專利名稱：：膜形成組合物的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種在制造雜質(zhì)半導(dǎo)體時(shí)，用于擴(kuò)散雜質(zhì)的膜形成組合物。
背景技術(shù)：
：半導(dǎo)體的制造技術(shù)是集成電路等電子零部件的制造中不可缺少的技術(shù)，于現(xiàn)今電子零部件產(chǎn)業(yè)中肩負(fù)主要的一部分。在半導(dǎo)體制造過程中，通過將雜質(zhì)混入(摻雜)到硅、鍺等本征半導(dǎo)體(intrinsicsemiconductor)中，制造出具有空穴的P型半導(dǎo)體和具有自由電子的N型半導(dǎo)體等雜質(zhì)半導(dǎo)體。這些雜質(zhì)半導(dǎo)體雖然在通常情況下電流無(wú)法通過，但因其使電子自價(jià)帶躍遷到導(dǎo)帶所需的能量少，只要施加一定的電壓，就可以容易地將其轉(zhuǎn)變成可使電流流通。摻雜到硅基板中的雜質(zhì)元素，當(dāng)是P型半導(dǎo)體時(shí)，使用硼、鎵等第13族元素，當(dāng)是N型半導(dǎo)體時(shí)，使用磷、砷、銻等第15族元素。至于雜質(zhì)的擴(kuò)散方法，目前已開發(fā)出各種擴(kuò)散方法，如氣體擴(kuò)散法、固體擴(kuò)散法、涂布擴(kuò)散法等已廣為人知。例如，在專利文獻(xiàn)l中揭示了使用固體擴(kuò)散法的雜質(zhì)擴(kuò)散方法和用于該方法的摻雜膜。另一方面，涂布擴(kuò)散法是使用含有雜質(zhì)的涂布液，通過將其涂布在半導(dǎo)體基板上，通過使溶劑揮發(fā)來(lái)形成雜質(zhì)擴(kuò)散源層，然后通過熱擴(kuò)散處理使雜質(zhì)元素?cái)U(kuò)散到半導(dǎo)體基板內(nèi)的方法。該方法具有不需要使用昂貴的設(shè)備，用比較簡(jiǎn)單的操作便能夠形成雜質(zhì)區(qū)域的優(yōu)點(diǎn)。然而，在半導(dǎo)體基板上形成絕緣膜或者平坦化膜、保護(hù)膜時(shí)，使用二氧化硅類被膜形成用涂布液。該二氧化硅類被膜形成用涂布液例如含有垸氧基硅烷等的水解物，通過將其涂布在半導(dǎo)體基板上后進(jìn)行加熱，可以形成以二氧化硅為主成分的被膜(例如參照專利文獻(xiàn)2)。日本專利特許第2639591號(hào)公報(bào)日本專利特開平9-183948號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容3然而，由于專利文獻(xiàn)1中所記載的摻雜膜并不含硅，所以無(wú)法達(dá)成擴(kuò)散雜質(zhì)的同時(shí)，形成二氧化硅類被膜，防止其它雜物混入等目的。另外，在專利文獻(xiàn)1中所記載的使用摻雜膜的雜質(zhì)擴(kuò)散是使用固體擴(kuò)散法進(jìn)行的，因此具有需要昂貴的設(shè)備、并不適于大量生產(chǎn)的缺點(diǎn)。另一方面，即使專利文獻(xiàn)2中所記載的二氧化硅類被膜形成用涂布液進(jìn)一步含有氧化硼等，也無(wú)法使雜質(zhì)充分?jǐn)U散，不能獲得目標(biāo)電阻值。本發(fā)明是鑒于上述課題而研發(fā)的，其目的在于提供一種膜組合物，其是用于涂布擴(kuò)散法中的膜形成組合物，能夠擴(kuò)散更高濃度的雜質(zhì)，并且能夠同時(shí)形成二氧化硅類被膜。