專利名稱：主動(dòng)陣列基板、液晶顯示面板及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種主動(dòng)陣列基板、液晶顯示面板及其制作方法，尤其涉及一 種具有彩色濾光片的主動(dòng)陣列基板以及其制造方法。
背景技術(shù)：
一般液晶顯示器的彩色濾光片制作工藝，采用三原色的彩色光刻膠(photo resist)經(jīng)過三道黃光微影(photolithography)工藝，將三個(gè)彩色光刻膠薄膜 依序形成于基板上的像素內(nèi)，而形成彩色濾光片。由于彩色光刻膠薄膜的形成 乃是將彩色光刻膠液滴在基板上，接著以旋轉(zhuǎn)的方式均勻的涂布于基板上，因 此大部分彩色光刻膠會(huì)在旋轉(zhuǎn)的過程中被浪費(fèi)掉，而且彩色光刻膠的價(jià)格昂 貴，這樣的制作方式成本較高。此外，所采用的黃光微影工藝，需要使用大量 的有機(jī)溶劑，有造成環(huán)境污染的疑慮。近來， 一種利用噴墨印刷(inkjet printing, IJP)形成彩色濾光片的方 法已被發(fā)展出來。噴墨印刷法可同時(shí)噴印三原色的彩色濾光薄膜于像素內(nèi)，相 較于傳統(tǒng)彩色濾光片采用的黃光微影工藝，可以減少大量的工藝與材料成本。 也因此使得噴墨印刷技術(shù)具有大面積制造的優(yōu)勢。而利用噴墨印刷的方式，將彩色濾光片與主動(dòng)陣列基板整合在一起的工藝 也逐漸發(fā)展而成。美國專利號第5， 919， 532號揭露一種主動(dòng)陣列基板制造方法，將有機(jī)樹脂 組成物形成在具有薄膜晶體管的基板上并加熱固化；之后，在其上形成光刻膠 并利用一光掩模對該光刻膠進(jìn)行顯影工藝；然后利用蝕刻工藝以圖案化該樹 脂，以形成接觸洞讓接下來形成的像素電極可以與薄膜晶體管連接；利用噴墨 印刷法將紅色、綠色以及藍(lán)色色墨形成在被圖案化的樹脂定義出來的預(yù)定區(qū)域 中，此時(shí)，具有彩色濾光片的主動(dòng)陣列基板已大體被完成。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于提供一種主動(dòng)陣列基板，為彩色濾光片位于陣列上的基板(Color Filter on Array, CQA)。本發(fā)明所要解決的另一技術(shù)問題在于提供一種主動(dòng)陣列基板的制造方法， 其可改善現(xiàn)有技術(shù)工藝中光掩模數(shù)使用過多的問題。本發(fā)明所要解決的又一技術(shù)問題在于提供一種液晶顯示面板的制造方 法，其可提升面板效能并減少制造成本。本發(fā)明還關(guān)于一種液晶顯示面板的制造方法，其可利用工藝中之光刻膠 作為后續(xù)噴墨印刷工藝中所需的擋墻，借以省略工藝步驟。本發(fā)明關(guān)于一種主動(dòng)陣列基板，具有一以噴墨印刷工藝形成的高度輔助 結(jié)構(gòu)，以達(dá)到混合間隙物(Hybrid spacer)的效果。為實(shí)現(xiàn)上述目的，在本發(fā)明的一實(shí)施例中，主動(dòng)陣列基板包括一基底； 多條掃描線設(shè)置于該基底上；多條數(shù)據(jù)線，與該些掃描線垂直；多數(shù)像素電極； 多數(shù)主動(dòng)元件，每一主動(dòng)元件分別與對應(yīng)的掃描線、數(shù)據(jù)線及像素電極電性連 接以定義出一像素區(qū)域；以及一高度輔助結(jié)構(gòu)，大體設(shè)置于該主動(dòng)元件、數(shù)據(jù) 線或掃描線的上方，其中該高度輔助結(jié)構(gòu)的上視圖案為一圓形、 一類圓形、一 橢圓形、 一不具有銳角的封閉不規(guī)則圖形或一不具有直角的封閉不規(guī)則圖形。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述主動(dòng)陣列基板還包括至少一彩色濾光層，設(shè) 置于該基底上并大體位于該像素區(qū)域內(nèi)。