專利名稱：包括電池以及其電阻受電池電極中活性物種濃度變化控制的可變電阻器的固態(tài)結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種固態(tài)可變電阻器。本發(fā)明還涉及一種包括這種固 態(tài)可變電阻器的電子器件。本發(fā)明進(jìn)一步涉及一種用于制造固態(tài)可變 電阻器的方法。
背景技術(shù)：
目前，在IC設(shè)計(jì)中利用了可能的集成電阻器的許多變化。但是，
根據(jù)電路，通常所希望的不是電阻器具有恒定值，而是這種電阻器具
有可變的可控制值。目前，能夠利用MOSFET作為可調(diào)電阻器或可變電 阻器。在這些器件中，柵電壓能夠調(diào)節(jié)跨越半導(dǎo)體溝道的電阻值。在 大部分MOSFET中，很難精確地調(diào)節(jié)半導(dǎo)體溝道的精確的電阻。經(jīng)常僅
使用低("導(dǎo)通，，狀態(tài))和高("截止"狀態(tài))電阻狀態(tài)。這與下面 的事實(shí)有直接關(guān)系，所述事實(shí)即在低于M0SFET的閾值電壓的情況下，
半導(dǎo)體溝道不傳導(dǎo)任何電流(高電阻)，而在高于該閾值電壓的情況 下，該電阻按指數(shù)方式下降。
目前，能夠制造不同類型的M0SFET。在這些類型的M0SFET中有功 率M0SFET。盡管功率MOSFET得到廣泛使用，但是操作這些器件所需要 的電壓相當(dāng)高。通常，對于達(dá)到當(dāng)前技術(shù)發(fā)展水平的功率MOSFET來說， 需要高于10V的柵電壓以便能夠確信該M0SFET完全"接通，，(低電阻)。 這一特征不僅要求很高的控制電壓而且導(dǎo)致在該M0SFET結(jié)構(gòu)中功率大 量耗散，這導(dǎo)致高溫。
先前在專利W02005/027245A2中描述了全固態(tài)可再充電的薄膜鋰-離子電池的新概念(3D集成)。通常，這些電源能夠用于許多應(yīng)用， 如可植入設(shè)備、傳感器以及自主式(autonomous)器件。但是，在發(fā) 明人看來，這些電池疊層也能夠有利地用在完全可調(diào)節(jié)的電阻器的制 造中。在此，電阻的調(diào)節(jié)基于基質(zhì)材料中活性物種(active species) 的電化學(xué)插入/取出(deinsertion )。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)這一認(rèn)識，本發(fā)明提供一種固態(tài)可變電阻器，其包括沉積在 襯底上的第一電池電極層、沉積在所述第一電池電極層上的固體電解 質(zhì)層、沉積在該固體電解質(zhì)層上的第二電池電極層、以及兩個(gè)電阻器 接觸，這兩個(gè)電阻器接觸均與所述電極層之一接觸。
在此，電阻器由在兩個(gè)電阻器接觸之間存在的電極材料形成。在
該材料中，形成各接觸之間的通路(path)，其電阻隨著存儲(chǔ)材料 (storage material)中活性物種的濃度或密度而發(fā)生變化，所述電極 由存儲(chǔ)材料形成。
但是，可調(diào)節(jié)電阻器的確提供了與用作可變電阻器的現(xiàn)有(功率) M0SFET相比的許多優(yōu)點(diǎn)。笫一，由于電阻的調(diào)節(jié)基于材料中活性物種 的電化學(xué)插入/取出，因此其工作電壓取決于所選擇的間插材料 (intercalation material )，并且能夠l氐到0. 5至IV。
第二，由于用作傳導(dǎo)通路的材料的電化學(xué)摻雜完全是可逆的，因 此在調(diào)節(jié)其電阻過程中幾乎沒有耗散功率(如熱)。這將導(dǎo)致以下事 實(shí)使熱擊穿的機(jī)會(huì)更小并且該器件的甚至高溫操作也是可能的。
第三，由于能夠以非常精確的方式(恒電壓地 (potentiostatically)且恒電流地(galvanostatically))進(jìn)行傳導(dǎo) 通路的摻雜，因此能夠非常精確地調(diào)節(jié)該材料的電阻。根據(jù)所選擇的 從如金屬的情形(低電阻)到半傳導(dǎo)情形(高電阻)的范圍的間插材 料，能夠在若干數(shù)量級內(nèi)實(shí)現(xiàn)上述調(diào)節(jié)。因此，利用本文獻(xiàn)中公開的 可調(diào)節(jié)電阻器實(shí)現(xiàn)了寬范圍的電阻值。
