專利名稱：電子器件封裝、模塊以及電子器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子器件封裝，其中所有運(yùn)行電子設(shè)備所需要的電子 器件容易地安裝在電子設(shè)備中(通過(guò)基本上地?cái)U(kuò)展電子器件的外部端 子以便于該安裝)。特別地，本發(fā)明涉及能夠自由地改變電子器件封 裝的外部尺寸的扇出型封裝技術(shù)。另外，本發(fā)明涉及模塊，其中電子 器件封裝被安裝在電路板上，并且本發(fā)明涉及包括該電子器件封裝的 電子設(shè)備。
背景技術(shù)：
圖1示出了專利文獻(xiàn)1中描述的半導(dǎo)體封裝的剖視圖。
半導(dǎo)體封裝500包括半導(dǎo)體器件506、柔性基板508以及至少一 個(gè)插入基板507，其中在半導(dǎo)體器件506中，外部電極(未示出)被形 成在電路表面(圖1中所示的下表面)上，柔性基板508包括在布線 圖形505的一個(gè)表面或兩個(gè)表面上的熱塑性絕緣樹脂層504，插入基板 507被安排在半導(dǎo)體器件506的周圍中。
柔性基板508設(shè)有被連接到半導(dǎo)體器件506的預(yù)定電極的電極。 這些電極之間的連接部分使用熱塑性絕緣樹脂層504密封。柔性基板 508沿插入基板507的側(cè)表面彎曲，并且外部電極被形成在半導(dǎo)體器件 506的要形成電極的表面以及半導(dǎo)體器件506的另一表面上。
上述的配置是所謂的"扇出"型封裝，并且具有一個(gè)特點(diǎn)，其中柔 性基板508上的外部電極的間距(參考用于參考的焊料凸塊501之間 的距離)比半導(dǎo)體器件506上的外部電極的間距(參考用于參考的凸 塊502之間的距離)更寬。采用這種結(jié)構(gòu)是為了以下原因。
艮P，在目前，使半導(dǎo)體封裝被安裝于其上的側(cè)面上的第二安裝基 板(母板)的外部端子的間距變窄的技術(shù)不能完全應(yīng)付縮小半導(dǎo)體器 件(減小外部尺寸)的技術(shù)。因此，在母板等上直接安裝半導(dǎo)體器件 506的單獨(dú)單元是特別困難的；因此，為了解決這些困難，扇出型的結(jié) 構(gòu)被采用。
使用圖1中所示的結(jié)構(gòu)，可以實(shí)現(xiàn)外部尺寸大于半導(dǎo)體器件506
以及可自由地改變其尺寸的封裝。而且，外部端子被提供在封裝的兩
個(gè)表面(上表面和下表面)上；因此，當(dāng)該封裝與另一封裝結(jié)合來(lái)被 層壓在彼此之上時(shí)，三維安裝封裝也可以被實(shí)現(xiàn)。
專利文獻(xiàn)l:日本專利特開2004-172322。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的問(wèn)題
在其外部尺寸可以被自由地更改的圖1中所示的扇出型半導(dǎo)體封 裝中，在某些情況下，其熱膨脹系數(shù)與半導(dǎo)體器件506 (Si基器件)的 熱膨脹系數(shù)相等的Si被釆用用于插入基板507。在兩個(gè)部件的熱膨脹 系數(shù)如上地彼此相等的情況中沒(méi)有問(wèn)題發(fā)生；然而，在插入基板的線 性膨脹系數(shù)不同于半導(dǎo)體器件的線性膨脹系數(shù)的情況下，發(fā)生如下問(wèn) 題。例如，在包括0.03ppm的線性膨脹系數(shù)的材料的半導(dǎo)體器件506 和插入基板(例如，Cn)具有17ppm的線性膨脹系數(shù)的情況中，由于 由半導(dǎo)體器件506和插入基板507之間的熱膨脹系數(shù)差異導(dǎo)致的柔性 基板508的膨脹和收縮，柔性基板上的布線，特別地，半導(dǎo)體器件506 和插入基板507之間的間隙510附近的布線509容易斷裂，導(dǎo)致容易 發(fā)生開口缺陷的問(wèn)題。
本發(fā)明已經(jīng)考慮到上述問(wèn)題而進(jìn)行設(shè)計(jì)，并且具有提供電子器件 封裝等的目的，其中在電子器件和插入基板被安排在內(nèi)插器基板上的
電子器件封裝中，即使電子器件和插入基板被使用彼此不同的材料形 成，在例如電子器件和插入基板之間形成的間隙部分中的內(nèi)插器基板 的布線圖形中也不可能發(fā)生損壞。
解決問(wèn)題的方法
達(dá)到上述目的的本發(fā)明的電子器件封裝的特點(diǎn)在于，包括柔性內(nèi) 插器基板，在該柔性內(nèi)插器基板中包括布線圖形，至少一個(gè)電子器件 被安排在該內(nèi)插器基板上，以及被類似地安排在該內(nèi)插器基板上的插 入基板，其中在與電子器件和插入基板之間的間隙對(duì)應(yīng)的內(nèi)插器基板 的區(qū)域中，布置加強(qiáng)構(gòu)件，以增加布線圖形的斷裂強(qiáng)度。
根據(jù)本發(fā)明的電子器件封裝，由于布置了加強(qiáng)布線圖形的構(gòu)件， 在間隙部分中的布線圖形中不可能發(fā)生損壞。本發(fā)明中的"加強(qiáng)構(gòu)件" 可以是，例如，布線圖形上形成的金屬膜，金屬膜包括拉伸強(qiáng)度高于 布線圖形的拉伸強(qiáng)度的材料是適宜的。"加強(qiáng)構(gòu)件"可以是通過(guò)布線圖形 的突起部分形成的額外的結(jié)構(gòu)(將稱為"金屬突起")或可以是用導(dǎo)體填 充的以將布線圖形互相連接的過(guò)孔。
本發(fā)明的效果
根據(jù)本發(fā)明的電子器件封裝，由于布置了增加內(nèi)插器基板中的布 線圖形的強(qiáng)度的加強(qiáng)構(gòu)件，因此在布線圖形中不可能發(fā)生損壞，導(dǎo)致 增加電子器件封裝的可靠性。
具體實(shí)施例方式
接下來(lái)，參考附圖，將詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例。在這點(diǎn) 上，將使用作為本發(fā)明的電子器件封裝的實(shí)例的半導(dǎo)體封裝，描述該 示例性實(shí)施例。
(第一示例性實(shí)施例) 圖2和圖3示出了根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的電子器件封裝
的剖視圖。
圖2所示的半導(dǎo)體封裝包括半導(dǎo)體器件1、厚度范圍在5um至8um 的包括Cu、 Al等的布線圖形6和布線圖形6'的柔性內(nèi)插器基板3，以 及插入基板2和基板18。
例如，半導(dǎo)體器件1是邏輯LSI。插入基板2和基板18可以包括 如圖4 (俯視圖)所示的多個(gè)構(gòu)件2或如圖5所示的一個(gè)框架形構(gòu)件 18 (俯視圖)。換言之，插入基板18是這樣的構(gòu)件，該構(gòu)件是具有在 其中間部分形成的通孔的單獨(dú)平板。
在內(nèi)插器基板3中使用的絕緣樹脂中，在與半導(dǎo)體器件1接觸的 側(cè)面(內(nèi)-側(cè)表面)上的至少一部分被使用熱塑性樹脂10 (粘合劑)適 宜地配置。結(jié)果，內(nèi)插器基板3被適當(dāng)?shù)毓潭ǖ桨雽?dǎo)體器件1上。同 樣地，由于以此方式形成熱塑性樹脂10，因此內(nèi)插器基板3容易彎曲。
對(duì)于熱塑性樹脂10，例如，采用由變性硅的聚酰亞胺和柔性環(huán)氧 樹脂構(gòu)成的復(fù)合材料。在此情況下，通過(guò)加熱該樹脂10至150°C到 200°C，其彈性模量降低至等于或低于幾十MPa的值(在室溫下，約 lGPa的彈性模量)，熱塑性樹脂10容易彎曲，因此其防止這樣彎曲 的布線圖形的損壞。同樣地，由于該加熱引起粘著力的出現(xiàn)，因此內(nèi) 插器基板3可以被容易地固定到半導(dǎo)體器件1以及插入基板2和基板 18上。另外，由于在組裝時(shí)加到半導(dǎo)體器件1上的應(yīng)力可以被減小， 因此可以使半導(dǎo)體器件1變薄，導(dǎo)致最終半導(dǎo)體封裝的厚度可以被減 小的特點(diǎn)。
在被加熱到150°C至200°C的同時(shí)，內(nèi)插器基板3沿基板2和基 板18的側(cè)表面和背表面部分地彎曲。在圖中，如上所述地被彎曲的基 板的邊緣部分被粘附到插入基板2和基板18的外周表面以及半導(dǎo)體器 件1的上表面。 順便提及，該彎曲部分覆蓋本實(shí)施例中的插入板和半導(dǎo)體器件； 然而，除此之外，可以采用其中彎曲部分僅僅覆蓋例如插入基板的配 置(換句話說(shuō)，彎曲部分僅僅被粘貼到插入基板的上表面上)。
在圖2和圖3所示的配置中，內(nèi)插器基板3被在由圖4和圖5所 示的基板2和基板18形成的矩形的四邊的兩個(gè)相對(duì)側(cè)邊的端部彎曲。 盡管在附圖中未示出，在其中使用兩側(cè)彎曲方法布線不能容易地被繪 制的情況中，可以自然地考慮在由基板2和基板18形成的矩形的三邊 或四邊端部彎曲內(nèi)插器基板3的方法。
作為基板2和基板18的材料，可以使用Cu、陶瓷、玻璃環(huán)氧樹 脂、BT樹脂等；即，導(dǎo)電材料和絕緣材料都是可用的。在這點(diǎn)上，Cu 具有等于包括作為基本材料的環(huán)氧樹脂或玻璃環(huán)氧樹脂的母板的線性 膨脹系數(shù)的線性膨脹系數(shù)(約15ppm)。至于陶瓷、玻璃環(huán)氧樹脂或 BT樹脂的具體質(zhì)量，其線性膨脹系數(shù)(9ppm至15ppm)適宜地與所 述母板的線性膨脹系數(shù)類似，而不是和半導(dǎo)體器件1的材料質(zhì)量類似。 如圖2和圖3所示，這些插入基板2和基板18具有與半導(dǎo)體器件1的 厚度幾乎相等的厚度。
本實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝(圖2)的主要的特征在于，在與半導(dǎo)體 器件1和基板2之間的間隙8對(duì)應(yīng)的區(qū)域中，布線圖形6被部分地加 強(qiáng)了。具體地，在布線圖形6的部分中形成金屬膜7，以部分地加強(qiáng)圖 形6。
金屬膜7適宜地使用其拉伸強(qiáng)度高于布線圖形的材料(Cu、 Al等) 的Ni、 W等形成；然而，這不是限制性的。這些膜可以使用電鍍法或 濺射法來(lái)形成，并且膜厚度范圍是，例如，從l/mi至5/mi。
通過(guò)如上所述地構(gòu)造金屬膜7，由于由半導(dǎo)體器件1和基板2之
間的線性膨脹系數(shù)的差異引起的熱應(yīng)力，布線圖形6不太可能在間隙8 處斷裂。順便提及，上述"與間隙8對(duì)應(yīng)的區(qū)域"表示覆蓋如圖6所示的