而且，為實(shí)現(xiàn)上述目的，在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述液晶顯示面板包括 上述主動(dòng)陣列基板； 一對向基板，與該主動(dòng)陣列基板對向設(shè)置；多數(shù)間隙物， 位于該主動(dòng)陣列基板以及該對向基板之間，其中該些間隙物中的一個(gè)與該高度 輔助結(jié)構(gòu)至少部分重迭(overlap);以及一液晶層，位于該主動(dòng)陣列基板以及 該對向基板之間。而且，為實(shí)現(xiàn)上述目的，在本發(fā)明的一實(shí)施例中，提出一種主動(dòng)陣列基板 的制作方法，包括提供一基底；形成一掃描線、數(shù)據(jù)線以及主動(dòng)元件于該基 底上；形成一光刻膠層于該掃描線、數(shù)據(jù)線以及主動(dòng)元件上方；圖案化該光刻 膠層以形成多數(shù)圖案化光刻膠擋墻；提供多數(shù)流體色料于該些圖案化光刻膠擋 墻之間所定義出的一像素區(qū)域內(nèi)；固化該些流體色料以形成多數(shù)彩色濾光層； 以及形成一像素電極與該主動(dòng)元件電性連接，并對應(yīng)位于該像素區(qū)域內(nèi)。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述主動(dòng)陣列基板的制作方法，其中圖案化該 光刻膠層的步驟包括提供一光掩模于該光刻膠層上方；利用該光掩模顯影該 光刻膠層；以及蝕刻該光刻膠層以形成多數(shù)圖案化光刻膠擋墻；以及蝕刻該保護(hù)層以形成一接觸洞，其中該像素電極通過該接觸洞與該主動(dòng)元件電性連接。 本發(fā)明提供一種彩色濾光片位于陣列上的主動(dòng)陣列基板，可以降低光掩模的使用數(shù)量，提升面板效能并減少制造成本。以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對本發(fā)明的限定。


圖1為本發(fā)明的主動(dòng)陣列基板的上視圖；圖2a至圖2f為本發(fā)明的第一實(shí)施例的主動(dòng)陣列基板的制造方法對應(yīng)的結(jié) 構(gòu)剖面圖；圖3a至圖3h為本發(fā)明的第二實(shí)施例的液晶顯示面板的制造方法對應(yīng)的結(jié) 構(gòu)剖面圖；圖4a至圖4f為本發(fā)明的第三實(shí)施例的主動(dòng)陣列基板的制造方法對應(yīng)的結(jié) 構(gòu)剖面圖；圖5a至圖5g為本發(fā)明的第四實(shí)施例的液晶顯示面板的制造方法對應(yīng)的結(jié) 構(gòu)剖面圖；圖6為本發(fā)明的液晶顯示面板分解；以及圖7a至圖7d為本發(fā)明的高度輔助結(jié)構(gòu)的上視圖。其中，附圖標(biāo)記10:主動(dòng)陣列基板m113130130b141160210掃描線電容電極光刻膠層圖案化光刻膠擋墻 高度輔助結(jié)構(gòu) 流體色料110 112 120 130a 140: 150: 20保護(hù)層預(yù)先的圖案化光刻膠擋墻 彩色濾光層 像素電極 對向基板220:共通電極230:間隙物 30:液晶層40:液晶顯示面板單元(cell)具體實(shí)施方式
由于現(xiàn)有技術(shù)的具有彩色濾光片的主動(dòng)陣列基板工藝具有繁復(fù)的光掩模 工藝。因此，本發(fā)明所提出的技術(shù)可以有效克服現(xiàn)有技術(shù)的問題。以下將舉數(shù) 個(gè)主動(dòng)陣列基板的制作方法來說明本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容。圖1為主動(dòng)陣列基板10的上視圖，為求清楚描述，位于下述實(shí)施例中的 薄膜晶體管TFT上的高度輔助結(jié)構(gòu)141并不在圖1中顯示。主動(dòng)陣列基板10 具有基底110、多條掃描線lll設(shè)置于該基底上、多條數(shù)據(jù)線112，與該些掃 描線垂直、多數(shù)像素電極150、多數(shù)主動(dòng)元件TFT，每一主動(dòng)元件TFT分別與 對應(yīng)的掃描線111、數(shù)據(jù)線112及像素電極150電性連接以定義出一像素區(qū)域 P。為求簡潔起見，圖1僅標(biāo)示一個(gè)掃描線111、 一個(gè)數(shù)據(jù)線112、 一個(gè)像素電 極150以及一個(gè)主動(dòng)元件TFT供說明。