本發(fā)明者們發(fā)現(xiàn)通過使用含有高分子硅化合物、雜質(zhì)元素的氧化物或含該元素的鹽、成孔劑的膜組合物，能使雜質(zhì)以高濃度擴(kuò)散到硅片中，并且同時(shí)形成二氧化硅類被膜，從而完成本發(fā)明。具體而言，本發(fā)明的目的在于提供以下內(nèi)容。(1)一種膜形成組合物，其是構(gòu)成擴(kuò)散膜的膜形成組合物，該擴(kuò)散膜是用來(lái)使雜質(zhì)元素?cái)U(kuò)散到硅片中，該膜形成組合物含有(A)高分子硅化合物、(B)上述雜質(zhì)元素的氧化物或含該元素的鹽、以及(C)成孔劑。并且，本發(fā)明的膜形成組合物是構(gòu)成擴(kuò)散膜的膜形成組合物，該擴(kuò)散膜是用來(lái)使雜質(zhì)元素?cái)U(kuò)散到硅片中，該膜形成組合物含有(A)高分子硅化合物、(B)上述雜質(zhì)元素的氧化物或含該元素的鹽、及(C)成孔劑。另外，本發(fā)明的膜形成組合物也可以含有，代替上述(C)成分的用以還原上述(B)成分的還原劑作為(E)成分。本發(fā)明的膜形成組合物可以用于涂布擴(kuò)散法中，也可以使更高濃度的雜質(zhì)元素?cái)U(kuò)散到硅片中，還可以在使雜質(zhì)擴(kuò)散的同時(shí)，形成具有保護(hù)膜作用的二氧化硅類被膜。其結(jié)果，可以在使雜質(zhì)擴(kuò)散時(shí)，抑制雜物的混入，并且更有效率地使雜質(zhì)元素?cái)U(kuò)散。具體實(shí)施例方式以下，詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式。<膜形成組合物>本實(shí)施方式的膜形成組合物是含有(A)高分子硅化合物、(B)雜質(zhì)元素的氧化物或含該元素的鹽、(C)成孔劑、以及(D)能夠溶解高分子硅化合物的溶劑的膜形成組合物。本實(shí)施方式的膜形成組合物中所含有的高分子硅化合物并沒有特別限定，例如可從主鏈中具有Si-0鍵的硅氧垸類高分子化合物、主鏈中具有Si-C鍵的碳化硅類高分子化合物、主鏈中具有Si-Si鍵結(jié)的聚硅烷類高分子化合物以及主鏈中具有Si-N鍵的硅氮烷類高分子化合物中任選一種以上。并且也可使用這些化合物的任意混合物。另外，在這些化合物中特別優(yōu)選使用硅氧垸類高分子化合物。(硅氧垸類高分子化合物)在本實(shí)施方式的膜形成組合物中用來(lái)作為高分子硅化合物的硅氧垸類高分子化合物，優(yōu)選為以下述化學(xué)式(F)所表示的垸氧基硅烷中的至少一種為起始原料的水解、縮合聚合物。RVSi(OR2)4-n■■■(F)(式中，Ri是氫原子或l價(jià)有機(jī)基，f是l價(jià)有機(jī)基，n表示l3的整數(shù)。)其中，1價(jià)有機(jī)基例如可列舉烷基、芳基、丙烯基、環(huán)氧丙基等。這些基團(tuán)中優(yōu)選為烷基和芳基。烷基的碳數(shù)優(yōu)選為15，例如可列舉甲基、乙基、丙基、丁基等。另外，垸基可以是直鏈狀，也可以是支鏈狀，也可以用氟取代氫。芳基優(yōu)選為碳數(shù)為620的芳基，例如可列舉苯基、萘基等?