間隙8的區(qū)域A8。由于金屬膜7以至少包括區(qū)域A8的尺寸而被形成， 因此通過(guò)金屬膜可以有效地獲得加強(qiáng)作用。
參考圖3，將描述本實(shí)施例的另一實(shí)例。在圖3的配置中，金屬 膜7被形成在布線圖形6的一側(cè)上的整個(gè)表面上，不僅是與間隙8對(duì) 應(yīng)的區(qū)域。順便提及，金屬膜7的材料也是其拉伸強(qiáng)度高于如上所述 的Cu和Al的拉伸強(qiáng)度的Ni (鎳)、W (鎢)等。在圖3中，與圖2 相同的構(gòu)成部分分配與圖2中相同的參考標(biāo)記。
作為防止由于熱應(yīng)力而導(dǎo)致的布線圖形斷裂的裝置，也可以考慮 其中例如除在與間隙8對(duì)應(yīng)的區(qū)域中的布線圖形之外布置虛擬圖形(例 如，導(dǎo)體)的方法。然而，為了在相同的表面中形成除布線圖形之外 的虛擬圖形，需要高密度地配置布線。這因此減小布線寬度，導(dǎo)致布 線強(qiáng)度被降低和預(yù)期效果不能獲得的問(wèn)題。同樣地，為了改進(jìn)上述問(wèn) 題，可以考慮在除布線圖形層以外的層中布置虛擬圖形的方法；然而， 在該情況中，布線層的數(shù)目增加一層，導(dǎo)致內(nèi)插器基板的制造成本增 加的問(wèn)題。
接下來(lái)，將描述形成金屬膜7的工藝等。
為了部分地形成如圖2所示的金屬膜7，需要光刻工藝。另一方 面，對(duì)于如圖3所示的整個(gè)金屬膜7，不需要光刻工藝。從生產(chǎn)成本的 觀點(diǎn)，圖3的配置是有利的。
然而，盡管圖2和圖3中未示出，布線圖形6和金屬膜7實(shí)際上 存在于內(nèi)插器基板的彎曲部分中，因此存在以下問(wèn)題發(fā)生的擔(dān)心。艮P， 由于金屬膜7也在彎曲部分中存在，取決于金屬膜的膜厚度和硬度， 內(nèi)插器基板IO可能不容易彎曲。在這種問(wèn)題發(fā)生的情況中，如圖2所
示金屬膜7被部分地保留是適宜的，從而金屬膜7從彎曲部分缺失。
順便提及，盡管沒(méi)有特別限制，但是本實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝(圖 2和圖3)的每個(gè)部分可以如下詳細(xì)地配置。作為將半導(dǎo)體器件l連接
到內(nèi)插器基板3的半導(dǎo)體凸塊5，可以采用Au柱形凸塊或諸如Sn-Pb、 Sn-Ag、 Sn-Ag-Cu、 Sn-Bi或Sn-Zn的焊料。通過(guò)半導(dǎo)體凸塊5，在半 導(dǎo)體器件1和內(nèi)插器基板3 (準(zhǔn)確地，其布線圖形6)之間建立倒裝芯 片連接。
在內(nèi)插器基板3的內(nèi)周表面(與凸塊5相對(duì))中，預(yù)先布置孔。 該孔可以通過(guò)使用例如UV-YAG激光器、二氧化碳激光器或準(zhǔn)分子激 光器的加工來(lái)安排。在該連接中，本發(fā)明不限于其中預(yù)先安排孔的配 置。在熱塑性樹脂IO被采用作為絕緣樹脂的情況下，導(dǎo)體凸塊5可以 通過(guò)熱塑性樹脂層粘貼，以電連接到布線圖形6。在此情況下，在當(dāng)導(dǎo) 體凸塊5電連接到布線圖形6時(shí)，導(dǎo)體凸塊5通過(guò)熱塑性樹脂被密封。
當(dāng)導(dǎo)體凸塊5是Au柱形凸塊時(shí)，Au膜(具有例如，0.1/mi至1/mi 的厚度范圍)或焊料膜(具有，例如，3/mi至10/mi的厚度范圍)可以 在布線圖形6上的金屬膜7的表面上形成。Au膜可以使用電鍍法或?yàn)R 射法來(lái)形成。當(dāng)Au膜被形成在金屬膜7的表面上時(shí)，使用熱巻邊法或 超聲波接合法，Au柱形凸塊5被連接到Au膜。焊料的膜具體地可以 包括Sn-Pb、 Sn-Ag、 Sn-Ag-Cu、 Sn-Bi或Sn-Zn并且可以使用電鍍法 來(lái)形成。當(dāng)SnAg等的焊料膜在金屬膜7的表面上形成時(shí)，通過(guò)使用熱 巻邊法和回流，Au柱形凸塊5被通過(guò)焊接連接到焊料。
在其上安裝焊料凸塊4的內(nèi)插器基板3的表面上的絕緣樹脂中， 預(yù)先形成其中暴露布線圖形的孔。電極焊盤17是在該暴露表面上形成 的導(dǎo)電膜，并且包括例如，使用電鍍法或?yàn)R射法生產(chǎn)的材料諸如Au、 Ni/Au、 Pd、 Sn、 SnAg、 SnAgCu或SnPb。順便提及，作為在絕緣樹脂 層中形成孔的方法，可以采用使用UV-YAG激光器、二氧化碳激光器
或準(zhǔn)分子激光器的激光加工工藝。或者，如果該絕緣樹脂層包括光敏 樹脂，那么光刻工藝也是可用的。
順便提及，在圖2和圖3所示的本實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝中，內(nèi)插 器基板3具有雙層布線結(jié)構(gòu)，但是本發(fā)明不被本實(shí)施例約束。對(duì)于內(nèi) 插器基板3的布線層，該基板也可以包括一層或三層或更多。另外，
圖2和圖3示出了其中半導(dǎo)體器件1被用面向下模式(電路表面向下) 安裝的實(shí)例；然而，自然地存在其中器件1被用面朝上模式(電路表 面向上)安裝的情況。
自然地，這種評(píng)論不是僅對(duì)本實(shí)施例的限制，而是也被類似地應(yīng) 用于之后將描述的各自的示例性實(shí)施例；因此，對(duì)于下面的各自的示 例性實(shí)施例，將省略其說(shuō)明。例如，內(nèi)插器基板3的布線層結(jié)構(gòu)不限 于兩層，而是也存在一層的情況或三層或更多的情況。同樣地，半導(dǎo) 體器件1的安裝方法取決于情況是面向下安裝或面向上安裝的。接下 來(lái)，將使用幾個(gè)示例性實(shí)施例作為實(shí)例，具體地描述本發(fā)明；各自的 示例性實(shí)施例的布局也可以彼此適當(dāng)?shù)亟Y(jié)合。
(第二示例性實(shí)施例)
圖7示出了根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝的剖視圖。
圖4的半導(dǎo)體封裝在結(jié)構(gòu)上類似于第一示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封 裝(參見圖2和圖3)，但是在半導(dǎo)體器件l的數(shù)目上是不同的。艮P， 根據(jù)圖7的配置，兩個(gè)半導(dǎo)體器件1被容納在該配置中。如果半導(dǎo)體 器件1的外部尺寸小，那么多個(gè)半導(dǎo)體器件1可以在內(nèi)插器基板3上 平鋪地安裝，從而生產(chǎn)如圖7所示的第二示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝。
如圖8和圖9所示，本實(shí)施例可以自然地與圖4和圖5所示的配 置結(jié)合。在圖8中，兩個(gè)半導(dǎo)體器件1被容納在被多個(gè)插入基板2配
置的通孔(表示在中間部分的開口)中。在圖9中，采用包括開口的 一個(gè)基板18。
順便提及，圖7的配置是其中金屬膜7被形成在布線圖形6的整 個(gè)表面上的實(shí)例。然而，這不限制金屬膜7，即，膜7可以不形成在布 線圖形6的整個(gè)表面，而是如圖2的配置中所示，僅僅形成在與間隙8 對(duì)應(yīng)的區(qū)域中。
(第三示例性實(shí)施例)
圖10示出了根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝的第三示例性實(shí)施例的剖 視圖。
圖10的半導(dǎo)體封裝在結(jié)構(gòu)上類似于圖7所示的結(jié)構(gòu)，但是與第二 示例性實(shí)施例(半導(dǎo)體器件1的電路表面處于下側(cè)面上(面向下安裝)) 的不同之處在于，半導(dǎo)體器件1的電路表面處于上側(cè)面上(面向上安 裝)。
當(dāng)將要使用的半導(dǎo)體器件l具有高工作頻率時(shí)，通常需要減小器件 l和第二安裝基板之間的距離。在該情況下中，如在圖7的配置中，半
導(dǎo)體器件l的電路表面位于下側(cè)面上是適宜的。與此相反，如果半導(dǎo)體 器件l之一是光電二極管或任何其它光接收元件，那么由于其性能，需 要將器件l的電路表面安排為向上；因此，采用本實(shí)施例的配置是適宜 的(見圖IO)。在圖中示出了器件l的電路表面面朝上，并且半導(dǎo)體器 件1經(jīng)由導(dǎo)電凸塊5電連接到布線圖形6。
(第四示例性實(shí)施例)
圖ll示出了根據(jù)本發(fā)明的第四示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝的剖視圖。
圖11的半導(dǎo)體封裝在結(jié)構(gòu)上類似于圖2和圖3中所示的結(jié)構(gòu)，但是
與其不同之處僅在于，內(nèi)插器基板3僅僅在通過(guò)基板2和基板18配置的
矩形四邊的一邊端部彎曲(參考圖4和圖5)。
當(dāng)內(nèi)插器基板3的布線間距(線寬+間隔)較松(寬)時(shí)，這樣的 結(jié)構(gòu)是合適的。相反地，如果期望的布線間距窄，那么使用圖2和圖3 中所示的配置是適宜的。在該連接中，如圖2和圖3所示，通過(guò)使用其 中內(nèi)插器基板3在基板2和基板18的兩個(gè)相對(duì)邊(或，三或四邊)上彎 曲的配置，考慮組裝位置精度，取決于較高產(chǎn)量和較低成本生產(chǎn)封裝 的情況是可能的。
(第五示例性實(shí)施例)
圖12示出了根據(jù)本發(fā)明的第五示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝的剖 視圖。
圖12的半導(dǎo)體封裝在結(jié)構(gòu)上類似于圖2和圖3中所示的結(jié)構(gòu)，但 是與其不同之處僅在于，金屬膜7形成在布線圖形6的兩個(gè)表面上。 由于膜7形成在布線圖形6的兩個(gè)表面上，當(dāng)與其中僅在圖形6的一 個(gè)表面上配置膜7的配置相比較時(shí)，該配置的強(qiáng)度增加。
順便提及，盡管圖12示出了在布線圖形6的整個(gè)表面上形成金屬 膜7的情況，但是膜7不被布置在整個(gè)表面上，而是在與間隙8對(duì)應(yīng) 的區(qū)域以及在該圖形的兩個(gè)表面上形成。