下述實(shí)施例包括圖1中剖面線AA'對應(yīng)的主動(dòng)陣列基板10的制造方法對應(yīng) 的結(jié)構(gòu)剖面圖，詳細(xì)結(jié)構(gòu)及工藝在下述實(shí)施例中說明。第一實(shí)施例圖2a至圖2f為第一實(shí)施例的主動(dòng)陣列基板10的制造方法對應(yīng)的結(jié)構(gòu)剖 面圖。如圖2a所示，首先，提供一基底IIO，然后，形成掃描線lll、電容電極 113、數(shù)據(jù)線112、主動(dòng)元件，舉例為薄膜晶體管TFT以及保護(hù)層120于基底 上110上，薄膜晶體管TFT具有柵極G、源極S以及漏極D，之后，形成光刻 膠層130全面覆蓋在保護(hù)層120上，其中光刻膠層130的具有實(shí)質(zhì)上介于0. 5 微米micrometer至5微米的一平均厚度。接下來，如圖2b所示，提供光掩模M于光刻膠層130上方，光掩模M舉 例可為半調(diào)光掩?；蚧译A光掩模，如圖所示，本領(lǐng)域技術(shù)人員，可理解半調(diào)光 掩?；蚧译A光掩模的工藝效果，在此不再贅述。然后，利用光掩模M曝光定義 光刻膠層130，之后，如圖2c所示，顯影該光刻膠層130以形成多數(shù)圖案化 光刻膠擋墻130a;接下來，如圖2d所示，以及去除部份多數(shù)圖案化光刻膠 擋墻130a并蝕刻保護(hù)層120形成圖案化光刻膠擋墻130b以及接觸洞Via。其中去除部份多數(shù)圖案化光刻膠擋墻130a并蝕刻保護(hù)層120的歩驟可為一次子 步驟，也就是說，直接將光刻膠層130定義成多數(shù)圖案化光刻膠擋墻130a， 然后利用至少一蝕刻氣體或蝕刻液體形成接觸洞Via;或者是，此形成多數(shù)圖 案化光刻膠擋墻130b以及蝕刻保護(hù)層120的步驟可為二次子步驟，也就是說， 先利用定義該光刻膠層130以形成多數(shù)圖案化光刻膠擋墻130a，然后，去除 部份多數(shù)圖案化光刻膠擋墻130a以形成多數(shù)圖案化光刻膠擋墻130b，之后， 利用至少一蝕刻氣體或蝕刻液體蝕刻保護(hù)層120以形成接觸洞Via，如圖2d 所示。如此一來，后續(xù)的像素區(qū)P以及電容區(qū)域C便被定義出來。接下來，如圖2e所示，利用噴墨印刷工藝IJP，提供流體色料160于該 些圖案化光刻膠擋墻130b之間所定義出的一像素區(qū)域P內(nèi)，流體色料160舉 例可為熱感性材料或感光型材料，流體色料160舉例為顏料、染料或上述組合， 顏色可為紅、綠或藍(lán)色。然后，固化該些流體色料160以形成多數(shù)彩色濾光層 140，顏色可為紅、綠或藍(lán)色。接下來，去除至少部份該些圖案化光刻膠擋墻 130b以定義出一電容區(qū)域C，此時(shí)，位于薄膜晶體管TFT上方的圖案化光刻膠 擋墻130b也可同時(shí)被去除。最后，如圖2f所示，形成像素電極150于該多數(shù)彩色濾光層140上，像 素電極150通過接觸洞Via與薄膜晶體管TFT的漏極D電性連接，并對應(yīng)位于 該像素區(qū)域P內(nèi)。其中形成像素電極150的方法可為全面形成透明導(dǎo)電層于多 數(shù)彩色濾光層140上，透明導(dǎo)電層舉例可為銦錫氧化物或銦鋅氧化物，然后圖 案化透明導(dǎo)電層以形成像素電極150，圖案化透明導(dǎo)電層的方法舉例可為利用 顯影蝕刻或是激光剝除法。像素電極150和電容電極113形成一儲存電容。故本實(shí)施例所述的主動(dòng)陣列基板IO便完成。如圖1以及圖2f所示，本實(shí) 施例所述的主動(dòng)陣列基板10包括基底110、掃描線lll、電容電極113、數(shù)據(jù) 線112、薄膜晶體管TFT以及保護(hù)層120位于基底上110上，多數(shù)彩色濾光層 140位于像素區(qū)域P內(nèi)，像素電極150于該多數(shù)彩色濾光層140上，像素電極 150通過接觸洞Via與薄膜晶體管TFT的漏極D電性連接，并對應(yīng)位于該像素 區(qū)域P內(nèi)，像素電極150和電容電極113形成一儲存電容。本發(fā)明所述的主動(dòng)陣列基板的制作方法優(yōu)點(diǎn)為直接利用光刻膠層130 作為后續(xù)噴墨印刷工藝提供的流體色料160所需的擋墻，故可簡化工藝。