優(yōu)選地，電阻器接觸與陽極電極層接觸。在該實(shí)施例中，該陽極 電極層事實(shí)上起電阻器的作用，該電阻器的電阻值取決于在所述陽極 電極中活性物種的濃度。能夠?qū)?shí)際濃度進(jìn)行調(diào)節(jié)，正如在陰極電極 層中活性物種的濃度那樣。但是，與通常在陰極電極中使用的材料相 比，適合在陽極電極中使用的材料在電阻隨著少量電荷轉(zhuǎn)移到該電極 或者從該電極轉(zhuǎn)移少量電荷而發(fā)生較大變化方面是更有利的。因此， 使用陽極電極是更具有吸引力的。
但是，也可以利用電阻器接觸與陰極電極層接觸。該實(shí)施例在一 些情況下可能是有利的，如其中控制信號的相反極性更容易得到的情 況。
6根據(jù)優(yōu)選實(shí)施例，第一電池層是陽極電池層，第二層是陰極電池 層。在此，陽極電極層直接沉積在襯底上，使其更容易提供并連接電 阻器接觸。
根據(jù)另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，第一電池層是陰極電池層，第二層是陽 極電池層。從生產(chǎn)技術(shù)的觀點(diǎn)來看，這些特征可能一般是有利的。
在電極中充電和放電過程的效應(yīng)在與電極層和電解質(zhì)層之間的分 離平面基本上垂直的方向上發(fā)生。為了使電阻器接觸之間的電阻盡可 能均勻，如果在電阻器接觸之間的通路上活性物種的濃度或密度基本 上是均勻的則是有利的。如果通過基本上平行于將電極層和電解質(zhì)層 分開的平面而延伸的通路將各接觸分開，那么這就能夠?qū)崿F(xiàn)。
優(yōu)選地，鄰近于電極層沉積電阻器接觸，所述電阻器接觸與所述 電極層接觸。在該實(shí)施例中，電阻器接觸通常嵌入在將兩電極層分開 的電解質(zhì)層的體積內(nèi)。
但是，也可以將電阻器接觸定位于電極層自身的體積內(nèi)。因此， 根據(jù)優(yōu)選實(shí)施例，與電阻器接觸相連接的電極層包括集電器層，其中 通過專門的介電層或絕緣層將電阻器接觸與所述集電器層分開。在此， 該介電層或絕緣層避免了經(jīng)由集電器的電分流通路。
根據(jù)優(yōu)選實(shí)施例，電阻器接觸均是條形的并且彼此平行地延伸， 從而導(dǎo)致簡單但有效的實(shí)施例，其適合于相對較高的電阻值。
另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例提供了這樣的特征，電阻器接觸均是梳形的并 且彼此交錯(cuò)。這導(dǎo)致電流流過的通路通常更短且更寬，并因此導(dǎo)致電 阻值更低。
優(yōu)選地，電阻器接觸由下面的材料中的至少一種制成Al、 Ni、 Pt、 Au、 Ag、 Cu、 Ta、 Ti、 TaN和TiN。這些材料以及在電極中占優(yōu)勢 的電位范圍內(nèi)相對于活性物種是惰性的其他可能材料看來是制成電阻 器接觸的適合的材料。另外，鉑是特別適合的，因?yàn)樵陔姵氐母鲗拥?沉積過程中鉑不容易氧化。
根據(jù)又一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，活性物種由鋰(Li )形成，并且存儲(chǔ)材 料是鋰化合物，如LixV205 、 LixW03、 LixSi、 LixBi或LixSb。在發(fā)明人 看來，材料的這些組合致使電阻隨著濃度的有限變化而產(chǎn)生很大的差 異，從而導(dǎo)致利用只需要有限功率的輸入信號對電阻進(jìn)行良好的控制。
可以利用其他材料代替鋰(Li)來作為活性物種，因?yàn)榇嬖谶@樣的存儲(chǔ)材料，其性質(zhì)隨著活性物種的濃度而顯著地發(fā)生變化。這看來
似乎特別是氫(H)作為活性物種的情況。
當(dāng)氫用作活性物種時(shí)，優(yōu)選地用基于Mg的氫化物來形成存儲(chǔ)材料， 如HxMgyM —y)，其中M-Sc、 Ti、 V、 Cr、 Gd、 Sm、 Y; HxMg2Ni或HXRE，其 中RE-稀土，因?yàn)檫@些組合尤其會(huì)致使電阻隨著存儲(chǔ)材料中活性物種濃 度的小變化而發(fā)生大的變化。