；瘜W(xué)式(F)所表示的化合物的具體例可列舉如下化合物(i)n=l時(shí)，甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、甲基三丙氧基硅烷、乙基三甲氧基硅烷、乙基三乙氧基硅垸、乙基三丙氧基硅烷、丙基三甲氧基硅垸和丙基三乙氧基硅烷等垸基三烷氧基硅烷，苯基三氧硅垸和苯基三乙氧基硅烷等苯基三垸氧基硅烷等；(ii)!1=2時(shí)，二甲基二甲氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、二甲基二丙氧基硅垸、二乙基二甲氧基硅烷、二乙基二乙氧基硅垸、二乙基二丙氧基硅烷、二丙基二甲氧基硅烷和二丙基乙氧基硅烷等二烷基二烷氧基硅垸，二苯基二甲氧基硅垸和二苯基二乙氧基硅垸等二苯基二烷氧基硅烷等；(iii)n=3時(shí)，三甲基甲氧基硅烷、三甲基乙氧基硅垸、三甲基丙氧基硅垸、三乙基甲氧基硅烷、三乙基乙氧基硅烷、三乙基丙氧基硅烷、三丙基甲氧基硅烷和三丙基乙氧基硅烷等三烷基垸氧基硅垸，三苯基甲氧基硅烷、三苯基乙氧基硅烷等三苯基烷氧基硅烷等。這些化合物中，優(yōu)選使用甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷和甲基三丙氧基硅烷等甲基三垸氧基硅烷。在本實(shí)施方式的膜形成組合物中，硅氧烷類高分子化合物的質(zhì)量平均分子量?jī)?yōu)選為200以上50000以下，更優(yōu)選為1000以上3000以下。當(dāng)硅氧烷類高分子化合物的質(zhì)量平均分子量在上述范圍內(nèi)時(shí)，能提高涂布性和成膜性。另外，相對(duì)于膜形成組合物總體質(zhì)量，上述硅氧垸類高分子化合物的含有比例優(yōu)選為l質(zhì)量百分比60質(zhì)量百分比，更優(yōu)選為10質(zhì)量百分比30質(zhì)量百分比?；瘜W(xué)式(F)所表示的垸氧基硅烷的縮合，是在添加了酸觸媒的有機(jī)溶劑中，使垸氧基硅垸水解，使所生成的水解物縮合聚合而進(jìn)行的。在反應(yīng)體系中添加的垸氧基硅垸可以只用一種，也可以組合多種而使用。烷氧基硅垸的水解和縮合聚合，例如可以在含有化學(xué)式(F)所表示的一種以上烷氧基硅垸的有機(jī)溶劑中，滴加含有酸觸媒的水溶液進(jìn)行反應(yīng)而進(jìn)行的。烷氧基硅烷的水解程度，可通過水的添加量而調(diào)整，但在通常情況下，相對(duì)于上述化學(xué)式(F)所表示的垸氧基硅烷的總摩爾數(shù)，以1.010.0倍的摩爾數(shù)添加水。通過使水的添加量的摩爾數(shù)為烷氧基硅垸的總摩爾數(shù)的l.O倍以上，可以使水解度充分提升，被膜的形成變?nèi)菀?。另一方面，通過使水的添加量的摩爾數(shù)為烷氧基硅垸的總摩爾數(shù)的10.0倍以下，可以抑制由于縮合聚合而具有分支的聚合物的純化、防止凝膠化、提升膜形成組合物的穩(wěn)定性。另外，在進(jìn)行化學(xué)式(F)所表示的烷氧基硅烷的水解反應(yīng)和縮合聚合反應(yīng)時(shí)所添加的酸觸媒并沒有特別限定，可使用向來(lái)慣用的有機(jī)酸和無(wú)機(jī)酸中的任一種。有機(jī)酸可列舉乙酸、丙酸、丁酸等羧酸，無(wú)機(jī)酸可列舉鹽酸、硝酸、硫酸、磷酸等。酸觸媒可以直接添加到溶解了烷氧基硅烷的有機(jī)溶劑中，或者也可以使其溶解到垸氧基硅垸水解時(shí)所用的水中，作為酸性水溶液進(jìn)行添加。如上所述，膜形成組合物中含有高分子硅化合物，因此可以在熱擴(kuò)散處理時(shí)生成二氧化硅而形成二氧化硅類被膜。該二氧化硅類被膜，由于其作為保護(hù)膜發(fā)揮功用，可以防止混入擴(kuò)散目標(biāo)的雜質(zhì)元素以外的雜物。本實(shí)施方式的添加到膜形成組合物中的雜質(zhì)元素可列舉如第13族元素的硼、鎵等，如第15族元素的磷、砷、銻等，其它元素的鋅、銅等。并且上述雜質(zhì)元素可以氧化物、鹵化物、硝酸鹽、硫酸鹽等無(wú)機(jī)鹽、乙酸等有機(jī)酸的鹽的形態(tài)添加到膜形成組合物中。