第二實(shí)施例圖3a至圖3g為第二實(shí)施例的主動(dòng)陣列基板10的制造方法對應(yīng)的結(jié)構(gòu)剖 面圖。其中3a至圖3e與第一實(shí)施例中的圖2a至圖2e對應(yīng)的工藝為相同，在 此不再贅述并沿用其標(biāo)號。如圖3f所示，在固化該些流體色料160以形成多數(shù)彩色濾光層140以及 去除至少部份該些圖案化光刻膠文件墻130b后，利用噴墨印刷工藝IJP'，將 流體色料160，顏色可為紅、綠或藍(lán)色，形成于薄膜晶體管TFT上，用以形成 接下來的工藝步驟將會(huì)形成的高度輔助結(jié)構(gòu)141。然后，固化位于薄膜晶體管 TFT上的流體色料160以形成高度輔助結(jié)構(gòu)141，因?yàn)楦叨容o助結(jié)構(gòu)141為利 用噴墨印刷工藝IJP，，故高度輔助結(jié)構(gòu)141的上視圖案為一圓形、 一類圓形、 一橢圓形、 一不具有銳角的封閉不規(guī)則圖形或一不具有直角的封閉不規(guī)則圖 形，如圖7a至圖7d所示。高度輔助結(jié)構(gòu)141具有實(shí)質(zhì)上介于0.01微米 micrometer至2微米的一平均高度，以及實(shí)質(zhì)上介于1微米micrometer至100 微米的一平均寬度。高度輔助結(jié)構(gòu)141的材料包括熱感性材料或感光型材料， 該高度輔助結(jié)構(gòu)141包括一顏料、 一染料或上述組合。而高度輔助結(jié)構(gòu)141 的位置除了可位于薄膜晶體管TFT上方或正上方外，也可依設(shè)計(jì)需求，設(shè)置于 數(shù)據(jù)線112或是掃描線111上方或正上方或是像素區(qū)域P內(nèi)。須注意的是，其中噴墨印刷工藝IJP'與噴墨印刷工藝UP可整合為單一次 步驟。若噴墨印刷工藝IJP'與噴墨印刷工藝IJP整合為一次步驟時(shí)，即表示圖 3e中，流體色料160除了被提供至像素區(qū)域P中，更被提供至位于薄膜晶體 管TFT上的圖案化光刻膠擋墻130b上，所以在后續(xù)固化流體色料160以及去 除部份圖案化光刻膠擋墻130b的步驟執(zhí)行結(jié)束后，高度輔助結(jié)構(gòu)141和薄膜 晶體管TFT之間會(huì)存在少許未被去除的圖案化光刻膠擋墻130b，故高度輔助 結(jié)構(gòu)141的顏色與彩色濾光層140的顏色可為相同或不同。之后，如圖3g所示，形成像素電極150于該多數(shù)彩色濾光層140上，其 形成方法如第一實(shí)施例圖2f及對應(yīng)敘述所示，在此不在贅述。最后，如圖3h所示，提供對向基板20，該對向基板20包括多數(shù)間隙物 230，其中該些間隙物中的一個(gè)與該高度輔助結(jié)構(gòu)141至少部分重迭overlap 或是完全位于高度輔助結(jié)構(gòu)141上，而液晶層30舉例利用滴下填充工藝One Drop Fill, 0DF或液晶注入工藝injection形成在主動(dòng)陣列基板10以及該對 向基板20之間。對向基板20包括基底210及位于基底210上的共通電極220。間隙物230的尺寸舉例大體為相同，間隙物230可為光刻膠間隙物，形狀可為 柱狀或球狀。如此一來，便完成液晶顯示面板Cell。故本實(shí)施例所述的液晶顯示面板Cell包括基底110、掃描線lll、電容 電極113、數(shù)據(jù)線112、薄膜晶體管TFT以及保護(hù)層120位于基底上110上， 多數(shù)彩色濾光層140位于像素區(qū)域P內(nèi)，像素電極150于該多數(shù)彩色濾光層 140上，像素電極150通過接觸洞Via與薄膜晶體管TFT的漏極D電性連接， 并對應(yīng)位于該像素區(qū)域P內(nèi)，像素電極150和電容電極U3形成一儲存電容， 高度輔助結(jié)構(gòu)141形成于薄膜晶體管TFT上，高度輔助結(jié)構(gòu)141的上視圖案為 一圓形、 一類圓形、 一橢圓形、 一不具有銳角的封閉不規(guī)則圖形或一不具有直 角的封閉不規(guī)則圖形，高度輔助結(jié)構(gòu)141具有實(shí)質(zhì)上介于0.01微米 (micrometer)至2微米的一平均高度，以及實(shí)質(zhì)上介于1微米(micrometer) 至100微米的一平均寬度。