(第六示例性實(shí)施例)
圖13示出了根據(jù)本發(fā)明的第六示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝的剖 視圖。
圖13的半導(dǎo)體封裝在結(jié)構(gòu)上類似于圖12中所示的結(jié)構(gòu)，但是與 其不同之處僅在于，內(nèi)插器基板3僅在通過(guò)基板2和基板18配置的矩 形四邊的一邊端部彎曲(參考圖4和圖5)。
(第七示例性實(shí)施例) 圖14示出了根據(jù)本發(fā)明的第七示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝的剖 視圖。
圖14的半導(dǎo)體封裝在結(jié)構(gòu)上類似于圖2和圖3中所示的結(jié)構(gòu)，但
是與其不同之處僅在于，安裝在半導(dǎo)體器件的周圍的基板不包括多個(gè)
基板2，也不包括其中形成通孔的基板18，而是采用其中形成尺寸大 于半導(dǎo)體器件l的空腔(凹陷)的插入基板9。
在本實(shí)施例的配置中，基板9的上表面是沒(méi)有任何間隙的一個(gè)扁 平表面；在該配置中，內(nèi)插器基板3被粘貼到該表面上。因此，相對(duì) 于在基板9的上表面上粘貼的至少一部分，布線圖形6的損壞問(wèn)題不 容易發(fā)生。
在半導(dǎo)體器件l的外周和空腔的內(nèi)周之間形成間隙8;在與該間 隙對(duì)應(yīng)的區(qū)域中，金屬膜7被與上述示例性實(shí)施例一樣地形成。因此， 由于金屬膜的加強(qiáng)作用，在布線圖形6中不容易發(fā)生損壞。
順便提及，對(duì)于下面將描述的示例性實(shí)施例，將描述使用包括空
腔的基板9的結(jié)構(gòu)；然而，由于空腔的作用效果類似于上述作用效果，
因此重復(fù)描述將被避免。 (第八示例性實(shí)施例)
圖15示出了根據(jù)本發(fā)明的第八示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝的剖 視圖。
圖15的半導(dǎo)體封裝在結(jié)構(gòu)上類似于圖14中所示的結(jié)構(gòu)，但是與 其不同之處僅在于，內(nèi)插器基板3僅僅在基板四邊的一邊端部彎曲。
14(第九示例性實(shí)施例) 圖16示出了根據(jù)本發(fā)明的第九示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝的剖 視圖。
圖16的半導(dǎo)體封裝在結(jié)構(gòu)上類似于圖12中所示的結(jié)構(gòu)，但是與
其不同之處僅在于，安裝在半導(dǎo)體器件1的周圍中的基板是一個(gè)基板9。
(第十示例性實(shí)施例)
圖17示出了根據(jù)本發(fā)明的第十示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝的剖視圖。
圖17的半導(dǎo)體封裝在結(jié)構(gòu)上類似于圖16中所示的結(jié)構(gòu)，但是與 其不同之處僅在于，內(nèi)插器基板3僅在其中形成空腔的一個(gè)基板9的 四邊的一邊端部彎曲。
(第十一示例性實(shí)施例)
圖18示出了根據(jù)本發(fā)明的第十一示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝的 剖視圖。
圖18的半導(dǎo)體封裝在結(jié)構(gòu)上類似于圖2和圖3中所示的結(jié)構(gòu)，但 是與其不同之處僅在于，內(nèi)插器基板3的端部不彎曲，并且在基板2 和基板18的端部，基板3被切斷。
在該半導(dǎo)體封裝的結(jié)構(gòu)中，內(nèi)插器基板3僅僅被布置在半導(dǎo)體器 件1的一個(gè)表面上；因此該封裝不同于如上所述的示例性實(shí)施例的半 導(dǎo)體封裝，即，不可以彼此層壓封裝；但是，由于不需要彎曲內(nèi)插器 基板3的工序，可以實(shí)現(xiàn)成本低于第一示例性實(shí)施例的封裝。
如上，也在具有不同的基本配置的半導(dǎo)體封裝中，由于與間隙8 對(duì)應(yīng)的區(qū)域中的金屬膜7的布置，可以獲得如上述示例性實(shí)施例的作
用效果(即，布線圖形6的加強(qiáng)效果)。
(第十二示例性實(shí)施例) 圖19示出了根據(jù)本發(fā)明的第十二示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝的 剖視圖。圖19的半導(dǎo)體封裝在結(jié)構(gòu)上類似于圖18中所示的結(jié)構(gòu)，但是與其不同之處僅在于，金屬膜7形成在布線圖形6的兩個(gè)表面上。
(第十三示例性實(shí)施例)圖20是示出了根據(jù)本發(fā)明的第十三示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝的剖視圖。
圖20的半導(dǎo)體封裝在結(jié)構(gòu)上類似于圖18中所示的結(jié)構(gòu)，但是與 其不同之處僅在于，安裝在半導(dǎo)體器件1的周圍中的基板不包括多個(gè) 基板2，也不包括其中形成通孔的基板18，但是采用其中形成尺寸大 于半導(dǎo)體器件1的空腔的一個(gè)基板9。
(第十四示例性實(shí)施例)
圖21示出了根據(jù)本發(fā)明的第十四示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝的 剖視圖。
圖21的半導(dǎo)體封裝在結(jié)構(gòu)上類似于圖20中所示的結(jié)構(gòu)，但是與 其不同之處僅在于，金屬膜7形成在布線圖形6的兩個(gè)表面上。由于 金屬膜7被布置在布線圖形的兩個(gè)表面上，布線強(qiáng)度被增強(qiáng)。
(第十五示例性實(shí)施例)
圖22至24示出根據(jù)本發(fā)明第十五示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝的 剖視圖。
圖22至24的半導(dǎo)體封裝在結(jié)構(gòu)上類似于圖2和圖3中所示的結(jié) 構(gòu)，但是與其不同之處僅在于，盡管金屬膜7在圖2和圖3的半導(dǎo)體 封裝中形成，但是金屬突起12和/或用導(dǎo)體填充的過(guò)孔被形成在與圖 22和圖24的半導(dǎo)體封裝中的間隙8對(duì)應(yīng)的區(qū)域中。金屬突起12可以包括與布線圖形6的材料相同的材料(例如，Cu 或A1)。制造金屬突起12的方法的實(shí)例可以如下。即，首先，釆用在 厚度(例如，25Mm至50/mi)上大于最終導(dǎo)體(例如，12/mi)的導(dǎo)電 基本材料(Cu、 Al等)作為布線圖形的基本材料；該基本材料除形成 金屬突起12的位置外被半蝕刻至其預(yù)定厚度(例如，12/mO 。結(jié)果， 剩余部分變?yōu)榻饘偻黄?。此后，在具有如上所述形成的金屬突?2的 基本材料上，形成絕緣材料諸如聚酰亞胺；最后， 一層導(dǎo)電基本材料 (例如，具有12Mm厚度的Cu或Al)被粘貼在其上。在兩個(gè)表面都導(dǎo)電和其中突起12被形成在一個(gè)導(dǎo)電材料側(cè)面上的 材料中，通過(guò)激光加工或使用鉆孔機(jī)形成孔，以通過(guò)使用濺射法或電 鍍法，形成用導(dǎo)體過(guò)孔填充的過(guò)孔13來(lái)在兩層之間建立連接。形成金屬突起12或過(guò)孔13 (表示用導(dǎo)體填充的過(guò)孔)，因此這些 結(jié)構(gòu)用作布線圖形的加強(qiáng)構(gòu)件。在本實(shí)施例中，金屬突起12或用導(dǎo)體 填充的過(guò)孔13被形成為在尺寸上幾乎等于與間隙8對(duì)應(yīng)的區(qū)域的尺寸。 然而，如果只有金屬突起12或用導(dǎo)體填充的過(guò)孔13包括與間隙8對(duì)應(yīng)的 區(qū)域(參見圖6的區(qū)域A8)，這些結(jié)構(gòu)自然可以大于所述區(qū)域。下面將具體描述圖22至圖24的各自配置。圖22示出了其中金屬突 起12和過(guò)孔13被形成在間隙8附近的實(shí)例。S卩，金屬突起12被形成在基 板的厚度方向上的第一側(cè)面(圖中的上表面?zhèn)?上，并且過(guò)孔13被形 成在在相對(duì)側(cè)(圖中的下表面?zhèn)?，間隙8位于之間。金屬突起和過(guò)孔 的布置不被該結(jié)構(gòu)約束，而是過(guò)孔13可以形成在圖中的上表面?zhèn)壬希?并且金屬突起12可以形成在圖中的下表面?zhèn)壬?。此外，兩者都可以?br> 如圖23中所示的金屬突起12，并且兩者都可以是如圖24中所示的過(guò)孔 13。在布置金屬突起12和過(guò)孔13以獲得加強(qiáng)布線圖形6的作用效果的范 圍內(nèi)，上面描述的金屬突起12和過(guò)孔13的結(jié)合可以被適當(dāng)?shù)馗淖?。關(guān) 于這一點(diǎn)，盡管對(duì)于以下示例性實(shí)施例，將避免這種描述，但是自然 地，上述結(jié)合是任意可用的。(第十六示例性實(shí)施例)圖25示出了根據(jù)本發(fā)明的第十六示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝的 剖視圖。圖25的半導(dǎo)體封裝在結(jié)構(gòu)上類似于圖22至圖24中所示的結(jié)構(gòu)， 但是與其不同之處僅在于，內(nèi)插器基板3僅在通過(guò)基板2和基板18配 置的矩形的四邊的一邊端部彎曲(參考圖4和圖5)。(第十七示例性實(shí)施例)圖26至圖28示出根據(jù)本發(fā)明第17示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝的 剖視圖。圖26至圖28的半導(dǎo)體封裝在結(jié)構(gòu)上類似于圖22至圖24中所示 的結(jié)構(gòu)，但是與其不同之處僅在于，金屬膜7形成在金屬突起12 (或 用導(dǎo)體填充的過(guò)孔13)和布線圖形6之間。g卩，該結(jié)構(gòu)是上述金屬膜 7的結(jié)構(gòu)與上面的示例性實(shí)施例中描述的金屬突起12 (或過(guò)孔13)的 結(jié)合。在該配置中，布線圖形被更加有效地加強(qiáng)。現(xiàn)在，將簡(jiǎn)要地描述在金屬突起12 (或用導(dǎo)體填充的過(guò)孔13)和 布線圖形6之間形成金屬膜7(Ni、 W等等)的方法。為了生產(chǎn)該結(jié)構(gòu)， 例如，首先，采用Cu/Ni/Cu或Cu/W/Cu的三層材料作為布線圖形的基 本材料；，在一個(gè)側(cè)面上的Cu除形成金屬突起12外的位置外被蝕刻。 此后，在其上金屬突起12被形成的側(cè)面的基本材料上，形成諸如聚酰 亞胺的絕緣材料。此后工藝類似于第十五示例性實(shí)施例中描述的方法。