通過對根據(jù)本發(fā)明的電阻器的一個(gè)電極、優(yōu)選是兩個(gè)電極進(jìn)行圖 案化或者構(gòu)造，能夠獲得三維表面積，并且因此獲得(一個(gè)或多個(gè)) 電極的每覆蓋區(qū)(footprint)的增大的表面積，以及在至少一個(gè)電極和 電解質(zhì)疊層之間每體積的增大的接觸表面。接觸表面的增大致使電阻 對電荷狀況的依賴性的有效性提高。
優(yōu)選的是，使至少一個(gè)電極的至少一個(gè)表面基本上被圖案化，更 優(yōu)選的是，所施加的圖案設(shè)置有一個(gè)或多個(gè)腔，特別是柱、溝槽、狹 縫或孔，能夠以相對精確的方式來施加特定的腔。按照這種方式，也 能夠按照相對精確的方式預(yù)先確定可控制電阻器的性能提高。
在本文中，要注意，其上沉積疊層的襯底表面可以是基本上平坦 的或者可以是圖案化的(通過使襯底彎曲和/或?yàn)橐r底設(shè)置溝槽、孔和 /或柱)，從而便于生成三維取向的電阻器。
優(yōu)選地，每個(gè)電極都包括集電器。借助于集電器能夠很容易地將 該電阻器結(jié)構(gòu)連接到電子器件。優(yōu)選地，集電器由下面的材料中的至 少一種制成Al、 Ni、 Pt、 Au、 Ag、 Cu、 Ta、 Ti、 TaN和TiN。也可以
應(yīng)用其他種類的集電器來充當(dāng)集電器，所述其他種類的集電器比如是 優(yōu)選摻雜的、半導(dǎo)體材料，例如Si、 GaAs、 InP。
固態(tài)電阻器優(yōu)選地包括在襯底和至少 一個(gè)電極之間沉積的至少一 個(gè)阻擋層，該阻擋層適合于至少基本上阻止單元的活性物種擴(kuò)散到所 述襯底中。按照這種方式，將在化學(xué)上使襯底和該電化學(xué)電池分開， 因此能夠相對持久地保持電化學(xué)電池的性能以及因此能夠相對持久地 保持電容器的性能。如果應(yīng)用基于鋰離子的電池，那么阻擋層優(yōu)選地 由下面的材料中的至少一種制成Ta、 TaN、 Ti和TiN。 4艮顯然，也可 以利用其他適合的材料來充當(dāng)阻擋層。
在優(yōu)選實(shí)施例中，優(yōu)選地應(yīng)用襯底，其理想地適合于經(jīng)受表面處 理以使村底圖案化，這可能便于將(一個(gè)或多個(gè))電極圖案化。襯底
8更優(yōu)選地是由下面的材料中的至少一種制成C、 Si、 Sn、 Ti、 Ge、 Al、 Cu、 Ta和Pb。也可以利用這些材料的組合來形成(一個(gè)或多個(gè))襯底。 優(yōu)選地，將n型或p型摻雜的Si或Ge用作襯底，或者利用摻雜的Si 相關(guān)和/或Ge相關(guān)的化合物，如SiGe或SiGeC。除了相對剛性的材料 之外，也可以將基本上柔性的材料用于制造襯底，例如箔，如Kaptor^ 箔。很顯然，也可以將其他適合的材料用作襯底材料。
本發(fā)明還提供一種電氣裝置，其包括如前面任一項(xiàng)權(quán)利要求中所 述的可控制電阻器。并且在這種實(shí)施例中，非常好地呈現(xiàn)出本發(fā)明的 卓有成效的效果。
本發(fā)明還提供一種用于制造固態(tài)可變電阻器的方法，該固態(tài)可變 電阻器包括在襯底上沉積的第一電池電極層，在所述第一電池電極層 上沉積的固體電解質(zhì)層，在固體電解質(zhì)層上沉積的第二電池電極層， 都與電極層之一接觸的兩個(gè)電阻器接觸，其中該方法包括以下步驟 在村底上沉積第一電極層，在第一電極層上沉積固體電解質(zhì)層，在固 體電解質(zhì)層上沉積第二電極層，沉積一對電極，其中在沉積電極層之 一之前或之后沉積所述電極。通過該方法以簡單且有效的方式來制造 根據(jù)本發(fā)明的電阻器。通過存在電阻器接觸而形成了本發(fā)明電阻器的 重要特征，所述電阻器接觸是形成電阻器電路所需要的?？梢栽陔姌O 層的沉積之后來沉積這些接觸，各接觸之間的通路延伸通過該電極層。 在這種情況下，電極在與電極層接觸的電解質(zhì)層的體積內(nèi)。