高度輔助結(jié)構(gòu)141的材料包括一熱感性材料或感光 型材料，該材料包括一顏料、 一染料或上述組合，對向基板20,多數(shù)間隙物 230，該些間隙物中的一個(gè)與該高度輔助結(jié)構(gòu)141至少部分重迭overlap或是 完全位于高度輔助結(jié)構(gòu)141上，液晶層30形成在主動(dòng)陣列基板10以及該對向 基板20之間，其中對向基板20包括基底210及位于基底210上的共通電極 220。而高度輔助結(jié)構(gòu)141的位置除了可位于薄膜晶體管TFT上方或正上方外， 也可依設(shè)計(jì)需求，設(shè)置于數(shù)據(jù)線112或是掃描線111上方或正上方或是像素區(qū) 域P內(nèi)。第三實(shí)施例圖4a至圖4f為第三實(shí)施例的主動(dòng)陣列基板10的制造方法對應(yīng)的結(jié)構(gòu)剖 面圖。第三實(shí)施例大體與第一實(shí)施例相同，其中圖4a至圖4b與第一實(shí)施例中的 圖2a至圖2b對應(yīng)的工藝為相同，在此不再贅述并沿用其標(biāo)號。如圖4c所示，與第一實(shí)施例中的圖2c不同之處在于多數(shù)圖案化光刻膠擋 墻130a的圖案不同，本實(shí)施例己預(yù)先將電容區(qū)域C定義出來，其余部份大體 相同，在此不再贅述。接下來，如圖4e所示，利用噴墨印刷工藝IJP，提供流體色料160于該 些圖案化光刻膠擋墻130b之間所定義出的一像素區(qū)域P內(nèi)，流體色料160舉 例可為熱感性材料或感光型材料，材料舉例為顏料、染料或上述組合，顏色可為紅、綠或藍(lán)色。然后，固化該些流體色料160以形成多數(shù)彩色濾光層140。最后，如圖4f所示，形成像素電極150于該多數(shù)彩色濾光層140上，像 素電極150通過接觸洞Via與薄膜晶體管TFT的漏極D電性連接，并對應(yīng)位于 該像素區(qū)域P內(nèi)。其中形成像素電極150的方法可為全面形成透明導(dǎo)電層于多 數(shù)彩色濾光層140上，透明導(dǎo)電層舉例可為銦錫氧化物或銦鋅氧化物，然后圖 案化透明導(dǎo)電層以形成像素電極150，圖案化透明導(dǎo)電層的方法舉例可為利用 顯影蝕刻或是激光剝除法。像素電極150和電容電極113形成一儲存電容。其中因?yàn)閳D案化光刻膠擋墻130b未被去除，故至少部份該像素電極150 位于圖案化光刻膠擋墻上130b。故本實(shí)施例所述的主動(dòng)陣列基板IO便完成。如圖1以及圖4f所示，本實(shí) 施例所述的主動(dòng)陣列基板10包括基底110、掃描線ill、電容電極113、數(shù)據(jù) 線112、薄膜晶體管TFT以及保護(hù)層120位于基底上110上，多數(shù)彩色濾光層 140位于像素區(qū)域P內(nèi)，像素電極150于該多數(shù)彩色濾光層140以及部份的多 數(shù)圖案化光刻膠擋墻130b上，像素電極150通過接觸洞Via與薄膜晶體管TFT 的漏極D電性連接，并對應(yīng)位于該像素區(qū)域P內(nèi)，像素電極150和電容電極 113形成一儲存電容，電容區(qū)域C被部份的多數(shù)圖案化光刻膠擋墻130b定義 而成，特別的是，與第一實(shí)施例不同，多數(shù)圖案化光刻膠擋墻130b被保留下 來，故省略一道去除多數(shù)圖案化光刻膠擋墻130b的步驟。 第四實(shí)施例圖5a至圖5g為第四實(shí)施例的主動(dòng)陣列基板10的制造方法對應(yīng)的結(jié)構(gòu)剖 面圖。其中圖5a至圖5d與第三實(shí)施例中的圖4a至圖4d對應(yīng)的工藝為相同， 在此不再贅述并沿用其標(biāo)號。如圖5e所示，利用噴墨印刷工藝IJP，將流體色料160，顏色可為紅、綠 或藍(lán)色，形成于該些圖案化光刻膠擋墻130b之間所定義出的一像素區(qū)域P內(nèi) 以及薄膜晶體管TFT上，其中，位于薄膜晶體管TFT上的流體色料160以及膜 晶體管TFT之間會(huì)存在有少許圖案化光刻膠擋墻130b。接下來，固化該些流 體色料160以同時(shí)形成多數(shù)彩色濾光層140以及高度輔助結(jié)構(gòu)141，故高度輔 助結(jié)構(gòu)141的顏色與彩色濾光層140的顏色可為相同或不同。