具體而言，可列舉P205、NH4H2'P04、(RO)3P、(RO)2P(OH)、(RO)3PO、(RO)2P203(OH)3、(RO)P(OH)2等磷化合物；B203、(RO)3B、RB(OH)2、R2B(OH)等硼化合物；H3SbQ4、(RO)3Sb、SbX3、SbOX、Sb405X等銻化合物；H3As03、H2As04、(RO)3As、CRO)5As、CRO)2As(OH)、R3AsO、RAs=AsR等砷化合物；Zn(OR)2、ZnX2、Zn(N02)2等鋅化合物；(RO)3Ga、RGa(OH)、6RGa(OH)2、R2Ga[OC(CH3)=CH-CO-((:113)]等鎵化合物等(其中，R表示齒素原子、烷基、鏈烯基或芳基，X表示鹵素原子)。這些化合物中，優(yōu)選使用氧化硼、氧化磷等。如上所述，由于膜形成組合物中含有雜質(zhì)元素的氧化物或含該元素的鹽，所以可以通過將該膜形成組合物涂布到硅片上，進(jìn)行熱擴(kuò)散處理，而使雜質(zhì)擴(kuò)散到硅片中。(A)硅氧垸類高分子化合物和(B)雜質(zhì)元素的氧化物或含該元素的鹽的質(zhì)量比優(yōu)選為1:0.01~1:1的范圍。通過使(A)成分的量為上述范圍內(nèi)，不僅可使摻雜劑高濃度地?cái)U(kuò)散，也可以容易地形成均勻的被膜。在本發(fā)明中的成孔劑是一種在焙燒由膜形成組合物所形成的涂膜時(shí)分解，在最終形成的二氧化硅類被膜中形成孔洞的材料。該成孔劑例如可列舉聚烷撐二醇及其末端烷基化物，葡萄糖、果糖、半乳糖等單糖類或其衍生物，蔗糖、麥芽糖、乳糖等雙糖類或其衍生物，以及多糖類或其衍生物等。這些有機(jī)化合物中，優(yōu)選為聚烷撐二醇，更優(yōu)選為聚丙二醇。上述成孔劑的質(zhì)量平均分子量?jī)?yōu)選為300以上10000以下，更優(yōu)選為500以上5000以下。通過使質(zhì)量平均分子量為300以上，可抑制在涂布膜形成組合物，進(jìn)行干燥時(shí)的分解和揮發(fā)，可以在熱擴(kuò)散處理時(shí)使成孔劑充分發(fā)揮作用。另一方面，通過使質(zhì)量平均分子量為10000以下，可使成孔劑在熱擴(kuò)散處理時(shí)容易分解，充分地發(fā)揮作用。另外，相對(duì)于膜形成組合物的總體質(zhì)量，成孔劑在膜形成組合物中的含量?jī)?yōu)選為2質(zhì)量百分比20質(zhì)量百分比，更優(yōu)選為3質(zhì)量百分比10質(zhì)量百分比。如上所述，通過含有成孔劑，可由涂布在硅片上的膜形成組合物形成多孔二氧化硅類被膜。一般認(rèn)為由于二氧化硅類被膜成為多孔狀，可以提升雜質(zhì)元素在二氧化硅類被膜內(nèi)的移動(dòng)速度，促進(jìn)該雜質(zhì)元素?cái)U(kuò)散到硅片中。并且，由于能使如上所述而形成的二氧化硅類被膜呈多孔狀，能夠縮短其后的蝕刻時(shí)間。另外由于含有上述成孔劑，可以提升防止來(lái)自膜形成組合物所形成的膜的外部的雜質(zhì)元素?cái)U(kuò)散到硅片中的效果。另外，上述成孔劑優(yōu)選可以發(fā)揮出作為用以還原雜質(zhì)元素的還原劑的功能。換而言之，本實(shí)施方式的膜形成組合物是一種構(gòu)成擴(kuò)散膜的膜形成組合物，該擴(kuò)散膜是用來(lái)使雜質(zhì)元素?cái)U(kuò)散到硅片中，該組合物含有(A)高分子硅化合物、(B)上述雜質(zhì)元素的氧化物或含有該元素的鹽、以及(E)可還原上述(B)成分的還原劑。