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于， 于該形成一導(dǎo)電凸塊于每一孔口以電性連接導(dǎo)電金屬層步驟之后，還包含一切 割該晶片的該感測(cè)芯片相鄰位置，以形成多個(gè)顆粒狀的感測(cè)芯片構(gòu)裝結(jié)構(gòu)。
13. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶片級(jí)感測(cè)構(gòu)裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于， 該應(yīng)力釋放層的組成物選自聚亞酰胺、苯并環(huán)丁垸及硅膠所組成的族群。
14. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶片級(jí)感測(cè)構(gòu)裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于， 該導(dǎo)電凸塊以電鍍方式形成。
15. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶片級(jí)感測(cè)構(gòu)裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，該形成一導(dǎo)電凸塊制作方法直接置放一焊球于該孔口，且該孔口內(nèi)預(yù)先涂有助 焊劑或焊膏。
16. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶片級(jí)感測(cè)構(gòu)裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于， 該導(dǎo)電凸塊為金凸塊或焊錫凸塊。
17. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶片級(jí)感測(cè)構(gòu)裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，該光刻膠層或重披覆光刻膠層的披覆，由泛用的厚膜成形制作方法，如鋼板印 刷、旋轉(zhuǎn)涂布或預(yù)成塑膜熱壓形成。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種感測(cè)晶片結(jié)構(gòu)、晶片級(jí)感測(cè)構(gòu)裝結(jié)構(gòu)及其制作方法，其制作方法步驟包含提供一包含感測(cè)芯片的晶片，其感測(cè)芯片具有感測(cè)區(qū)與焊墊；形成一應(yīng)力釋放層于晶片表面；披覆一光阻層于應(yīng)力釋放層上；圖案化光刻膠層以露出焊墊及部分的應(yīng)力釋放層，但不曝露感測(cè)區(qū)的開口區(qū)域；形成重布焊墊的導(dǎo)電金屬層于光刻膠層所露出的應(yīng)力釋放層上；去除光刻膠層；形成一重披覆光刻膠層于應(yīng)力釋放層及導(dǎo)電金屬層上；打開與重布焊墊區(qū)域上方的重披覆光刻膠層以形成孔口；以及形成導(dǎo)電凸塊于孔口以電性連接導(dǎo)電金屬層。
文檔編號(hào)H01L23/48GK101515591SQ200810009329
公開日2009年8月26日 申請(qǐng)日期2008年2月18日 優(yōu)先權(quán)日2008年2月18日
發(fā)明者何宗哲, 朱俊勛, 蔡伯晨, 陳榮泰 申請(qǐng)人:財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院