但是，也可以在沉積該電極層之前就沉積這些接觸。在這種情況 下，應(yīng)當(dāng)避免在集電器層與這些接觸之間的接觸。因此，優(yōu)選的方法 包括以下步驟在襯底上沉積陽極電極層，在該陽極層上沉積一對接 觸，在該陽極層和該接觸上沉積固體電解質(zhì)層，并且在所述電解質(zhì)層 上沉積陰極電極層。


隨后借助于下面的非限制性附圖來闡明本發(fā)明，附圖示出了 圖1:固態(tài)電池結(jié)構(gòu)的橫截面視圖，本發(fā)明的原理基于此； 圖2a:根據(jù)本發(fā)明的電阻器的第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)的橫截面視圖； 圖2b:圖2a中繪出的電阻器的垂直于圖2a的視圖延伸的截面圖； 圖3a:根據(jù)本發(fā)明的電阻器的第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)的橫截面視圖；圖3b:圖3a中繪出的電阻器的垂直于圖3a的視圖延伸的截面圖； 圖4:根據(jù)本發(fā)明的電阻器的第三實(shí)施例的結(jié)構(gòu)的橫截面視圖。
具體實(shí)施例方式
圖1示出了在WO-A-2005/027245中公開的全固態(tài)薄膜電池的橫截 面視圖。利用在該文獻(xiàn)中描述的沉積和集成技術(shù)，能夠制造疊層，該 疊層能夠用于制造電化學(xué)可調(diào)節(jié)的電阻器。該疊層包括襯底l，集電器 2沉積在該襯底上。在集電器層2上沉積陽極層3，并在陽極層3上沉 積電解質(zhì)層4。在電解質(zhì)層4上沉積陰極層5，并在其上沉積集電器層
6。 由此獲得的疊層結(jié)構(gòu)在WO-A-2005/O27245中被描述。
在圖1中描繪了處于放電狀態(tài)的電池。在該情況下，陽極是完全 解鋰化(de-lithiated)(且陰極是完全鋰化(1 i thiated))。能夠?qū)?陽極的電阻進(jìn)行測量，并且其約等于非晶元素硅的電阻。
在充電狀態(tài)中，陽極是完全鋰化的，而陰極缺乏鋰。這一次陽極 層3的電阻約為Li4Si材料的電阻。由于可再充電的電池操作的完全可 逆特性是固有的，因此能夠調(diào)節(jié)陽極材料內(nèi)活性物種(在這種情況下 是鋰原子)的精確的量或濃度。因此，能夠精確地調(diào)節(jié)陽極層3的電 阻。
為了能夠利用陽極層，類似于在M0SFET中源極和漏極之間的導(dǎo)電 通路，有必要將這些電阻器接觸(resistor contact)添加到疊層。
在圖2a中示出了類似的疊層結(jié)構(gòu)，其中在陽極層3之上沉積兩個(gè) 電阻器接觸7、 8。為了清楚起見，圖2b中僅僅繪出了具有電阻器接觸
7、 8的陽極層3的頂視圖。電阻器接觸7、 8優(yōu)選地用鉑(Pt )來制成， 因?yàn)樵摬牧显谒玫墓ぷ麟妱萏帉τ阡囬g插完全是惰性的。通過接觸 這兩個(gè)電阻器接觸，能夠?qū)⒔佑|7、 8之間的(鋰化的)陽極層3的電 阻用作電路9中的電阻器。
圖3a和3b示出了類似的實(shí)施例，只是其中電阻器接觸7、 8具有 替代的形狀。電阻器接觸7、 8都具有梳形，它們的齒互鎖。這些齒應(yīng) 當(dāng)盡可能薄，以便在電池工作期間不會(huì)中斷或阻塞鋰從陽極移動(dòng)到陰
極(或相反)。這種形狀的效果在于，在電阻器接觸7、 8之間的通路 長度比前面的實(shí)施例中的通路長度短，并且其寬度明顯更寬。這兩個(gè) 效果共同作用以在電極之間獲得更小的電阻，這在本發(fā)明的一些應(yīng)用中可能是有利的。
在上面討論的兩個(gè)實(shí)施例中，電阻器接觸7、 8位于陽極層3上。 但是，也可以使電阻器接觸7、 8位于陽極層3內(nèi)，如圖4所示。但是， 電阻器接觸7、 8不能直接施加于集電器層2上，因?yàn)橛蓪?dǎo)電材料制成 的該集電器層將使電阻器接觸7、 8短路。為了避免這一不利效果，已 經(jīng)在電阻器接觸7、 8這兩者的下面沉積了絕緣層或介電層10。這一結(jié) 構(gòu)能夠與如圖2和3中公開的接觸的形狀一起使用。
通過合理地選擇整個(gè)電池疊層由其制成的陽極和陰極材料，為了
量可以保持為最小值。這意味著用于這種可調(diào)節(jié)電阻lJ的工;電壓可 以低到O. 5-lV。此外，由于電池操作完全是可逆的，因此耗散極小量 的功率。