在圖26至圖28中，金屬突起12或用導(dǎo)體填充的過(guò)孔13僅僅在
與間隙8對(duì)應(yīng)的區(qū)域中形成；然而，僅當(dāng)金屬突起12或用導(dǎo)體填充的
過(guò)孔13包括與間隙8對(duì)應(yīng)的區(qū)域，突起12或過(guò)孔13可以被布置為大 于圖26至圖28的配置。圖26示出了其中用作金屬突起12或過(guò)孔的 金屬突起13被形成在布線圖形6上的情況，但是該配置不被這些約束， 而是其全部都可以是金屬突起12，如圖27所示，或其全部可以是用導(dǎo) 體填充的過(guò)孔13，如圖28所示。
(第十八示例性實(shí)施例)
圖29示出了根據(jù)本發(fā)明的第十八示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝的 剖視圖。
圖29的半導(dǎo)體封裝在結(jié)構(gòu)上類似于圖26至圖28中所示的結(jié)構(gòu)， 但是與其不同之處僅在于，內(nèi)插器基板3僅僅在通過(guò)基板2和基板18 配置的矩形的四邊的一邊端部彎曲(見圖4和圖5)。
(第十九示例性實(shí)施例)
圖30示出了根據(jù)本發(fā)明的第十九示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝的 剖視圖。
圖30的半導(dǎo)體封裝在結(jié)構(gòu)上類似于圖22至圖24中所示的結(jié)構(gòu)， 但是與其不同之處僅在于，安裝在半導(dǎo)體器件1的周圍中的基板不包 括多個(gè)基板2，也不包括其中形成通孔的基板18，而是采用其中形成 尺寸大于半導(dǎo)體器件1的空腔的一個(gè)插入基板9。
順便提及，在下面的示例性實(shí)施例中，對(duì)于使用金屬突起或用導(dǎo) 體填充的過(guò)孔以加強(qiáng)布線的拉伸強(qiáng)度的實(shí)施例，將描述例如其中在與 間隙對(duì)應(yīng)的位置形成金屬突起12或用導(dǎo)體填充的過(guò)孔13作為代表性 例子的配置。然而，金屬突起12或用導(dǎo)體填充的過(guò)孔13不被該示例
性實(shí)施例約束。即，突起12或過(guò)孔13不僅可以形成在與間隙對(duì)應(yīng)的 區(qū)域中，而且可以形成在至少包括該位置的區(qū)域中。(第二十示例性實(shí)施例) 圖31示出了根據(jù)本發(fā)明的第二十示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝的 剖視圖。圖31的半導(dǎo)體封裝在結(jié)構(gòu)上類似于圖30中所示的結(jié)構(gòu)，但是與 其不同之處僅在于，內(nèi)插器基板3僅在基板9的四邊的一邊端部彎曲。(第二十一示例性實(shí)施例)圖32示出了根據(jù)本發(fā)明的第二十一示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝 的剖視圖。圖32的半導(dǎo)體封裝在結(jié)構(gòu)上類似于圖30中所示的結(jié)構(gòu)，但是與 其不同之處僅在于，金屬膜7形成在金屬突起12 (或用導(dǎo)體填充的通 孔)和布線圖形6之間。(第二十二示例性實(shí)施例)圖33示出了根據(jù)本發(fā)明的第二十二示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝 的剖視圖。圖33的半導(dǎo)體封裝在結(jié)構(gòu)上類似于圖32中所示的結(jié)構(gòu)，但是與 其不同之處僅在于，內(nèi)插器基板3僅在基板9的四邊的一邊端部彎曲。(第二十三示例性實(shí)施例)圖34示出了根據(jù)本發(fā)明的第二十三示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝 的剖視圖。圖34的半導(dǎo)體封裝在結(jié)構(gòu)上類似于圖18中所示的結(jié)構(gòu)，但是與
其不同之處僅在于，盡管金屬膜7被形成在圖18的配置中，但是金屬
突起12和/或用導(dǎo)體填充的過(guò)孔13在間隙8附近形成。如上，在具有
不同的基本配置的半導(dǎo)體封裝中，可以獲得與上述示例性實(shí)施例一樣
的由于金屬突起12和/或過(guò)孔13的作用效果。 (第二十四示例性實(shí)施例)
圖35示出了根據(jù)本發(fā)明的第二十四示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝 的剖視圖。
圖35的半導(dǎo)體封裝在結(jié)構(gòu)上類似于圖34中所示的結(jié)構(gòu)，但是與 其不同之處僅在于，金屬膜7形成在金屬突起12 (或用導(dǎo)體填充的通 孔)和布線圖形6之間。結(jié)果，與第二十三示例性實(shí)施例的結(jié)構(gòu)相比 較，布線的強(qiáng)度被進(jìn)一步增加。
(第二十五示例性實(shí)施例)
圖36示出了根據(jù)本發(fā)明的第二十五示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝 的剖視圖。
圖36的半導(dǎo)體封裝在結(jié)構(gòu)上類似于圖34所示的結(jié)構(gòu)，但是與其 不同之處僅在于，安裝在半導(dǎo)體器件1的周圍中的基板不包括多個(gè)基 板2，也不包括其中形成通孔的基板18，而是采用其中形成尺寸大于 半導(dǎo)體器件1的尺寸的空腔的一個(gè)插入基板9。
(第二十六示例性實(shí)施例)
圖37示出了根據(jù)本發(fā)明的第二十六示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝 的剖視圖。
圖37的半導(dǎo)體封裝在結(jié)構(gòu)上類似于圖36中所示的結(jié)構(gòu)，但是與 其不同之處僅在于，金屬膜7形成在金屬突起12 (或用導(dǎo)體填充的過(guò) 孔13)和布線圖形6之間。結(jié)果，與第二十五示例性實(shí)施例的結(jié)構(gòu)相
比較，布線的強(qiáng)度被進(jìn)一步增加。(第二十七示例性實(shí)施例) 圖38示出了根據(jù)本發(fā)明的第二十七示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝 的剖視圖。圖38的半導(dǎo)體封裝在結(jié)構(gòu)上類似于圖2和圖3所示的結(jié)構(gòu)，但是 與其不同之處僅在于，諸如電容器、電阻器或電感器的無(wú)源元件14被 安裝在基板9和內(nèi)插器基板3之間。順便提及，在半導(dǎo)體器件l是，例如，諸如CPU的以高速工作的 LSI的情況下，通常去耦電容器被安裝在CPU的周圍。被去耦電容器 占據(jù)的區(qū)域阻礙設(shè)備的尺寸縮小。與此相反，通過(guò)在基板2和基板18以及內(nèi)插器基板3之間安排作 為無(wú)源元件14的去耦電容器，如在本實(shí)施例中，該設(shè)備被縮小尺寸。 順便提及，在此情況下的生產(chǎn)方法中，無(wú)源元件14 (例如，薄膜無(wú)源 元件)被首先形成在基板2和基板18上。作為生產(chǎn)薄膜無(wú)源元件14 的具體方法，存在例如，濺射法、溶膠-凝膠法或電鍍法。通過(guò)使用這 些方法，無(wú)源元件可以在基板上直接被形成為膜。替代地，也可以采 用被預(yù)先生產(chǎn)并且被切斷成片的元件被粘貼在基板2和基板18上的方 法(例如，可以使用粘合劑固定)。半導(dǎo)體器件的厚度在該配置中被設(shè)計(jì)為等于基板2和基板18以及 無(wú)源元件14的總厚度。將導(dǎo)電凸塊諸如Au柱形凸塊被安裝在薄膜無(wú) 源元件14的電極上，未示出，所述薄膜無(wú)源元件14然后被連接到形 成在內(nèi)插器基板3的布線圖形上的諸如Au或SnAg的焊料上。順便提及，圖38示出了使用基板2和基板18的實(shí)例；然而，也 可以使用，代替基板2和基板18的包括形成有深度的空腔的基板9，其中半導(dǎo)體器件1可以安裝在所述空腔中。
(第二十八示例性實(shí)施例) 圖39是示出了根據(jù)本發(fā)明的第二十八示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封 裝的剖視圖。
圖39的半導(dǎo)體封裝在結(jié)構(gòu)上類似與圖38中所示的結(jié)構(gòu)，但是與 其不同之處僅在于，內(nèi)插器基板3僅在通過(guò)基板2和基板18配置的矩 形四邊的一邊端部彎曲(參見圖4和圖5)。
(第二十九示例性實(shí)施例)
圖40示出了根據(jù)本發(fā)明的第二十九示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝 的剖視圖。
圖40的半導(dǎo)體封裝在結(jié)構(gòu)上類似于圖38中所示的結(jié)構(gòu)，但是與 其不同之處僅在于，金屬膜7形成在布線圖形6的兩個(gè)表面上。由于 膜7形成在布線圖形的兩側(cè)上，布線的強(qiáng)度被進(jìn)一步增加。
(第三十示例性實(shí)施例)
圖41示出了根據(jù)本發(fā)明的第三十示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝的 剖視圖。
圖41的半導(dǎo)體封裝在結(jié)構(gòu)上類似于圖40中所示的結(jié)構(gòu)，但是與 其不同之處僅在于，內(nèi)插器基板3僅在通過(guò)基板2和基板18配置的矩 形的四邊的一邊端部彎曲(參見圖4和圖5)。
(第三十一示例性實(shí)施例)