發(fā)揮作為還原劑的功能的成孔劑的具體例子可列舉聚乙二醇和聚丙二醇等聚烷撐二醇及其末端垸基化物，葡萄糖、果糖、半乳糖等單糖類及其衍生物，蔗糖、麥芽糖、乳糖等雙糖類及其衍生物，以及多醣類及其衍生物等。在這些有機(jī)化合物中，優(yōu)選聚垸撐二醇，更優(yōu)選聚丙二醇。還原劑優(yōu)選為其氧化物經(jīng)熱擴(kuò)散處理后并不殘留于二氧化硅類被膜中的還原劑。通過使用此種化合物，可以消除對(duì)半導(dǎo)體特性的不良影響。成孔劑的添加量可根據(jù)添加在膜形成組合物中的雜質(zhì)元素的氧化物的添加量、高分子硅化合物的含量而適宜設(shè)定。相對(duì)于膜形成組合物總體質(zhì)量，在膜形成組合物中的還原劑的含量?jī)?yōu)選為2質(zhì)量百分比20質(zhì)量百分比，更優(yōu)選為3質(zhì)量百分比10質(zhì)量百分比。如上所述，通過含有用以還原雜質(zhì)元素的還原劑，可以將雜質(zhì)元素的氧化物或含該元素的鹽還原成雜質(zhì)元素，使其容易地?cái)U(kuò)散到硅片中。由此可以容易地獲得具有所希望的電阻值的雜質(zhì)半導(dǎo)體。本實(shí)施方式的膜形成組合物優(yōu)選含有溶劑以提升膜厚與涂布成分的均勻性和涂布性。于此情形時(shí)，溶劑可使用以往一般使用的有機(jī)溶劑。具體可列舉甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、3-甲氧基-3-甲基-l-丁醇和3-甲氧基-l-丁醇等一元醇，3-甲氧基丙酸甲酯和3-乙氧基丙酸乙酯等烷基羧酸酯，乙二醇、二乙二醇和丙二醇等多元醇，乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、乙二醇單丙醚、乙二醇單丁醚、丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、丙二醇單丙醚、丙二醇單丁醚、乙二醇單甲醚乙酸酯、乙二醇單乙醚乙酸酯和丙二醇單甲醚乙酸酯等多元醇的衍生物，乙酸和丙酸等脂肪酸，丙酮、甲基乙基酮、2-庚酮等酮類。這些有機(jī)溶劑可以單獨(dú)使用，也可以組合使用。溶劑的使用量并沒有特別限定，優(yōu)選使固形物濃度成為1質(zhì)量百分比100質(zhì)量百分比，如果從提升涂布性的觀點(diǎn)考慮，更優(yōu)選使固形物濃度成為3質(zhì)量百分比20質(zhì)量百分比。為了使雜質(zhì)元素從硅片上形成的涂布膜擴(kuò)散到硅片中，進(jìn)一步形成二氧化硅類被膜而進(jìn)行熱擴(kuò)散處理。熱擴(kuò)散處理是在例如600'C120(TC進(jìn)行的。熱擴(kuò)散處理時(shí)形成的二氧化硅類被膜可以發(fā)揮作為用以防止在熱擴(kuò)散處理時(shí)其它雜物擴(kuò)散到硅片中的保護(hù)膜的功能。因此，所形成的雜質(zhì)半導(dǎo)體的電阻值可以保持相當(dāng)高的精度。利用蝕刻除去熱擴(kuò)散處理后的二氧化硅類被膜。蝕刻中使用氫氟酸、氫氟酸與硝酸的混合液、氫氧化鈉和氫氧化鐘等的水溶液等。此時(shí)，也可以同時(shí)除去形成在二氧化硅類被膜下層的保護(hù)膜來(lái)形成圖案。<實(shí)施例1>使用"0CDT-1B型"(東京應(yīng)化工業(yè)制造)，且相對(duì)于全體添加氧化硼以使其濃度成為1.5g/100ml，并添加質(zhì)量平均分子量為2000的聚丙二醇以使其濃度成為5%，制成膜形成組合物。