之后，圖5f至圖5g的工藝與第二實(shí)施例中圖3g至圖3h大體相同，在此 不再贅述并沿用其標(biāo)號。須注意的是，高度輔助結(jié)構(gòu)141和薄膜晶體管TFT之間會(huì)存在少許圖案化光刻膠擋墻130b，而至少部份該像素電極150位于圖案化光刻膠擋墻上130b。故本實(shí)施例所述的液晶顯示面板Cell包括基底110、掃描線111、電容電 極113、數(shù)據(jù)線112、薄膜晶體管TFT以及保護(hù)層120位于基底上110上，多 數(shù)彩色濾光層140位于像素區(qū)域P內(nèi)，像素電極150于該多數(shù)彩色濾光層140 部份的多數(shù)圖案化光刻膠擋墻130b上，像素電極150通過接觸洞Via與薄膜 晶體管TFT的漏極D電性連接，并對應(yīng)位于該像素區(qū)域P內(nèi)，像素電極150 和電容電極113形成一儲存電容，電容區(qū)域C被部份的多數(shù)圖案化光刻膠擋墻 130b定義而成，高度輔助結(jié)構(gòu)141形成于薄膜晶體管TFT上，高度輔助結(jié)構(gòu) 141的上視圖案為一圓形、 一類圓形、 一橢圓形、 一不具有銳角的封閉不規(guī)則 圖形或一不具有直角的封閉不規(guī)則圖形，高度輔助結(jié)構(gòu)141具有實(shí)質(zhì)上介于 0.01微米(micrometer)至2微米的一平均高度，以及實(shí)質(zhì)上介于1微米 (micrometer)至100微米的一平均寬度。高度輔助結(jié)構(gòu)141的材料包括一熱感 性材料或感光型材料，該材料包括一顏料、 一染料或上述組合，對向基板20， 多數(shù)間隙物230，該些間隙物中的一個(gè)與該高度輔助結(jié)構(gòu)141至少部分重迭 (overlap)或是完全位于高度輔助結(jié)構(gòu)141上，而高度輔助結(jié)構(gòu)141的位置除 了可位于薄膜晶體管TFT上方或正上方外，也可依設(shè)計(jì)需求，設(shè)置于數(shù)據(jù)線 112或是掃描線111上方或正上方或是像素區(qū)域P內(nèi)。間隙物230可為光刻膠 間隙物，形狀可為柱狀或球狀，液晶層30形成在主動(dòng)陣列基板10以及該對向 基板20之間，其中對向基板20包括基底210及位于基底210上的共通電極 220，特別的是，與第二實(shí)施例不同，多數(shù)圖案化光刻膠擋墻130b被保留下來， 故省略一道去除多數(shù)圖案化光刻膠擋墻130b的步驟。圖6為利用本發(fā)明的實(shí)施例所制造的液晶顯示面板單元(Cell) 40，液晶 顯示面板單元(Cell) 40包括本發(fā)明的實(shí)施例所述的主動(dòng)陣列基板10、對向 基板20以及位于其間的液晶層30。其中，高度輔助結(jié)構(gòu)141的位置、形狀、尺寸及制造方法并不局限于本發(fā) 明所述的實(shí)施例，可視設(shè)計(jì)者的需求而適當(dāng)改變及調(diào)整，請參圖7a至圖7d。綜上所述，本發(fā)明主要在提供一簡化具有彩色濾光片的主動(dòng)陣列基板的制 造方法并提供一具有彩色濾光片的主動(dòng)陣列基板。當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實(shí)施例，在不背離本發(fā)明精神及其實(shí)質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但 這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種主動(dòng)陣列基板，其特征在于，包括一基底；多條掃描線設(shè)置于該基底上；多條數(shù)據(jù)線，與該些掃描線垂直；多數(shù)像素電極；多數(shù)主動(dòng)元件，每一主動(dòng)元件分別與對應(yīng)的掃描線、數(shù)據(jù)線及像素電極電性連接以定義出一像素區(qū)域；以及一高度輔助結(jié)構(gòu)，大致設(shè)置于該主動(dòng)元件、該數(shù)據(jù)線或該掃描線的上方，其中該高度輔助結(jié)構(gòu)的上視圖案為一圓形、一類圓形、一橢圓形、一不具有角的封閉不規(guī)則圖形或一不具有直角的封閉不規(guī)則圖形。