圖42示出了根據(jù)本發(fā)明的第三十一示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝 的剖視圖。
圖42的半導(dǎo)體封裝在結(jié)構(gòu)上類似于圖18中所示的結(jié)構(gòu)，但是與
其不同之處僅在于，諸如電容器、電阻器或電感器的無(wú)源元件14安裝 在基板2和基板8以及內(nèi)插器基板3之間。由于無(wú)源元件14的安裝所 帶來(lái)的優(yōu)點(diǎn)類似于第二十七示例性實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)(見圖38)。
(第三十二示例性實(shí)施例)
圖43示出了根據(jù)本發(fā)明的第三十二示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝 的剖視圖。
圖43的半導(dǎo)體封裝在結(jié)構(gòu)上類似于圖42中所示的結(jié)構(gòu)，但是與 其不同之處僅在于，金屬膜7形成在布線圖形6的兩個(gè)表面上。由于 具有較高拉伸強(qiáng)度的膜7形成在布線圖形的兩側(cè)上，因此布線的強(qiáng)度 被進(jìn)一步增加。
(第三十三示例性實(shí)施例)
圖44示出了根據(jù)本發(fā)明的第三十三示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝 的剖視圖。
圖44的半導(dǎo)體封裝在結(jié)構(gòu)上類似于圖38中所示的結(jié)構(gòu)，但是與 其不同之處僅在于，示例性實(shí)施例33使用下述導(dǎo)體9'，在所述導(dǎo)體9' 中形成有具有半導(dǎo)體器件1和無(wú)源元件能夠安裝于其中的深度的幾個(gè)
空腔。由于這種結(jié)構(gòu)，不會(huì)發(fā)生由于無(wú)源元件14的厚度導(dǎo)致封裝變得 更厚的缺點(diǎn)。
(第三十四示例性實(shí)施例)
圖45示出了根據(jù)本發(fā)明的第三十四示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝 的剖視圖。
圖45的半導(dǎo)體封裝在結(jié)構(gòu)上類似于圖44中所示的結(jié)構(gòu)，但是與 其不同之處僅在于，內(nèi)插器基板3僅在基板9'的四邊的一邊端部彎曲。
(第三十五示例性實(shí)施例) 圖46示出了根據(jù)本發(fā)明的第三十五示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝 的剖視圖。
圖46的半導(dǎo)體封裝在結(jié)構(gòu)上類似于圖44中所示的結(jié)構(gòu)，但是與 其不同之處僅在于，金屬膜7形成在布線圖形6的兩個(gè)表面上。由于 膜7形成在布線圖形的兩側(cè)上，布線的強(qiáng)度被進(jìn)一步增加。
(第三十六示例性實(shí)施例)
圖47示出了根據(jù)本發(fā)明的第三十六示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝 的剖視圖。
圖47的半導(dǎo)體封裝在結(jié)構(gòu)上類似于圖46中所示的結(jié)構(gòu)，但是與其 不同之處僅在于，內(nèi)插器基板3僅在基板9'的四邊之一的端部彎曲。
(第三十七示例性實(shí)施例)
圖48示出了本發(fā)明的第三十七示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝的剖視圖。
圖48的半導(dǎo)體封裝在結(jié)構(gòu)上類似于圖42中所示的結(jié)構(gòu)，但是與其 不同之處僅在于，使用其中形成空腔的基板9"，該空腔具有只有半導(dǎo)體 器件l能夠被安裝在其中的深度(在半導(dǎo)體器件l被安裝的位置形成通 孔)。
(第三十八示例性實(shí)施例)
圖49示出了根據(jù)本發(fā)明的第三十八示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝的 剖視圖。
圖49的半導(dǎo)體封裝在結(jié)構(gòu)上類似于圖48中所示的結(jié)構(gòu)，但是與其
不同之處僅在于，金屬膜7形成在布線圖形6的兩個(gè)表面上。由于膜7形 成在布線圖形的兩側(cè)上，布線的強(qiáng)度被進(jìn)一步增加。
(第三十九示例性實(shí)施例)
圖50示出了根據(jù)本發(fā)明的第三十九示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝的
剖視圖。
圖50的半導(dǎo)體封裝在結(jié)構(gòu)上類似于圖44中所示的結(jié)構(gòu)，但是與 其不同之處僅在于，盡管金屬膜7被形成作為增加布線圖形6的布線 強(qiáng)度的裝置，但是，金屬突起12或用導(dǎo)體填充的過(guò)孔13替代金屬膜7 地形成在布線圖形6上。
(第四十示例性實(shí)施例)
圖51示出了根據(jù)本發(fā)明的第四十示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝的 剖視圖。
圖51的半導(dǎo)體封裝在結(jié)構(gòu)上類似于圖50中所示的結(jié)構(gòu)，但是與 其不同之處僅在于，內(nèi)插器基板3僅在基板9'的四邊的一邊端部彎曲。
(第四十一示例性實(shí)施例)
圖52示出了根據(jù)本發(fā)明的第四十一示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝 的剖視圖。
圖52的半導(dǎo)體封裝在結(jié)構(gòu)上類似于圖50所示的結(jié)構(gòu)，但是與其 不同之處僅在于，金屬膜7形成在金屬突起12 (或用導(dǎo)體填充的過(guò)孔 13)和布線圖形6之間；與第三十九示例性實(shí)施例相比較，被置于間 隙8附近的布線圖形的強(qiáng)度被增加。
(第四十二示例性實(shí)施例)
圖53示出了根據(jù)本發(fā)明的第四十二示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝
的剖視圖。
圖53的半導(dǎo)體封裝在結(jié)構(gòu)上類似于圖52中所示的結(jié)構(gòu)，但是與
其不同之處僅在于，內(nèi)插器基板3僅在基板9'的四邊的一邊端部彎曲。
(第四十三示例性實(shí)施例)
圖54是示出了根據(jù)本發(fā)明的第四十三示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封 裝的剖視圖。
圖54的半導(dǎo)體封裝在結(jié)構(gòu)上類似于圖48中所示的結(jié)構(gòu)，但是與 其不同之處僅在于，采用代替形成金屬膜7的裝置，金屬突起12或用 導(dǎo)體填充的過(guò)孔13被形成在置于間隙8附近的布線圖形上。
(第四十四示例性實(shí)施例)
圖55示出了根據(jù)本發(fā)明的第四十四示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝 的剖視圖。
圖55的半導(dǎo)體封裝在結(jié)構(gòu)上類似于圖54中所示的結(jié)構(gòu)，但是與 其不同之處僅在于，金屬膜7在金屬突起12(或用導(dǎo)體填充的過(guò)孔13) 和布線圖形6之間形成；與第43示例性實(shí)施例相比較，置于間隙8附 近的布線圖形的強(qiáng)度被增加。
(第四十五示例性實(shí)施例)
圖56示出了根據(jù)本發(fā)明的第四十五示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝 的剖視圖。
圖56所示的半導(dǎo)體封裝是其中圖2和圖3所示的兩個(gè)半導(dǎo)體封裝 (各個(gè)封裝包括不同類型的半導(dǎo)體器件l)被以三維方式彼此層壓的半 導(dǎo)體封裝。
示例性實(shí)施例1的半導(dǎo)體封裝包括在該封裝的兩個(gè)表面上的外部 電極，因此可以被如上地層壓。盡管圖56示出了其中兩個(gè)封裝被層壓 的實(shí)例，但是封裝的數(shù)目不限于兩個(gè)，而是自然地存在其中兩個(gè)或更
多封裝被層壓的實(shí)例。同樣地，圖56示出了三維封裝，其中不同類型 的半導(dǎo)體器件1互相結(jié)合；然而，自然地存在其中相同類型的半導(dǎo)體 器件互相結(jié)合的實(shí)例。
(第四十六示例性實(shí)施例)
圖57示出了根據(jù)本發(fā)明的第四十六示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝 的剖視圖。
圖57的半導(dǎo)體封裝是層壓型半導(dǎo)體封裝，其中圖2和圖3所示的半 導(dǎo)體封裝以及圖ll所示的半導(dǎo)體封裝被以三維方式互相層壓。
在這點(diǎn)上，盡管圖57示出了其中兩個(gè)封裝被層壓的實(shí)例，但是封 裝的數(shù)目不限于兩個(gè)，而是自然存在其中兩個(gè)或更多封裝被層壓的實(shí) 例。
(第四十七示例性實(shí)施例)
圖58示出了根據(jù)本發(fā)明的第四十七示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝的 剖視圖。
圖58的半導(dǎo)體封裝是其中圖34中所示、圖50中所示以及圖10中所 示的半導(dǎo)體封裝被以三維方式互相層壓的封裝。
在圖58中，第二十三、二十七以及第三十九示例性實(shí)施例的封裝 是選自上面描述的并以三維方式被層壓的。順便提及，自然存在與從 第一至第四十四示例性實(shí)施例中適當(dāng)?shù)剡x擇的多個(gè)示例性實(shí)施例相關(guān) 的配置并且被以三維方式自由地層壓的實(shí)例。
(第四十八示例性實(shí)施例) 圖59示出了根據(jù)本發(fā)明的第四十八示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝的 剖視圖。
圖59的半導(dǎo)體封裝是三維封裝，其中具有不同于本發(fā)明的配置的
封裝16 (例如，相關(guān)領(lǐng)域的已知封裝)被層壓在圖2和圖3所示的半