將上述膜形成組合物旋涂在硅片"6inChCZ-N<100>"(三菱材料公司制造)上。分別在80。C、150°C、200。C對(duì)其加熱處理60秒而形成膜。將已經(jīng)形成膜的硅片，在充滿氮?dú)獾谋簾隣t中以IOO(TC焙燒15分鐘、30分鐘、45分鐘，由此進(jìn)行熱擴(kuò)散處理。將熱擴(kuò)散處理后的硅片，在5%氫氟酸中，在室溫浸漬10分鐘，從硅片上將膜蝕刻除去。<實(shí)施例2>除了添加10%的質(zhì)量平均分子量為2000的聚丙二醇以外，以與實(shí)施例1相同的方法調(diào)配膜形成組合物，然后形成涂布膜，進(jìn)行熱擴(kuò)散處理和蝕刻。<實(shí)施例3>除了添加3%的質(zhì)量平均分子量為2000的聚丙二醇以外，以與實(shí)施例1相同的方法調(diào)配膜形成組合物，然后形成涂布膜，進(jìn)行熱擴(kuò)散處理和蝕刻。<實(shí)施例4>除了添加6%的質(zhì)量平均分子量為2000的聚丙二醇以外，以與實(shí)施例1相同的方法調(diào)配膜形成組合物，然后形成涂布膜，進(jìn)行熱擴(kuò)散處理和蝕刻。另外，進(jìn)行熱擴(kuò)散處理的時(shí)間僅為30分鐘。<實(shí)施例5>除了添加7%的質(zhì)量平均分子量為2000的聚丙二醇以外，以與實(shí)施例1相同的方法調(diào)配膜形成組合物，然后形成涂布膜，進(jìn)行熱擴(kuò)散處理和蝕刻。另外，進(jìn)行熱擴(kuò)散處理的時(shí)間僅為30分鐘。<實(shí)施例6>除了添加5%的質(zhì)量平均分子量為400的聚丙二醇以外，以與實(shí)施例1相同的方法調(diào)配膜形成組合物，然后形成涂布膜，進(jìn)行熱擴(kuò)散處理和蝕刻。另外，進(jìn)行熱擴(kuò)散處理的時(shí)間僅為15分鐘。<實(shí)施例7>使用"0CDT-1"(東京應(yīng)化工業(yè)制造)，相對(duì)于全體添加P20s使其濃度成為1.5g/100ml，并添加質(zhì)量平均分子量為4000的聚丙二醇以使其濃度成為6%，制成膜形成組合物。將該膜形成組合物，以與實(shí)施例1相同的方法形成涂布膜，然后在90(TC進(jìn)行熱擴(kuò)散處理。進(jìn)行該熱擴(kuò)散處理的時(shí)間僅為30分鐘。<比較例1>除了沒有添加質(zhì)量平均分子量為2000的聚丙二醇以外，以與實(shí)施例1相同的方法調(diào)配膜形成組合物，然后形成涂布膜，進(jìn)行熱擴(kuò)散處理和蝕刻。<比較例2>除了沒有添加質(zhì)量平均分子量為4000的聚丙二醇以外，以與實(shí)施例7相同的方法調(diào)配膜形成組合物，然后形成涂布膜，進(jìn)行熱擴(kuò)散處理和蝕刻。<電阻值的測(cè)定>對(duì)上述實(shí)施例和比較例中的蝕刻后的硅片進(jìn)行電阻值的測(cè)定。由于聚丙二醇含量、熱擴(kuò)散處理時(shí)間的不同而造成的電阻值變化，如下表1所示。[表1]<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>由實(shí)施例1、實(shí)施例2和比較例1可知實(shí)施例1的硅片電阻值低于比較例1。艮口，可知由于添加聚丙二醇，氧化硼被還原，并有效率地?cái)U(kuò)散到硅片中。另一方面，可知實(shí)施例2的電阻值的降低程度小于實(shí)施例1。由實(shí)施例1、實(shí)施例3和比較例1可知實(shí)施例3的硅片電阻值低于比較例1，而實(shí)施例1的硅片電阻值更進(jìn)一步低于比較例1。