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的主動(dòng)陣列基板，其特征在于 濾光層，設(shè)置于該基底上并大致位于該像素區(qū)域內(nèi)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的主動(dòng)陣列基板，其特征在于 有介于0. 01微米至2微米的一平均高度。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的主動(dòng)陣列基板，其特征在于 有介于1微米至100微米的一平均寬度。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的主動(dòng)陣列基板，其特征在于 有介于1微米至100微米的一平均寬度。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的主動(dòng)陣列基板，其特征在于 有介于0. 01微米至2微米的一平均高度。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的主動(dòng)陣列基板，其特征在于 有介于1微米至100微米的一平均寬度。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的主動(dòng)陣列基板，其特征在于 有介于1微米至100微米的一平均寬度。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的主動(dòng)陣列基板，其特征在于 材料包括一顏料、 一染料或上述組合。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的主動(dòng)陣列基板，其特征在于，還包括一圖案 化光刻膠擋墻，且至少部份該像素電極位于圖案化光刻膠擋墻上。
11. 一種液晶顯示面板，其特征在于，包括，還包括至少一彩色 ，該高度輔助結(jié)構(gòu)具 ，該高度輔助結(jié)構(gòu)具 ，該高度輔助結(jié)構(gòu)具 ，該高度輔助結(jié)構(gòu)具 ，該高度輔助結(jié)構(gòu)具 ，該高度輔助結(jié)構(gòu)具 ，該高度輔助結(jié)構(gòu)的一主動(dòng)陣列基板，包括一基底；多條掃描線，設(shè)置于該基底上； 多條數(shù)據(jù)線，與該些掃描線垂直； 多數(shù)像素電極；多數(shù)主動(dòng)元件，每一主動(dòng)元件分別與對應(yīng)的掃描線、數(shù)據(jù)線及像素電極電 性連接以定義出一像素區(qū)域；一高度輔助結(jié)構(gòu)，大致設(shè)置于該主動(dòng)元件、該數(shù)據(jù)線或該掃描線的上方， 該高度輔助結(jié)構(gòu)的上視圖案為一圓形、 一類圓形、 一橢圓形、 一不具有銳角的 封閉不規(guī)則圖形或一不具有直角的封閉不規(guī)則圖形；以及至少一彩色濾光層，設(shè)置于該基底上并大致位于該像素區(qū)域內(nèi)；一對向基板，與該主動(dòng)陣列基板對向設(shè)置；多數(shù)間隙物，位于該主動(dòng)陣列基板以及該對向基板之間，該些間隙物中的 一個(gè)與該高度輔助結(jié)構(gòu)至少部分重迭；以及一液晶層，位于該主動(dòng)陣列基板以及該對向基板之間。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的液晶顯示面板，其特征在于，該些間隙物的 尺寸大致相同。
13. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的液晶顯示面板，其特征在于，該些間隙物形 成于該對向基板上。