導(dǎo)體封裝上。以該方式，根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝可以與例如相關(guān)領(lǐng)
域的已知封裝16結(jié)合使用。
在這點(diǎn)上，盡管圖59示出了包括圖2和圖3的半導(dǎo)體封裝與封裝 16的結(jié)合的配置，但是本發(fā)明不被該配置約束。代替第一示例性實(shí)施 例，可以使用選自第二至第四十四示例性實(shí)施例中的一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo) 體封裝。而且，這也應(yīng)用于下面的示例性實(shí)施例。
(第四十九示例性實(shí)施例)
圖60示出了根據(jù)本發(fā)明的第四十九示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝 的剖視圖。
圖60的半導(dǎo)體封裝的結(jié)構(gòu)幾乎等于圖59中所示的半導(dǎo)體封裝。本 封裝通過(guò)在圖30中所示的半導(dǎo)體封裝上層壓已知的傳統(tǒng)封裝來(lái)實(shí)現(xiàn)。 具體地，該結(jié)構(gòu)與本發(fā)明的結(jié)構(gòu)的不同僅之處在于，基板2、基板9和 基板18被移走，并且有實(shí)現(xiàn)扇入結(jié)構(gòu)的被層壓的封裝。該結(jié)構(gòu)具有第 四十九示例性實(shí)施例可以比第四十八示例性實(shí)施例更薄的特點(diǎn)。
(第五十示例性實(shí)施例)
圖61示出了根據(jù)本發(fā)明的第五十示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝的剖 視圖。
圖61的半導(dǎo)體封裝的結(jié)構(gòu)幾乎等于圖59所示的半導(dǎo)體封裝。該半 導(dǎo)體封裝是三維封裝，其中具有不同于本發(fā)明的配置的封裝16被層壓
在圖38中所示的包括內(nèi)置的無(wú)源元件(電容器、電阻器或通孔)14的 半導(dǎo)體封裝上(第二十七示例性實(shí)施例)。
(第五十一示例性實(shí)施例)
圖62示出了根據(jù)本發(fā)明的第五十一示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝的
剖視圖。
圖62的半導(dǎo)體封裝在結(jié)構(gòu)上類似于圖59和圖60中所示的半導(dǎo)體封 裝的結(jié)構(gòu)，但是與其不同之處僅在于，具有不同于本發(fā)明的配置的兩 種封裝16被安裝在本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝(圖60中的圖14的半導(dǎo)體封裝)上。
在具有不同于本發(fā)明的配置的兩種封裝16被安裝在本發(fā)明的半導(dǎo) 體封裝上的情況下，如圖62所示，因?yàn)閷?duì)于本發(fā)明的內(nèi)插器基板3，布 線設(shè)計(jì)限制被減輕，所以如圖62所示，每種封裝16被安裝在從基板9的 矩形的四邊，在每個(gè)相互不同的側(cè)邊端部彎曲的內(nèi)插器基板3上是相當(dāng) 適宜的。
上述示例性實(shí)施例是其中內(nèi)插器基板3經(jīng)由導(dǎo)體凸塊5被倒裝芯片 連接到半導(dǎo)體器件l的實(shí)例。但是，不言而喻，有通過(guò)利用其他方法諸 如采用Au線的引線鍵合將半導(dǎo)體器件l連接到內(nèi)插器基板3的實(shí)例。而 且，本發(fā)明不被以上配置約束，除非其范圍被超出。
實(shí)例
接下來(lái)，參考附圖，將基于本發(fā)明的示例性實(shí)施例實(shí)例進(jìn)一步詳 細(xì)描述本發(fā)明；但是，本發(fā)明不被以下實(shí)例約束，除非其范圍被超出。
(實(shí)例l)
參考圖3，將描述本發(fā)明的實(shí)例l。
邏輯LSI的一個(gè)芯片被作為半導(dǎo)體器件1采用。邏輯LSI具有
7mmx7mm的外部尺寸和300個(gè)用于輸入/輸出端子的管腳。該LSI被拋光 至100/mi的厚度，并且為L(zhǎng)SI芯片的輸入/輸出端子形成Au柱形凸塊。
在內(nèi)插器基板3中，12Mm厚度的Cu箔圖形6被形成在25]uin厚 度的聚酰亞胺的兩個(gè)表面上，并且所述圖形通過(guò)使用過(guò)孔ll互連。該 過(guò)孔11可以通過(guò)使用激光加工、濺射、電解Cu電鍍等來(lái)配置。熱塑 性聚酰亞胺10被粘貼到每個(gè)Cu箔圖形6上。
制造內(nèi)插器基板3的方法具體可以如下。g卩，使用消減法(或半 疊加法)，Cu箔圖形6被首先形成在基本材料(對(duì)應(yīng)于如上所述的"聚 酰亞胺"層)的兩個(gè)表面上。接下來(lái)，僅在焊料凸塊4被安裝在其上的 表面(用于外側(cè)的表面)上，通過(guò)真空壓制方法粘貼25/mi厚度的熱塑 性聚酰亞胺片。此后，在熱塑性聚酰亞胺中，通過(guò)使用一氧化碳?xì)怏w 激光器形成焊料凸塊4被安裝在其中的孔。
接下來(lái)，在使用高錳酸鉀的溶液進(jìn)行去污工藝之后，Ni(2/mi)/Au (0.5/mi)膜被形成在基本材料的兩個(gè)表面中Cu被露出的位置處的整 個(gè)表面上(在圖3中未示出電極焊盤17上形成的Ni/Au鍍層的圖像)。 最后，對(duì)于內(nèi)插器基板3，使用真空壓制方法將25/mi厚度的熱塑性聚 酰亞胺片粘貼到將被連接到邏輯LSI的表面上。
對(duì)于基板18，采用具有13mmxl3mm的外部尺寸的100/rni厚度的 Cu片，其中具有7.1mmX7.1mm的內(nèi)直徑的通孔被形成在中間部分。 通過(guò)普通刻蝕工藝生產(chǎn)其中形成通孔的Cu板。
接下來(lái)，將描述裝配半導(dǎo)體封裝的方法。首先，通過(guò)使用超聲波 倒裝芯片貼片機(jī)，邏輯LSI芯片被裝在內(nèi)插器基板3上。更具體地， 在通過(guò)真空吸附使內(nèi)插器基板3被固定在被加熱到150°C至180°C范 圍的倒裝芯片貼片機(jī)上的狀態(tài)中，使用照相機(jī)進(jìn)行定位工藝，然后該
邏輯LSI芯片被安裝。用這種方式，通過(guò)加熱內(nèi)插器基板，熱塑性聚 酰亞胺軟化。因此，不用通過(guò)激光器等，在熱塑性聚酰亞胺中預(yù)先布
置孔，該邏輯LSI芯片上形成的Au柱形凸塊穿過(guò)熱塑性聚酰亞胺，從 而Au-Au金屬連接被建立在布線圖形6上的凸塊和Ni/Au電鍍膜(用 于該連接的Au膜)之間。在該工藝中，該Au-Au連接和密封是在Au 凸塊的周圍通過(guò)熱塑性聚酰亞胺同時(shí)并完全地進(jìn)行的。
接下來(lái)，其中預(yù)先安排通孔的基板18被固定到內(nèi)插器基板3上， 從而該邏輯LSI芯片被置于通孔的區(qū)域中。在這一點(diǎn)，使用如上所述 的倒裝芯片安裝來(lái)執(zhí)行該工藝。
當(dāng)基板18被以這種方式安裝在內(nèi)插器基板3上時(shí)，內(nèi)插器基板3 被然后在基板18的兩個(gè)相對(duì)側(cè)面的端部處彎曲，并且彎曲部分被推靠 在將被固定在其上的基板表面。準(zhǔn)確地，彎曲部分被使用專用的彎曲 器件(夾具)來(lái)處理；并且該彎曲通過(guò)加熱內(nèi)插器基板3至預(yù)定溫度 (例如，在150。C至200。C的范圍)來(lái)完成。
接著，基板3等被完全冷卻，電極焊盤17被用焊劑涂敷，并且具 有0.3mm直徑的Sn、 Ag和Cu的焊料4被安裝在其上。作為焊料，可 以采用諸如SnPb和SnZn的焊料的任何組分的焊料。在該焊料被安裝 之后，該工件被置于在回流爐中，以在半導(dǎo)體封裝上形成焊料凸塊4; 此后，通過(guò)有機(jī)溶劑清洗該焊劑，獲得如圖3所示的半導(dǎo)體封裝。
對(duì)于這樣獲得的半導(dǎo)體封裝，進(jìn)行-65。C(10min)至150。C(10min) 的溫度循環(huán)測(cè)試。作為參考，對(duì)于圖1中所示的傳統(tǒng)半導(dǎo)體封裝類似 地進(jìn)行測(cè)試。
作為測(cè)試結(jié)果，對(duì)于傳統(tǒng)半導(dǎo)體封裝，在100次循環(huán)至200次循 環(huán)時(shí)，在內(nèi)插器基板3中發(fā)生線路斷開的故障。與此相反，對(duì)于本發(fā) 明的半導(dǎo)體封裝，證實(shí)在內(nèi)插器基板3高達(dá)IOOO次循環(huán)中不發(fā)生線路
斷開的故障；獲得了高度可靠的半導(dǎo)體封裝。 (實(shí)例2)
參考圖12，將描述本發(fā)明的實(shí)例2。對(duì)于半導(dǎo)體器件1，采用與 實(shí)例1的邏輯LSI相同的邏輯LSI。同樣地對(duì)于插入基板，采用其中形 成與實(shí)例1的通孔相同的通孔的Cu板18。
實(shí)例2 (圖12)在結(jié)構(gòu)上與實(shí)例l (圖3)的不同之處在于，金屬膜 7被形成在布線圖形6的兩個(gè)表面的整個(gè)部分上。
在生產(chǎn)內(nèi)插器基板3的方法中，Cu (12nmi) /Ni (2/mi) /聚酰亞胺 (25pm)的三層材料被用作基本材料，以在連接到半導(dǎo)體器件l的側(cè)面 上形成布線圖形。通過(guò)一氧化碳?xì)怏w激光器，過(guò)孔被形成在預(yù)定位置； 在去污工序之后，通過(guò)濺射和電解電鍍，Cu膜被形成在包括過(guò)孔的內(nèi) 部的位置上，以獲得Cu(12/mi)/Ni(2/mi)/聚酰亞胺(25/mi)/Cu(12/mi) 的四層材料，然后在Cu箔的兩個(gè)表面上進(jìn)行圖形化。在此之后，進(jìn)行 與用于實(shí)例l的工藝相同的工藝，以完成內(nèi)插器基板3。
通過(guò)使用上述內(nèi)插器基板3，生產(chǎn)如圖12中所示的半導(dǎo)體封裝；封 裝裝配方法與實(shí)例l的裝配方法類似。
在如上生產(chǎn)的是實(shí)例2的半導(dǎo)體封裝中，與實(shí)例l相比較，內(nèi)插器 基板3的布線強(qiáng)度被進(jìn)一步增加，并且實(shí)現(xiàn)了具有更高可靠性的半導(dǎo)體 封裝。
(實(shí)例3)
參考圖23，將描述本發(fā)明的實(shí)例3。對(duì)于半導(dǎo)體器件l，采用與實(shí) 例1的邏輯LSI相同的邏輯LSI。同樣地對(duì)于插入基板，采用其中安排了 與實(shí)例l的通孔相同的通孔的Cu板18。