由實(shí)施例1、實(shí)施例46可知質(zhì)量平均分子量為2000的聚丙二醇的含量越增加，電阻值就越下降。并且，在含量為5%的情況下進(jìn)行比較時(shí)，可知質(zhì)量平均分子量為2000的聚丙二醇和質(zhì)量平均分子量為400的聚丙二醇中，使用質(zhì)量平均分子量為2000的聚丙二醇(即使用較高分子量的聚丙二醇時(shí))能夠獲得更低的電阻值。并且，由實(shí)施例7和比較例2可知在添加聚丙二醇時(shí)，即使雜質(zhì)濃度為二十分之一的量，也可以獲得與沒有添加聚丙二醇的情況同等程度的電阻值。權(quán)利要求1.一種膜形成組合物，其是構(gòu)成擴(kuò)散膜的膜形成組合物，所述擴(kuò)散膜是用來(lái)使雜質(zhì)元素?cái)U(kuò)散到硅片中，所述膜形成組合物含有(A)高分子硅化合物、(B)所述雜質(zhì)元素的氧化物或含所述雜質(zhì)元素的鹽、以及(C)成孔劑。2.如權(quán)利要求1所述的膜形成組合物，其中(C)成分是用以還原(B)成分的還原劑。3.如權(quán)利要求1或2所述的膜形成組合物，其中進(jìn)一步含有(D)可溶解所述高分子硅化合物的溶劑，所述(C)成分是可溶解于該溶劑中的高分子有機(jī)化合物。4.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的膜形成組合物，其中(C)成分是聚烷撐二醇。5.如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的膜形成組合物，其中(C)成分是聚丙二醇。6.如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的膜形成組合物，其中(C)成分的質(zhì)量平均分子量為500以上。7.如權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的膜形成組合物，其中所述雜質(zhì)元素是第13族元素或第15族元素。8.如權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的膜形成組合物，其中所述雜質(zhì)元素是硼或磷。9.一種膜形成組合物，其是構(gòu)成擴(kuò)散膜的膜形成組合物，所述擴(kuò)散膜是用來(lái)使雜質(zhì)元素?cái)U(kuò)散到硅片中，所述膜形成組合物含有(A)高分子硅化合物、(B)所述雜質(zhì)元素的氧化物或含所述雜質(zhì)元素的鹽、以及(E)可還原所述(B)成分的還原劑。全文摘要本發(fā)明提供一種膜組合物，其是用于涂布擴(kuò)散法的膜形成組合物，能夠?qū)⒏邼舛鹊碾s質(zhì)擴(kuò)散到硅片中，而且能夠同時(shí)形成二氧化硅類被膜。本發(fā)明涉及一種膜形成組合物，其是構(gòu)成擴(kuò)散膜的膜形成組合物，該擴(kuò)散膜形成在硅片上，用來(lái)使雜質(zhì)元素?cái)U(kuò)散到該硅片中，該膜形成組合物含有(A)高分子硅化合物、(B)上述雜質(zhì)元素的氧化物或含該雜質(zhì)元素的鹽、以及(C)成孔劑。文檔編號(hào)H01L21/225GK101479833SQ20078002440公開日2009年7月8日申請(qǐng)日期2007年7月2日優(yōu)先權(quán)日2006年7月14日發(fā)明者森田敏郎申請(qǐng)人:東京應(yīng)化工業(yè)株式會(huì)社