嚴(yán)格來說，由于活性物種(在這種情況下是鋰)的濃度當(dāng)然在陰 極中也改變，因此這一層的電阻也可以用作可控制電阻器。不用說， 應(yīng)當(dāng)選擇小的濃度差導(dǎo)致大的電阻差的材料。已知材料例如是鋰系統(tǒng) LixV205 、 Li萬、Li,Si或LixSb，這些材料的性質(zhì)改變很大。
但是，這當(dāng)然不僅限于鋰系統(tǒng)(鋰摻雜)，而是能夠很容易地?cái)U(kuò) 展到其材料性質(zhì)在氫間插時(shí)顯著改變的材料。主要的例子是基于Mg的 氬化物，如HxMgyM(1—y)，其中M-Sc、 Ti、 V、 Cr、 Gd、 Sm、 Y， HxMg2Ni, H,RE，其中RE-稀土。這些材料的大部分能夠從低含氫量的金屬性狀態(tài) 切換到高含氫量的半傳導(dǎo)狀態(tài)。
要強(qiáng)調(diào)的是，上面描述的實(shí)施例與其中陽極沉積在襯底上的電池 結(jié)構(gòu)有關(guān)，但是同樣可以首先沉積陰極電極，從而導(dǎo)致顛倒的疊層。
最后，應(yīng)當(dāng)注意，改變在這一文獻(xiàn)中公開的器件中的電阻并不像 在M0SFET中那樣快，因?yàn)楸仨毥柚?電)化學(xué)反應(yīng)引入或者從活性 層去除活性物種。這需要一定時(shí)間。
本發(fā)明公開了電化學(xué)可調(diào)節(jié)電阻器的制造?？梢詫⑦@些集成的可 調(diào)節(jié)電阻器用作IC設(shè)計(jì)中的智能電子部件，目的在于取代數(shù)個(gè)模擬部 件。
權(quán)利要求
1.一種固態(tài)可變電阻器，包括沉積在襯底上的第一電池電極層；沉積在所述第一電池電極層上的固體電解質(zhì)層；沉積在所述固體電解質(zhì)層上的第二電池電極層；以及兩個(gè)電阻器接觸，所述兩個(gè)電阻器接觸均與所述電極層之一接觸。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)可變電阻器，其中電阻器接觸與陽 極電極層接觸。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)可變電阻器，其中電阻器接觸與陰 極電極層接觸。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1、 2或3所述的固態(tài)可變電阻器，其中第一電 池層是陽極電池層，而第二層是陰極電池層。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1、 2或3所述的固態(tài)可變電阻器，其中第一電池層是陰極電池層，而第二層是陽極電池層。
6.根據(jù)前面權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的固態(tài)可變電阻器，其中通過
7.根據(jù)前面權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的固態(tài)可變電阻器，其中鄰近 于電極層沉積電阻器接觸，所述電阻器接觸與所述電極層接觸。
8. 根據(jù)前面權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的固態(tài)可變電阻器，其中與接 觸相連接的電極層包括集電器層，并且其中通過介電層將接觸與所述 集電器層分開。
9. 根據(jù)前面權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的固態(tài)可變電阻器，其中電阻 器接觸均是條形形狀的并且彼此平行地延伸。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)所述的固態(tài)可變電阻器，其中電 阻器接觸均是梳形形狀的并且彼此交錯(cuò)。
11. 根據(jù)前面權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的固態(tài)可變電阻器，其中接 觸由下面的材料中的至少一種制成Al、 Ni、 Pt、 Au、 Ag、 Cu、 Ta、 Ti、 TaN和TiN。