在生產(chǎn)內(nèi)插器基板3的方法中，采用35/mi厚度的Cu箔作為Cu布線 圖形的材料。該Cu箔被半蝕刻直到其厚度變?yōu)?2/m！,從而剩下用于金 屬突起的區(qū)域(100]tim長(zhǎng)的直徑)。結(jié)果，獲得Cu(12/mi)/Cu突起(突 起高度23/mi)的基本材料。
對(duì)于形成Cu突起12的地方，突起被形成在與間隙8對(duì)應(yīng)的所有區(qū)域 中(其間范圍為20/mi至30/im)的Cu布線圖形6上，如圖22至圖24所示。 具體地，Cu突起12被形成從而突起12的中心匹配間隙8的中心。在該配 置中，Cu突起12的直徑是如上所述的(j)100m的直徑，并且間隙8之間的 間隔范圍為20/mi至30/mi;因此在該配置中Cu突起12覆蓋間隙8。
使用澆鑄方法，其中形成Cu突起12的基本材料用25/m!厚的熱塑性 聚酰亞胺涂敷。接下來(lái)，通過(guò)熱壓制，12/mi厚度的Cu箔被固定到該基 本材料上。結(jié)果，生產(chǎn)帶有在兩個(gè)表面上的Cu箔的材料，其中具有 100/mi的直徑，23/mi高的Cu突出被形成在一個(gè)導(dǎo)電基本材料側(cè)面上。
接下來(lái)，通過(guò)一氧化碳?xì)怏w激光器，孔被安排在預(yù)定位置(間隙 8的位置)的聚酰亞胺中；在進(jìn)行去污工序之后，通過(guò)濺射和電解電鍍， 形成用Cu填充的過(guò)孔13，以在兩個(gè)層之間建立連接；在圖形被形成在 Cu箔的兩個(gè)表面上之后，進(jìn)行與例1的工藝相同的工藝，以完成內(nèi)插 器基板3。
通過(guò)使用上述內(nèi)插器基板3，生產(chǎn)如圖23中所示的半導(dǎo)體封裝； 該封裝裝配方法與例1的裝配方法類似。
在如上制造的實(shí)例3的半導(dǎo)體封裝中，與實(shí)例1中一樣，內(nèi)插器 基板3的布線強(qiáng)度被增加，實(shí)現(xiàn)了具有高可靠性的半導(dǎo)體封裝。
(實(shí)例4)
參考圖27，將描述本發(fā)明的實(shí)例4。圖27的半導(dǎo)體封裝在結(jié)構(gòu)類
似于圖23中所示的結(jié)構(gòu)，但是與其不同之處僅在于，金屬膜7形成在
金屬突起12和布線圖形6之間。對(duì)于半導(dǎo)體器件l，采用與實(shí)例1的 邏輯LSI相同的邏輯LSI;同樣地對(duì)于基板，采用其中形成與實(shí)例1的 通孔相同的通孔的Cu板18。
在生產(chǎn)內(nèi)插器基板3的方法中，使用Cu (12/mi) /Ni (2/mi) /Cu (25nmi)的三層材料作為形成布線圖形的基本材料。該材料被蝕刻， 從而在25pm厚度的側(cè)面上形成金屬突起12的位置處剩下Cu，然后， 其上形成金屬突起12的側(cè)面上的基本材料被通過(guò)使用澆鑄方法，用熱 塑性聚酰亞胺涂敷；此后，通過(guò)與實(shí)例3的工藝類似的工序生產(chǎn)內(nèi)插 器基板3。
通過(guò)使用如上所述的內(nèi)插器基板3，生產(chǎn)如圖27所示的半導(dǎo)體封 裝；該封裝裝配方法與實(shí)例1的裝配方法類似。在如上生產(chǎn)的實(shí)例4 的半導(dǎo)體封裝中，與實(shí)例1和實(shí)例3相比較，內(nèi)插器基板3的布線強(qiáng) 度被增加，實(shí)現(xiàn)了具有較高可靠性的半導(dǎo)體封裝。
(實(shí)例5)
參考圖38，將描述本發(fā)明的實(shí)例5。圖38的半導(dǎo)體封裝具有無(wú)源 元件14被添加到圖3中所示的半導(dǎo)體封裝的特點(diǎn)。
對(duì)于半導(dǎo)體器件1，采用具有2GHz的工作頻率的15(^m厚度的 CPU (中央處理單元)。對(duì)于插入基板18，采用由130/im厚度的氧化 鋁片制成的構(gòu)件，并且其中通過(guò)加工，在中間部分中安排通孔(包括 其中可以安裝CPU的區(qū)域的孔)。
在氧化鋁基板18的表面上，使用絲網(wǎng)印刷法，印刷無(wú)源元件14(電 容器、電阻器和電感器)的材料，然后燒結(jié)，以形成元件(具有20/mi 的厚度)。通過(guò)對(duì)導(dǎo)體部分使用Ag糊劑，對(duì)電介質(zhì)層使用電介質(zhì)玻璃 糊劑，生產(chǎn)電容器。使用Ru02糊劑生產(chǎn)電阻器。通過(guò)使用Ag糊劑生產(chǎn)
電感器。作為導(dǎo)體糊劑，除Ag糊劑之外，可以釆用Au、 Cu、 Ag-Pt、 Ag-Pd的糊劑。在無(wú)源元件14被形成在氧化鋁板上之后，對(duì)于每個(gè)元件 的端部，通過(guò)無(wú)電電鍍進(jìn)行Ni/Au，以從而形成Au柱形凸塊。
使用如上獲得的氧化鋁基板18，其中形成無(wú)源元件14，實(shí)例l中描 述的內(nèi)插器基板3經(jīng)由Au柱形凸塊5被連接到如在半導(dǎo)體器件l中的(邏 輯LSI)無(wú)源元件14;之后，使用與上述實(shí)例的裝配方法類似的裝配方 法生產(chǎn)包括內(nèi)置的無(wú)源元件14的內(nèi)插器基板。
在這樣生產(chǎn)的實(shí)例5的封裝中，與實(shí)例1一樣，布線強(qiáng)度被增加， 不僅實(shí)現(xiàn)高度可靠的封裝，而且可以在該封裝中安裝無(wú)源元件，該無(wú) 源元件被固有地安裝在CPU封裝的周圍，因此實(shí)現(xiàn)允許高密度安裝的半 導(dǎo)體封裝。
(實(shí)例6)
參考圖56，將描述本發(fā)明的實(shí)例6。實(shí)例6是三維安裝封裝的實(shí)例， 其中本發(fā)明的兩個(gè)半導(dǎo)體封裝(在圖56中，具有實(shí)例l的結(jié)構(gòu)的封裝) 被彼此層壓。
對(duì)于圖56中所示的上部的半導(dǎo)體器件l，采用具有10mmx8mm的外 部尺寸的存儲(chǔ)器(DRAM);對(duì)于在下部的半導(dǎo)體器件l，采用 7mmx7mmDSP (數(shù)字信號(hào)處理器)。
分別裝配在上部和下部的半導(dǎo)體封裝的方法與實(shí)例l的方法相同。 對(duì)于將半導(dǎo)體封裝層壓在彼此之上的方法，在上部半導(dǎo)體封裝被通過(guò) 真空吸附芯片后側(cè)面向下地固定在倒裝芯片貼片機(jī)的臺(tái)上之后，上部 半導(dǎo)體封裝的焊料凸塊4被用焊劑涂敷。接下來(lái)，在通過(guò)倒裝芯片貼片 機(jī)的照相機(jī)將下級(jí)半導(dǎo)體封裝的后側(cè)面上的電極焊盤17的中心對(duì)準(zhǔn)上 部半導(dǎo)體封裝的焊料凸塊4的中心之后，通過(guò)倒裝芯片貼片機(jī)的焊劑臨 時(shí)地將兩個(gè)封裝固定在彼此之上，而不加熱焊劑。其后，這樣臨時(shí)附
接在彼此之上的兩個(gè)半導(dǎo)體封裝被置于回流爐中，以熔化焊料，從而 將兩個(gè)半導(dǎo)體封裝彼此連接。
如上，生產(chǎn)系統(tǒng)封裝(SiP)，其中DRAM和DSP被層壓在彼此之 上。在這種SiP中，由于每個(gè)半導(dǎo)體封裝的布線強(qiáng)度增加，在三維安裝 封裝的配置中也可以實(shí)現(xiàn)高度可靠的封裝。通過(guò)在電子設(shè)備例如蜂窩 電話或數(shù)字照相機(jī)中安裝這種SiP，可以縮小電子設(shè)備尺寸。
另外，當(dāng)三維安裝封裝被安裝在諸如個(gè)人電腦、服務(wù)器和工作站 的電子設(shè)備中安裝的存儲(chǔ)模塊中時(shí)，其中使用本實(shí)例中采用的DRAM 的兩個(gè)半導(dǎo)體封裝被層壓以使儲(chǔ)存容量加倍，可以增加這些電子設(shè)備 的儲(chǔ)存容量并增強(qiáng)其性能。
(實(shí)例7)
參考圖59，將描述本發(fā)明的實(shí)例7。
通過(guò)將市場(chǎng)上可用的常規(guī)DRAM封裝層壓到使用實(shí)例6描述的 DSP的半導(dǎo)體器件1上實(shí)現(xiàn)來(lái)實(shí)例7(使用諸如引線鍵合或TAB連接的方 法，DRAM被連接到內(nèi)插器基板，然后通過(guò)模制樹脂密封整個(gè)產(chǎn)品)。 層壓兩個(gè)半導(dǎo)體封裝的方法與實(shí)例6描述的方法類似。
根據(jù)實(shí)例7的半導(dǎo)體封裝，通過(guò)釆用具有幾乎等于通過(guò)模制樹脂密 封的傳統(tǒng)封裝的線性膨脹系數(shù)(約15ppm)的線性膨脹系數(shù)的Cu (17ppm)的插入基板，可以獲得具有在兩個(gè)封裝之間建立連接的半導(dǎo) 體凸塊4的高度可靠的連接位置的三維安裝封裝。
如上，已經(jīng)用各種方法描述了本發(fā)明的實(shí)例；然而，本發(fā)明不被 所述實(shí)例約束，但是毋庸置疑，在不脫離本發(fā)明的精神的條件下，可 以用各種方式改進(jìn)所述實(shí)例。


圖1示出了傳統(tǒng)半導(dǎo)體封裝的的結(jié)構(gòu)的剖視圖。
圖2示出了本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例中的半導(dǎo)體封裝的剖視圖。
圖3示出了本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例中的半導(dǎo)體封裝的剖視圖。
圖4是半導(dǎo)體封裝的俯視圖(內(nèi)插器基板未被示出)。 圖5是半導(dǎo)體封裝的俯視圖(內(nèi)插器基板未被示出)。 圖6是說(shuō)明與間隙對(duì)應(yīng)的區(qū)域的剖視圖。
圖7示出了本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例中的半導(dǎo)體封裝的剖視圖。
圖8是半導(dǎo)體封裝的俯視圖(內(nèi)插器基板未被示出)。 圖9是半導(dǎo)體封裝的俯視圖(內(nèi)插器基板未被示出)。 圖10示出了本發(fā)明的第三示例性實(shí)施例中的半導(dǎo)體封裝的剖視圖。
圖11示出了本發(fā)明的第四示例性實(shí)施例中的半導(dǎo)體封裝的剖視圖。
圖12示出了本發(fā)明的第五示例性實(shí)施例中的半導(dǎo)體封裝的剖視圖。