14. 一種主動(dòng)陣列基板的制作方法，其特征在于，包括 提供一基底；形成一掃描線、數(shù)據(jù)線以及主動(dòng)元件于該基底上； 形成一光刻膠層于該掃描線、數(shù)據(jù)線以及主動(dòng)元件上方； 圖案化該光刻膠層以形成多數(shù)圖案化光刻膠擋墻；提供多數(shù)流體色料于該些圖案化光刻膠擋墻之間所定義出的一像素區(qū)域內(nèi)；固化該些流體色料以形成多數(shù)彩色濾光層；以及 形成一像素電極與該主動(dòng)元件電性連接，并對應(yīng)位于該像素區(qū)域內(nèi)。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，于形成該光刻膠層的步 驟前，還包括形成一保護(hù)層于該主動(dòng)元件上。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，圖案化該光刻膠層的步 驟包括提供一光掩模于該光刻膠層上方； 利用該光掩模曝光定義該光刻膠層；以及 去除部份該光刻膠層以形成多數(shù)圖案化光刻膠擋墻；以及 蝕刻該保護(hù)層以形成一接觸洞，該像素電極通過該接觸洞與該主動(dòng)元件電 性連接。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，該光掩模包括一半調(diào)光 掩?；蛞换译A光掩模。
18. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，該光刻膠層具有介于 0. 5微米至5微米的一平均厚度。
19. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，該些圖案化光刻膠擋墻 之間還定義出至少一電容區(qū)域，且該像素電極更位于該電容區(qū)域內(nèi)，該方法還 包括形成一電容電極于該基底上并位于該電容區(qū)域內(nèi)的步驟，適可使該電容電 極以及該像素電極形成一儲存電容。
20. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，還包括去除至少部份該 些圖案化光刻膠擋墻以定義出一電容區(qū)域的步驟。
21. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其特征在于，還包括形成一高度輔助 結(jié)構(gòu)于該主動(dòng)元件、該數(shù)據(jù)線或該掃描線上方的步驟。
22. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其特征在于，形成該高度輔助結(jié)構(gòu)的 步驟包括利用一噴墨印刷工藝提供該流體色料于該主動(dòng)元件、該數(shù)據(jù)線或該掃描線 上方；以及固化該流體色料。
23. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，該像素電極被形成于該 些彩色濾光層以及該些圖案化光刻膠擋墻上。
24. 根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其特征在于，還包括形成一高度輔助 結(jié)構(gòu)于該主動(dòng)元件、該數(shù)據(jù)線或該掃描線上方的歩驟。
25. 根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其特征在于，形成該高度輔助結(jié)構(gòu)以 及提供該些流體色料的步驟同時(shí)利用一噴墨印刷工藝完成。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種主動(dòng)陣列基板、液晶顯示面板及其制作方法。該主動(dòng)陣列基板包括一基底；多條掃描線設(shè)置于該基底上；多條數(shù)據(jù)線，與該些掃描線垂直；多數(shù)像素電極；多數(shù)主動(dòng)元件，每一主動(dòng)元件分別與對應(yīng)的掃描線、數(shù)據(jù)線及像素電極電性連接以定義出一像素區(qū)域；以及一高度輔助結(jié)構(gòu)，大體設(shè)置于該主動(dòng)元件、數(shù)據(jù)線或掃描線的上方，其中該高度輔助結(jié)構(gòu)的上視圖案為一圓形、一類圓形、一橢圓形、一不具有角的封閉不規(guī)則圖形或一不具有直角的封閉不規(guī)則圖形。
文檔編號H01L27/12GK101226946SQ200810009328
公開日2008年7月23日 申請日期2008年2月18日 優(yōu)先權(quán)日2008年2月18日
發(fā)明者李淑琴, 陳宗凱, 黃彥衡 申請人:友達(dá)光電股份有限公司