12. 根據(jù)前面權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的固態(tài)可變電阻器，其中活 性物種由鋰(Li )形成。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的固態(tài)可變電阻器，其中至少一種電極材料包括鋰化合物，如LixV力5、 Li萬、LixSi、 LixBi或LixSb。
14. 根據(jù)權(quán)利要求1-11中任一項(xiàng)所述的固態(tài)可變電阻器，其中活 性物種由氫(H)形成。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的固態(tài)可變電阻器，其中至少一種電極 材料由基于Mg的氫化物來形成，如HxMgyM(1—y),其中M-Sc、 Ti、 V、 Cr、 Gd、 Sm、 Y; HxMg2Ni或HXRE，其中RE-稀土。
16. 根據(jù)前面權(quán)利要求之一所述的固態(tài)可變電阻器，其中至少一 個(gè)電極設(shè)置有至少一個(gè)圖案化表面。
17. 根據(jù)前面權(quán)利要求之一所述的固態(tài)可變電阻器，其中至少一 個(gè)電極的至少一個(gè)圖案化表面設(shè)置有多個(gè)腔。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的固態(tài)可變電阻器，其中至少一部分所 述腔形成柱、溝槽、狹縫或孔。
19. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的固態(tài)電阻器，其中至少一個(gè)集電器由 下面的材料中的至少一種制成Al、 Ni、 Pt、 Au、 Ag、 Cu、 Ta、 Ti、 TaN和TiN。
20. 根據(jù)前面權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的固態(tài)電阻器，其中能源進(jìn) 一步包括在村底和至少 一個(gè)電極之間沉積的至少 一個(gè)電子傳導(dǎo)阻擋中。
^ . '
21. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的固態(tài)電阻器，其中所述至少一個(gè)阻擋層由下面的材料中的至少一種制成Ta、 TaN、 Ti和TiN。
22. 根據(jù)前面權(quán)利要求之一所述的固態(tài)電阻器，其中村底包括Si 和/或Ge。
23. 根據(jù)前面權(quán)利要求之一所述的固態(tài)電阻器，其中村底由柔性 材料制成，如Kaptot^或金屬箔。
24. —種電子器件，包括根據(jù)前面權(quán)利要求之一所述的至少一個(gè) 電阻器。
25. —種用于制造固態(tài)可變電阻器的方法，該固態(tài)可變電阻器包括沉積在襯底上的第 一 電池電極層；沉積在所述第一電池電極層上的固體電解質(zhì)層；沉積在所述固體電解質(zhì)層上的第二電池電極層；兩個(gè)電阻器接觸，所述兩個(gè)電阻器接觸均與電極層之一接觸，該方法包括以下步驟在襯底上沉積第一電極層； 在第一電極層上沉積固體電解質(zhì)層； 在固體電解質(zhì)層上沉積第二電極層； 沉積一對電極，其中在沉積電極層之一之前或之后沉積電阻器接觸。
全文摘要
目前，在IC設(shè)計(jì)中利用了可能的集成電阻器的許多變化。但是，根據(jù)電路，通常所希望的不是電阻器具有恒定值，而是這種電阻器具有可變的可控制值。本發(fā)明涉及一種固態(tài)可變電阻器。本發(fā)明還涉及一種包括這種固態(tài)可變電阻器的電子器件。本發(fā)明進(jìn)一步涉及一種用于制造固態(tài)可變電阻器的方法。
文檔編號H01M10/36GK101558526SQ200780046269
公開日2009年10月14日 申請日期2007年12月7日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月14日
發(fā)明者J·H·G·奧普赫特維爾德, P·H·L·諾滕, R·A·H·尼森, R·H·W·皮南伯格 申請人:皇家飛利浦電子股份有限公司