圖13示出了本發(fā)明的第六示例性實(shí)施例中的半導(dǎo)體封裝的剖視圖。
圖14示出了本發(fā)明的第七示例性實(shí)施例中的半導(dǎo)體封裝的剖視圖。
圖15示出了本發(fā)明的第八示例性實(shí)施例中的半導(dǎo)體封裝的剖視圖。
圖16示出了本發(fā)明的第九示例性實(shí)施例中的半導(dǎo)體封裝的剖視圖。
圖17示出了本發(fā)明的第十示例性實(shí)施例中的半導(dǎo)體封裝的剖視圖。
圖18示出了本發(fā)明的第十一示例性實(shí)施例中的半導(dǎo)體封裝的剖視
圖。
圖19示出了本發(fā)明的第十二示例性實(shí)施例中的半導(dǎo)體封裝的剖視圖。
圖20示出了本發(fā)明的第十三示例性實(shí)施例中的半導(dǎo)體封裝的剖視圖。
圖21示出了本發(fā)明的第十四示例性實(shí)施例中的半導(dǎo)體封裝的剖視圖。
圖22示出了本發(fā)明的第十五示例性實(shí)施例中的半導(dǎo)體封裝的剖視圖。
圖23示出了本發(fā)明的第十五示例性實(shí)施例中的半導(dǎo)體封裝的剖視圖。
圖24示出了本發(fā)明的第十五示例性實(shí)施例中的半導(dǎo)體封裝的剖視圖。
圖25示出了本發(fā)明的第十六示例性實(shí)施例中的半導(dǎo)體封裝的剖視圖。
圖26示出了本發(fā)明的第十七示例性實(shí)施例中的半導(dǎo)體封裝的剖視圖。
圖27示出了本發(fā)明的第十七示例性實(shí)施例中的半導(dǎo)體封裝的剖視圖。
圖28示出了本發(fā)明的第十七示例性實(shí)施例中的半導(dǎo)體封裝的剖視圖。
圖29示出了本發(fā)明的第十八示例性實(shí)施例中的半導(dǎo)體封裝的剖視圖。
圖30示出了本發(fā)明的第十九示例性實(shí)施例中的半導(dǎo)體封裝的剖視圖。
圖31示出了本發(fā)明的第二十示例性實(shí)施例中的半導(dǎo)體封裝的剖視圖。
圖32示出了本發(fā)明的第二十一示例性實(shí)施例中的半導(dǎo)體封裝的剖 視圖。
圖33示出了本發(fā)明的第二十二示例性實(shí)施例中的半導(dǎo)體封裝的剖
視圖。
圖34示出了本發(fā)明的第二十三示例性實(shí)施例中的半導(dǎo)體封裝的剖 視圖。
圖35示出了本發(fā)明的第二十四示例性實(shí)施例中的半導(dǎo)體封裝的剖 視圖。
圖36示出了本發(fā)明的第二十五示例性實(shí)施例中的半導(dǎo)體封裝的剖視圖。
圖37示出了本發(fā)明的第二十六示例性實(shí)施例中的半導(dǎo)體封裝的剖 視圖。
圖38示出了本發(fā)明的第二十七示例性實(shí)施例中的半導(dǎo)體封裝的剖 視圖。
圖39示出了本發(fā)明的第二十八示例性實(shí)施例中的半導(dǎo)體封裝的剖 視圖。
圖40示出了本發(fā)明的第二十九示例性實(shí)施例中的半導(dǎo)體封裝的剖 視圖。
圖41示出了本發(fā)明的第三十示例性實(shí)施例中的半導(dǎo)體封裝的剖視圖。
圖42示出了本發(fā)明的第三十一示例性實(shí)施例中的半導(dǎo)體封裝的剖 視圖。
圖43示出了本發(fā)明的第三十二示例性實(shí)施例中的半導(dǎo)體封裝的剖視圖。
圖44示出了本發(fā)明的第三十三示例性實(shí)施例中的半導(dǎo)體封裝的剖 視圖。
圖45示出了本發(fā)明的第三十四示例性實(shí)施例中的半導(dǎo)體封裝的剖 視圖。
圖46示出了本發(fā)明的第三十五示例性實(shí)施例中的半導(dǎo)體封裝的剖 視圖。
圖47示出了本發(fā)明的第三十六示例性實(shí)施例中的半導(dǎo)體封裝的剖 視圖。
圖48示出了本發(fā)明的第三十七示例性實(shí)施例中的半導(dǎo)體封裝的剖
視圖。
圖49示出了本發(fā)明的第三十八示例性實(shí)施例中的半導(dǎo)體封裝的剖 視圖。
圖50示出了本發(fā)明的第三十九示例性實(shí)施例中的半導(dǎo)體封裝的剖 視圖。
圖51示出了本發(fā)明的第四十示例性實(shí)施例中的半導(dǎo)體封裝的剖視圖。
圖52示出了本發(fā)明的第四十一示例性實(shí)施例中的半導(dǎo)體封裝的剖視圖。
圖53示出了本發(fā)明的第四十二示例性實(shí)施例中的半導(dǎo)體封裝的剖 視圖。
圖54示出了本發(fā)明的第四十三示例性實(shí)施例中的半導(dǎo)體封裝的剖 視圖。
圖55示出了本發(fā)明的第四十四示例性實(shí)施例中的半導(dǎo)體封裝的剖 視圖。
圖56示出了本發(fā)明的第四十五示例性實(shí)施例中的半導(dǎo)體封裝的剖 視圖。
圖57示出了本發(fā)明的第四十六示例性實(shí)施例中的半導(dǎo)體封裝的剖 視圖。
圖58示出了本發(fā)明的第四十七示例性實(shí)施例中的半導(dǎo)體封裝的剖 視圖。
圖59示出了本發(fā)明的第四十八示例性實(shí)施例中的半導(dǎo)體封裝的剖 視圖。
圖60示出了本發(fā)明的第四十九示例性實(shí)施例中的半導(dǎo)體封裝的剖 視圖。
圖61示出了本發(fā)明的第五十示例性實(shí)施例中的半導(dǎo)體封裝的剖視圖。
圖62示出了本發(fā)明的第五十一示例性實(shí)施例中的半導(dǎo)體封裝的剖 視圖。
參考數(shù)字的描述 1半導(dǎo)體器件
2， 9， 18 插入基板
3內(nèi)插器基板
4焊料凸塊5導(dǎo)體凸塊
6布線圖形
7金屬膜
8 間隙
10熱塑性樹脂 11， 13 過(guò)孔
12 金屬突起
權(quán)利要求
1. 一種電子器件封裝，包括在其中包括布線圖形的柔性內(nèi)插器基板；安排在所述內(nèi)插器基板上的至少一個(gè)電子器件；以及類似地安排在所述內(nèi)插器基板上的插入基板，其中加強(qiáng)構(gòu)件被布置在與電子器件和插入基板之間的間隙對(duì)應(yīng)的內(nèi)插器基板的區(qū)域中以增加布線圖形的斷裂強(qiáng)度。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的電子器件封裝，其中金屬膜被布置在所 述布線圖形上作為加強(qiáng)構(gòu)件。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子器件封裝，其中所述金屬膜被布置 在所述布線圖形的兩個(gè)表面上。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的電子器件封裝，其中所述金屬膜的材 料的拉伸強(qiáng)度高于所述布線圖形的材料的拉伸強(qiáng)度。
5. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的電子器件封裝，其中布置金屬突起作為 加強(qiáng)構(gòu)件，所述金屬突起是所述布線圖形的一部分的突起。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的電子器件封裝，其中在所述金屬突起和 所述布線圖形之間，形成拉伸強(qiáng)度高于布線圖形材料的拉伸強(qiáng)度的金 屬膜。
7. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的電子器件封裝，其中所述內(nèi)插器基板包 括至少兩層所述布線圖形，并且用導(dǎo)體填充的過(guò)孔被布置作為加強(qiáng)構(gòu) 件，以在所述布線圖形之間建立連接。
8. 根據(jù)權(quán)利要求l-7中的一項(xiàng)所述的電子器件封裝，其中所述內(nèi)插 器基板的端部被彎曲，以覆蓋所述插入基板和/或所述電子器件的一部 分。
9. 根據(jù)權(quán)利要求l-8中的一項(xiàng)所述的電子器件封裝，其中包括所述 內(nèi)插器基板的樹脂的一部分是熱塑性樹脂。
10. 根據(jù)權(quán)利要求l-9中的一項(xiàng)所述的電子器件封裝，其中所述插入基板包括在其中容納所述電子器件的通孔，并且所述間隙被形成在 所述通孔的內(nèi)周和所述電子器件的外周之間。
11. 根據(jù)權(quán)利要求l-9中的一項(xiàng)所述的電子器件封裝，其中所述插入基板包括在其中容納所述電子器件的空腔，并且所述間隙被形成在 所述空腔的內(nèi)周和所述電子器件的外周之間。
12. 根據(jù)權(quán)利要求l-ll中的一項(xiàng)所述的電子器件封裝，其中無(wú)源元 件被形成在所述插入基板和所述內(nèi)插器基板之間。
13. —種電子器件封裝，包括根據(jù)權(quán)利要求1-12中的一項(xiàng)所述的電 子器件封裝，所述封裝以多層被層壓。
14. 一種電子器件封裝，包括根據(jù)權(quán)利要求1-12中的一項(xiàng)所述的至 少一個(gè)第一電子器件封裝和結(jié)構(gòu)不同于根據(jù)權(quán)利要求1-12所述的電子 器件封裝的結(jié)構(gòu)的至少一個(gè)第二電子器件封裝的組合，所述封裝被一 個(gè)層壓在另一個(gè)之上。
15. —種模塊，其中根據(jù)權(quán)利要求1-14中的一項(xiàng)所述的電子器件封 裝被安裝在電路板上。
16. —種電子設(shè)備，其中根據(jù)權(quán)利要求1-14中的一項(xiàng)所述的電子 器件封裝被安裝在電路板上。
全文摘要
提供一種電子器件封裝等，其中內(nèi)插器基板上的布線圖形不容易在電子器件和插入基板之間形成的空間中損壞。所述半導(dǎo)體封裝是扇出型封裝，設(shè)有內(nèi)插器基板(3)、半導(dǎo)體器件(1)以及安排在基板(3)上的插入基板(18)。內(nèi)插器基板(3)內(nèi)具有布線圖形(6)?？臻g(8)形成在半導(dǎo)體器件(1)和插入基板(18)之間，在與空間對(duì)應(yīng)的區(qū)域中，形成加強(qiáng)裝置，例如金屬膜(7)，用于增加布線圖形(6)的強(qiáng)度。
文檔編號(hào)H01L25/10GK101395715SQ20078000794
公開日2009年3月25日 申請(qǐng)日期2007年2月28日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月7日
發(fā)明者城內(nèi)俊昭, 大谷內(nèi)賢治, 山崎隆雄, 曾川禎道 申請(qǐng)人:日本電氣株式會(huì)社;恩益禧電子股份有限公司